JPS5835743A - デ−タ記憶方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 韮亘立此 本発明線データの記憶方法あるいはデータの記憶された
装置の製造方法に関する。

ｊＪｕＩ」 光学的に伝達さ−れた情報を受は取り、その情報を放射
又は熱に感受性のある材料の薄膜層中に記憶する事ので
きるビデオ記憶ディスクが現在用いられている。この記
憶された情報は光学技術によって読み取る事ができる。

典型的な場合、これらのディスク紘カルコゲナイド・ガ
ラス又は染料を埋め込んだポリマー・フィルム等の感光
性材料を基板上に設けたものから成る（光学記憶媒体に
関する包括的な総合報告については、＠Ｒｅｖｉｅｗ　
ａｎｄ　　Ａｎａｌｙｓｌａ　　ｏｆＯｐｔｉＣａｌ　
　Ｒ＠ａｏｒｄｉｎｇ　Ｍｅｄｉａ　’５Ｏｐｔ１ｃａ
ｌ　　Ｅｎ１ｎ＊ｍｒｋｎｇｓ　Ｖ（Ｉｌ＠１５％　Ｎ
ｏ。

２、ｐＰ、９９〜１０８、（”１９７６）　　を参照さ
れたい）。

これらのディスクにおいて化学線が吸収されると、照射
領域に孔又は割れ目が形成され゛る。これらの変形は光
学的に読取られる。またビデオ・ディスクに用いられる
他の材料は化学線Ｋｌｌ光された時にフォトクロミズム
を起むす。例えば、ポリマー基材中のアゾ染料を基板上
に被覆し、化学線Ｋ１１光させると、それらの染料は吸
収スペクトルが変化するが、これは光学的にパターン化
された情報を与えるために化学的に固定できる。

゛最近、光学的に検出可能なデータを光学的に記憶する
ために１変性されたテトラヘテロフルバレン誘導体を用
い得る事が発見された。また、これらの物質を用いる事
によって、高い分解能が得られる事も見い出された。例
えば特願昭５６−１４４０９０号を参照されたい。

また最近、記録トラックに沿った容量の変化を読取る参
によって、信号の検索が行なわれる情報記憶装置が考案
されている。容量変化は記鎗表面の溝あるいはトラック
の深さの変化によって識別される。これらの記憶装置を
製作する工程は、音楽レコードの製作工程と同様イζ、
マスターを作成しコンパウンディング及びプレスによっ
てそれを複製する方法による。この工程は家庭又は争務
所においてビデオ情報を記録するのには役立たない０Ｒ
ＣＡ　　Ｒｓｖｉ＠ｗ　Ｖｉｄｅｏ　　Ｄｌｓｋ、Ｖｏ
ｌ、３９、Ｎｏ、　１、Ｍａｒｃｈ　　１９７９．０．
７　　以下を参照されたい。

本明細書で開示するのは、照射を受けた時に誘電率に変
化を生じる電子供与体（ｄｏｎ＠ｒ）分子組成物の層で
基板を被覆する事によって製作できる溝なしビデオ記憶
装置である。その上に記憶された情報は静電容駄によっ
て読取る事ができる。

発明の要約 本発明はビデオ情報記憶装置を製作する新規な方法及び
その方法忙よって製作されたビデオ記憶装置に関する。

実施例の説明 以下、本発明の記憶装置に情報を記録するのに必要な工
程を説明する。この情報源は、ビデオ・カメラでも、（
ステーションからの）ビデオ伝送でも、又ＡＭ父はＦＭ
の音声信号、計算機からの２進数出力、印刷装置、タイ
プライタを含む他の任意のソースからの信号列（２進数
又はアナログ）でも良い。

前述のソースからの情報は次に、線型予測符号化、相対
アドレス符−号化、差パルス符号変調等の当業者に周知
のデータ又は画像の圧縮技術を用いて信号符号化される
。次に符号化された信号、は、電子供与体分子組成物の
層ヤ光化学反応を起こすのく適した波長の高圧水銀灯、
レーザ又は発光ダイオード等の光源を、振幅変調するた
めに使用される。上記光源の１つからの光を変調する方
法は、振動鏡を用いて光ビームを偏向し、記録されるべ
き情報に従って光ビームがスリットを通過してディスク
に至るか又はスリットからはずれるようにする事に”よ
って行なわれる。変調は通常の手段によって行われる。

上記電子供与体分子組成物の層に光パルスをアドレスす
るために１多くのありふれた方式を用いる事ができる。

例えば、光化学反応のｏＪ能な組成物を有する回転する
ディスク上で１変調されたレーザ・ビームを偏向させる
事ができる。偏向は回転ディスク上の異なった高さの軌
道を廊るため忙行なわれる。また、端部がスタイラスに
なった光ファイバを用い、この中に光パルスを入射させ
、回転するディスクの面においてスタイラスを移動させ
る事忙よってイメージを記録する事もできる。また、マ
スターを複製するために、マスクを峰て記憶ディスクを
全面露光する事もできる。

露光後、イメージは１５０’Ｃで約２分、１００℃で約
１０分、父は８０℃で約２０分加熱する事によって固定
される。記録された情報を読取る直前に、ディスクはポ
リメチルシロキサン等のシリコーン・オイルで潤滑化さ
れる。

図面に、本発明において用いるための記憶装置あるいは
ディスクが示されている。ディスクは基板１ｔ−有し１
これはステンレス鋼、銅、アルミニウム等の金属シート
から構成され得る。基板１の厚さは約０．０２５〜３．
２朋（約１ミル〜１／８インチ）である。使用可能な選
択的材料は導電プラスチック組成物である。例えば、グ
ラファイトを充填した、゛ポリカーボネート、ボリクレ
タン、ポリビニル、ポリメタ久シル酸メチル等のプラス
チックを用いる事ができる。組成物中のポリマ一対グラ
ファイトの比は±１０％で約り０部対約６０部である。

これらの材料を用いた時の基板の厚さ約１〜５ａ購であ
る。

もし上記基板が金属以外の材料から製作されるならば、
基板１上に導電層２が配置される。例えば基板１がグラ
ファイトを充填したポリマーから成る場合、１１３　ｓ
　Ｃｕ　Ｎ　Ａｇ　ｓ　Ａｕ　％Ｎｌ　ｓ　Ｃｒ　ｓＴ
ｌ等から選ばれた金属層が用いられる。層２の厚さは約
１００ＯＡ±５０ＯＡの厚さである。

基板１の組成に依存して・基板１又は層２の上に、誘電
体層６が配置される。層３は、照射された時に、その誘
電率が変化する感光性組成物である。層３の好ましい厚
さは約０．う〜３μである。

層３はポリマー活性成分から成る。光化学成分は、例え
ばポリスチレンテトラチアフルバレン又はポリ（ｐ−（
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノ）〕〕Ｎ−ａ−Ｄ−グルタマニ
ライのようにそれに化学的に結合し得る。また、それは
そのすきまに電子供与体及び電子受容体（ａｃｃ＠ｐｔ
ｏｒ）　　の小分子が分散したポリマー・バインダでも
良い。少なくとも１つの成分は通常電子受容体であって
、分散した形で存在している。

本発明に用いる事が期待されるポリマー・バインダは、
ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリグルタミン酸、
ポリ塩化アクリロイル、ポリアクリル酸エステルポリ（
ａへロフオス７アゼン）、ポリ塩化ビニル・ベンジル、
ポリエステル、ボリクレ゛タン、ポリ塩化ビニル、ポリ
ビニル、ポリエピクロルヒドリン等を含む。

適当な分散可能な電子供与体分子としてはテトラチアフ
ルバレン及びその下記の誘導体のようなフルバレン組成
物が含まれる。

２−メチルテトラチアフルバレン ２１３−ジメチルテトラチアフルバレン２．３．６．７
−チトラメチルテトラチアフルバレン ２−エチルテトラチアフルバレン ２．３−ジエチルテトラチアフルバレン２．６−’；エ
チルテトラチアフルバレン２．３．６．７−チトラエチ
ルテ′トラチアフルバレン ２−メトキシテトラチアフルバレン ２．３−ジメトキシテトラチアフルバレン２．６−ジメ
トキシテトラチアフルバレン２．３．６．７−チトラメ
トキ、シテトラチアフルバレン ２−カルボキシルテトラチアフルバレン２−フェニルテ
トラチアフルバレン ２．３−ジフェニルテトラチアフルバレン２．６−ジフ
ェニルテトラチアフルバレン２．３．６．７−チトラフ
エニルテトラチアフルパレン ２−（４−ヒドロキシフェニル）テトラメチル２−（４
−アミノフェニル）テトラチアフルバレン ２−（４−メルカプトフェニル）テトラチアフルバレン フェニレンジアミン Ｎ、　Ｎ’−テトラメチルフェニレンジアミン２．６−
す７タレンジアミン Ｎ、Ｎ’−テトラメチル−２，６−ナフタレンジアミン またロイコ染料及びその誘導体も用いられる。

１．１−ビス（４−ジメチルアミノフェノキシ）−エチ
レン １．２−ビス（４−ジメチルアミノフェノキシ）−エチ
レン ２−（４−ジメチルアミノスチリル）ベンゾチアゾール ４−（４−ジメチルアミノスチリル）キノリン２−（４
−ジメチルアミノスチリル）キノリンロイコメチレンプ
ルーアセトアミド ヘキサアリルジミダゾール 一般式Ｒ−Ｎ　Ｈ２を有するアミン。但しＲはアルキル
基又はアリル基である。即ち、ピラゾリン、テトラチア
テトラセン、フェロセン及びフェノチアジン。

上述のように、これらの電子供与体組成物は上述のポリ
マー・バインダーに結合させる事ができる。

ポ９０　（コメチレンプルーアクリルアミ下ボ１Ｊ−４
−（（４−メチレンオキシフェニル）−２−テトラチア
フルバレン〕スチレン（ポリスチレンーＴＴＦ） ポリ（ｐ−（Ｎ％Ｎ−ジメチルアミノ）−Ｎ−α−Ｄ−
グルタマ風ライド ポリ（ｐ−（Ｎ１Ｎ−ジメチルアミノ）−Ｎ−アクリル
アニリド〕 ポリビニルフェロセン ポリビニルカルバゾール ポリマーに結合された電子供与体組成物と共に、父はポ
リマー・バインダ、電子供与体分子組成物と共に、電子
受容体分子が含まれる。この電子受子と電荷移動塩を形
成するか、父はポリマー・バインダ・電子供与体分子組
成物の分散相中に含まれている。本発明忙適する事が見
ノ、い出きれている電子受容体分子としては、ＣＣ４４
、ＣＢｒ４、Ｃ２Ｈ２Ｃｅ　、ｓ、Ｃ２Ｃ０２Ｂ　ｒ　
４、Ｃ３Ｈ４Ｂ　ｒ　４、Ｃ２Ｂ　ｒ　２　Ｃ６４、Ｃ
ＨＢ　ｒ　３、ＣＨＩ３、　Ｐ−１ルエンスルホニルク
ロリド並びに１−ナフタレンスルホニルクロリ）’、２
−ナフタレンスルホニルクロリド及び３−ナフタレンス
ルホニルクロリドがある。

感光性膜の製作において、選択されたポリマー−電子供
与体組成物の溶液が、その組成物を適当な溶媒中和溶解
する事によ′つて作られる。溶媒は全ての成分を溶解す
べきである。ポリスチレン−ＴＴＦの場合は、適切な溶
媒はＴＨＦである。ポリマー−電子供与体組成物の約１
０重量％の溶液が好ましい。この溶液は暗室中で調整さ
れる。この溶液の濃度は被覆のために重要であり、被覆
装置に依存する。１０〜７５チの濃度の溶液が用いられ
た。この溶液に対して所望の電子受容体分子が加えられ
る。この電子受容体分子の添加量は、好ましくはポリマ
ー−電子供与体組成物の約１０〜３０重量−の範囲であ
る。次に、＃！！製された溶液は基板の金属表面上に塗
布される。塗布された膜の好ましい厚さは約０．５〜６
μの範囲である。

この膜の接着性はオクタデシルトリエトキシシラン及び
３−アミノプロピルトリエトキクシラン等の接着促進剤
を添加する事によって強化できる。

ハロカーボン電子受寄体が膜中忙含まれる場合、−は記
録後単に加熱する拳によって固定される。

加熱は約８０℃で約２０分間、又は１５０℃で約２分間
、又は１００℃で約１０分間、栗用炭の存在下で行われ
る。スルホニルクロリド電子受容体が用いられる場合、
記録は被覆された基板をアンモニア雰囲気中に置く事に
よって固定される。被覆された基板は約２０分間アンモ
ニアを含む容器中に置かれる。基板を容器内に置いてお
く時間の長さはポリマー・バインダ中のアンモニアの拡
Ｍ透過性に依存する。その時間は約５〜２０分間である
事が見い出されている。

記録されたイメージを固定する他の方法は、それをアン
モニアのエタノール溶液で被覆する事である。当然の蓼
ながら、ポリマーがアルコールに９溶であれば、この方
法は使えない。

以下の例は説明のため尤のみ与えるものであって・本発
明の概念を制限するものと解すべきではない。上述の全
ての組成物についても同様の結果が得られるであろう。

例 ＴＨＦＫボｌＪスチレンテトラチアフルバレンを溶解し
た（ポリマーの重量の）１０ｑ！Ｉ溶液が暗室中で調製
され、それに（ポリマーの重量の）２０チの二臭化四塩
化エタンが加えられた。次にこの溶液はアルミニウムで
被覆された基板の金属表面上にスピン−コートされた。

′基板ＴＩＥＳのグラファイトを充填したポリカーボネ
ートで、約１．６間（，１／１６インチ）の厚さであっ
た。この膜は・３０００〜５ｓｏｏＸの間のａｉ＋の光
のビームをディスクのトラック上において１μ以下の直
径のスポットに集束する事によって、記録が行われた。

光源はヘリウム−カドミウム・レーザ等のレーザ又は高
圧水銀灯もしくはキセノン・ランプ等のＵＶランプを用
いる事ができる。アドレスを行う変調された光は、ディ
スクのらせん状のトラックに沿って機械的に動く石英フ
ァイバ導波路によって回転ディスクのトラックに位置付
けられた。

記録後、基板は薬用炭の入った加熱容器中に置”かれ、
約８０°Ｃで約２０分間加熱された。こうして記録され
たイメージは記憶され、ＲＣＡビスタ・ビジョン・ユニ
ット等の市販の装置で読取る事ができる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明において用いられる記憶装置の概略図であ
る。 １・・・・基板、２・・・・導電層（基板が非金属の場
合に用いる）、３・・・・誘電体層。 ２３５

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　データを容量的に記憶する方法であって、光
   の照射を受けた時に銹電率卆変化する組成物の層が被覆
   された導電性基板を用意し、所定のパターンの形忙上記
   組成物の層のｌ１Ｉｅを変化させるように、上記組成物
   の層の表面Ｋｌ記所定のパターンの光を投射し、 上記所定のパターンを固定するように、上記露光された
   基板を処理する工程を含むデータ記憶方法。　　　　　
   ′
2. （２）　　上記記憶装置が溝なしである特許請求の範囲
   第（１）項記載のデータ記憶方法。
3. （３）上記組成物が、ポリマー骨格、電子供与体、及び
   上記電子−与体分子の近くに存在する電子受容体から成
   る電子供与体−電子受容体ポリマー電荷移動錯体である
   特許請求の範囲第（１）項記載のデータ記憶方法。