JPS62120035A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS62120035A JPS62120035A JP26043185A JP26043185A JPS62120035A JP S62120035 A JPS62120035 A JP S62120035A JP 26043185 A JP26043185 A JP 26043185A JP 26043185 A JP26043185 A JP 26043185A JP S62120035 A JPS62120035 A JP S62120035A
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- resin
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- semiconductor device
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は熱を発生する大電力用樹脂封止量半導体装置の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
（ロ）従来の技術
一般に樹脂封止量半導体装置は製品の加工性や量産性ま
たコスト等の点で他の半導体装置に勝っているが放熱性
の点では劣っていた。しかし近年大電力用樹脂封止量半
導体装置、例えば特開昭６０−１８０１２７号公報の如
きものが考案されてきた。
たコスト等の点で他の半導体装置に勝っているが放熱性
の点では劣っていた。しかし近年大電力用樹脂封止量半
導体装置、例えば特開昭６０−１８０１２７号公報の如
きものが考案されてきた。
リード・フレーム翰は共通細条に同一方向へ３本の外部
リードが伸びている。そして中央の外部リードは放熱板
も兼ねる基板支持体−とつながっている。また両端の外
部リードは共通細条より伸び終端部はやや広い面積でボ
ンディング作業を効率良く行えるようにしである。基板
支持体■は半導体ペレツト（財）がやや下方中央部に付
き、上方の中央部に放熱板固定用浄ジ止め貫通穴四が付
くようにしである。また切断が容易な様に外部リードは
基板支持体（ハ）よりも厚さが薄く選定され、ボンディ
ングしやすいように外部リードと基板支持体に段差を設
けである。
リードが伸びている。そして中央の外部リードは放熱板
も兼ねる基板支持体−とつながっている。また両端の外
部リードは共通細条より伸び終端部はやや広い面積でボ
ンディング作業を効率良く行えるようにしである。基板
支持体■は半導体ペレツト（財）がやや下方中央部に付
き、上方の中央部に放熱板固定用浄ジ止め貫通穴四が付
くようにしである。また切断が容易な様に外部リードは
基板支持体（ハ）よりも厚さが薄く選定され、ボンディ
ングしやすいように外部リードと基板支持体に段差を設
けである。
上述のようなリード・フレーム翰を準備し半導体素子（
ハ）をハンダ等で固着する。そしてワイヤボンドをし電
気的に接続する。
ハ）をハンダ等で固着する。そしてワイヤボンドをし電
気的に接続する。
次にリード・フレーム＠を上金型と下金型で挾持する。
この上金型と下金型にはそれぞれ２対の突起状の挾持体
が形成されており、上金型と下金型が合わさるとＶの字
状の挾持体となる。この■の字の挟持体の内側のテーパ
一部が基板支持体一端部の角に接触している。
が形成されており、上金型と下金型が合わさるとＶの字
状の挾持体となる。この■の字の挟持体の内側のテーパ
一部が基板支持体一端部の角に接触している。
その後金型内に樹脂を注入させて樹脂封止量半導体装置
■υとしていた。
■υとしていた。
（ハ） 発明が解決しようとする問題点しかし上述の如
き製造方法に於いて、もし基板支持体圀の裏面が酸化さ
れると樹脂の密着が悪くなり基板支持体＠裏面に形成さ
れた樹脂がふ（れろ現象が発生した。
き製造方法に於いて、もし基板支持体圀の裏面が酸化さ
れると樹脂の密着が悪くなり基板支持体＠裏面に形成さ
れた樹脂がふ（れろ現象が発生した。
また前記■の字の挟持体に対応する部分は樹脂が封止さ
れず空気中に基板支持体（２）が露出するため放電耐圧
が低下する問題点を有していた。
れず空気中に基板支持体（２）が露出するため放電耐圧
が低下する問題点を有していた。
に）問題点を解決するための手段
本発明は増土の問題点に鑑みてなされ、少なくとも電気
的に接続された半導体素子（４）が固着されたリード・
フレーム（２）を用意する工程と該リードフレーム（２
）の一部である基板支持体（３）の裏面にも樹脂封止で
きるように金型に形成された一対の突起状挾持体で浮か
す工程と前記金型内に第１の樹脂（５）を注入する工程
とを具備する樹脂封止量半導体装置の製造方法に於いて
、少なくとも前記基板支持体（３）の裏面および表面露
出部（６）に前記第１の樹脂（５）およびリード・フレ
ーム（２）と密着の良い第２の樹脂（７）を被覆する工
程とを具備することで解決するものである。
的に接続された半導体素子（４）が固着されたリード・
フレーム（２）を用意する工程と該リードフレーム（２
）の一部である基板支持体（３）の裏面にも樹脂封止で
きるように金型に形成された一対の突起状挾持体で浮か
す工程と前記金型内に第１の樹脂（５）を注入する工程
とを具備する樹脂封止量半導体装置の製造方法に於いて
、少なくとも前記基板支持体（３）の裏面および表面露
出部（６）に前記第１の樹脂（５）およびリード・フレ
ーム（２）と密着の良い第２の樹脂（７）を被覆する工
程とを具備することで解決するものである。
（ホ）作用
本発明は少なくとも前記基板支持体（３）の裏面および
表面露出部（６）に前記第１の樹脂（５）およびリード
・フレーム（２）と密着の良い第２の樹脂（７）を被覆
することで、リード・フレーム（２）と第１の樹脂（５
）は密着性が良好となりふくれ現象を無くすことができ
る。
表面露出部（６）に前記第１の樹脂（５）およびリード
・フレーム（２）と密着の良い第２の樹脂（７）を被覆
することで、リード・フレーム（２）と第１の樹脂（５
）は密着性が良好となりふくれ現象を無くすことができ
る。
また基板支持体（３）の表面露出部（６）は第２の樹脂
（７）で被覆されているため、基板支持体（３）は直接
空気中に露出しな（なり放電耐圧が向上する。
（７）で被覆されているため、基板支持体（３）は直接
空気中に露出しな（なり放電耐圧が向上する。
（へ）実施例
以下第１図を参照しながら本発明の一実施例を説明する
。まずリード・フレーム（２）の材質としては熱伝導の
良好な銅系材料が用いられプレスやホトエツチング等で
加工される。そして更にリード・フレーム（２）はチッ
プのマウント性、ボンディング性やリード部分耐蝕性や
ハンダ付性を良好にするためにＡｕ、 Ａｇ、 Ｎｉ
、 Ｓｎなどのメッキが施される。
。まずリード・フレーム（２）の材質としては熱伝導の
良好な銅系材料が用いられプレスやホトエツチング等で
加工される。そして更にリード・フレーム（２）はチッ
プのマウント性、ボンディング性やリード部分耐蝕性や
ハンダ付性を良好にするためにＡｕ、 Ａｇ、 Ｎｉ
、 Ｓｎなどのメッキが施される。
上述の如きリード・フレーム（２）は１本の共通細条に
同一方向へ３本の外部リードが伸びており、中央の外部
リードは放熱板も兼ねる基板支持体（３）とつながって
いる。また両端の外部リードは共通細条より伸び終端部
はやや広い面積でボンディング作業を効率良く行えるよ
うにしである。基板支持体（３）は半導体ベレット（４
）がやや下方中央部に付き、上方の中央部には放熱板固
定用ネジ止め貫通穴（８）が付くようにしである。また
切断が容易なように外部リードは基板支持体（３）より
も厚さが薄（選定され、かつボンディングしやすいよう
に外部リードと基板支持体（３）に段差を設けである。
同一方向へ３本の外部リードが伸びており、中央の外部
リードは放熱板も兼ねる基板支持体（３）とつながって
いる。また両端の外部リードは共通細条より伸び終端部
はやや広い面積でボンディング作業を効率良く行えるよ
うにしである。基板支持体（３）は半導体ベレット（４
）がやや下方中央部に付き、上方の中央部には放熱板固
定用ネジ止め貫通穴（８）が付くようにしである。また
切断が容易なように外部リードは基板支持体（３）より
も厚さが薄（選定され、かつボンディングしやすいよう
に外部リードと基板支持体（３）に段差を設けである。
上述の如きリード・フレーム（２）を準備し次に半導体
素子（４）をハンダ等で固着する。セしてＡ［線等でワ
イヤボンドし電気的に接続する。
素子（４）をハンダ等で固着する。セしてＡ［線等でワ
イヤボンドし電気的に接続する。
次に少なくとも前記基板支持体（３）の裏面および表面
露出部（６）に前記第１の樹脂（５）およびリード・フ
レーム（２）と密着の良い第２の樹脂（７）を被覆する
。
露出部（６）に前記第１の樹脂（５）およびリード・フ
レーム（２）と密着の良い第２の樹脂（７）を被覆する
。
本工程は本発明の特徴とするところであり例えば第１の
樹脂（５）はエポキシ系樹脂を用い、第２の樹脂（７）
はポリイミド系樹脂を用いる。この第２の樹脂（７）は
第１の樹脂（５）やリード・フレーム（２）と密着性が
良いために、例えばリード・フレーム（２）が酸化され
ても各々の密着が良好となり、ふくれの現象を無くすこ
とができる。また樹脂モールド後の前記基板支持体（３
）の表面露出部（６）にも第２の樹脂（７）が被覆され
ているため放電耐圧が向上する。ここで第１図は例えば
ディップ等で第２の樹脂（７）を被覆した時のものであ
る。
樹脂（５）はエポキシ系樹脂を用い、第２の樹脂（７）
はポリイミド系樹脂を用いる。この第２の樹脂（７）は
第１の樹脂（５）やリード・フレーム（２）と密着性が
良いために、例えばリード・フレーム（２）が酸化され
ても各々の密着が良好となり、ふくれの現象を無くすこ
とができる。また樹脂モールド後の前記基板支持体（３
）の表面露出部（６）にも第２の樹脂（７）が被覆され
ているため放電耐圧が向上する。ここで第１図は例えば
ディップ等で第２の樹脂（７）を被覆した時のものであ
る。
次にリード・フレーム（２）を上金型と下金型に挾持し
、前記上金型と下金型の一部に２対の突起状の挾持体を
設けておく。この上金型と下金をが合わさるとＶの字状
の挟持体となる。このＶの字状の挾持体の内側のテーパ
一部が基板支持体（３）の端部の角に接触する。従って
前記基板支持体（３）を浮かし、裏面に樹脂注入が可能
となる。
、前記上金型と下金型の一部に２対の突起状の挾持体を
設けておく。この上金型と下金をが合わさるとＶの字状
の挟持体となる。このＶの字状の挾持体の内側のテーパ
一部が基板支持体（３）の端部の角に接触する。従って
前記基板支持体（３）を浮かし、裏面に樹脂注入が可能
となる。
最後に外部リード側あるいは基板支持体（３）側より樹
脂を注入し、樹脂が硬化したらリード・フレームを切断
し樹脂封止型半導体素子（１）となる。
脂を注入し、樹脂が硬化したらリード・フレームを切断
し樹脂封止型半導体素子（１）となる。
（ト）発明の効果
本発明は以上の説明からも明らかな如く、少なくとも前
記基板支持体（３）の裏面および表面露出部（６）に前
記第１の樹脂（５）およびリード・フレーム（２）と密
着の良い第２の樹脂（７）を被覆することで各々の密着
が良好となりふくれ現象をなくすことができ、更には基
板支持体（３）の表面露出部（６）にも第２の樹脂（７
）が被覆されているため放電耐圧が向上する。従って信
頼性が大幅に向上する。
記基板支持体（３）の裏面および表面露出部（６）に前
記第１の樹脂（５）およびリード・フレーム（２）と密
着の良い第２の樹脂（７）を被覆することで各々の密着
が良好となりふくれ現象をなくすことができ、更には基
板支持体（３）の表面露出部（６）にも第２の樹脂（７
）が被覆されているため放電耐圧が向上する。従って信
頼性が大幅に向上する。
第１図は本発明の一実施例である樹脂封止量半導体装置
の製造方法で製造した半導体装置の断面図、第２図は第
１図における樹脂封止量半導体装置の平面図、第３図は
従来の製造方法で製造した半導体装置の断面図である。 主な図番の説明 （１）は樹脂封止量半導体装置、 （２）はリード・フ
レーム、 （３）は基板支持体、 （４）は半導体素子
、（５）は第１の樹脂、 （６）は表面露出部、 （７
）は第２の樹脂、 （８）は貫通穴である。
の製造方法で製造した半導体装置の断面図、第２図は第
１図における樹脂封止量半導体装置の平面図、第３図は
従来の製造方法で製造した半導体装置の断面図である。 主な図番の説明 （１）は樹脂封止量半導体装置、 （２）はリード・フ
レーム、 （３）は基板支持体、 （４）は半導体素子
、（５）は第１の樹脂、 （６）は表面露出部、 （７
）は第２の樹脂、 （８）は貫通穴である。
Claims (1)
- （１）少なくとも電気的に接続された半導体素子が固着
されたリード・フレームを用意する工程と該リード・フ
レームの一部である基板支持体の裏面にも樹脂封止でき
るように金型に形成された一対の突起状挾持体で浮かす
工程と前記金型内に第１の樹脂を注入する工程とを具備
する樹脂封止量半導体装置の製造方法に於いて、少なく
とも前記基板支持体の裏面および表面露出部に前記第１
の樹脂およびリード・フレームと密着の良い第２の樹脂
を被覆する工程を具備することを特徴とした樹脂封止型
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043185A JPS62120035A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26043185A JPS62120035A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120035A true JPS62120035A (ja) | 1987-06-01 |
Family
ID=17347836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26043185A Pending JPS62120035A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62120035A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008155004A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | The Face Shop Korea Co Ltd | コンパクトケース |
| JP2010034348A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置および半導体モジュール |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP26043185A patent/JPS62120035A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008155004A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | The Face Shop Korea Co Ltd | コンパクトケース |
| JP2010034348A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置および半導体モジュール |
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