JPH0150980B2 - - Google Patents
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- JPH0150980B2 JPH0150980B2 JP57101484A JP10148482A JPH0150980B2 JP H0150980 B2 JPH0150980 B2 JP H0150980B2 JP 57101484 A JP57101484 A JP 57101484A JP 10148482 A JP10148482 A JP 10148482A JP H0150980 B2 JPH0150980 B2 JP H0150980B2
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- Japan
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- recording medium
- medium layer
- substrate
- group
- predetermined pattern
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/03—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by deforming with non-mechanical means, e.g. laser, beam of particles
- G11B11/05—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by deforming with non-mechanical means, e.g. laser, beam of particles with reproducing by capacitive means
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/06—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
- G11B9/061—Record carriers characterised by their structure or form or by the selection of the material; Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B9/063—Record carriers characterised by their structure or form or by the selection of the material; Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers characterised by the selection of the material
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Communication Control (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はデータの記憶方法あるいはデータの記
憶された装置の製造方法に関する。
憶された装置の製造方法に関する。
先行技術
光学的に伝達された情報を受け取り、その情報
を放射又は感受性のある材料の薄膜層中に記憶す
る事のできるビデオ記憶デイスクが現在用いられ
ている。この記憶された情報は光学技術によつて
読み取る事ができる。
を放射又は感受性のある材料の薄膜層中に記憶す
る事のできるビデオ記憶デイスクが現在用いられ
ている。この記憶された情報は光学技術によつて
読み取る事ができる。
典型的な場合、これらのデイスクはカルコゲナ
イド・ガラス又は染料を埋め込んだポリマー・フ
イルム等の感光性材料を基板上に設けたものから
成る（光学記憶媒体に関する包括的な総合報告に
ついては、“Review and Analysis of Optical
Recording Media”、Optical Engineering、
Vol.15、No.2、pp.99〜108、（1976）を参照され
たい）。これらのデイスクにおいて化学線が吸収
されると、照射領域に孔又は割れ目が形成され
る。これらの変形は光学的に読取られる。またビ
デオ・デイスクに用いられる他の材料は化学線に
露光された時にフオトクロミズムを起こす。例え
ば、ポリマー基材中のアゾ染料を基板上に被覆
し、化学線に露光させると、それらの染料は吸収
スペクトルが変化するが、これは光学的にパター
ン化された情報を与えるために化学的に固定でき
る。
イド・ガラス又は染料を埋め込んだポリマー・フ
イルム等の感光性材料を基板上に設けたものから
成る（光学記憶媒体に関する包括的な総合報告に
ついては、“Review and Analysis of Optical
Recording Media”、Optical Engineering、
Vol.15、No.2、pp.99〜108、（1976）を参照され
たい）。これらのデイスクにおいて化学線が吸収
されると、照射領域に孔又は割れ目が形成され
る。これらの変形は光学的に読取られる。またビ
デオ・デイスクに用いられる他の材料は化学線に
露光された時にフオトクロミズムを起こす。例え
ば、ポリマー基材中のアゾ染料を基板上に被覆
し、化学線に露光させると、それらの染料は吸収
スペクトルが変化するが、これは光学的にパター
ン化された情報を与えるために化学的に固定でき
る。
最近、光学的に検出可能なデータを光学的に記
憶するために、変性されたテトラヘテロフルバレ
ン誘導体を用い得る事が発見された。また、これ
らの物質を用いる事によつて、高い分解能が得ら
れる事も見い出された。例えば特願昭56―144090
号を参照されたい。
憶するために、変性されたテトラヘテロフルバレ
ン誘導体を用い得る事が発見された。また、これ
らの物質を用いる事によつて、高い分解能が得ら
れる事も見い出された。例えば特願昭56―144090
号を参照されたい。
また最近、記録トラツクに沿つた容量の変化を
読取る事によつて、信号の検索が行なわれる情報
記憶装置が考案されている。容量変化は記録表面
の溝あるいはトラツクの深さの変化によつて識別
される。これらの記憶装置を製作する工程は、音
楽レコードの製作工程と同様に、マスターを作成
しコンパウンデイング及びプレスによつてそれを
複製する方法による。この工程は家庭又は事務所
においてビデオ情報を記録するのには役立たな
い。RCA Review Video Disk、Vol.39、No.1、
March 1979、p.7以下を参照されたい。
読取る事によつて、信号の検索が行なわれる情報
記憶装置が考案されている。容量変化は記録表面
の溝あるいはトラツクの深さの変化によつて識別
される。これらの記憶装置を製作する工程は、音
楽レコードの製作工程と同様に、マスターを作成
しコンパウンデイング及びプレスによつてそれを
複製する方法による。この工程は家庭又は事務所
においてビデオ情報を記録するのには役立たな
い。RCA Review Video Disk、Vol.39、No.1、
March 1979、p.7以下を参照されたい。
本明細書で開示するのは、照射を受けた時に誘
電率に変化を生じる電子供与体（doner）分子組
成物の層で基板を被覆する事によつて製作できる
溝なしビデオ記憶装置である。その上に記憶され
た情報は静電容量によつて読取る事ができる。
電率に変化を生じる電子供与体（doner）分子組
成物の層で基板を被覆する事によつて製作できる
溝なしビデオ記憶装置である。その上に記憶され
た情報は静電容量によつて読取る事ができる。
発明の要約
本発明はビデオ情報記憶装置を製作する新規な
方法及びその方法によつて製作されたビデオ記憶
装置に関する。
方法及びその方法によつて製作されたビデオ記憶
装置に関する。
実施例の説明
以下、本発明の記憶装置に情報を記録するのに
必要な工程を説明する。この情報源は、ビデオ・
カメラでも、（ステーシヨンからの）ビデオ伝送
でも、又AM又はFMの音声信号、計算機からの
２進数出力、印刷装置、タイプライタを含む他の
任意のソースからの信号列（２進数又はアナロ
グ）でも良い。
必要な工程を説明する。この情報源は、ビデオ・
カメラでも、（ステーシヨンからの）ビデオ伝送
でも、又AM又はFMの音声信号、計算機からの
２進数出力、印刷装置、タイプライタを含む他の
任意のソースからの信号列（２進数又はアナロ
グ）でも良い。
前述のソースからの情報は次に、線型予測符号
化、相対アドレス符号化、差パルス符号変調等の
当業者に周知のデータ又は画像の圧縮技術を用い
て信号符号化される。次に符号化された信号は、
電子供与体分子組成物の層中に光化学反応を起こ
すのに適した波長の高圧水銀灯、レーザ又は発光
ダイオード等の光源を、振幅変調するために使用
される。上記光源の１つからの光を変調する方法
は、振動鏡を用いて光ビームを偏向し、記録され
るべき情報に従つて光ビームがスリツトを通過し
てデイスクに至るか又はスリツトからはずれるよ
うにする事によつて行なわれる。変調は通常の手
段によつて行われる。上記電子供与体分子組成物
の層に光パルスをアドレスするために、多くのあ
りふれた方式を用いる事ができる。例えば、光化
学反応の可能な組成物を有する回転するデイスク
上で、変調されたレーザ・ビームを偏向させる事
ができる。偏向は回転デイスク上の異なつた高さ
の軌道を得るために行なわれる。また、端部がス
タイラスになつた光フアイバを用い、この中に光
パルスを入射させ、回転するデイスクの面におい
てスタイラスを移動させる事によつてイメージを
記録する事もできる。また、マスターを複製する
ために、マスクを経て記憶デイスクを全面露光す
る事もできる。
化、相対アドレス符号化、差パルス符号変調等の
当業者に周知のデータ又は画像の圧縮技術を用い
て信号符号化される。次に符号化された信号は、
電子供与体分子組成物の層中に光化学反応を起こ
すのに適した波長の高圧水銀灯、レーザ又は発光
ダイオード等の光源を、振幅変調するために使用
される。上記光源の１つからの光を変調する方法
は、振動鏡を用いて光ビームを偏向し、記録され
るべき情報に従つて光ビームがスリツトを通過し
てデイスクに至るか又はスリツトからはずれるよ
うにする事によつて行なわれる。変調は通常の手
段によつて行われる。上記電子供与体分子組成物
の層に光パルスをアドレスするために、多くのあ
りふれた方式を用いる事ができる。例えば、光化
学反応の可能な組成物を有する回転するデイスク
上で、変調されたレーザ・ビームを偏向させる事
ができる。偏向は回転デイスク上の異なつた高さ
の軌道を得るために行なわれる。また、端部がス
タイラスになつた光フアイバを用い、この中に光
パルスを入射させ、回転するデイスクの面におい
てスタイラスを移動させる事によつてイメージを
記録する事もできる。また、マスターを複製する
ために、マスクを経て記憶デイスクを全面露光す
る事もできる。
露光後、イメージは160℃で約２分、100℃で約
10分、又は80℃で約20分加熱する事によつて固定
される。記録された情報を読取る直前に、デイス
クはポリメチルシロキサン等のシリコーン・オイ
ルで潤滑化される。
10分、又は80℃で約20分加熱する事によつて固定
される。記録された情報を読取る直前に、デイス
クはポリメチルシロキサン等のシリコーン・オイ
ルで潤滑化される。
図面に、本発明において用いるための記憶装置
あるいはデイスクが示されている。デイスクは基
板１を有し、これはステンレス鋼、銅、アルミニ
ウム等の金属シートから構成され得る。基板１の
厚さは約0.025〜3.2mm（約１ミル〜1/8インチ）
である（使用可能な選択的材料は導電プラスチツ
ク組成物である。例えば、グラフアイトを充填し
た、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリビニ
ル、ポリメタクリル酸メチル等のプラスチツクを
用いる事ができる。組成物中のポリマー対グラフ
アイトの比は±10％で約70部対約30部である。こ
れらの材料を用いた時の基板の厚さ約１〜５mmで
ある。
あるいはデイスクが示されている。デイスクは基
板１を有し、これはステンレス鋼、銅、アルミニ
ウム等の金属シートから構成され得る。基板１の
厚さは約0.025〜3.2mm（約１ミル〜1/8インチ）
である（使用可能な選択的材料は導電プラスチツ
ク組成物である。例えば、グラフアイトを充填し
た、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリビニ
ル、ポリメタクリル酸メチル等のプラスチツクを
用いる事ができる。組成物中のポリマー対グラフ
アイトの比は±10％で約70部対約30部である。こ
れらの材料を用いた時の基板の厚さ約１〜５mmで
ある。
もし上記基板が金属以外の材料から製作される
ならば、基板１上に導電層２が配置される。例え
ば基板１がグラフアイトを充填したポリマーから
成る場合、Al、Cu、Ag、Au、Ni、Cr、Ti等か
ら選ばれた金属層が用いられる。層２の厚さは約
1000ű500Åの厚さである。
ならば、基板１上に導電層２が配置される。例え
ば基板１がグラフアイトを充填したポリマーから
成る場合、Al、Cu、Ag、Au、Ni、Cr、Ti等か
ら選ばれた金属層が用いられる。層２の厚さは約
1000ű500Åの厚さである。
基板１の組成に依存して、基板１又は層２の上
に、誘導体層３が配置される。層３は、照射され
た時に、その誘電率が変化する感光性組成物であ
る。層３の好ましい厚さ約0.5〜3μである。
に、誘導体層３が配置される。層３は、照射され
た時に、その誘電率が変化する感光性組成物であ
る。層３の好ましい厚さ約0.5〜3μである。
層３はポリマー活性成分から成る。光化学成分
は、例えばポリスチレンテトラチアフルバレン又
はポリ〔ｐ―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）〕Ｎ―
α―Ｄ―グルタマニライドのようにそれに化学的
に結合し得る。また、それはそのすきまに電子供
与体及び電子受容体（acceptor）の小分子が分散
したポリマー・バインダでも良い。少なくとも１
つの成分は通常電子受容体であつて、分散した形
で存在している。
は、例えばポリスチレンテトラチアフルバレン又
はポリ〔ｐ―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）〕Ｎ―
α―Ｄ―グルタマニライドのようにそれに化学的
に結合し得る。また、それはそのすきまに電子供
与体及び電子受容体（acceptor）の小分子が分散
したポリマー・バインダでも良い。少なくとも１
つの成分は通常電子受容体であつて、分散した形
で存在している。
本発明に用いる事が期待されるポリマー・バイ
ンダは、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ
グルタミン酸、ポリ塩化アクリロイル、ポリアク
リル酸エステルポリ（αハロフオスフアゼン）、
ポリ塩化ビニル・ベンジル、ポリエステル、ポリ
ウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリビニル、ポリエ
ピクロルヒドリン等を含む。
ンダは、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ
グルタミン酸、ポリ塩化アクリロイル、ポリアク
リル酸エステルポリ（αハロフオスフアゼン）、
ポリ塩化ビニル・ベンジル、ポリエステル、ポリ
ウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリビニル、ポリエ
ピクロルヒドリン等を含む。
適当な分散可能な電子供与体分子としてはテト
ラチアフルバレン及びその下記の誘導体のような
フルバレン組成物が含まれる。
ラチアフルバレン及びその下記の誘導体のような
フルバレン組成物が含まれる。
２―メチルテトラチアフルバン
２，３―ジメチルテトラチアフルバレン
２，３，６，７―テトラメチルテトラチアフル
バレン ２―エチルテトラチアフルバレン ２，３―ジエチルテトラチアフルバレン ２，６―ジエチルテトラチアフルバレン ２，３，６，７―テトラエチルテトラチアフル
バレン ２―メトキシテトラチアフルバレン ２，３―ジメトキシテトラチアフルバレン ２，６―ジメトキシテトラチアフルバレン ２，３，６，７―テトラメトキシテトラチアフ
ルバレン ２―カルボキシルテトラチアフルバレン ２―フエニルテトラチアフルバレン ２，３―ジフエニルテトラチアフルバレン ２，６―ジフエニルテトラチアフルバレン ２，３，６，７―テトラフエニルテトラチアフ
ルバレン ２―（４―ヒドロキシフエニル）テトラチアフ
ルバレン ２―（４―アミノフエニル）テトラチアフルバ
レン ２―（４―メルカプトフエニル）テトラチアフ
ルバレン フエニレンジアミン Ｎ，N′―テトラメチルフエニレンジアミン ２，６―ナフタレンジアミン Ｎ，N′―テトラメチル―２，６―ナフタレン
ジアミン またロイコ染料及びその誘導体も用いられる。
バレン ２―エチルテトラチアフルバレン ２，３―ジエチルテトラチアフルバレン ２，６―ジエチルテトラチアフルバレン ２，３，６，７―テトラエチルテトラチアフル
バレン ２―メトキシテトラチアフルバレン ２，３―ジメトキシテトラチアフルバレン ２，６―ジメトキシテトラチアフルバレン ２，３，６，７―テトラメトキシテトラチアフ
ルバレン ２―カルボキシルテトラチアフルバレン ２―フエニルテトラチアフルバレン ２，３―ジフエニルテトラチアフルバレン ２，６―ジフエニルテトラチアフルバレン ２，３，６，７―テトラフエニルテトラチアフ
ルバレン ２―（４―ヒドロキシフエニル）テトラチアフ
ルバレン ２―（４―アミノフエニル）テトラチアフルバ
レン ２―（４―メルカプトフエニル）テトラチアフ
ルバレン フエニレンジアミン Ｎ，N′―テトラメチルフエニレンジアミン ２，６―ナフタレンジアミン Ｎ，N′―テトラメチル―２，６―ナフタレン
ジアミン またロイコ染料及びその誘導体も用いられる。
１，１―ビス（４―ジメチルアミノフエノキ
シ）―エチレン １，２―ビス（４―ジメチルアミノフエノキ
シ）―エチレン ２―（４―ジメチルアミノスチリル）ベンゾチ
アゾール ４―（４―ジメチルアミノスチリル）キノリン ２―（４―ジメチルアミノスチリル）キノリン
ロイコメチレンブルーアセトアミド ヘキサアリルジミダゾール 一般式Ｒ―NH2を有するアミン。但しＲはア
ルキル基又はアリル基である。即ち、ピラゾリ
ン、テトラチアテトラセン、フエロセン及びフエ
ノチアジン。
シ）―エチレン １，２―ビス（４―ジメチルアミノフエノキ
シ）―エチレン ２―（４―ジメチルアミノスチリル）ベンゾチ
アゾール ４―（４―ジメチルアミノスチリル）キノリン ２―（４―ジメチルアミノスチリル）キノリン
ロイコメチレンブルーアセトアミド ヘキサアリルジミダゾール 一般式Ｒ―NH2を有するアミン。但しＲはア
ルキル基又はアリル基である。即ち、ピラゾリ
ン、テトラチアテトラセン、フエロセン及びフエ
ノチアジン。
上述のように、これらの電子供与体組成物は上
述のポリマー・バインダーに結合させる事ができ
る。
述のポリマー・バインダーに結合させる事ができ
る。
ポリロイコメチレンブルーアクリルアミド
ポリ―４―〔（４―メチレンオキシフエニル）
―２―テトラチアフルバレン〕スチレン（ポリ
スチレン―TTF） ポリ〔ｐ―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）―Ｎ―
α―Ｄ―グルタマニライド ポリ〔ｐ―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）―Ｎ―
アクリルアニリド〕 ポリビニルフエロセン ポリビニルカルバゾール ポリマーに結合された電子供与体組成物と共
に、又はポリマー・バインダ、電子供与分子組成
物と共に、電子受容体分子が含まれる。この電子
受容体分子は、ポリマーに結合された電子供与体
分子と電荷移動塩を形成するか、又はポリマー・
バインダ、電子供与体分子組成物の分散相中に含
まれている。本発明に適する事が見い出されてい
る電子受容体分子としては、CCl4、CBr4、
C2H2Cl4、C2Cl2Br4、C3H4Br4、C2Br2Cl4、
CHBr3、CHI3、ｐ―トルエンスルホニルクロリ
ド並びに１―ナフタレンスルホニルクロリド、２
―ナフタレンスルホニルクロリド及び３―ナフタ
レンスルホニルクロリドがある。
―２―テトラチアフルバレン〕スチレン（ポリ
スチレン―TTF） ポリ〔ｐ―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）―Ｎ―
α―Ｄ―グルタマニライド ポリ〔ｐ―（Ｎ，Ｎ―ジメチルアミノ）―Ｎ―
アクリルアニリド〕 ポリビニルフエロセン ポリビニルカルバゾール ポリマーに結合された電子供与体組成物と共
に、又はポリマー・バインダ、電子供与分子組成
物と共に、電子受容体分子が含まれる。この電子
受容体分子は、ポリマーに結合された電子供与体
分子と電荷移動塩を形成するか、又はポリマー・
バインダ、電子供与体分子組成物の分散相中に含
まれている。本発明に適する事が見い出されてい
る電子受容体分子としては、CCl4、CBr4、
C2H2Cl4、C2Cl2Br4、C3H4Br4、C2Br2Cl4、
CHBr3、CHI3、ｐ―トルエンスルホニルクロリ
ド並びに１―ナフタレンスルホニルクロリド、２
―ナフタレンスルホニルクロリド及び３―ナフタ
レンスルホニルクロリドがある。
感光性膜の製作において、選択されたポリマー
―電子供与体組成物の溶液が、この組成物を適当
な溶媒中に溶解する事によつて作られる。溶媒は
全ての成分を溶解すべきである。ポリスチレン―
TTFの場合は、適切な溶媒はTHFである。ポリ
マー―電子供与体組成物の約10重量％の溶液が好
ましい。この溶液は暗室中で調整される。この溶
液の濃度は被覆のために重要であり、被覆装置に
依存する。10〜75％の濃度の溶液が用いられた。
この溶液に対して所望の電子受容体分子が加えら
れる。この電子受容体分子の添加量は、好ましく
はポリマー―電子供与体組成物の約10〜30重量％
の範囲である。次に、調製された溶液は基板の金
属表面上に塗布される。塗布された膜の好ましい
厚さは約0.5〜3μの範囲である。この膜の接着性
はオクタデシルトリエトキシシラン及び３―アミ
ノプロピルトリエトキシシラン等の接着促進剤を
添加する事によつて強化できる。
―電子供与体組成物の溶液が、この組成物を適当
な溶媒中に溶解する事によつて作られる。溶媒は
全ての成分を溶解すべきである。ポリスチレン―
TTFの場合は、適切な溶媒はTHFである。ポリ
マー―電子供与体組成物の約10重量％の溶液が好
ましい。この溶液は暗室中で調整される。この溶
液の濃度は被覆のために重要であり、被覆装置に
依存する。10〜75％の濃度の溶液が用いられた。
この溶液に対して所望の電子受容体分子が加えら
れる。この電子受容体分子の添加量は、好ましく
はポリマー―電子供与体組成物の約10〜30重量％
の範囲である。次に、調製された溶液は基板の金
属表面上に塗布される。塗布された膜の好ましい
厚さは約0.5〜3μの範囲である。この膜の接着性
はオクタデシルトリエトキシシラン及び３―アミ
ノプロピルトリエトキシシラン等の接着促進剤を
添加する事によつて強化できる。
ハロカーボン電子受容体が膜中に含まれる場
合、膜は記録後単に加熱する事によつて固定され
る。加熱は約80℃で約20分間、又は150℃で約２
分間、又は100℃で約10分間、薬用炭の存在下で
行われる。スルホニルクロリド電子受容体が用い
られる場合、記録は被覆された基板をアンモニア
雰囲気中に置く事によつて固定される。被覆され
た基板は約20分間アンモニアを含む容器中に置か
れる。基板を容器内に置いておく時間の長さはポ
リマー・バインダ中のアンモニアの拡散透過性に
依存する。その時間は約５〜20分間である事が見
い出されている。
合、膜は記録後単に加熱する事によつて固定され
る。加熱は約80℃で約20分間、又は150℃で約２
分間、又は100℃で約10分間、薬用炭の存在下で
行われる。スルホニルクロリド電子受容体が用い
られる場合、記録は被覆された基板をアンモニア
雰囲気中に置く事によつて固定される。被覆され
た基板は約20分間アンモニアを含む容器中に置か
れる。基板を容器内に置いておく時間の長さはポ
リマー・バインダ中のアンモニアの拡散透過性に
依存する。その時間は約５〜20分間である事が見
い出されている。
記録されたイメージを固定する他の方法は、そ
れをアンモニアのエタノール溶液で被覆する事で
ある。当然の事ながら、ポリマーがアルコールに
可溶であれば、この方法は使えない。
れをアンモニアのエタノール溶液で被覆する事で
ある。当然の事ながら、ポリマーがアルコールに
可溶であれば、この方法は使えない。
以下の例は説明のためにのみ与えるものであつ
て、本発明の概念を制限するものと解すべきでは
ない。上述の全ての組成物についても同様の結果
が得られるであろう。
て、本発明の概念を制限するものと解すべきでは
ない。上述の全ての組成物についても同様の結果
が得られるであろう。
例
THFにポリスチレンテトラチアフルバレンを
溶解した（ポリマーの重量の）10％溶液が暗室中
で調製され、それに（ポリマーの重量の）20％の
二臭化四塩化エタンが加えられた。次にこの溶液
はアルミニウムで被覆された基板の金属表面上に
スピン・コートされた。基板は３％のグラフアイ
トを充填したポリカーボネートで、約1.6mm（1/1
６インチ）の厚さであつた。この膜は、3000〜
3800Åの間の波長の光ビームをデイスクのトラツ
ク上において1μ以下の直径のスポツトに集束す
る事によつて、記録が行われた。光源はヘリウム
―カドミウム・レーザ等のレーザ又は高圧水銀灯
もしくはキセノン・ランプ等のUVランプを用い
る事ができる。アドレスを行う変調された光は、
デイスクのらせん状のデイスクに沿つて機械的に
動く石英フアイバ導波路によつて回転デイスクの
トラツクに位置付けられた。
溶解した（ポリマーの重量の）10％溶液が暗室中
で調製され、それに（ポリマーの重量の）20％の
二臭化四塩化エタンが加えられた。次にこの溶液
はアルミニウムで被覆された基板の金属表面上に
スピン・コートされた。基板は３％のグラフアイ
トを充填したポリカーボネートで、約1.6mm（1/1
６インチ）の厚さであつた。この膜は、3000〜
3800Åの間の波長の光ビームをデイスクのトラツ
ク上において1μ以下の直径のスポツトに集束す
る事によつて、記録が行われた。光源はヘリウム
―カドミウム・レーザ等のレーザ又は高圧水銀灯
もしくはキセノン・ランプ等のUVランプを用い
る事ができる。アドレスを行う変調された光は、
デイスクのらせん状のデイスクに沿つて機械的に
動く石英フアイバ導波路によつて回転デイスクの
トラツクに位置付けられた。
記録後、基板は薬用炭の入つた加熱容器中に置
かれ、約80℃で約20分間加熱された。こうして記
録されたイメージは記憶され、RCAビスタ・ビ
ジヨン・ユニツト等の市販の装置で読取る事がで
きる。
かれ、約80℃で約20分間加熱された。こうして記
録されたイメージは記憶され、RCAビスタ・ビ
ジヨン・ユニツト等の市販の装置で読取る事がで
きる。
図面は本発明において用いられる記憶装置の概
略図である。 １……基板、２……導電層（基板が非金属の場
合に用いる）、３……誘電体層。
略図である。 １……基板、２……導電層（基板が非金属の場
合に用いる）、３……誘電体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性基板上に、フルバレン組成物、ロイコ
染料及びその誘導体、一般式Ｒ―NH2を有する
アミン（但しＲはアルキル基又はアリル基）、ピ
ラゾリン、テトラチアテトラセン、フエロセン、
フエノチアジン、フエニレンジアミン、テトラメ
チルフエニレンジアミン、ナフタレンジアミン、
テトラメチル・ナフタレンジアミンより成る群か
ら選ばれた電子供与体、並びにハロカーボン及び
スルホニルクロリドより成る群から選ばれた電子
受容体を含む記録媒体層を設けたものを用意し、 所定のパターンの形に上記記録媒体層の誘電率
を変化させるように、上記記録媒体層の表面に上
記所定のパターンの光を投射し、 上記所定のパターンを固定するように、上記露
光された記録媒体層を処理する工程を含むデータ
記憶方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US295210 | 1981-08-24 | ||
| US06/295,210 US4538252A (en) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | Light induced capacitance changes in donor polymers (or small molecules) films and its use for information storage in video disks and the like |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5835743A JPS5835743A (ja) | 1983-03-02 |
| JPH0150980B2 true JPH0150980B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=23136727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57101484A Granted JPS5835743A (ja) | 1981-08-24 | 1982-06-15 | デ−タ記憶方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4538252A (ja) |
| EP (1) | EP0073304B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5835743A (ja) |
| CA (1) | CA1175706A (ja) |
| DE (1) | DE3269056D1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4684598A (en) * | 1984-11-23 | 1987-08-04 | The Johns Hopkins University | Enhanced optically sensitive medium using organic charge transfer materials to provide reproducible thermal/optical erasure |
| EP0238759B1 (en) * | 1986-03-25 | 1992-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical information writing method |
| DE68926602T2 (de) * | 1988-10-04 | 1996-10-24 | Canon Kk | Gerät und Verfahren zur Aufzeichnung und Wiedergabe und Aufzeichnungsmedium für das Aufzeichungs- und Wiedergabeverfahren |
| US5434842A (en) * | 1992-07-17 | 1995-07-18 | Biotechnology Research And Development Corporation | Reading and writing stored information by means of electrochemistry |
| DE69332710T2 (de) * | 1992-07-17 | 2004-01-15 | Biotechnology Res & Dev | System zum feststellen von atom- oder molekularspektren und/oder damit verbundenen schwellenerscheinungen |
| DE19516967A1 (de) * | 1995-05-12 | 1996-11-14 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von Polymerisaten von vinylischen Monomeren mit enger Molekulargewichtsverteilung durch kontrollierte radikalische Polymerisation |
| DE10321679B4 (de) * | 2003-05-14 | 2006-11-30 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Übertragung von Daten zwischen einem zentralen Steuergerät eines Insassenschutzsystems in einem Fahrzeug und mindestens einer dezentralen Sensoreinheit |
| DE102005014783A1 (de) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtungen zum Übertragen von Daten auf eine Datenleitung zwischen einem Steuergerät und zumindest einem dezentralen Datenverarbeitungsgerät |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR741092A (ja) * | 1931-08-14 | 1933-02-04 | ||
| JPS5716415B2 (ja) * | 1974-01-23 | 1982-04-05 | ||
| JPS54141618A (en) * | 1978-04-27 | 1979-11-05 | Canon Inc | Recording-reproducing system |
| US4187105A (en) * | 1978-05-23 | 1980-02-05 | Horizons Research Incorporated | Photosensitive image forming composition containing at least one substituted bis-diaryl vinylidene compound and/or at least one substituted bis-diaryl imine compound |
| US4316279A (en) * | 1978-09-04 | 1982-02-16 | Rca Corporation | Optical recording in thin photoresist |
| US4312991A (en) * | 1979-05-10 | 1982-01-26 | International Business Machines Corporation | Dithiobenzoate 4,5-dicyano-1,3-(dithiolidene-2-yl)methylene |
| US4312935A (en) * | 1979-08-09 | 1982-01-26 | International Business Machines Corporation | Class of E-beam resists based on conducting organic charge transfer salts |
| US4306013A (en) * | 1980-03-10 | 1981-12-15 | Rca Corporation | Asymmetrical radiation exposure of spin coated photoresist to obtain uniform thickness coating used to replicate spiral grooves in plastic substrate |
| US4360583A (en) * | 1980-12-15 | 1982-11-23 | International Business Machines Corporation | High resolution video storage disk |
-
1981
- 1981-08-24 US US06/295,210 patent/US4538252A/en not_active Expired - Fee Related
-
1982
- 1982-06-08 DE DE8282105018T patent/DE3269056D1/de not_active Expired
- 1982-06-08 EP EP82105018A patent/EP0073304B1/en not_active Expired
- 1982-06-15 JP JP57101484A patent/JPS5835743A/ja active Granted
- 1982-06-30 CA CA000406379A patent/CA1175706A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1175706A (en) | 1984-10-09 |
| EP0073304B1 (en) | 1986-02-12 |
| JPS5835743A (ja) | 1983-03-02 |
| EP0073304A1 (en) | 1983-03-09 |
| US4538252A (en) | 1985-08-27 |
| DE3269056D1 (en) | 1986-03-27 |
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