JPS5837606B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘ
ッドに関するものである。

近年、蒸着、スパツタ、めっき等の薄膜形成技術および
エッチングによるパターン形成技術を用いて、磁気回路
および記録再生用コイルを形成するいわゆる薄膜磁気ヘ
ッドが、一括製造および高寸法精度の可能性を有し、し
たがって低コスト化および高性能化の可能性を有するも
のとして注目をあびている。

これを浮揚形磁気ヘッドとして磁気ディスク装置等に適
用し高密度記録を実現するためには、リングコアを構或
する磁気回路部分と記録再生用コイル部分とから成るト
ランスデューサの部分を何らかの方法によって浮揚のた
めのスライダに機械的に結合する必要がある。

通常の薄膜磁気ヘッドにおいては、シリコンの結晶ある
いはセラミックを素材とする基板（サブストレート）の
上に薄膜のトランスデューサを多数整列して形成したウ
エー・・を所要数のトランスデューサ群から戒るトラン
スデューサ・チップに切断し、エポキシ系樹脂等を素材
とする有機接着剤により各チップをスライダに接着し、
しかる後にスライダの浮揚面とトランスデューサのポー
ル表面が同一面になるように研磨してスライダ組立体を
作成する。

ところが、磁気ディスク装置の記録密度が向上し、スラ
イダ組立体の浮揚量がミクロンないしはミクロン以下と
なるような領域においては、前記有機接着剤の吸湿によ
る膨潤量が相対的に大きく、また温度膨張係数も前記ス
ライダや基板の材料に比して大きいため、エージング等
の処理や精密な同一面研磨を行なっても、使用時に温度
、湿度等の環境状態に変化が生ずると、スライダ・チッ
プ間の相対的位置の非可逆的かつ経時的な変動を避ける
ことが困難となる。

加えて、このような変動の様相は前記有機接着剤の塗布
、分布状態に大きく左右されコントロールが難かしい。

通常、上記の理由に基く変動量は０．２ないし１ミクロ
ンであり、スライダ組立体の浮揚量が１ミクロン以下の
時には、磁気ヘッドとしての性能の均一性を大いに損な
うばかりでなく、記憶媒体たる磁気ディスクとの機械的
接触を生じやすく致命的な故障の原因となるおそれがあ
る。

これに対し、従来のフエライトコアによる磁気ヘッドが
採用している対策はガラス融着法であるが、この方法を
薄膜磁気ヘッドに適用しようとすると、パーマロイ系金
属磁性材料と金あるいは銅による導電材料とを用いてい
る関係上、高温炉中におけるガラス融着処理の際に前記
材料間に拡散現象を生じたり、残留応力による磁気的機
械的特性上望ましくない結果をもたらすおそれがある。

本発明の目的は、上述のような欠点を除き、環境状態の
いかんにかかわらずスライダ・チップ間の相対的位置変
動の殆んど存在しない薄膜磁気ヘッドを提供することに
あり、さらには、製作工数の少ないしたがってコストの
低い薄膜磁気ヘッドを提供することにある。

本発明によれば、薄膜磁気ヘッドのスライダをトランス
デューサの素板を用いて構或することにより、その目的
を達或することができる。

以下、図面を用いて本発明につき詳細に説明する。

第１図は本発明の１実施例を示し、１ターン薄膜ヘッド
におけるスライダ組立体の斜視図である。

同図において１はスライダ組立体、１０はトランスデュ
ーサ部分、２はスライダ、３はスライダ２の浮揚面、４
はトランスデューサの磁気回路部分、５はトランスデュ
ーサの記録再生用コイル部分、６はその引出線部分、７
は図示されていないスライダ支持機構部との結合のため
の溝部である。

第２図は、第１図におげるＡＡ断面による針視図で、ト
ランスデューサ部分１０の一部を拡大した図である。

同図において４１は磁気回路部分４の下部コア部、４２
は同じく上部コア部、５１は空隙部である。

第１図および第２図を参照すると、本実施例におけるト
ランスデューサ部分１０は４個の磁気回路部分４と、各
磁気回路部分４０両側に引出線部分６を有する１ターン
の記録再生用コイル部分５とから成り、これがスライダ
２の素材を兼ねた素板上に形成されている。

磁気回路部分４は、それぞれパーマロイを素材とする下
部コア部４１と上部コア部４２と、金を素材とする空隙
部５１とから成り、この空隙部５１に記録再生用コイル
部分５の一部をなしている。

引出線部６は、図示されていない記録再生用回路と接続
され、任意の磁気回路部分４したがってトラックを選択
する際にはその両側の引出線部６の１対が選択される。

スライダ２の材質は本実施例においてはアルミナを用い
ており、トランスデューサを多数形成する素板としての
厚さは５ミリである。

なお、トランスデューサ部分１旦の各薄膜の厚さは約２
ミクロンであり、第１図および第２図においてはこの部
分を誇張して描いてある。

第３図は、上述のごときスライダ組立体１の浮揚状態を
示す図で、８は磁気ディスクである。

磁気ディスク８は速度Ｕをもって矢印の方向に回転して
おり、これに対しスライダ組立体１はＷなる押圧力を加
えられ、トランスデューサ部分１０の近傍においてｈｍ
なる浮揚量で浮揚している。

第４図はトランスデューサ部分１０を多数整列して素板
上に形或した状況を説明する図で、同図においては２０
は板厚５ミリのアルミナの素板である。

多数のトランスデューサ部分１０は、第４図に示すごと
く素板２０上に整列配置されて一括製造され、各々トラ
ンスデューサ部分１００単位に切断されチップとなる。

このチップにおいて、トランスデューサ部分１０が形或
されている面に直交し、磁気回路部分４が配列されてい
る側の面すなわち浮揚面３を精密研磨すれば直ちに第１
図に示すようなスライダ組立体１となる。

したがって、以上のごとくにすれば、先ず第１にチップ
における素板２０の部分がスライダ２をなし、従来のご
とき有機接着剤を必要としないので非可逆的かつ経時的
な位置変動が避けられ非常に安定かつ均一なスライダ組
立体１を得ることができる。

また第２に、従来のごとく別個にスライダを製作しチッ
プを接着する必要がないので製作工数が低減できコスト
の低廉なスライダ組立体を得ることができる。

従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、素板２０の厚さは０
．５ないし１ミリ程度であったが、本実施例においては
スライダ２の浮揚面３において必要な浮揚面積を確保す
るために厚さを５ミリとしている。

この程度の厚さは現在の技術によっても充分実現可能な
値であり、何ら困難を伴うものではなくコストも殆んど
上昇しない。

第１図ないし第２図に示したごとき上記の実施例は１タ
ーン薄膜ヘッドを対象としたものであるが、トランスデ
ューサ部分１０を複数ターンの薄膜トランスデューサ、
たとえば米国特許第３５４９８２５号（１９７０年１２
月２２日登録）あるいは同第３３４４２３７号（１９６
７年９月２６日登録）などに開示されているごときトラ
ンスデューサと置換して本発明の趣旨を実現し得ること
は明らかである。

以上本発明の実施例につき詳細に説明し、これが本発明
の目的を達威しうろことを示したが、トランスデューサ
部分１旦の各部の材料、構成、形状、寸法またスライダ
２の材料、形状、寸法、さらには素板２０上におけるト
ランスデューサ部分１０の配置、構成等は、本発明の趣
旨を逸脱しない範囲で変形されてもよいことは勿論であ
り、またトランスデューサ部分１０を保護するために第
１図に示したようなスライダ組立体１のトランスデュー
サ部分１００表面に、４００℃以下の処理温度でセラミ
ック、ガラスその他の保護膜を付与してもよく、以上の
記述が本発明の範囲を限定するものでないことは明らか
である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるスライダ組立体の斜視
図、第２図は第１図に示したスライダ組立体のトランス
デューサ部分の拡大斜視断面図、第３図はスライダ組立
体の浮揚の状態を示す図、第４図は基板上におけるトラ
ンスデューサ部分の配置状態を示す図である。 これらの図において１はスライダ組立体、２はスライダ
、３は浮揚面、４は磁気回路部分、５は記録再生用コイ
ル部分、６はその引出線部、８は磁気ディスク、１０は
トランスデューサ部分、２０は基板である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 蒸着、スパツタ、鍍金等の薄膜形成技術とエッチン
   グによるパターン形成技術とを用いてシリコン、セラミ
   ック等の基板上に整夕１ルで一括形威された多数の薄膜
   磁気ヘッドの前記基板を含むトランスデューサ部分を必
   要単位ごとに切断してトランスデューサ・チップとなし
   、該チップにおいて前記トランスデューサ部分が形或さ
   れている面と直交するトランスデューサの空隙部分が整
   夕１ルている側の面を浮揚面として研磨することにより
   スライダ組立体となすことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
   の製造方法。