JPS58224312A - 色分解フイルタの製造方法 - Google Patents
色分解フイルタの製造方法Info
- Publication number
- JPS58224312A JPS58224312A JP57107924A JP10792482A JPS58224312A JP S58224312 A JPS58224312 A JP S58224312A JP 57107924 A JP57107924 A JP 57107924A JP 10792482 A JP10792482 A JP 10792482A JP S58224312 A JPS58224312 A JP S58224312A
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- Japan
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- lift
- filter
- film
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は小形カラーテレビカメラ等に用いらiする耐熱
性に優れた無機材料による色分解フィルタの製造方法に
関する。
性に優れた無機材料による色分解フィルタの製造方法に
関する。
一般に、耐熱性に優れた無機材料による色分解ストライ
プフィルタとしては、主として、TiO2゜S 102
等の金属酸化物よりなる多層干渉フィルタが用いられて
いる。
プフィルタとしては、主として、TiO2゜S 102
等の金属酸化物よりなる多層干渉フィルタが用いられて
いる。
まだ上記金属酸化膜による多層干渉フィルタをストライ
プ化してパターンとするには、金属材料(lηえば、ク
ロム、銅、アルミニウム等)をリフト材としたリフト・
オフ法が主に用いられている。
プ化してパターンとするには、金属材料(lηえば、ク
ロム、銅、アルミニウム等)をリフト材としたリフト・
オフ法が主に用いられている。
さらに、上記の色分解ストライプフィルタを小形カラー
テレビカメラに用いる場合、ガラス基板等の撮像管面板
に内蔵して用いるのが通常であるこの時、耐熱性を考慮
して、内蔵に際しては、ガラス薄膜をスパッタ蒸着法に
よって色分解ストライプフィルタ]二に被覆する。そし
て、ガラス薄膜表面の凹凸は研摩等によって平滑化し、
その後、透明電極及び光導電膜を形成したのち、撮像管
として封止される。
テレビカメラに用いる場合、ガラス基板等の撮像管面板
に内蔵して用いるのが通常であるこの時、耐熱性を考慮
して、内蔵に際しては、ガラス薄膜をスパッタ蒸着法に
よって色分解ストライプフィルタ]二に被覆する。そし
て、ガラス薄膜表面の凹凸は研摩等によって平滑化し、
その後、透明電極及び光導電膜を形成したのち、撮像管
として封止される。
次に、従来の製造方法を、周波数分離方式の交差形色分
解ストライプフィルタについて詳述する。
解ストライプフィルタについて詳述する。
第1図に、色分解ストライプフィルタの構造及びその製
造工程を示す。まず、周波数分離方式の交差形色分解ス
トライプフィルタの製造を第1図とともに述べる。
造工程を示す。まず、周波数分離方式の交差形色分解ス
トライプフィルタの製造を第1図とともに述べる。
寸ず、十分に洗浄されたガラス基板1上に金属月利(例
えば銅、クロム、アルミニウム等)を真空蒸着し、フォ
トエツチング法によってフィルタパターンとは逆パター
ンにストライプ化して上記材料からなるリフトオフ用パ
ターン2を形成する^)。このときのエツチング液とし
ては銅の場合塩化第2鉄溶液、クロムの場合は硝酸第2
セリウムアンモン、アルミニウムの場合はリン酸・酢酸
・硝酸の混合、液を用いる。
えば銅、クロム、アルミニウム等)を真空蒸着し、フォ
トエツチング法によってフィルタパターンとは逆パター
ンにストライプ化して上記材料からなるリフトオフ用パ
ターン2を形成する^)。このときのエツチング液とし
ては銅の場合塩化第2鉄溶液、クロムの場合は硝酸第2
セリウムアンモン、アルミニウムの場合はリン酸・酢酸
・硝酸の混合、液を用いる。
次K、11の多層干渉フィルタ(シアンフィルタ)とな
るフィルター膜3を蒸着形成する。この膜3としてはT
iO2,SiO2等の酸化物膜の積層構造よりなる無機
材料を用いる。TiO2,SiO2は高融点材料のだめ
、電子ビーム加熱により6〜20X 10−5mbar
の酸素雰囲気中にて形成する(B)。
るフィルター膜3を蒸着形成する。この膜3としてはT
iO2,SiO2等の酸化物膜の積層構造よりなる無機
材料を用いる。TiO2,SiO2は高融点材料のだめ
、電子ビーム加熱により6〜20X 10−5mbar
の酸素雰囲気中にて形成する(B)。
しかるのち、リフト内である金属膜すなわちリフトオフ
用パターン2を前述した所定のエツチング液にて溶解除
去する。このときパターン2上のフィルター膜3はパタ
ーン2とともに除去され、ガラス基板1上にストライプ
状フィルターパターン3aが形成される(C”10この
とき、前記エツチング液がフィルターパターン3aにも
作用し、後述するようにパターン3aの光透過率が低下
する。
用パターン2を前述した所定のエツチング液にて溶解除
去する。このときパターン2上のフィルター膜3はパタ
ーン2とともに除去され、ガラス基板1上にストライプ
状フィルターパターン3aが形成される(C”10この
とき、前記エツチング液がフィルターパターン3aにも
作用し、後述するようにパターン3aの光透過率が低下
する。
次に、第1図(5)の場合と同様にパターン2と同じリ
フトオフ用パターン4を形成しくi))、第2の干渉フ
ィルタ膜6を形成する(E)。このフィルタ膜5はたと
えば黄色フィルター用であって前記膜3と同じくTiO
2,Sio2等の積層膜からなる。
フトオフ用パターン4を形成しくi))、第2の干渉フ
ィルタ膜6を形成する(E)。このフィルタ膜5はたと
えば黄色フィルター用であって前記膜3と同じくTiO
2,Sio2等の積層膜からなる。
しかるのち、第1図(B)で述べたと同様に、リフトオ
フ用パターン4を除去して、パターン3aと所定の角度
で交差するストライプ状のフィルターパターン5aを形
成する(F)。この工程においてもエツチング液の作用
によりパターン3a、5aの光透過度が減少する。
フ用パターン4を除去して、パターン3aと所定の角度
で交差するストライプ状のフィルターパターン5aを形
成する(F)。この工程においてもエツチング液の作用
によりパターン3a、5aの光透過度が減少する。
次に、光学的黒を得るだめにクロム膜6を所定。
のマクベス濃度(4〜4.5)に要する膜厚に蒸着する
6)。さらに、クロム膜6を硝酸第2セリウムアンモン
よりなるエツチング液にて所定の形状にフォトエツチン
グ法によってパターン化する(ハ)。
6)。さらに、クロム膜6を硝酸第2セリウムアンモン
よりなるエツチング液にて所定の形状にフォトエツチン
グ法によってパターン化する(ハ)。
しかるのち、ガラス薄膜7をスパッタ蒸着法等によって
4〜811m程度形成し、その後ガラス薄膜70表面の
凹凸がなくなるまで研摩を行なう(I)。
4〜811m程度形成し、その後ガラス薄膜70表面の
凹凸がなくなるまで研摩を行なう(I)。
最後に、透明電極8.光導電膜9を形成して撮像管とし
て封止される。
て封止される。
ところで、ガラス薄膜7のスパッタ蒸着時の温度上昇又
は光導電膜9形成時又は形成後の熱処理によっても多層
干渉フィルタであるフィルタパターン3a、5aの光透
過基低下が生じる。そして、この程度は、前述したリフ
トオフ用パターン2゜4形成のパターン化工程、フィル
ターパターン3d。
は光導電膜9形成時又は形成後の熱処理によっても多層
干渉フィルタであるフィルタパターン3a、5aの光透
過基低下が生じる。そして、この程度は、前述したリフ
トオフ用パターン2゜4形成のパターン化工程、フィル
ターパターン3d。
5a形成のだめのリフト・オフエ稈を経ると増加するこ
とが判明した。まだ、ガラス薄膜7のスパッタ蒸着時に
透過率低下が少ないものであってもガラス薄膜7の研摩
後の加熱工程等の後処理で低下する場合もある。
とが判明した。まだ、ガラス薄膜7のスパッタ蒸着時に
透過率低下が少ないものであってもガラス薄膜7の研摩
後の加熱工程等の後処理で低下する場合もある。
このように、前述した透過率低下を第2図に示す。第2
図のリフトオフの回数において、0回はストライプ状の
フィルターパターンを形成することなくフィルター膜3
,6形成後ガラス薄膜7をスパッタ蒸着し、研摩し、さ
らに透明電極8.光導電膜9等の形成あるいはその後の
熱処理として550″C215分施しだ場合の透過率低
下を示したものである。1回は第1図の(qののちすな
わち1回のリフトオフ工程ののち、前記と同様のガラス
薄膜7.透明電極8.光導電膜9の形成を行った場合、
2回はいわゆる第1図の方法の場合を示す。なお、第2
図はガラ4部を100%とした透過率を示したものであ
る。
図のリフトオフの回数において、0回はストライプ状の
フィルターパターンを形成することなくフィルター膜3
,6形成後ガラス薄膜7をスパッタ蒸着し、研摩し、さ
らに透明電極8.光導電膜9等の形成あるいはその後の
熱処理として550″C215分施しだ場合の透過率低
下を示したものである。1回は第1図の(qののちすな
わち1回のリフトオフ工程ののち、前記と同様のガラス
薄膜7.透明電極8.光導電膜9の形成を行った場合、
2回はいわゆる第1図の方法の場合を示す。なお、第2
図はガラ4部を100%とした透過率を示したものであ
る。
このように透過率低下した色分解ストライプフィルタを
周波数分離方式の単管カラーカメラに用いた場合、色信
号が完全に分離できず、色再現が大きく悪化する。
周波数分離方式の単管カラーカメラに用いた場合、色信
号が完全に分離できず、色再現が大きく悪化する。
従来の多層干渉フィルタの透過低下は、金属膜のフAト
エノチングによるリフトオフ用パターンの形成、前述し
たリフト・オフに用いられる強酸又は洗浄のだめの強酸
及びアルカリによって酸化物からなる無機材料フィルタ
ーパターン3a、6aに腐食が生−しることと、ガラス
薄膜7のスパッタ蒸着時あるいはその後の熱処理に伴う
フィルターパターン3a、6aの熱分解等によるものと
考えられる。
エノチングによるリフトオフ用パターンの形成、前述し
たリフト・オフに用いられる強酸又は洗浄のだめの強酸
及びアルカリによって酸化物からなる無機材料フィルタ
ーパターン3a、6aに腐食が生−しることと、ガラス
薄膜7のスパッタ蒸着時あるいはその後の熱処理に伴う
フィルターパターン3a、6aの熱分解等によるものと
考えられる。
本発明は、上記のような透過率低下による色再現性の劣
化を防ぎ、良質な酸化物無機材料による色分解フィルタ
の製造方法を提供するものである。
化を防ぎ、良質な酸化物無機材料による色分解フィルタ
の製造方法を提供するものである。
このため、本発明はリフト・オフ後の工程において、空
気中又は酸素中あるいは酸素を含む他の不治性ガス中等
にたとえば400°C〜600″Cにて熱処理を行なっ
て先金にフィルターパターンを焼きしめて膜質の改善を
行い光透過度の低下を少なくするものである。すなわち
、こうしだ熱処理により、多層干渉フィルタの材料であ
るT i02 。
気中又は酸素中あるいは酸素を含む他の不治性ガス中等
にたとえば400°C〜600″Cにて熱処理を行なっ
て先金にフィルターパターンを焼きしめて膜質の改善を
行い光透過度の低下を少なくするものである。すなわち
、こうしだ熱処理により、多層干渉フィルタの材料であ
るT i02 。
Sio2膜の清浄化および結晶性、酸化度の向にが生じ
光透過度の低下が少なくなるものと考えられる。
光透過度の低下が少なくなるものと考えられる。
本発明の一実施例にかかる色分解ストライプフィルター
の製造方法を第1図とともに説明する。
の製造方法を第1図とともに説明する。
まず、第1図(qまでは従来と同様の方法を用いる。
すなわち、十分に洗浄されたガラス基板1」―にたとえ
ば銅からなるリフトオフ材を用い、塩化第2鉄溶液を用
いたエツチングにてリフトオフ用パターン2を形成し、
第1の多層干渉フィルタ(シアンフィルタ)としてたと
えば電子ビーム加熱。
ば銅からなるリフトオフ材を用い、塩化第2鉄溶液を用
いたエツチングにてリフトオフ用パターン2を形成し、
第1の多層干渉フィルタ(シアンフィルタ)としてたと
えば電子ビーム加熱。
10 x 10 ’mbarの酸素雰囲気中、基板温度
320°CにてTiOとS 102が7〜11層交互に
積層さねたフィルター膜を用い、リフトオフにてフィル
ターパターン3aを形成する。
320°CにてTiOとS 102が7〜11層交互に
積層さねたフィルター膜を用い、リフトオフにてフィル
ターパターン3aを形成する。
こうして第1図(qの状態を得たのち、本発明の処理す
なわち大気中にてたとえばtsoo’c〜600°Cで
6時間の熱処理を加え、フィルターパターン3aの膜質
の改善を行う。
なわち大気中にてたとえばtsoo’c〜600°Cで
6時間の熱処理を加え、フィルターパターン3aの膜質
の改善を行う。
しかるのち、第1図(F)まではAfJ述した従来と同
様の方法を用いる。すなわち、同様にストライプ状フィ
ルターパターン5aを形成する。たとえばこのパターン
5aを構成する第2の多層干渉フィルタ(黄色フィルタ
)は前記パターン3aと同様。
様の方法を用いる。すなわち、同様にストライプ状フィ
ルターパターン5aを形成する。たとえばこのパターン
5aを構成する第2の多層干渉フィルタ(黄色フィルタ
)は前記パターン3aと同様。
の方法にてT 102と5iQ2を交互に16層程度積
層形成したものである。こうしたのち、再び、酸素を含
むガスによる熱処理すなわち前述の大気中の熱処理(5
00’C〜6 oo’c )を6時間程度行って、パタ
ーン3a、5aの膜質の改善を行う。
層形成したものである。こうしたのち、再び、酸素を含
むガスによる熱処理すなわち前述の大気中の熱処理(5
00’C〜6 oo’c )を6時間程度行って、パタ
ーン3a、5aの膜質の改善を行う。
しかるのち、g1図(q〜(J)は従来と同様の方法に
て撮像管内のフィルターを完成する。たとえば、ガラス
薄膜7のスパッタ蒸着は、マグネトロン型高周波スパッ
タ装置を用いガラス基板1と同一のバリウムクラウン光
学ガラスを蒸着した。この時の基板温度は250°C〜
300’Cであった。この後、表面を研摩して平滑化し
た後、透明電極8を形成し、Zn5e−CdTe−Zn
Te(In)膜を光導電膜9として形成し、真空中にて
550°C,1o〜15分間熱処理を施す。
て撮像管内のフィルターを完成する。たとえば、ガラス
薄膜7のスパッタ蒸着は、マグネトロン型高周波スパッ
タ装置を用いガラス基板1と同一のバリウムクラウン光
学ガラスを蒸着した。この時の基板温度は250°C〜
300’Cであった。この後、表面を研摩して平滑化し
た後、透明電極8を形成し、Zn5e−CdTe−Zn
Te(In)膜を光導電膜9として形成し、真空中にて
550°C,1o〜15分間熱処理を施す。
このような工程を経た後も、本発明の方法による色分解
ストライフリイルタは、第3図に示すように透過率低下
も少なく交差形ストライプフィルタとして完成後(リフ
トオフの回数2回の場合)も、最終工程時で平均5%程
度にとどまっており、光透過度が大きく改善された。こ
の程度の透過率低下であれば実用上は問題はない。第3
図における0回、1回は、第2図の0回、1回の方法に
おいて本発明の熱処理を施した場合である。
ストライフリイルタは、第3図に示すように透過率低下
も少なく交差形ストライプフィルタとして完成後(リフ
トオフの回数2回の場合)も、最終工程時で平均5%程
度にとどまっており、光透過度が大きく改善された。こ
の程度の透過率低下であれば実用上は問題はない。第3
図における0回、1回は、第2図の0回、1回の方法に
おいて本発明の熱処理を施した場合である。
なお、本発明の実施例において、第1図(qの後の熱処
理を行わず、第1図(F′)ののちの熱処理のみとした
場合、フィルターパターン3aの透過率を改善できる度
合は低下する。このことは、リフトオフ時すなわち未熟
処理状態でフィルターパターン3aを強酸、アルカリ溶
液にさらすことにより、フィルターパターン3a’に光
透過光の面で悪影響が及ぶことを示している。
理を行わず、第1図(F′)ののちの熱処理のみとした
場合、フィルターパターン3aの透過率を改善できる度
合は低下する。このことは、リフトオフ時すなわち未熟
処理状態でフィルターパターン3aを強酸、アルカリ溶
液にさらすことにより、フィルターパターン3a’に光
透過光の面で悪影響が及ぶことを示している。
また、第1図におけるガラス膜7としては基板300〜
350°Cで形成した5IO2膜でも同様の結果となる
とともに、大気中の熱処理セなく酸素ガス中あるいは酸
素を含む不活性ガス中での熱処理でも同様な効果が得ら
れた。
350°Cで形成した5IO2膜でも同様の結果となる
とともに、大気中の熱処理セなく酸素ガス中あるいは酸
素を含む不活性ガス中での熱処理でも同様な効果が得ら
れた。
以−にのように、酸化物等よりなる無機材料フィルター
の製造において、リフトオフによるフィルターパターン
形成後、酸素を含むガス中にて熱処理を施すことによっ
て、スパッタ蒸着等によるガラス薄膜の形成後又は表面
研摩による平滑化後の加熱工程を経ても、透過率低下の
少ない色分解フィルタを得ることができる。
の製造において、リフトオフによるフィルターパターン
形成後、酸素を含むガス中にて熱処理を施すことによっ
て、スパッタ蒸着等によるガラス薄膜の形成後又は表面
研摩による平滑化後の加熱工程を経ても、透過率低下の
少ない色分解フィルタを得ることができる。
第1図(A〜(J)は無機材料による色分解ストラーイ
ブフィルタの製造工程断面図、第2図はリフト・オフ処
理を経てガラス被膜形成後、表面を研摩によって平滑化
した後加熱処理を加えた従来の方法): にかかるフィルターの透過率低下の変化を示す図、第3
図は本発明によって得られた色分解ストライブフィルタ
の透過率低下の変化を示す図である。 1 ガラス基板、2,4・・−リフトオフ用パターン
、3a、3b・・・・−フィルターパターン、7・・
ガラス薄膜。
ブフィルタの製造工程断面図、第2図はリフト・オフ処
理を経てガラス被膜形成後、表面を研摩によって平滑化
した後加熱処理を加えた従来の方法): にかかるフィルターの透過率低下の変化を示す図、第3
図は本発明によって得られた色分解ストライブフィルタ
の透過率低下の変化を示す図である。 1 ガラス基板、2,4・・−リフトオフ用パターン
、3a、3b・・・・−フィルターパターン、7・・
ガラス薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 透光性基板上にリフトオン用パターンを選択的に形
成し、前記基板およびリフトオフ用パターン−ヒにフィ
ルター用無機薄膜を形成し、前記リフトオフ用パターン
およびその上の薄膜を除去してa記薄膜のパターンを形
成したのち、酸素を含むガス雰囲気中で熱処理すること
を特徴とする色分解フィルターの製造方法。 2 リフトオフ用パターンが金属膜よりなることを特徴
とする特許請求の範囲第1項に記載の色分解フィルター
の製造方法。 3 透光性基板上にリフトオフ用パターンを選択的に形
成し、前記基板およびリフトオフ用パターン上にフィル
ター用無機薄膜を形成し、前記リフトオフ用パターンお
よびその上の薄膜を除去して前記薄膜のパターンを形成
したのち、酸素を含むガス雰囲気中で熱処理し、前記薄
膜のパターン上にスパンタリング法にて透明膜を形成す
ることを特徴とする色分解フィルターの製造方法。 4 リフトオフ用パターンが金属膜よりなることを特徴
とする特許請求の範囲第3項に記載の色分解フィルター
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107924A JPS58224312A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 色分解フイルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57107924A JPS58224312A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 色分解フイルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58224312A true JPS58224312A (ja) | 1983-12-26 |
Family
ID=14471497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57107924A Pending JPS58224312A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 色分解フイルタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58224312A (ja) |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP57107924A patent/JPS58224312A/ja active Pending
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