JPS5833828A - 半導体表面処理装置 - Google Patents
半導体表面処理装置Info
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- JPS5833828A JPS5833828A JP13146481A JP13146481A JPS5833828A JP S5833828 A JPS5833828 A JP S5833828A JP 13146481 A JP13146481 A JP 13146481A JP 13146481 A JP13146481 A JP 13146481A JP S5833828 A JPS5833828 A JP S5833828A
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- Japan
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- processing
- wafers
- wafer
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェーハのＣＶＤ処理、エツチング処理
、その他の薄膜形成処ＩＩ等に好適な表面処ｉｉ＊ｔに
関し、時にウェーハな連続的にかつ高効率で処理するこ
とができる装置に間するものである。
、その他の薄膜形成処ＩＩ等に好適な表面処ｉｉ＊ｔに
関し、時にウェーハな連続的にかつ高効率で処理するこ
とができる装置に間するものである。
１１体Ｍ装の製造には、ＣＶＤ 、エツチング。
その他の薄膜形成等の種★の処理が必要とされる。
例えば、ＣＶＤ処理では第１図に示すように、互に対向
する上電極１と下電極２を設け、上電極１にウェーハ３
を支持した上でウェーハ３をヒータ４にて加熱しながら
両電極間に高周波を印加させ、電極間で発生するプラズ
マにより反応ガス５を反応分解させてウェーハ表面に薄
膜を形成する構成が採用されている。また、この場合、
複数枚のウェーハを連続処理するに際しては、第２図（
２）、＠に示すようにウェーハ３ａ−ｈを直線上あるい
は円周上に直列配置し、図示矢印のように一方から他方
へ向けてウェーハ３ｓ＋ｘｈを順送り移動させながら処
理するようにしている。
する上電極１と下電極２を設け、上電極１にウェーハ３
を支持した上でウェーハ３をヒータ４にて加熱しながら
両電極間に高周波を印加させ、電極間で発生するプラズ
マにより反応ガス５を反応分解させてウェーハ表面に薄
膜を形成する構成が採用されている。また、この場合、
複数枚のウェーハを連続処理するに際しては、第２図（
２）、＠に示すようにウェーハ３ａ−ｈを直線上あるい
は円周上に直列配置し、図示矢印のように一方から他方
へ向けてウェーハ３ｓ＋ｘｈを順送り移動させながら処
理するようにしている。
ところでこのような処理装置においては、通常時間当り
の処理数を多くするために反応ステージ璽ンを複数個設
けるとともに、各ウェーハ３ａ〜ｈは全ステージ謬ン６
ａ−ｆを通過した時点で所迦の膜厚となるように構成し
ているため、各ステージｌンで形成される膜の間に膜質
の変化が生じ、積層膜となって膜の均質性が悪いという
問題がある。また、前述の処理ではウェーハは輻射熱に
よって加熱されるため、加熱温度の均一性が悪く、昇温
時間にも長時間を要するという問題がある。
の処理数を多くするために反応ステージ璽ンを複数個設
けるとともに、各ウェーハ３ａ〜ｈは全ステージ謬ン６
ａ−ｆを通過した時点で所迦の膜厚となるように構成し
ているため、各ステージｌンで形成される膜の間に膜質
の変化が生じ、積層膜となって膜の均質性が悪いという
問題がある。また、前述の処理ではウェーハは輻射熱に
よって加熱されるため、加熱温度の均一性が悪く、昇温
時間にも長時間を要するという問題がある。
一方、前述の装置では処理中に発生する異物がウェーハ
表面に付着するのを防止するために、第３ｗのように上
部電極１内に恢合したリング状のホルダ７に爪７ｍを設
け、ウェーハ３をこの爪７ａに引掛けて保持するように
している。このため、ホルダ７は高周波電極の一部とな
るため高周波伝導性のよいアルミニウム材を使用しかつ
爪７鳳を小さく形成しなければならないため爪７ａが破
損し易くなる。また、ホルダ７内へのウェーへの装填は
、通常表面を上にしているウェーハを真空ビンセット等
を用いて反転させながら行なうために、作業性が悪くか
つ自動化に適さないという問題もある。
表面に付着するのを防止するために、第３ｗのように上
部電極１内に恢合したリング状のホルダ７に爪７ｍを設
け、ウェーハ３をこの爪７ａに引掛けて保持するように
している。このため、ホルダ７は高周波電極の一部とな
るため高周波伝導性のよいアルミニウム材を使用しかつ
爪７鳳を小さく形成しなければならないため爪７ａが破
損し易くなる。また、ホルダ７内へのウェーへの装填は
、通常表面を上にしているウェーハを真空ビンセット等
を用いて反転させながら行なうために、作業性が悪くか
つ自動化に適さないという問題もある。
したがりて本発明の目的はウェーハ等の複数個の被処理
物を一時処理可能な処理部と、前記被処理物を直列状態
で移送する搬送部と、搬送されてきた被処理物を複数個
毎にまとめて処理部内に出入させるローダおよびアンロ
ーダとを備え、前記処理部は被処理物を同一姿勢状態の
まま電極とローダ、アンローダとの間で移載できかつ処
理を行ない得るように構成することにより、膜の品質を
向上しかつ処理の高速化を達成する一方、自動化を可能
にした表面処理装置を提供することにある。
物を一時処理可能な処理部と、前記被処理物を直列状態
で移送する搬送部と、搬送されてきた被処理物を複数個
毎にまとめて処理部内に出入させるローダおよびアンロ
ーダとを備え、前記処理部は被処理物を同一姿勢状態の
まま電極とローダ、アンローダとの間で移載できかつ処
理を行ない得るように構成することにより、膜の品質を
向上しかつ処理の高速化を達成する一方、自動化を可能
にした表面処理装置を提供することにある。
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
第４図および第５図は本発明の実施例装置の正面断面図
および模式的平面図であり、１０は処理部、１１．１２
はこの処理部へ被処理物であるウェーハを搬入かつ搬出
する搬送部、１３．１４は搬送部１１ 、１２と処理部
１０との間でウェーハを移載するローダおよびアンロー
ダであル、前記処理部１０は中央処［１ｉ［１５と、そ
の左右に張設した処理前予備富１６．処ｍ後予備室１７
とを外部と気密を保って構成している。中央処ｆＭ１！
１５の上部にはと−＃１９を一体的に有する上部電極１
８を一定し、その麦ＩＩ（下ＩＩＩ）には均熱板２０を
、また背後には断熱板２１を設けている。（第８図参照
）、ｔた、下部には上下動可能な下部電極２２を上下動
輪２３により支持しており、この下部電極２２には第６
図および第８図に合わせて示すように絶縁リング２４を
介して４本の爪２６を有するサポータ２５を取着してい
る。この爪２６は第６図のように、後述する搬送シレイ
３５，３７の四隅切欠９３９間を上下移動でき、かつ各
廊６によりウェーハＷの円周画箇所を支承できる。なお
、前記上下動軸２３は第８図のように長さ方向に二分し
た上で両者をベリーズ２７にて連結し、かつ下側の軸に
固着したスリーブ２８を１轢の軸に一動可能に嵌押して
直線状態を保っている。上下動軸２３内には図外の反応
ガス源に連通する透孔２９を形成し、この孔を通して中
央処理室１５内に反応ガスを導入し得る一０図中、３０
は反応ガス排気路である。ここで、本実施例では前記下
部電極２２に設けたサポータ２５を紙面と直角な方向に
３領２５ａｘｃ配列している（第５図参照）。
および模式的平面図であり、１０は処理部、１１．１２
はこの処理部へ被処理物であるウェーハを搬入かつ搬出
する搬送部、１３．１４は搬送部１１ 、１２と処理部
１０との間でウェーハを移載するローダおよびアンロー
ダであル、前記処理部１０は中央処［１ｉ［１５と、そ
の左右に張設した処理前予備富１６．処ｍ後予備室１７
とを外部と気密を保って構成している。中央処ｆＭ１！
１５の上部にはと−＃１９を一体的に有する上部電極１
８を一定し、その麦ＩＩ（下ＩＩＩ）には均熱板２０を
、また背後には断熱板２１を設けている。（第８図参照
）、ｔた、下部には上下動可能な下部電極２２を上下動
輪２３により支持しており、この下部電極２２には第６
図および第８図に合わせて示すように絶縁リング２４を
介して４本の爪２６を有するサポータ２５を取着してい
る。この爪２６は第６図のように、後述する搬送シレイ
３５，３７の四隅切欠９３９間を上下移動でき、かつ各
廊６によりウェーハＷの円周画箇所を支承できる。なお
、前記上下動軸２３は第８図のように長さ方向に二分し
た上で両者をベリーズ２７にて連結し、かつ下側の軸に
固着したスリーブ２８を１轢の軸に一動可能に嵌押して
直線状態を保っている。上下動軸２３内には図外の反応
ガス源に連通する透孔２９を形成し、この孔を通して中
央処理室１５内に反応ガスを導入し得る一０図中、３０
は反応ガス排気路である。ここで、本実施例では前記下
部電極２２に設けたサポータ２５を紙面と直角な方向に
３領２５ａｘｃ配列している（第５図参照）。
一方、前記各予備！１６．１７には夫々ウェーへの搬入
扉３１．搬出扉３２を上下方向にＮｌｌ５できるように
設け、特にｗ５成したときには千＠１Ｅ１６゜１７内部
を外部と隔絶し、図外の真空ポンプの作用によって予備
室内を真空状態にできる。また、このように真空状態と
なったときには、各予備室１６．１７と中央処ｍ室１５
との境界にある常閉シャッタ３３．３４を開放できる。
扉３１．搬出扉３２を上下方向にＮｌｌ５できるように
設け、特にｗ５成したときには千＠１Ｅ１６゜１７内部
を外部と隔絶し、図外の真空ポンプの作用によって予備
室内を真空状態にできる。また、このように真空状態と
なったときには、各予備室１６．１７と中央処ｍ室１５
との境界にある常閉シャッタ３３．３４を開放できる。
更に、前記各予備室１６．１７内には中央処理室１５側
の端部にウェーハを装置し得る支持部３６．３８を形成
した搬送Ｆレイ３５．３７を第４図の左右方向に夫々独
立して往復移動できるように内装している。
の端部にウェーハを装置し得る支持部３６．３８を形成
した搬送Ｆレイ３５．３７を第４図の左右方向に夫々独
立して往復移動できるように内装している。
前記支持部３６．３８には前述した四隅切欠部３９を形
成している（第６図参照）。また、前記搬入扉３１．搬
出扉３２の近傍には上下方向に約１８０゜回転可能でか
つウェーハを真空吸着可能な反転アーム４０．４１を設
置している。図中、４２．４３は搬送トレイ３５，３７
の移動用のレールである。
成している（第６図参照）。また、前記搬入扉３１．搬
出扉３２の近傍には上下方向に約１８０゜回転可能でか
つウェーハを真空吸着可能な反転アーム４０．４１を設
置している。図中、４２．４３は搬送トレイ３５，３７
の移動用のレールである。
なお、前記搬送トレイ３５と反転アーム４０とで蓼−ダ
１３をｌｌ１ＩＩＬする一方、搬送トレイ３７と反転ア
ーム４１とでアンルーダ１４を構成し、これら各ローダ
１３とアンルーダ１４とは前記サポータ２５ａＮｃの両
側に３個ず”） １３１Ｎｃ 、１４ａ〜ＣＩ２設して
いる。
１３をｌｌ１ＩＩＬする一方、搬送トレイ３７と反転ア
ーム４１とでアンルーダ１４を構成し、これら各ローダ
１３とアンルーダ１４とは前記サポータ２５ａＮｃの両
側に３個ず”） １３１Ｎｃ 、１４ａ〜ＣＩ２設して
いる。
更に前記各予備室１６．１７の外側には第４図の紙画と
直角な方向に移動可能な搬送アーム４４゜４５を配設し
、この搬送アーム４４．４５により前記搬送部１１．１
２を構成している。これら搬送アーム４４．４５はその
上面にウェーハを支承でき、第５図に示す前工鴨傭のマ
ガジン４６内からローダステージ謬ン４７へ搬送し、か
つアンローダステージ璽ン４８から後工程側のマガジン
４９内に搬送する。なお、四−ダ、アンｐ−ダの各ステ
ーｈン４７，４ｇはウェーハＷを夫々３枚Ｗａ−ｃ、Ｗ
ａ’〜Ｃずつ直列に配列できるようにしている。
直角な方向に移動可能な搬送アーム４４゜４５を配設し
、この搬送アーム４４．４５により前記搬送部１１．１
２を構成している。これら搬送アーム４４．４５はその
上面にウェーハを支承でき、第５図に示す前工鴨傭のマ
ガジン４６内からローダステージ謬ン４７へ搬送し、か
つアンローダステージ璽ン４８から後工程側のマガジン
４９内に搬送する。なお、四−ダ、アンｐ−ダの各ステ
ーｈン４７，４ｇはウェーハＷを夫々３枚Ｗａ−ｃ、Ｗ
ａ’〜Ｃずつ直列に配列できるようにしている。
次に本発明装置による処理作用を説明する。
搬送部１１の搬送アーム４４がウェーハＷを支承してロ
ーダスデーシ璽ン４７にまで搬拳し、ウェーハが３教区
列状態に配列されると反転アーム４０がウェーハＷを吸
着する０次いで、搬入扉３１が開放するのと略同時に反
転アーム４０が回転し、ウェーハＷを搬送トレイ３５上
に移動させかつ吸着を解除する。これによりウェーハＷ
はその表面を下向きにした状態で搬送トレイ３５上に載
置される。そして、搬入扉３１を閉成するとともに予備
室１６を真空引きし、所定の真空圧になったところで常
閉シャッタ３３を開放する。次いで、搬送トレイ３５は
第４図および第７図囚に示すように右進し、ウェーハＷ
がサポータ２５の直上位置に到達した位置で停止する。
ーダスデーシ璽ン４７にまで搬拳し、ウェーハが３教区
列状態に配列されると反転アーム４０がウェーハＷを吸
着する０次いで、搬入扉３１が開放するのと略同時に反
転アーム４０が回転し、ウェーハＷを搬送トレイ３５上
に移動させかつ吸着を解除する。これによりウェーハＷ
はその表面を下向きにした状態で搬送トレイ３５上に載
置される。そして、搬入扉３１を閉成するとともに予備
室１６を真空引きし、所定の真空圧になったところで常
閉シャッタ３３を開放する。次いで、搬送トレイ３５は
第４図および第７図囚に示すように右進し、ウェーハＷ
がサポータ２５の直上位置に到達した位置で停止する。
すると、下部電極２２とともにサポータ２５が上動し、
第７図■のように搬送トレイ３７の支持部３６上からサ
ポート８５上にウェーハＷをすくい取り、爪２６の上に
支承する。その後、搬送トレイ３５は左方へ復動し常閉
シャッタ３３を開閉する。下部電極２２は更に引き続い
て上動し、最終的には第８図に示すようにウェーハＷを
均熱板２０に当接させる。そして、この状態でヒータ１
９によりウェーハを加熱し、かつ透孔２９から中央処理
室１５内に反応ガスを導入し、更に上、下電極１８．２
２間に高周波を印加することによりＣＶ ＤＪ６１１を
行なうことができる。処理の完了後、下部電極２２は初
期位置よりも着干高い位置に停止する。
第７図■のように搬送トレイ３７の支持部３６上からサ
ポート８５上にウェーハＷをすくい取り、爪２６の上に
支承する。その後、搬送トレイ３５は左方へ復動し常閉
シャッタ３３を開閉する。下部電極２２は更に引き続い
て上動し、最終的には第８図に示すようにウェーハＷを
均熱板２０に当接させる。そして、この状態でヒータ１
９によりウェーハを加熱し、かつ透孔２９から中央処理
室１５内に反応ガスを導入し、更に上、下電極１８．２
２間に高周波を印加することによりＣＶ ＤＪ６１１を
行なうことができる。処理の完了後、下部電極２２は初
期位置よりも着干高い位置に停止する。
次に、既に真空引きしである処理後予備室１７との間の
常閉シャッタ３４を岡放し、搬送トレイ３７を左進させ
てその支持部３８をサポート２５の下に侵入させる。そ
して、下部電極を下げることにより、ウェーハＷは搬送
トレイ３７に移載され、搬送トレイ３７を右進すること
によりウェーハＷは予備室１７内に移動される。常閉シ
ャッタ３４はその＊ｗ４ｇする。次いで、搬出扉３２を
關歓して反転アーム４１を作動すれば、ウェーハＷはア
ン―−ダステーシｌン４８に待機していた搬送アーム４
１により後工程側へ搬送されることになる。
常閉シャッタ３４を岡放し、搬送トレイ３７を左進させ
てその支持部３８をサポート２５の下に侵入させる。そ
して、下部電極を下げることにより、ウェーハＷは搬送
トレイ３７に移載され、搬送トレイ３７を右進すること
によりウェーハＷは予備室１７内に移動される。常閉シ
ャッタ３４はその＊ｗ４ｇする。次いで、搬出扉３２を
關歓して反転アーム４１を作動すれば、ウェーハＷはア
ン―−ダステーシｌン４８に待機していた搬送アーム４
１により後工程側へ搬送されることになる。
ここで、前記した作用、即ちローダステージ冒ン４７か
らアンｐ−ダステーシ璽ン４８の間におけるウェーハ処
理は複数枚、本例では３枚のウェーハを同時に処理する
。また、前述した各作用の各１薯は順送り的になされる
ものであり、例えば１グループ（３枚）のウェーハを中
央処理室１５において処理しているときには、前のグル
ープのウェーハ（処理の完了したウェーハ）は処理後予
備室１７から室外へ搬出されて搬送部１２により搬送さ
れ、後のグループのウェーハ（次に処理するウェーハ）
は搬送部１１から処理後予備室１６内へ搬入されること
になる。このとき、後々のグループのウェーハがローダ
ステージ冒ン４７に搬送されてくることは言うまでもな
い。
らアンｐ−ダステーシ璽ン４８の間におけるウェーハ処
理は複数枚、本例では３枚のウェーハを同時に処理する
。また、前述した各作用の各１薯は順送り的になされる
ものであり、例えば１グループ（３枚）のウェーハを中
央処理室１５において処理しているときには、前のグル
ープのウェーハ（処理の完了したウェーハ）は処理後予
備室１７から室外へ搬出されて搬送部１２により搬送さ
れ、後のグループのウェーハ（次に処理するウェーハ）
は搬送部１１から処理後予備室１６内へ搬入されること
になる。このとき、後々のグループのウェーハがローダ
ステージ冒ン４７に搬送されてくることは言うまでもな
い。
したがって、以上のような処理装置にあっては、搬送部
１１にて搬送されてきた複数枚のウェーハを複数枚毎に
１グループとして同時に処理するので、ウェー八表面に
一時に薄膜を形成することができ均質な膜を形成するこ
とができる。また、１グループの処理を行なっている間
に他のウェーハは順送り的に作用が進行されているので
、ウェーハの処理効率が低下することもない。更に、搬
送部１ｌ−ａ−ダ１３−処理部１０−アンローダ１４−
搬送部１２の間におけるウェーハの移動は全て自動的に
行なうことができ、装置の自動処理を可能にする。特に
予備室１６．１７と中央処瑠富１５との間ではウェーハ
を下向きにしたままの状態で移動かつ移載を行なうこと
ができるので、処理の自動化を極めて容易なものとする
。
１１にて搬送されてきた複数枚のウェーハを複数枚毎に
１グループとして同時に処理するので、ウェー八表面に
一時に薄膜を形成することができ均質な膜を形成するこ
とができる。また、１グループの処理を行なっている間
に他のウェーハは順送り的に作用が進行されているので
、ウェーハの処理効率が低下することもない。更に、搬
送部１ｌ−ａ−ダ１３−処理部１０−アンローダ１４−
搬送部１２の間におけるウェーハの移動は全て自動的に
行なうことができ、装置の自動処理を可能にする。特に
予備室１６．１７と中央処瑠富１５との間ではウェーハ
を下向きにしたままの状態で移動かつ移載を行なうこと
ができるので、処理の自動化を極めて容易なものとする
。
一方、処理部ｌＯにおいては、第８１ｇに示すように、
ウェーハＷはサポータ２５にて上部電極１８の均熱板列
ｑ−旺接されて加熱されるので、伝導加熱が行なわれ輻
射加熱よりも均一な加熱を行なうことができる。なお、
このとき上下動軸２３内に介装したベリーズ２７の緩衝
作用により、ウェーハの圧接時に無理な力がウェーハに
加わることハナく、ウェーハが破損されることもない。
ウェーハＷはサポータ２５にて上部電極１８の均熱板列
ｑ−旺接されて加熱されるので、伝導加熱が行なわれ輻
射加熱よりも均一な加熱を行なうことができる。なお、
このとき上下動軸２３内に介装したベリーズ２７の緩衝
作用により、ウェーハの圧接時に無理な力がウェーハに
加わることハナく、ウェーハが破損されることもない。
更に、サポータ２５は下部電極２２とは絶縁状態を保っ
ているため、サポータ自身が電極の一部として構成され
ることはなく、したがって強度の高いステンレス−の使
用を可能にして爪２６の強度を高めその破損を防止する
こともできる。
ているため、サポータ自身が電極の一部として構成され
ることはなく、したがって強度の高いステンレス−の使
用を可能にして爪２６の強度を高めその破損を防止する
こともできる。
ここで、本実施例はＣＶＤ処理用の装置に本発明を適用
した例であるが、エツチング処理その他の薄膜形成処理
の装置にも同様に実施できることは言うまでもない。
した例であるが、エツチング処理その他の薄膜形成処理
の装置にも同様に実施できることは言うまでもない。
以上のように本発明の表面処理装置によれば、順次搬送
される被処理物を複数個毎にまとめて処理部内に出入さ
せかつ処理を行なうとともに、処理部では被処理物を同
一姿勢状態のまま移動させかつ処理を行なうので、被処
理物の表面を均質なものにして膜の品質を向上するとと
もに処理の高速化を達成しかつ装置の自動化を可能にす
るという効果を奏する。
される被処理物を複数個毎にまとめて処理部内に出入さ
せかつ処理を行なうとともに、処理部では被処理物を同
一姿勢状態のまま移動させかつ処理を行なうので、被処
理物の表面を均質なものにして膜の品質を向上するとと
もに処理の高速化を達成しかつ装置の自動化を可能にす
るという効果を奏する。
第１図は従来装置の一部断面図、第２図囚、（８）は従
来装置の工程を示す模式的平面図、第３図は第１図の一
部の拡大断ｗｇ、第４図は本発明の一実施例装置の正面
断面図、第５図はその模式的平面図、第６図はサポータ
部位の斜視図、第７範回。 ■は同部位の作用説明図、第８図は第４図の一部の拡大
図である。 １０・・・処理部、１１．１２・・・搬送部、１３・・
・ローｒ、１４・・・７ン０−１，１５・・・中央処珈
富、１６・・・処理筒予備室、１７・・・処理後予備室
、１８・・・上部電極、１９・・・ヒータ、２２・・・
下部電極、２５・・・サポータ、２６・・・爪、３７．
３９・・・搬送トレイ、４０．４１・・・反転アーム、
４４．４５−・・搬送アーム、４７・・・ローダステー
ジ曹ン、４Ｂ−・・アンｐ−ダステーシ冒ン、Ｗ・・・
ウェーハ（被処理物）。 第 １ 図
来装置の工程を示す模式的平面図、第３図は第１図の一
部の拡大断ｗｇ、第４図は本発明の一実施例装置の正面
断面図、第５図はその模式的平面図、第６図はサポータ
部位の斜視図、第７範回。 ■は同部位の作用説明図、第８図は第４図の一部の拡大
図である。 １０・・・処理部、１１．１２・・・搬送部、１３・・
・ローｒ、１４・・・７ン０−１，１５・・・中央処珈
富、１６・・・処理筒予備室、１７・・・処理後予備室
、１８・・・上部電極、１９・・・ヒータ、２２・・・
下部電極、２５・・・サポータ、２６・・・爪、３７．
３９・・・搬送トレイ、４０．４１・・・反転アーム、
４４．４５−・・搬送アーム、４７・・・ローダステー
ジ曹ン、４Ｂ−・・アンｐ−ダステーシ冒ン、Ｗ・・・
ウェーハ（被処理物）。 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ウェーハ等の複数個の半導体被処理物を処理可能
な処理部と、前記被Ｊ６履物を順序的に直列状跡で移送
する搬送部とからなる半導体表面処理装置。 １ ウェーハ等の複数個の半導体被処理物を同時処理可
能な処理部と、前記被処理物を順序的に直列状態で移送
する搬送部と、搬送されてきた被処理物を複徴偏毎に盲
とめて前記処理部内に出入さ曽るｐ−ダおよびアンレー
ダとを備え、前記処理部は彼処ｌＩＩ＃Ｉを同−姿勢状
鯵のまま電極と前配り−ダ、アン書−ダとの関で移職で
きかつ処理を行ない得るように１１１ｍ１シたことを特
徴とする特許請求の範ＩＩ第１項記戦の半導体表面処理
ｉ＊ｔ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13146481A JPS5833828A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 半導体表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13146481A JPS5833828A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 半導体表面処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5833828A true JPS5833828A (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=15058567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13146481A Pending JPS5833828A (ja) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | 半導体表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5833828A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169045U (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-12 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPS60200520A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 反応処理装置 |
| JPS6384937U (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | ||
| JPH03101247A (ja) * | 1988-11-30 | 1991-04-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH08264621A (ja) * | 1988-02-12 | 1996-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
| JPH08321537A (ja) * | 1996-05-20 | 1996-12-03 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
-
1981
- 1981-08-24 JP JP13146481A patent/JPS5833828A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169045U (ja) * | 1983-04-27 | 1984-11-12 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置 |
| JPS60200520A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 反応処理装置 |
| JPS6384937U (ja) * | 1986-11-21 | 1988-06-03 | ||
| JPH08264621A (ja) * | 1988-02-12 | 1996-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法及び処理装置 |
| JPH03101247A (ja) * | 1988-11-30 | 1991-04-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH08321537A (ja) * | 1996-05-20 | 1996-12-03 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
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