JPS5837367B2 - 鉄損の低い一方向性珪素鋼板の製造方法 - Google Patents

鉄損の低い一方向性珪素鋼板の製造方法

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JPS5837367B2
JPS5837367B2 JP55148131A JP14813180A JPS5837367B2 JP S5837367 B2 JPS5837367 B2 JP S5837367B2 JP 55148131 A JP55148131 A JP 55148131A JP 14813180 A JP14813180 A JP 14813180A JP S5837367 B2 JPS5837367 B2 JP S5837367B2
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    • C21METALLURGY OF IRON
    • C21DMODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00Modifying the physical properties of ferrous metals or ferrous alloys by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/12Modifying the physical properties of ferrous metals or ferrous alloys by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of articles with special electromagnetic properties

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は鉄損の低い一方向性珪素鋼板の製造方法に関し
、特に鉄損が著しく低い一方向性珪素鋼板を工業的に安
定して製造する方法の提案を目的とするものである。
Si含有量を高めることは、一方向性珪素鋼板の鉄損特
性を改善する有効な手段の一つであるが、Si含有量が
高くなると、それに伴って冷間加工性が劣化して、工業
的規模での生産が困難になること、および、ゴス方位を
有する二次再結晶粒の戒長が十分行われ難く、所望の成
品特性を安定して得ることが出来ないこと、主としてこ
の二つの理由から、従来、Si含有量が3.2%程度を
越える一方向性珪素鋼板は、工業的に殆んど生産されて
いない。
冷間加工性を損なわずに、戒品の鉄損特性を改善するこ
との出来る、上記問題点の解決手段として、Si濃度が
外層から内層に行くに従い高くなっている鋼塊を素材と
して用いる、高珪素一方向性珪素鋼板の製造方法が、特
開昭54−127829号に提案されている。
この方法によれば、外層部のSi濃度が低いため、冷間
加工は確かに容易であるが、鉄損の低い戒品を、工業的
に安定して生産することは、やはり困難である。
このように、Si含有量が増加すると、鉄損の低い成品
が安定して得られなくなる原因は以下の如く考えられる
Si含有量が多くなると、熱延過程でのα一γ変態量が
減少する結果、熱延組織中に、粗い伸長粒組織が形成さ
れる。
このような伸長粒組織は、以後の冷延・焼鈍工程を通っ
た後も均一な等軸粒とはならず、粗大伸長粒として残留
する。
内層のSi濃度が高い場合、上述の粗大伸長粒より戒る
不均質な一次再結晶組織が内層に形成されるため、外層
のSi含有量の如何に拘わらず、外層に生成したゴス方
位の二次再結晶粒は、これに阻まれて十分に発達できず
、他の方位の結晶粒の戒長を許すことになる。
その結果、戒品の磁束密度は低くなり、履歴損が増加す
るため、所望の鉄損改善が果たされない。
上記欠点を改善するためには、内層の一次再結晶組織を
微細・均一化する必要があるが、C濃度を高めて、熱延
過程におけるα一γ変態量を増加することにより、目的
を達成することができる。
しかし、α−γ変態量の増加は、一方では、一次再結晶
集合組織中のゴス方位成分を減少させるため、二次再結
晶核が発生する外層領域においてαγ変態量が増加する
ことは望ましくない。
すなわち、ゴス方位の二次再結晶粒発達のためには、熱
延過程におけるα一γ変態量が外層において少なく、内
層において多いことが望ましい。
本発明は内層にCおよびSiを富化した鋼塊または連鋳
スラブを出発素材とし、冷間加工性を損わずに、鉄損の
低い一方向性珪素鋼板を製造することを目的とするもの
であり、前記特許請求の範囲に記載の一方向性珪素鋼板
の製造方法について上記目的を達成するに至ったのであ
る。
次に本発明の方法を詳細に説明する。
前述のように、Si含有量を高めたときにもコス方位の
二次再結晶粒が容易に発達できるためには、内層の一次
再結晶組織が微細で均一なものであることが必要である
本発明者らは上記目的のため、内層のC濃度を高めるこ
とにより熱延過程において適量のα→γ変態を生起させ
ることが有効であることを知見した。
C濃度の増加は、同時に、ゴス方位の二次再結晶粒が蚕
食して発達するために都合のよい(222)成分を、一
次再結晶集合組織中に増加させるので、この点において
も有利である。
一方外層のC濃度が高いと、一次再結晶集合組織中のゴ
ス取位成分が減少するため、二次再結晶粒の発達が十分
であっても、ものゴス方位集積度は低下する。
従って成品の磁束密度が低下し、履歴損が増加するため
、本発明の目的とする低鉄損を実現できないので、外層
のC濃度を低くする必要がある。
一方Si濃度も、冷間加工性の点から外層では低くする
ことが有利である。
以上述べたように、従来は困難であった、冷間加工性を
損わずに鉄損の低い一方向性珪素鋼板を製造することを
、内層にCおよびSiを富化した鋼塊または連鋳スラブ
を素材とすることによって工業的に安定な製造の実現を
可能としたのである。
以下具体的な実施態様に基づいて説明する。
内層にCおよびSiを富化した素材とする鋼塊または連
鋳スラブは公表されている任意の方法、例えは下記の方
法で得ることができる。
(イ)鋳型中央に高炭素高珪素含有鋳塊を設置し、その
周囲に低炭素低珪素の溶鋼を注入する方法。
(口)普通造塊または連続鋳造において、低炭素低珪素
の溶鋼を注入後、中心部にCおよび金属SiまたはFe
−Si合金を添加する方法。
(ハ)低炭素低珪素の外枠内に、高炭素高珪素の溶鋼を
注入する方法。
本発明による出発素材の内層部が全厚に占める割合を1
5〜90%に限定する。
内層の厚さを限定する理由は以下のとおりである。
第1図は、C0.06%、Si3.9%、Mn0.07
%、S O. 0 3%、SbO.08を含む(50k
g)鋼塊を種々の寸法に成形した後、50kg用鋳型の
中央に吊るし、その周囲に、Co、025%、Si3.
0%、Mn 0. 0 7、80.03%、Sb 0.
0 8%の溶鋼を注入して得られた、内層の厚さが異
なる数種の50kg鋼塊を、熱延、冷延・熱処理して、
0.30間厚の一方向性珪素鋼板にしたときの内層の厚
さと鉄損の関係を示すものである。
図から判るように内層の厚さが、全厚の15〜90%の
範囲でWl7/50が1.1w/kg以下の低い鉄損が
得られている。
内層の厚さが、90%を越えると鉄損が劣化する原因は
、二次再結晶核の発生する外層の一次再結集合組織がゴ
ス方位戊分の少ない不都合なものとなることにあり、内
層の厚さが15%未満のときに鉄損が劣化する原因は、
内層の一次再結晶組織が十分微細・均一化されないこと
にある。
以上により、内層の厚さは、全厚の15〜90%に限定
する。
外層部のCおよびSi含有量は、平均濃度でC:0.0
05〜0.04%、Si:1.8〜3.5%であり、内
層部のCおよびSi含有量は外層部よりC濃度で0.0
05〜0.050%、Si濃度で0.2〜7.0%それ
ぞれ高めることが好適である。
C , Si濃度の範囲は、上記のように限定されるが
その理由を以下に述べる。
外層部のSi濃度が1.8%未満であると熱延過程にお
けるα−γ変態のために望ましい一次再結晶集合組織が
得られず、他方3.5%超になると、冷間加工性が著る
しく劣化するので、外層部の平均Si濃度を1.8〜3
.5%の範囲に限定する。
外層部のCは、冷延工程で微細に析出して、結晶組織を
均質化するために適量含有することが必要であるが、0
.04%を越えると熱延過程でのα−γ変態が著るしく
なるため外層部の平均C濃度を0.005〜0.04%
に限定する。
内層部のSi濃度は、高い程成品の鉄損を低減し得るが
、あまりに高いと、仕上焼鈍で板厚方向のSi濃度を均
一化するために多犬の時間を要すること、および、C濃
度も著るしく高めなければならなくなり、工業生産が可
能な条件で脱炭焼鈍することができなくなるため、内層
に富化するCおよびSi濃度の上限をそれぞれ0.05
%および7.0%に制限する。
他方、内層に富化するSi量が0. 2%未満では、所
望の低鉄損を得ることができず、実質的に富化しない場
合と同じであるので内層に富化するSi量の下限を0.
2%に限定する。
これに対応して、C量の下限を0.005%に限定する
なお本発明の鋼塊または連鋳スラブには、一次再結晶粒
の戒長を抑制して二次再結晶粒の発達を促すいわゆるイ
ンヒビターと呼ばれる元素を適当量含有させる必要があ
る。
鋼塊または連鋳スラブは通常の方法で加熱され1.5〜
3. 5 mmの厚さに熱間圧延される。
熱延コイルは1回または中間焼鈍を挟む2回以上の冷延
によって或品板厚に圧延され、脱炭焼鈍を施される。
次いで焼鈍分離剤を塗布された後、高温仕上焼鈍が施さ
れる。
仕上焼鈍は、内層のSiが外層に拡散して、厚さ方向の
Si濃度がほぼ一定になるに要する温度と時間条件で行
われることが必要である。

4木 次に本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例 1 C0.035%、Si2.95%、Mn0.073%、
Se0.020%、Sb0.028%の成分を有する溶
鋼を連続鋳造した。
鋳造の途中、CとFe−Si合金の混合紛をステンレス
鋼で皮覆したワイヤーを鋳型中心部に添加し、スラブ内
層、全厚の60%の領域で、C0.055%、Si3.
70%となるようにした。
次いで、Fe−Si紛のみを皮覆したワイヤーを添加し
、スラブ内層、全厚の60%の領域でSi3.70%と
なるようにした。
最後に、タンデイシュに金属Siを投入して、Si3.
40%にし、鋳造した。
ワイヤー無添加のスラブ、ワイヤー添加した2種のスラ
ブおよびSiを高めたスラブを熱延し2. 4 mm厚
とした。
熱延コイルを1000’C5分連続焼鈍後0. 8 m
m厚に冷延し、950803分中間焼鈍後0. 3 7
nrIL厚に最終冷延した。
その後、8500Cで0.001%まで脱炭し、MgO
を塗布し、8600C 3 0 Hrの二次再結晶焼鈍
を経て12000G2 0 Hr (7)仕一ヒ焼鈍を
施した。
第2図に、ワイヤー添加スラブのCとSiの濃度分布を
示す。
CとSiを内層に富化した本発明例の成品特性は、第1
表に示すように比較例に比べ優れ、かつ、その冷延歩止
りも、同じ平均Si濃度の比較例より著しく高く、内層
にCとSiを富化した効果が顕著である。
実施例 2 C0.030%、 Si 2.8 5%、 Mn0.09%、 80.026%、Sol, I’−12 0.0 2
8%、NO.0058%を含む溶鋼を連続鋳造した。
その途中、Cと金属Siの混合紛をCu板で皮覆したワ
イヤーを鋳型中心部へ添加し、スラブ内層、全厚の40
%の領域で、C0.060%、Si3.85%となるよ
うにした。
ワイヤー無添加のスラブとワイヤー添加のスラブを熱間
圧延して2.3間厚とした。
1100℃で連続加熱後0.35mm厚に冷間圧延した
その後、850’Cで脱炭焼鈍しMgOを塗布し、12
00’C25Hr仕上焼鈍した。
成品の磁性は、 ワイヤー添加あり w 1 7/5 0−0. 9 2
W/kgB1o=1.92T ワイヤー添加なし W 17/5 o−1. 1 0W
/kgB10=1.95T であり、ワイヤー添加により内層にC,Siを富化した
効果が顕著に認められた。
本発明において、一方向性珪素鋼板の鉄損を改善するた
めのSi含有量を増加する場合に生ずる冷間加工性の劣
化および二次再結晶の不完全性の欠点を、素材内層にC
およびS1を富化することによって克服することができ
、従来は上記欠点のために最高約3.2%に制約されて
いたSi濃度を更に高め得るようにして、鉄損の著しく
低い一方向性珪素鋼板を製造する方法の提供を実現する
に到ったのである。
【図面の簡単な説明】
第1図はCおよびSiを富化した内層の全厚に対する割
合と鉄損との関係を示す図、第2図はスラブにおけるC
およびSiの濃度分布を示す図面である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 珪素含有鋼塊または連鋳スラブに熱間圧延・冷間圧
    延・熱処理を施して一方向性珪素鋼板を製造する方法に
    おいて、内層にCおよびSiを富化した鋼塊または連鋳
    スラブを用いることを特徴とする鉄損の低い一方向性珪
    素鋼板の製造方島2 CおよびSiを富化すべき内層の
    厚さが、全厚の15〜90パーセントであることを特徴
    とする特許請求の範囲第1項記載の鉄損の低い一方向性
    珪素鋼板の製造方法。 3 外層のCおよびSi濃度がそれぞれ0.005〜0
    .04パーセントおよび1.8〜3.5パーセントであ
    り、内層へのCおよびSiの富化量がそれぞれ0.00
    5〜0.05パーセントおよび0.2〜7.0パーセン
    トであることを特徴とする特許請求の範囲第1項または
    第2項記載の鉄損の低い一方向性珪素鋼板の製造方法。
JP55148131A 1980-10-24 1980-10-24 鉄損の低い一方向性珪素鋼板の製造方法 Expired JPS5837367B2 (ja)

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