JPS583327A - プツシユプル形mos論理回路 - Google Patents

プツシユプル形mos論理回路

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JPS583327A
JPS583327A JP56101119A JP10111981A JPS583327A JP S583327 A JPS583327 A JP S583327A JP 56101119 A JP56101119 A JP 56101119A JP 10111981 A JP10111981 A JP 10111981A JP S583327 A JPS583327 A JP S583327A
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JP
Japan
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circuit
logic
gate
push
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP56101119A
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English (en)
Inventor
Koichi Nishiuchi
西内 紘一
Hiromasa Takahashi
宏政 高橋
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS583327A publication Critical patent/JPS583327A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/094Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors
    • H03K19/0944Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET
    • H03K19/09441Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using field-effect transistors using MOSFET or insulated gate field-effect transistors, i.e. IGFET of the same canal type

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路内において論理回路間の信号配線数を
一少させつ\本来の論理機能を遂行しうるプッシュプル
形MO8論理回路に関する。
本田−人において、プッシュプル形MO11m理回路を
既に提案している。この回路はN−チヤンネル形の駆動
用MOB)ランジスタ及び負荷用V08トランジスタを
含み、駆動用MO8)ランジスタのゲージ電極に前段論
理回路の出力會警綬する一方、負荷用MO8)ランジス
タのゲート電極に前段論理回路の入力を接続することに
よシ、これらトランジスタを交互にオン・オフさせてC
M−08的なプッシュプル動作を生じさせる回路である
従って、この回路を用いて論理組合わせ回路を構成する
場合、論理入力がnである論理回路によ)次段の論理回
路をプッシュプル形で動作させるにtim+1本の信号
配線を次段の論理回路まで形成しなければならない。
このような信号配線は各論理回路が集積回路に形成され
る論理ブロック内にあって相互に近接している場合には
然したる間曜とはならないが、このような信号配線が論
理ブーツク間に跨るような場合にはその多さ及び長さか
ら、これら信号配線部分が集積回路に大きな面積を占め
る〇これを解決すべく上述のような信号配線の出力端に
は通常形式(非プツシニブル形式)の回路を設けて1信
号には1本の信号配線とする回路の提案も既にしである
この回路形式では、成る論理ブロック内の論理回路の論
理入力の一部に他の論理ブロック内の論理回路出力を受
ける場合にも、上記成る論1ブロック内の論理回路を上
述の通常形式の論理回路で構成しなければならず、消費
電力が大きくなるばか抄でなくプッシュプル形MOB論
理回路の有する高スイツチング特性を活し得す、低レベ
ルの効率に甘んじなければならなくなる。
本発明は上述したような実情に着目して創案されたもの
で、論理入力の全部又祉一部をその真数入力及び補数入
力から構成し、その信号配線数の減少を図抄これら信号
配線の、集積回路内に占める面積を少なくシ、チップ面
積の有効利用を推進し得るプッシュプル形MO8論理回
路を提供することをその目的とする。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の一実施例を説
明する。
第1図は本発明回路の一例である三入力ノア回wr11
ブ■ツク囚で示し、その−人力ムかノア1路1の属する
集積回路内の成る論理ブロック以外の他の論理ブロック
に属し、ノア回路1に対し前段となる論理回路から配線
されてその入力に弧びて来ておシ、他の二人力B、Cは
ノア回路の属する論理ブロック内の前段論理回路から配
徴されてそれぞれの入力に延びて来ている。
第1図の論理ブロック図の詳細図が第2図に示されてい
る。第2図において、三入力ノア回路1が属する集積回
路の論理ブーツク以外の前段論理回路(図示せず)の論
理出カムは通常形式(非プツシプル形式)の反転回路2
ONチャンネルMO8トランジスタ3のゲート及びプッ
シュプル形MO8論理回路、例えばプッシュプル形三人
力ノア回路10駆動用NチャンネルMo1)ランジスタ
4のゲートへ接続されている。
反転回路2ONチヤンネル工ンハンスメント形M08ト
ランジスタ30ソースは基準電位例えばアース電位へ接
続される一方、そのドレンはNチャンネルデプリーシl
ン形Mol!)ランジスタ5のゲート及びソースへ1続
されている。トランジスタ5のドレインは電源Weeへ
接続されている。
プッシュプル形三入力ノア回路lは上述ONチャンネル
Mo1)ライジスタ4のソース及び2つの駆動用Nチャ
ンネルM08トランジスタ6.7のソース管基準電位、
例えばアース電位に接続する一方、これらのトランジス
タ4,6.7のドレインを共通接続してその接続尭8を
ノア回路lの出力端9とし、そして上1111続点8に
、最初の負荷用NチャンネルMO8)ランジスタ10の
ドレインを電源vCCへ接続し、そのソースを次の負荷
用NチャンネルMO8)ランラスタ110ドレインに、
次いでトランジスタ11のソースを第3番目の負荷用N
チャンネルM08トランジス/12のドレインに接続し
た鋏トランジスタ120ソースを上記接続点8に接続し
てその出力系が構成され、これらトランジスタの内のト
ランジスタ60ゲートには同−論理ブロック内の第1D
I11段論■回路からのノア回路lのための論理人力1
が接続され、その補数論理人力IFi)ランジスタ11
のゲートへ接続され、また:同−論理ブロック内の第2
の前WN&’fllB路からのノア回路1のための真数
論理人力Cはトランジスタ7のゲートへ接続され、その
補数論理入力cFiシランジス!10のゲートへ接続さ
れ、そして、上述の反転回路2の出力Aがトランジスタ
12のゲートへl1rlkされてその全体か構成されて
いる。
このノア回路構成においてもプッシュプル形式でノア論
理機能を遂行する。これを要約して説明すると、ノア回
路1への三人カム、l、Cが共に低(又at)レベルに
あり、従ってA、B、Cti共に高(又はH)レベルに
ある場合に、出力端9に高レベルの出力が発生する。し
かしながら、三人カム、B、cの内の、いづれ炉′1つ
又は全部が高レベルにある、即ちA、B、CO内の、い
づれか1つ又は全部が低レベルにある場合には出力端9
には低レベルの出力が発生する。従って、第2図の回路
はノア論理機能を遂行する。
このようなノア論理機能は上述のような集積回路内の他
の論理ブロックに属し、ノア回路IK対し#段となる論
理回路の論理出力だけt1本の信号配llを用いてノア
回路1に導き、その配線tPm接に駆動用MOB)ラン
ジスタ4のゲートに、そして通常形式の反転回路1介し
て負荷用M08トランジスタ12のゲートにII絖する
だけで、遂行しつる。換言すれば、従来のような複数本
具体的に言えばn入力の論理回路の場合にn千1本もの
信号配lIを、集積回路の論理ブレツク内の論理回路間
の信号配線に比して、燻燵と設けることなしに、ノア論
理機能を遂行しうる。
このように、信号配線数を削減しうろことは集積(ロ)
路に占める信号配線面積の縮小をもたらし、チップ面積
の有効利用つ壇シ実装密度の向上に寄与するところ大な
るものがある。
また、ノア論理機能社完全なプッシュプル動作で遂行さ
れる故、本発明のノア回路においても、既に提案したプ
ッシュプル形M08論理回路で得られるメリット即ち、
低電力性、高スイツチング性を享受出来る。
第3図社本発明回路の他の実施例を示すナンド回路20
のブロック図で、その人カムと入力層。
Cとはそれぞれ、第1図と同様に、配lll1絖される
ものである。また、第4図は第3図0ナンド回路の詳細
図であるが、その構成は第2図回路における直列接続の
トランジスタ10.11.12を並列接続の負荷用Nチ
ャンネルwo−トランジスタ21.22.23で置き換
えると共に、並列接続のトランジスタ4,6.7を直列
接続の駆動用NチャンネルMo8)ランジス!24.2
5.26で置き換え、これらトランジスタのゲートに図
示の如き信号配線を施して成る。即ち、ナンド回路の属
する論理ブロック外の論理ブ璽ツタからの論理入カムは
1本の信号配*28を介してナンド回路20に至夛、そ
の人カムは直接にトランジスタ24のゲートへ接続され
ると共に通常形式(非プッシュプル形式)°の反転回路
29を介してトランジスタ21のゲートへ接続され、ま
た、ナンド1路20の属する論理ブロック内の第1の前
段論理回路(図示せず)からナンド回路20への真数論
理入力層はトランジスタ25のゲートへ接続され、その
補数論理入力塾はトラン、ジスタ22のゲートへ接続さ
れ、これに加えて第2の前段論理回路(図示せず)から
ナンド(ロ)路20への真数論理入力Cはトランジスタ
26のゲートへ接続され、その補数論理入力Cはトラン
ジスタ23のゲートへ接続されている。
仁のナンド回路20は完全なプッシュプル動作をなして
低電力性、高スイツチング性を錯持しっ\通常のナンド
論理機能を遂行するうこのナンド論理機能を要約して説
明すると、論理入カム、II、Cが高レベルにある、換
言すればム、B、Cが低レベルにある噛合、K )ラン
ジスタ24.25゜26がオンにな夛、トランジスタ2
]、22.23がオフになって出力増30に低レベルの
出力を発生させる。これに対し、論理人力A、B、Cの
内のいづれかの入力が低レベルにある、換言すればN、
1に、Cの内のいづれかの入力が高レベルにある場合に
はトランジスタ25,24.26の内のいづれかのトラ
ンジスタがオフになl、)ランジス!21.22.23
の内Oいづれかのトランク、スタがオンになって出力J
I130に高レベルの出力を発生する。従って、第4図
の回路はナンド論理機能を演じている。
tた、このナンド回路20の論理人力ム社ナンド回路2
0の属する論理ブロック以外の#1理ブロック内の論m
回路から来るが、この論理入カムに応答してナンド回路
20をプッシュプル形式で動作させるのに、従来のよう
な複数本の信号配線で彦く、1本の信号配線で足りるか
ら、こ0ナンド回路20においても、上述したノア回路
1の場合に得られる効果を享受出来る。
上記実施例においては、NチャンネルMol!)ランジ
スタを用いた例について説明したが、論理入力の極性を
逆にしてPチャンネルTh[08トランジスタを用いる
こと−も出来る。tた、プッシュプル形MOB論m回路
への論理入力の一部が同一の&理ブ日ツク内の比較的に
遠い論理1路から来る場合にも同勢に適用しうゐことは
言う盲でもない。
以上費するに、本発明によれば、プッシュプル形MoS
論理回路への論理入力の一部又は全S11本の信号配線
でプッシュプル形MO8論理回路まで持って来ることが
出来る。従って、信号配線数を削減出来る。このことは
前段論理回路への入力数が多(なればなるほど原著とな
る。そして、信号配II會集積回路の論理ブロック間で
引11回わさねばならない場合には、上記信号配線の削
減によシ信号配線面積の大幅な縮小をもたらし、チップ
面積の有効利用換言すれば実装密度の向上に寄与すると
ころが大きい。このような効果はプッシュプル形Mol
論理回路の低電力性、高スイツチング性を維持しつ\得
られる。
【図面の簡単な説明】
、第1図は本発明の一実j1ガであるノア回路のブロッ
ク図、第2図は第1図回路の詳細図、鮪3図、は本発明
の他の実施例であるナンド回路のブロック図、第4図は
第3図回路の詳細図である。 図中、1社ノア回路、2は非ブツシュグル形反転回路、
4.6.ブは駆動用MO8)ランジス!、10.11.
12は負荷用MO8)ランジスタである。 特許出動人  富士通株式会社 代理人 弁理士   松 岡 宏 四 部第1図 第3図 第4図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)少なくとも2つの前°段1m回路から論理入力を受
    けるプッシュプル形Mol論理回路において、少なくと
    も一方の前段論理回路からの論理入力を上記プッシュプ
    ル回路の駆動用Mo1t)ランジスタのi−トt<接続
    し、さらに上記論理入力を非プッシュプル形反転回路を
    経て上記駆動用Mo1)ランジスタと相@関係にある負
    荷用MO8トランジスタのゲートに接続したことを特徴
    とするプッシュプル形MOs論理回路。 2)上記一方の前段論理回路社集積回路内の他方ル形M
    o1e論理回路。
JP56101119A 1981-06-29 1981-06-29 プツシユプル形mos論理回路 Pending JPS583327A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6431850A (en) * 1987-07-28 1989-02-02 Tatsuta Densen Kk Vinyl chloride polymer composition

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50101119A (ja) * 1974-01-09 1975-08-11
JPS522156A (en) * 1975-06-24 1977-01-08 Hitachi Ltd Push-pull buffer circuit

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