JPS5834951A - ダブルヒ−トシンク形半導体装置の製造方法 - Google Patents
ダブルヒ−トシンク形半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5834951A JPS5834951A JP56134566A JP13456681A JPS5834951A JP S5834951 A JPS5834951 A JP S5834951A JP 56134566 A JP56134566 A JP 56134566A JP 13456681 A JP13456681 A JP 13456681A JP S5834951 A JPS5834951 A JP S5834951A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- pair
- heat sink
- semiconductor device
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/138—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07351—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting
- H10W72/07354—Connecting or disconnecting of die-attach connectors characterised by changes in properties of the die-attach connectors during connecting changes in dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/341—Dispositions of die-attach connectors, e.g. layouts
- H10W72/347—Dispositions of multiple die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はモールド形半導体装置、特にダイオードや整
流器等２端子構造の半導体素子の両側にヒートシンクを
配設し、両電極面より放熱させるダブルヒートシンク構
造の半導体装置の製造方法（関する。
流器等２端子構造の半導体素子の両側にヒートシンクを
配設し、両電極面より放熱させるダブルヒートシンク構
造の半導体装置の製造方法（関する。
従来、ダイオードや整流器は小形で放熱特性が優れ、比
較的電流容量の大きいものが得られるため、素子電極の
両側に電極板を取付したＤＨＤ構造のものが主流を占め
ている。例えば、第１図はこの種ＤＨＤ形ガラス封止ダ
イオード１の断面図であり、ダイオード素子２の両電極
２ａ、’２ｂが一対のジュメット材よりなる口出導体３
．８で挾着され、これらの周囲を覆ってガラス管４によ
り口出導体８の側面で封止されている。口出導体８の外
方には、一対のリード線５，５が溶接され。
較的電流容量の大きいものが得られるため、素子電極の
両側に電極板を取付したＤＨＤ構造のものが主流を占め
ている。例えば、第１図はこの種ＤＨＤ形ガラス封止ダ
イオード１の断面図であり、ダイオード素子２の両電極
２ａ、’２ｂが一対のジュメット材よりなる口出導体３
．８で挾着され、これらの周囲を覆ってガラス管４によ
り口出導体８の側面で封止されている。口出導体８の外
方には、一対のリード線５，５が溶接され。
ダイオード素子２内部で発生した熱は大径の口出導体８
を通して素子両側に導出するよう構成されている。とこ
ろで、このようなダイオード１をプリント基板等に実装
するには、図示・しないが、前記リード線５をプリント
基板の装着孔にピッチ合わせして成形し、この成形され
たリード線５をプリント基板の装着孔に弾接させて挿入
した後、半田付けして行われるが、作業が繁雑で多大の
工数を要していた。このため、第２図に示すように、小
径部６と大径部７を有する一対の日出導体８゜８を用い
、この小径部６の端面間にダイオード素子２の電極２ａ
、２ｂを挟着させ、ダイオード素子２を囲んで口出導体
８の小径部６の側面でガラス管４で封止したＤＨＤ形ガ
ツガラス封止ダイオード９案されている。（ＤＨＤ形ダ
イオード出願番号５１−１１８２０８昭和５３年８月２
８日付参照）このダイオード９は口出導体８の大径部７
が板状であり、上記ダイオードの如く曲がり易いリード
線５を用いないから、取扱いが容易となりプリント基板
の取付に自動化が適用出来る等優れた効果を有するもの
である。
を通して素子両側に導出するよう構成されている。とこ
ろで、このようなダイオード１をプリント基板等に実装
するには、図示・しないが、前記リード線５をプリント
基板の装着孔にピッチ合わせして成形し、この成形され
たリード線５をプリント基板の装着孔に弾接させて挿入
した後、半田付けして行われるが、作業が繁雑で多大の
工数を要していた。このため、第２図に示すように、小
径部６と大径部７を有する一対の日出導体８゜８を用い
、この小径部６の端面間にダイオード素子２の電極２ａ
、２ｂを挟着させ、ダイオード素子２を囲んで口出導体
８の小径部６の側面でガラス管４で封止したＤＨＤ形ガ
ツガラス封止ダイオード９案されている。（ＤＨＤ形ダ
イオード出願番号５１−１１８２０８昭和５３年８月２
８日付参照）このダイオード９は口出導体８の大径部７
が板状であり、上記ダイオードの如く曲がり易いリード
線５を用いないから、取扱いが容易となりプリント基板
の取付に自動化が適用出来る等優れた効果を有するもの
である。
しかしながら、このように使用面で優れた特徴を有する
ダイオニド９も、一方製造面に於いては、小径部６と大
径部７を有する日出導体８の製造や、ガラス封止作業が
難しくなる欠点があった。即ち、日出導体８は小径円筒
状のジュメット部品と大径の板状部品を溶接等により接
合して得られるが所定寸法精度のものが得にくいもので
あった。又ガラス封止作業はカーボン治具等を用い、ダ
イオード素子２、口出導体８、ガラス管４等の封着部品
を位置合わせして装着し、ガラス管４を高温に加熱溶融
して行われるが、何分にも異形状の日出導体８の装着に
手間がかｋり工数増となる等のため、高価となり、製造
及び使用の両面を併せて満足出来るダブルヒートシンク
構造の半導体装置は得られていない。
ダイオニド９も、一方製造面に於いては、小径部６と大
径部７を有する日出導体８の製造や、ガラス封止作業が
難しくなる欠点があった。即ち、日出導体８は小径円筒
状のジュメット部品と大径の板状部品を溶接等により接
合して得られるが所定寸法精度のものが得にくいもので
あった。又ガラス封止作業はカーボン治具等を用い、ダ
イオード素子２、口出導体８、ガラス管４等の封着部品
を位置合わせして装着し、ガラス管４を高温に加熱溶融
して行われるが、何分にも異形状の日出導体８の装着に
手間がかｋり工数増となる等のため、高価となり、製造
及び使用の両面を併せて満足出来るダブルヒートシンク
構造の半導体装置は得られていない。
本発明は以上の点に鑑み提案されたものであり、プリン
ト基板への装着や取扱いが容易な構造で、しかも量産性
よく安価に製造出来るダブルヒートシンク構造の半導体
装置の製造方法を提供する。
ト基板への装着や取扱いが容易な構造で、しかも量産性
よく安価に製造出来るダブルヒートシンク構造の半導体
装置の製造方法を提供する。
本発明に係る半導体装置は、半導体素子面主面に形成さ
れた電、極面がヒートシンクとなる一対の平坦な電極板
間にサンドイッチ構造にマウントされる。そしてこれら
の電極板間に半導体素子が固着されたマウント体は、半
導体素子及び両電極板の外端面を除く主要部分がモール
ド部材で被覆されるもので、一対の日出導体に平板状の
電極板を用いるため、製造が極めて容易となると共に、
細線のリード線を用いないチップ構造であるから、半導
体装置の使用が容易となる等優れた効果が得られる。か
−る構造の半導体装置の製造は、少なくとも次の如き工
程を経て製造される。即ち、１ 半導体素子の両主面に
形成された電極面を一対の電極板間に固着する半導体素
子のマウント工程、２ 前記半導体素子の固着されたマ
ウント体を複数個、夫々の電極板の両主面をこれらの電
極板より大きく形成されたマウント体の保持具、例えば
−組の基台間に密着議定させ、前記電極板の外端面をカ
バーする工程、 ８ 前記電極板の端面をカバーした保持具の各マウント
体間の空隙内にモールド部材を充填し、前記半導体素子
と前記電極板を一体にモールドする工程、 ４ 前記充填されたモールド部材を固化する工程、５
前記モールド部材の固化層、前記−組の基台を前記一対
の電極板の端面から除去する工程、及び６ 前記固化さ
れたモールド部材を半導体素子間で切断分離し個々の半
導体装置を得る工程とを含むもので、半導体素子の両電
極面を固着する一対のヒートシンクとなる電極部材に、
製造容易な平板状電極部材が使用され、又モールドタイ
プであるから従来のガラス封止タイプに比べ封止作業が
容易且つ量産性に優れる等、製造及び使用両面に亘って
優れた特徴を有するダブルヒートシンク構造の半導体装
置が安価且つ能率よく製造される。
れた電、極面がヒートシンクとなる一対の平坦な電極板
間にサンドイッチ構造にマウントされる。そしてこれら
の電極板間に半導体素子が固着されたマウント体は、半
導体素子及び両電極板の外端面を除く主要部分がモール
ド部材で被覆されるもので、一対の日出導体に平板状の
電極板を用いるため、製造が極めて容易となると共に、
細線のリード線を用いないチップ構造であるから、半導
体装置の使用が容易となる等優れた効果が得られる。か
−る構造の半導体装置の製造は、少なくとも次の如き工
程を経て製造される。即ち、１ 半導体素子の両主面に
形成された電極面を一対の電極板間に固着する半導体素
子のマウント工程、２ 前記半導体素子の固着されたマ
ウント体を複数個、夫々の電極板の両主面をこれらの電
極板より大きく形成されたマウント体の保持具、例えば
−組の基台間に密着議定させ、前記電極板の外端面をカ
バーする工程、 ８ 前記電極板の端面をカバーした保持具の各マウント
体間の空隙内にモールド部材を充填し、前記半導体素子
と前記電極板を一体にモールドする工程、 ４ 前記充填されたモールド部材を固化する工程、５
前記モールド部材の固化層、前記−組の基台を前記一対
の電極板の端面から除去する工程、及び６ 前記固化さ
れたモールド部材を半導体素子間で切断分離し個々の半
導体装置を得る工程とを含むもので、半導体素子の両電
極面を固着する一対のヒートシンクとなる電極部材に、
製造容易な平板状電極部材が使用され、又モールドタイ
プであるから従来のガラス封止タイプに比べ封止作業が
容易且つ量産性に優れる等、製造及び使用両面に亘って
優れた特徴を有するダブルヒートシンク構造の半導体装
置が安価且つ能率よく製造される。
以下本発明の実施例を図面と共に詳述する。
第３図は本発明方法で得られるダブルヒートシンク構造
の半導体装置の一実施例で、樹脂封止タイプの８１ダイ
オード１１が示されている。１ン１に於いて１２はプレ
ーナ構造のダイオード素子で、両主面には図示しないが
内部のＰ−Ｎ接合に対応したアノード電極１２ａ１及び
カソード電極１２ｂがオーミックコンタクトの良好な金
属、例えばＡｕ 、 Ａｑの蒸着又はノブキ法等で形成
されている。１３及び１４はこれらの両電極１２７２，
１２ｂに夫々銀ペースト等の鑞材１５により接合された
平板電極で、素子１２の電極導出端子及びヒートシンク
として作用する。１６は素子１２及び平板電極１８．１
４の外端面１３ａ、１４ａを除く主要部を被覆したエポ
キシ樹脂等のモールド部材である。か（る構造のダイオ
ード１１は、素子１２が一対の平板電極１８．１４間に
挟着された状態で接合されており、素子１２内部で発生
した熱はこれらの両平板電ｇｉＡ１３．１４を通して両
側に放熱される。又、一対の平板電Ｆ！ｉ！、１８，１
４の外端面１１１２，１４ａが夫々露出して樹脂封止さ
れているから、これらの端面１８ａ、１４ａを、図示し
ないがプリント基板等の導電ランドに半田付は等により
取付出来、リードを用いないチップ構造であるから、取
扱いが容易である。
の半導体装置の一実施例で、樹脂封止タイプの８１ダイ
オード１１が示されている。１ン１に於いて１２はプレ
ーナ構造のダイオード素子で、両主面には図示しないが
内部のＰ−Ｎ接合に対応したアノード電極１２ａ１及び
カソード電極１２ｂがオーミックコンタクトの良好な金
属、例えばＡｕ 、 Ａｑの蒸着又はノブキ法等で形成
されている。１３及び１４はこれらの両電極１２７２，
１２ｂに夫々銀ペースト等の鑞材１５により接合された
平板電極で、素子１２の電極導出端子及びヒートシンク
として作用する。１６は素子１２及び平板電極１８．１
４の外端面１３ａ、１４ａを除く主要部を被覆したエポ
キシ樹脂等のモールド部材である。か（る構造のダイオ
ード１１は、素子１２が一対の平板電極１８．１４間に
挟着された状態で接合されており、素子１２内部で発生
した熱はこれらの両平板電ｇｉＡ１３．１４を通して両
側に放熱される。又、一対の平板電Ｆ！ｉ！、１８，１
４の外端面１１１２，１４ａが夫々露出して樹脂封止さ
れているから、これらの端面１８ａ、１４ａを、図示し
ないがプリント基板等の導電ランドに半田付は等により
取付出来、リードを用いないチップ構造であるから、取
扱いが容易である。
次にか−る構造の８１ダイオード１１の製造方法につい
て述べる。先づ、第４図に示すようにダイオード素子１
２の両電極１２ａ、１２ｂを一対の平板電極１８．１４
間にＡｐペースト等の鑞材１５を介してサンドイッチ式
に接合して固着する。
て述べる。先づ、第４図に示すようにダイオード素子１
２の両電極１２ａ、１２ｂを一対の平板電極１８．１４
間にＡｐペースト等の鑞材１５を介してサンドイッチ式
に接合して固着する。
このダイオード素子１２の平板電極１８．１４への取付
けは、図示しないが、例えばカーボン治具等を用いてコ
ンベア炉に通す方法等通常の半導体マウント装置を用い
て容易に達成出来る。又、用いる鑞材１５は、Ａ９ペー
ストの住辛導体素子１２及び平板電極１８，１．４と接
着性良好な半田部材、例えば金錫半田や銀錯半田等を用
いることが出来る。次に、半導体素子１２の両軍％１２
ａ、１２ｂを平板電ｉ１．８．１４に取付したマウント
体１７は第５図に示すように、先づ一方の平板電極１４
側の外端面１４ａを平板状基台１８に接着材１９等を用
いて複数個所定間隔離間して固定する。接着材］９とし
ては、後述する半導体素子１２のモールド時、電極端面
１４ａが充分カバー出来る程度の接着力を有し、モール
ド部材の同化后容易に剥離出来る樹脂性接着材が用いら
れる。又、２０は平板状基台１８の各マウント体１７間
に設けた仕切板で、必らずしも必要でないが、モールド
部材固化後の切断分離を容易にしている。次に他方の平
板電極１３上から平板状基台２１を接着材１９を用いて
その電極端面１３ａを同様に密着固定させる。即ち、平
板状基台１８及び２１はマウント体１７の夫々の電極端
面１４１２．ｊ８ａが密着固定されるマウント体１７の
モールド用保持具であり、必らずしも平板状基台として
これに接着剤で固定する必要はなく、要は各マウント体
１７のモールドに先立ち、各マウント体１７の電極端面
１４ａ、１３ａがカバーされる構造であればよい。
けは、図示しないが、例えばカーボン治具等を用いてコ
ンベア炉に通す方法等通常の半導体マウント装置を用い
て容易に達成出来る。又、用いる鑞材１５は、Ａ９ペー
ストの住辛導体素子１２及び平板電極１８，１．４と接
着性良好な半田部材、例えば金錫半田や銀錯半田等を用
いることが出来る。次に、半導体素子１２の両軍％１２
ａ、１２ｂを平板電ｉ１．８．１４に取付したマウント
体１７は第５図に示すように、先づ一方の平板電極１４
側の外端面１４ａを平板状基台１８に接着材１９等を用
いて複数個所定間隔離間して固定する。接着材］９とし
ては、後述する半導体素子１２のモールド時、電極端面
１４ａが充分カバー出来る程度の接着力を有し、モール
ド部材の同化后容易に剥離出来る樹脂性接着材が用いら
れる。又、２０は平板状基台１８の各マウント体１７間
に設けた仕切板で、必らずしも必要でないが、モールド
部材固化後の切断分離を容易にしている。次に他方の平
板電極１３上から平板状基台２１を接着材１９を用いて
その電極端面１３ａを同様に密着固定させる。即ち、平
板状基台１８及び２１はマウント体１７の夫々の電極端
面１４１２．ｊ８ａが密着固定されるマウント体１７の
モールド用保持具であり、必らずしも平板状基台として
これに接着剤で固定する必要はなく、要は各マウント体
１７のモールドに先立ち、各マウント体１７の電極端面
１４ａ、１３ａがカバーされる構造であればよい。
次に、このように両電極板１８．１４が平極板基台１８
．２１間に固定され、両電極外端面１３ａ、１４ａがカ
バーリングされた複数個のマウント体１７は、第６図に
示すように、両基台１８゜２１間の空隙内にエポキシ、
シリコン等の樹脂材、又はガラス材等のモールド部材１
６を充填することにより、半導体素子１２及び両手板電
極１３゜１４が一体にモールドされる。モールド部材１
６の充填は、ディップ法、スプレー法、射出法等種種の
方法が採用されるが、両電極１８．１４の外端面１８ａ
、１４ａは基台１８．２４でカバーリングされ、この部
分にはモールド部材１６が被覆されないようにする。次
にモールドされたマウント体１７は所定の温度でモール
ド部材１６を固化した後、全体を接着材１９の洗浄液中
に浸すと、第７図に示すように、平板状基台１８，２１
が平板電ｉ１３．１４から除去されると同時に、接着材
１９が剥離され両手板電極の外端面ｌａａ、１４ａが露
呈する。その後、矢印図示するように各素子１２間でモ
ールド部材１６を切断分離することにより、第３図に示
すダブルヒートシンク構造のＳ１ダイオード１１が同時
に多数個製造される。
．２１間に固定され、両電極外端面１３ａ、１４ａがカ
バーリングされた複数個のマウント体１７は、第６図に
示すように、両基台１８゜２１間の空隙内にエポキシ、
シリコン等の樹脂材、又はガラス材等のモールド部材１
６を充填することにより、半導体素子１２及び両手板電
極１３゜１４が一体にモールドされる。モールド部材１
６の充填は、ディップ法、スプレー法、射出法等種種の
方法が採用されるが、両電極１８．１４の外端面１８ａ
、１４ａは基台１８．２４でカバーリングされ、この部
分にはモールド部材１６が被覆されないようにする。次
にモールドされたマウント体１７は所定の温度でモール
ド部材１６を固化した後、全体を接着材１９の洗浄液中
に浸すと、第７図に示すように、平板状基台１８，２１
が平板電ｉ１３．１４から除去されると同時に、接着材
１９が剥離され両手板電極の外端面ｌａａ、１４ａが露
呈する。その後、矢印図示するように各素子１２間でモ
ールド部材１６を切断分離することにより、第３図に示
すダブルヒートシンク構造のＳ１ダイオード１１が同時
に多数個製造される。
この切断分離は、ダイシング法、プレスカット法等種々
の方法が採用されるが、図示するように、基台１８．２
１のモールド部材１６切断予定域にモールド部材１６と
非接着性の仕切板２０を設けてお七と、切断分離が容易
となる。又、モールド部材１６の充填を、第８図に示す
ように、個々の素子１２毎に行ない各素子１２間に空隙
を設けるようにすれば、モールド部材１６の固化後の切
断作業が不要になる。
の方法が採用されるが、図示するように、基台１８．２
１のモールド部材１６切断予定域にモールド部材１６と
非接着性の仕切板２０を設けてお七と、切断分離が容易
となる。又、モールド部材１６の充填を、第８図に示す
ように、個々の素子１２毎に行ない各素子１２間に空隙
を設けるようにすれば、モールド部材１６の固化後の切
断作業が不要になる。
第９図及び第１０図は、本発明に係る他の実施例で、上
記実施例の平板電ｉ１３．１４に、個々の電極板となる
複数個の半導体素子１２のマウント部と、これらのマウ
ント部間を接続する連結部とで構成したフレーム体が用
いられ、夫々半導体素子１２のマウント后の状態が示さ
れている。即ち、第９図に示すフレーム体２２は、隣接
するマウント部２３間を連結片２４で複数個縦横に連結
したものであり、又第１０図に示すフレーム体２５は、
−、ｔの巾広の電極板２６をプレス打込み又は切削加工
で縦横の溝２７を形成して複数個のマウント部２８を構
成したもので、これらのフレーム体２２及び２５は、マ
ウント部２８及び２８が多数板状に連結されており、取
扱いが容易となり、自動化に適する利点がある。これら
のフレーム体２２．２５を用いたものも、同様に個々の
電極板となるマウント部２８及び２８の背面側が図示し
ないが一対の基台１８．２１でカバーされ、基台’１８
．２１間にモールド部材１６が充填される。
記実施例の平板電ｉ１３．１４に、個々の電極板となる
複数個の半導体素子１２のマウント部と、これらのマウ
ント部間を接続する連結部とで構成したフレーム体が用
いられ、夫々半導体素子１２のマウント后の状態が示さ
れている。即ち、第９図に示すフレーム体２２は、隣接
するマウント部２３間を連結片２４で複数個縦横に連結
したものであり、又第１０図に示すフレーム体２５は、
−、ｔの巾広の電極板２６をプレス打込み又は切削加工
で縦横の溝２７を形成して複数個のマウント部２８を構
成したもので、これらのフレーム体２２及び２５は、マ
ウント部２８及び２８が多数板状に連結されており、取
扱いが容易となり、自動化に適する利点がある。これら
のフレーム体２２．２５を用いたものも、同様に個々の
電極板となるマウント部２８及び２８の背面側が図示し
ないが一対の基台１８．２１でカバーされ、基台’１８
．２１間にモールド部材１６が充填される。
そして固化後、切断分離され、夫々第１１図及び第１２
図に示すダブルヒートシンク構造のダイオード２９．８
０が得られる。これらのダイオード２９、！３０は、平
板電極のマウント部２８．２８の外端面がモールド部材
１６から露出するばかりでなく、側面の連結片２４や溝
２６の切断面８１が露出した構造が得られ、この露出し
た切断面３１をプリント基板等の取付けに利用すること
が出来便利である。
図に示すダブルヒートシンク構造のダイオード２９．８
０が得られる。これらのダイオード２９、！３０は、平
板電極のマウント部２８．２８の外端面がモールド部材
１６から露出するばかりでなく、側面の連結片２４や溝
２６の切断面８１が露出した構造が得られ、この露出し
た切断面３１をプリント基板等の取付けに利用すること
が出来便利である。
本発明は以上のように、ヒートシンクとなる一対の平板
状電極体間に半導体素子の両電極を固着し、この半導体
素子の固着されたマウント体複数個をそれぞれの電極体
を各マウント体のモールド用保持具に密着固定して、電
極体の端面をカバーした後、両爪台間にモールド部材を
充填して半導体素子と電極体を一体にモールドし、モー
ルド部材を固化した後カバーリングを除去して個々の半
導体装置を得るように構成したから、製造が容易となり
、しかもプリント基板への装着や、取扱いの容易なチッ
プ構造のダブルヒートシンク形半導体装置が提供出来る
。
状電極体間に半導体素子の両電極を固着し、この半導体
素子の固着されたマウント体複数個をそれぞれの電極体
を各マウント体のモールド用保持具に密着固定して、電
極体の端面をカバーした後、両爪台間にモールド部材を
充填して半導体素子と電極体を一体にモールドし、モー
ルド部材を固化した後カバーリングを除去して個々の半
導体装置を得るように構成したから、製造が容易となり
、しかもプリント基板への装着や、取扱いの容易なチッ
プ構造のダブルヒートシンク形半導体装置が提供出来る
。
第１図及び第２図は従来のダブルヒートシンク形半導体
装置の断面図、第３図は本発明に係るダブルヒートシン
ク形半導体装置の断面図、第４図乃至第７図は第３図の
製造過程を示す部品断面図、第８図は第３図の一実施態
様を示す部品断面図、第９図乃至第１２図は本発明の他
の実施例を示す部品及び製品の斜視図である。 １１．２９．８０・・・・・・ダブルヒートシンク形半
導体装置、 １２・・・・・・半導体素子、１８
．１４，２２．２５・・・・・平板状電極体、１３ａＩ
１４ａ・・・・・・端面、 １６・・・・・・モールド部材、１７・・・・マウント
体、１８．２１・・・・・・保持具（基台）。 第１ 国 １４久
装置の断面図、第３図は本発明に係るダブルヒートシン
ク形半導体装置の断面図、第４図乃至第７図は第３図の
製造過程を示す部品断面図、第８図は第３図の一実施態
様を示す部品断面図、第９図乃至第１２図は本発明の他
の実施例を示す部品及び製品の斜視図である。 １１．２９．８０・・・・・・ダブルヒートシンク形半
導体装置、 １２・・・・・・半導体素子、１８
．１４，２２．２５・・・・・平板状電極体、１３ａＩ
１４ａ・・・・・・端面、 １６・・・・・・モールド部材、１７・・・・マウント
体、１８．２１・・・・・・保持具（基台）。 第１ 国 １４久
Claims (1)
- 一対の平板状電極体で挾着した半導体素子を複数個離間
して前記一対の平板状電極体を保持具に密着させ、前記
保持具内の空隙内にモールド部材を充填して前記半導体
素子のモーｌレド体を形成し、前記保持具を前記一対の
平板状電極体から除去し、前記モールド体のモールド部
材を前記半導体素子間で切断分離することを特徴とする
ダブルヒートシンク形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134566A JPS5834951A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | ダブルヒ−トシンク形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56134566A JPS5834951A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | ダブルヒ−トシンク形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834951A true JPS5834951A (ja) | 1983-03-01 |
| JPS6234153B2 JPS6234153B2 (ja) | 1987-07-24 |
Family
ID=15131327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56134566A Granted JPS5834951A (ja) | 1981-08-26 | 1981-08-26 | ダブルヒ−トシンク形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5834951A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0893808A1 (en) * | 1994-06-10 | 1999-01-27 | Avx Corporation | Preforms for the fabrication of surface mountable solid state capacitors |
| EP1253637A3 (en) * | 2001-04-25 | 2004-03-03 | Denso Corporation | Semiconductor device including heat sinks and manufacturing method therefor |
| EP1148547A3 (en) * | 2000-04-19 | 2005-06-15 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| DE102007025950B4 (de) * | 2006-06-05 | 2012-08-30 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung und ihr Herstellungsverfahren |
| ITMI20112300A1 (it) * | 2011-12-19 | 2013-06-20 | St Microelectronics Srl | Realizzazione di dispositivi elettronici di tipo dsc tramite inserto distanziatore |
-
1981
- 1981-08-26 JP JP56134566A patent/JPS5834951A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0893808A1 (en) * | 1994-06-10 | 1999-01-27 | Avx Corporation | Preforms for the fabrication of surface mountable solid state capacitors |
| EP1047087A1 (en) * | 1994-06-10 | 2000-10-25 | Avx Corporation | Method of manufacturing solid state capacitors |
| US7106592B2 (en) | 2000-04-19 | 2006-09-12 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| EP1148547A3 (en) * | 2000-04-19 | 2005-06-15 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| US7248478B2 (en) | 2000-04-19 | 2007-07-24 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| US7250674B2 (en) | 2000-04-19 | 2007-07-31 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| EP1742265A3 (en) * | 2000-04-19 | 2011-02-16 | Denso Corporation | Coolant cooled type semiconductor device |
| US6946730B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-09-20 | Denso Corporation | Semiconductor device having heat conducting plate |
| US6963133B2 (en) | 2001-04-25 | 2005-11-08 | Denso Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| EP1253637A3 (en) * | 2001-04-25 | 2004-03-03 | Denso Corporation | Semiconductor device including heat sinks and manufacturing method therefor |
| DE102007025950B4 (de) * | 2006-06-05 | 2012-08-30 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung und ihr Herstellungsverfahren |
| US8309434B2 (en) | 2006-06-05 | 2012-11-13 | Denso Corporation | Method for manufacturing semiconductor device including semiconductor elements with electrode formed thereon |
| ITMI20112300A1 (it) * | 2011-12-19 | 2013-06-20 | St Microelectronics Srl | Realizzazione di dispositivi elettronici di tipo dsc tramite inserto distanziatore |
| US9159644B2 (en) | 2011-12-19 | 2015-10-13 | Stmicroelectronics S.R.L. | Manufacturing of DSC type electronic devices by means of spacer insert |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6234153B2 (ja) | 1987-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5429992A (en) | Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion | |
| JP3069082B2 (ja) | 光電素子の製造方法および光電素子 | |
| US3790866A (en) | Semiconductor device enclosure and method of making same | |
| US7838340B2 (en) | Pre-molded clip structure | |
| US12347813B2 (en) | Semiconductor package and related methods | |
| US6387730B2 (en) | Hybrid S.C. devices and method of manufacture thereof | |
| US3714370A (en) | Plastic package assembly for electronic circuit and process for producing the package | |
| JPH0982741A (ja) | チップキャリアの構造およびその製造方法 | |
| JPS60206087A (ja) | 小型の電子電源を製造する方法 | |
| JPH07307405A (ja) | ソルダボールを用いた半導体パッケージおよびその製造方法 | |
| JPS62202548A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5834951A (ja) | ダブルヒ−トシンク形半導体装置の製造方法 | |
| US7768104B2 (en) | Apparatus and method for series connection of two die or chips in single electronics package | |
| JP2015090982A (ja) | 外部リードピンを含まないチップスケールダイオードパッケージおよびその製造方法 | |
| CN104347612B (zh) | 集成的无源封装、半导体模块和制造方法 | |
| JP3477073B2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージの製造方法 | |
| JP2725719B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| EP0762494B1 (en) | Silicon semiconductor diode, its circuit module and structure with an insulation body and preparation method thereof | |
| CN119835927A (zh) | 一种扇出型传感器的封装结构及封装方法 | |
| JP2823556B2 (ja) | 半導体パッケージ用基板及びそれを用いた半導体パッケージの製造方法 | |
| WO2018018849A1 (zh) | 一种智能功率模块及其制造方法 | |
| US20020190363A1 (en) | Semiconductor device package and method of die attach | |
| JPS62120035A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS6148953A (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| JPS61104644A (ja) | 半導体装置封止用治具 |