JPS5837704B2 - 超伝導体点接触形ジヨセフソン素子 - Google Patents
超伝導体点接触形ジヨセフソン素子Info
- Publication number
- JPS5837704B2 JPS5837704B2 JP54089697A JP8969779A JPS5837704B2 JP S5837704 B2 JPS5837704 B2 JP S5837704B2 JP 54089697 A JP54089697 A JP 54089697A JP 8969779 A JP8969779 A JP 8969779A JP S5837704 B2 JPS5837704 B2 JP S5837704B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconductor
- electrode
- point
- contact type
- needle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、超伝導体電極に、針状超伝導体電極の尖端を
点接触させてＬ・る構成を有する、超伝導体点接触形ジ
ョセフソン素子の改良に関する。
点接触させてＬ・る構成を有する、超伝導体点接触形ジ
ョセフソン素子の改良に関する。
従来、良く知られてし・る超伝導体点接触形ジョセフソ
ン素子は、第１図に示すような、超伝導体線体１の遊端
面を、平らな被接触面２に形成してＬ・る構成を有する
超伝導体電極３と、超伝導体線体４の遊端を、尖端５を
有する針状部６に形成している構成を有する針状超伝導
体電極７とを有し、その超伝導体電極３の被接触面２に
、針状超伝導体電極７の尖端５が、点接触せしめられて
いる構成を有する。
ン素子は、第１図に示すような、超伝導体線体１の遊端
面を、平らな被接触面２に形成してＬ・る構成を有する
超伝導体電極３と、超伝導体線体４の遊端を、尖端５を
有する針状部６に形成している構成を有する針状超伝導
体電極７とを有し、その超伝導体電極３の被接触面２に
、針状超伝導体電極７の尖端５が、点接触せしめられて
いる構成を有する。
ところで、第１図に示すような、超伝導体点接触形ジョ
セフソン素子は、その超伝導体電極３及び針状超伝導体
電極７の転移温度が高Ｌ・程、また、超伝導体電極３に
針状超伝導体電極７の尖端５が点接触してＬ・る接触面
積が、小である程、良好な特性を呈するものである。
セフソン素子は、その超伝導体電極３及び針状超伝導体
電極７の転移温度が高Ｌ・程、また、超伝導体電極３に
針状超伝導体電極７の尖端５が点接触してＬ・る接触面
積が、小である程、良好な特性を呈するものである。
この意味にお（・て、超伝導体電極３及び針状超伝導体
電極７が、現在最も高い転移温度を呈するとされてＬ・
るＮｂ３Ｇｅであるのが望まい・。
電極７が、現在最も高い転移温度を呈するとされてＬ・
るＮｂ３Ｇｅであるのが望まい・。
また、針状超伝導体電極７の尖端５が、数μｍ以下、望
ましくは、ｌμｍ以下のような、極めて小さ（・曲率半
径を有するのが望まし（・。
ましくは、ｌμｍ以下のような、極めて小さ（・曲率半
径を有するのが望まし（・。
然し乍ら、Ｎｂ３Ｇｅでなる超伝導体は、基体上に、化
学気相堆積法、スパッタリング法、蒸着法等によって、
所期の高（・転移温度を呈するものとして、層状に得る
ことが出来るとしても、線状に得ることは極めて困難で
、事実その例をみなＬ・ものである。
学気相堆積法、スパッタリング法、蒸着法等によって、
所期の高（・転移温度を呈するものとして、層状に得る
ことが出来るとしても、線状に得ることは極めて困難で
、事実その例をみなＬ・ものである。
このため、第１図で上述した構成を有する、従来の超伝
導体点接触形ジョセフソン素子は、その超伝導体電極３
及び針状超伝導体電極７が、ＮｂｓＧｅより低Ｌ・転移
温度しか呈しなＬ・、超伝導体材料、例えばＮｂでなる
のを普通として℃・た。
導体点接触形ジョセフソン素子は、その超伝導体電極３
及び針状超伝導体電極７が、ＮｂｓＧｅより低Ｌ・転移
温度しか呈しなＬ・、超伝導体材料、例えばＮｂでなる
のを普通として℃・た。
また、針状超伝導体電極７が、Ｎｂ３Ｇｅより低Ｌ・転
移温度しか呈しなＬ・、超伝導体材料でなる超伝導体線
体を予め得、そして、その遊端を、機械エッチンク、化
学エッチング、イオンエッチング等によるエッチング加
工して得られてＬ・る、ものであるのを普通としてＬ・
た。
移温度しか呈しなＬ・、超伝導体材料でなる超伝導体線
体を予め得、そして、その遊端を、機械エッチンク、化
学エッチング、イオンエッチング等によるエッチング加
工して得られてＬ・る、ものであるのを普通としてＬ・
た。
従って、第１図で上述した従来の超伝導体点接触形ジョ
セフソン素子は、その超伝導体電極３及び針状超伝導体
電極７が、Ｎｂ３Ｇｅより低い転移温度しか呈しな℃・
超伝導体材料であるため、十分満足し得る特性を呈する
ものでなかった。
セフソン素子は、その超伝導体電極３及び針状超伝導体
電極７が、Ｎｂ３Ｇｅより低い転移温度しか呈しな℃・
超伝導体材料であるため、十分満足し得る特性を呈する
ものでなかった。
また、針状超伝導体電極７が、超伝導体線状体を予め得
、そして、それをエッチング加工して得られて（・るも
のであるので、超伝導体点接触形ジョセフソン素子を、
容易に製ることか出来な（・等の欠点を有してＬ・た。
、そして、それをエッチング加工して得られて（・るも
のであるので、超伝導体点接触形ジョセフソン素子を、
容易に製ることか出来な（・等の欠点を有してＬ・た。
このため、本発明者等は種々の実験をなしたところ、適
当な基体上に、化学気相堆積法によって、Ｎ ｂ ｓ
Ｇｅでなる超伝導体層を堆積或長させた場合、そのＮ
ｂ３ Ｇ ｅでなる超伝導体層が、高Ｌ・転移温度を呈
するものとして得られ、従って、そのＮｂ３Ｇ＋でなる
超伝導体層を、超伝導体点接触形ジョセフソン素子を構
成する超伝導体電極とし得ることを確認した。
当な基体上に、化学気相堆積法によって、Ｎ ｂ ｓ
Ｇｅでなる超伝導体層を堆積或長させた場合、そのＮ
ｂ３ Ｇ ｅでなる超伝導体層が、高Ｌ・転移温度を呈
するものとして得られ、従って、そのＮｂ３Ｇ＋でなる
超伝導体層を、超伝導体点接触形ジョセフソン素子を構
成する超伝導体電極とし得ることを確認した。
また、このようにして得られる、高い転移温度を呈する
Ｎｂ３Ｇｅでなる超伝導体層が、第２図に示すように、
その表面に、多数のＮｂ３Ｇｅでなる針状体を形成して
Ｌ・るものとして得られ、そして、その多数のＮｂ３Ｇ
ｅでなる針状体中には、尖端が数μｍ以下、更には１μ
ｍ以下のような、極めて小さな曲率半径を有するものが
存在し、従って、高℃・転移温度を呈するＮｂ３Ｇｅで
なる超伝導体層を、その極めて小なる曲率半径を有する
針状超伝導体電極の尖端としてＬ・る態様を以て、超伝
導体点接触形ジョセフソン素子を構成して℃・る針状超
伝導体電極とし得る、ことも確認した。
Ｎｂ３Ｇｅでなる超伝導体層が、第２図に示すように、
その表面に、多数のＮｂ３Ｇｅでなる針状体を形成して
Ｌ・るものとして得られ、そして、その多数のＮｂ３Ｇ
ｅでなる針状体中には、尖端が数μｍ以下、更には１μ
ｍ以下のような、極めて小さな曲率半径を有するものが
存在し、従って、高℃・転移温度を呈するＮｂ３Ｇｅで
なる超伝導体層を、その極めて小なる曲率半径を有する
針状超伝導体電極の尖端としてＬ・る態様を以て、超伝
導体点接触形ジョセフソン素子を構成して℃・る針状超
伝導体電極とし得る、ことも確認した。
更に、高い転移温度を呈するＮｂ３Ｇｅでなる超伝導体
層の表面は、これを、機械的または化学的研磨手段によ
って、平坦にし得、従って、高い転移温度を呈するＮｂ
３Ｇｅでなる超伝導体層を、超伝導体点接触形ジョセフ
ノン素子を構成している針状超伝導体電極の点接触せし
められる超伝導体電極とし得ることも確認した。
層の表面は、これを、機械的または化学的研磨手段によ
って、平坦にし得、従って、高い転移温度を呈するＮｂ
３Ｇｅでなる超伝導体層を、超伝導体点接触形ジョセフ
ノン素子を構成している針状超伝導体電極の点接触せし
められる超伝導体電極とし得ることも確認した。
なお、第２図に示されている超伝導体層は、第３図に示
すように、反応炉１１内に、治具１２にて支持されてな
る、Ｃｕ，Ｍｏ，Ｔｉ等の金属材、アルミナ等のセラミ
ック材でなる基体１３を配し、そして、その反応炉１１
内に、Ｎｂ塩化ガスとＧｅ塩化ガスと、Ｈ２ ガスとの
混合ガス１４を、Ｎｂ塩化ガスとＧｅ塩化ガスとの流量
比を２．５〜３．５にし、また、Ｎｂ塩化ガスとＧｅ塩
化ガスとの混合ガスの流量を２０〜８０Ｃｔ／分にし、
さらにＨ２ ガスの流量を１〜２ｔ／分にして、導入せ
しめると共に、ＨｅガスまたはＡｒガスでなるキヤリア
ガスを、１０〜２ ０ Ｌ／分の流量で導入せしめ、然
して、反応炉１１内を、その周りに配されたヒーター１
５によって、８５０〜９５０℃の温度に加熱せしめ、こ
れにより、Ｎｂ塩化ガス及びＧｅ塩化ガスをＨ２ガスに
て還元せしめ、そして基体１３０表面上に、Ｎｂ３Ｇｅ
でなる超伝導体層１６を、上述したキャリアガスの流量
を上述した範囲内で調整して、１〜５μｍ／分の堆積速
度で、堆積成長せしめるとＬ・う、化学気相堆積法によ
って得られた、超伝導体層の一例が示されてＬ・るもの
である。
すように、反応炉１１内に、治具１２にて支持されてな
る、Ｃｕ，Ｍｏ，Ｔｉ等の金属材、アルミナ等のセラミ
ック材でなる基体１３を配し、そして、その反応炉１１
内に、Ｎｂ塩化ガスとＧｅ塩化ガスと、Ｈ２ ガスとの
混合ガス１４を、Ｎｂ塩化ガスとＧｅ塩化ガスとの流量
比を２．５〜３．５にし、また、Ｎｂ塩化ガスとＧｅ塩
化ガスとの混合ガスの流量を２０〜８０Ｃｔ／分にし、
さらにＨ２ ガスの流量を１〜２ｔ／分にして、導入せ
しめると共に、ＨｅガスまたはＡｒガスでなるキヤリア
ガスを、１０〜２ ０ Ｌ／分の流量で導入せしめ、然
して、反応炉１１内を、その周りに配されたヒーター１
５によって、８５０〜９５０℃の温度に加熱せしめ、こ
れにより、Ｎｂ塩化ガス及びＧｅ塩化ガスをＨ２ガスに
て還元せしめ、そして基体１３０表面上に、Ｎｂ３Ｇｅ
でなる超伝導体層１６を、上述したキャリアガスの流量
を上述した範囲内で調整して、１〜５μｍ／分の堆積速
度で、堆積成長せしめるとＬ・う、化学気相堆積法によ
って得られた、超伝導体層の一例が示されてＬ・るもの
である。
従って、此処に本発明による超伝導体点接触形ジョセフ
ソン素子を提案するに到ったもので、その一例は、第４
図に示すように、外観上、第１図で上述した従来の超伝
導体点接触形ジョセフノン素子の構戒を有するが、遊端
面が平らな端面２１となされてなるＣｕ，Ｍｏ，Ｔｉ等
の金属材、アルミナ等のセラミック材でなる基体線体２
２の外表面上に、前述した化学気相堆積法によって、Ｎ
ｂ３Ｇｅでなる超伝導体２３が形成され、その端面２１
が、機械的または化学的研磨手段によって、平ら、な被
接触面２４に形成されて（・る、と（・う構成の超伝導
体電極２５を有する。
ソン素子を提案するに到ったもので、その一例は、第４
図に示すように、外観上、第１図で上述した従来の超伝
導体点接触形ジョセフノン素子の構戒を有するが、遊端
面が平らな端面２１となされてなるＣｕ，Ｍｏ，Ｔｉ等
の金属材、アルミナ等のセラミック材でなる基体線体２
２の外表面上に、前述した化学気相堆積法によって、Ｎ
ｂ３Ｇｅでなる超伝導体２３が形成され、その端面２１
が、機械的または化学的研磨手段によって、平ら、な被
接触面２４に形成されて（・る、と（・う構成の超伝導
体電極２５を有する。
また、道端が尖端２６を有する針状部２７となされても
・る、上述した基体線体２２と同様の材料でなる基体線
体２８の外表面上に、前述した化学気相堆積法によって
、Ｎｂ３Ｇｅでなる超伝導体層２９が、特にその尖端２
６に於ける表面に、数μｍ以下の極めて小さな曲率半径
を有する針状体（第４図には図示されてＬ・なｔ゛が、
第２図に示されて（・るような）を、尖端３０として、
形成してＬ゛るものとして、形或されてＬ・る、と（゛
う構戒の針状超伝導体電極３１を有する。
・る、上述した基体線体２２と同様の材料でなる基体線
体２８の外表面上に、前述した化学気相堆積法によって
、Ｎｂ３Ｇｅでなる超伝導体層２９が、特にその尖端２
６に於ける表面に、数μｍ以下の極めて小さな曲率半径
を有する針状体（第４図には図示されてＬ・なｔ゛が、
第２図に示されて（・るような）を、尖端３０として、
形成してＬ゛るものとして、形或されてＬ・る、と（゛
う構戒の針状超伝導体電極３１を有する。
然して、上述した超伝導体電極２５の被接触面２４に、
針状超伝導体電極３１の尖端３０を、点接触させている
。
針状超伝導体電極３１の尖端３０を、点接触させている
。
なお、この場合、超伝導体層２９の、基体線体２８の尖
端２６上における表面に、多数の針状体が形成されてＬ
・て、これらが、超伝導体電極２５の被接触面２４に、
共に接触する場合は、超伝導体層２９に対する選択的エ
ッチング手段によって、その多数の針状体中の１つ、就
中多数の針状体中、曲率半径が小さく、且つ突出長の長
い１つを残して、他の針状体を除去すれば良Ｌ・もので
ある。
端２６上における表面に、多数の針状体が形成されてＬ
・て、これらが、超伝導体電極２５の被接触面２４に、
共に接触する場合は、超伝導体層２９に対する選択的エ
ッチング手段によって、その多数の針状体中の１つ、就
中多数の針状体中、曲率半径が小さく、且つ突出長の長
い１つを残して、他の針状体を除去すれば良Ｌ・もので
ある。
以上で、本発明による超伝導体点接触形ジョセフノン素
子の一例構成が明らかとなった。
子の一例構成が明らかとなった。
このような構成を有する本発明による超伝導体点接触形
ジョセフソン素子によれば、その超伝導体電極２５及び
針状超伝導体電極３１が、共にＮｂｓＧｅでなり、そし
て、それ等が高い転移温度を有する。
ジョセフソン素子によれば、その超伝導体電極２５及び
針状超伝導体電極３１が、共にＮｂｓＧｅでなり、そし
て、それ等が高い転移温度を有する。
また、針状超伝導体電極３１の尖端３０が、基体線体２
８上に化学気相堆積法によって形成された、Ｎｂ３Ｇｅ
でなる超伝導体層２９の表面におげるＮｂｓＧｅでなる
針状体であるので、その尖端３０が、数μｍ以下の極め
て小さな曲率半径を有し、従って、超伝導体電極２５の
被接触面２４に、針状超伝導体電極３１の尖端３０が点
接触する接触面積が、十分小である。
８上に化学気相堆積法によって形成された、Ｎｂ３Ｇｅ
でなる超伝導体層２９の表面におげるＮｂｓＧｅでなる
針状体であるので、その尖端３０が、数μｍ以下の極め
て小さな曲率半径を有し、従って、超伝導体電極２５の
被接触面２４に、針状超伝導体電極３１の尖端３０が点
接触する接触面積が、十分小である。
従って、上述した本発明による超伝導体点接触形ジョセ
フソン素子の一例構成によれば、超伝導体点接触形ジョ
セフソン素子として、十分満足し得る良好な特性を呈す
ると℃・５犬なる特徴を有する。
フソン素子の一例構成によれば、超伝導体点接触形ジョ
セフソン素子として、十分満足し得る良好な特性を呈す
ると℃・５犬なる特徴を有する。
また、針状超伝導体電極を、基体上に化学気相堆積法に
よって超伝導体層を形成する、とＬ・う簡単な手法で得
ることが出来るので、超伝導体点接触形ジョセフノン素
子を、廉価に提供し得る等の特徴も併せ有する。
よって超伝導体層を形成する、とＬ・う簡単な手法で得
ることが出来るので、超伝導体点接触形ジョセフノン素
子を、廉価に提供し得る等の特徴も併せ有する。
なお、上述におち・では、本発明の一例を示したに留ま
り、例えば、第４図で上述した構成において、その基体
線体２８が、その遊端をして尖端２６を有する針状部２
７となされていなＬ・、平らな端面を有する構成でなり
、従って、Ｎｂ３Ｇｅでなる針状超伝導体電極３１の尖
端３０が、このような基体線体２８の平らな端面上に形
成されているＮｂ３Ｇｅでなる超伝導体層２９０表面に
形成されてＬ・る針状体でなる、ことを除（・ては、上
述したと同様の構成とすることも出来る。
り、例えば、第４図で上述した構成において、その基体
線体２８が、その遊端をして尖端２６を有する針状部２
７となされていなＬ・、平らな端面を有する構成でなり
、従って、Ｎｂ３Ｇｅでなる針状超伝導体電極３１の尖
端３０が、このような基体線体２８の平らな端面上に形
成されているＮｂ３Ｇｅでなる超伝導体層２９０表面に
形成されてＬ・る針状体でなる、ことを除（・ては、上
述したと同様の構成とすることも出来る。
また、ある場合は、針状超伝導体電極３１は、これを、
第４図で上述した構成とするが、その針状超伝導体電極
３１が点接触する超伝導体電極２５を、第１図で上述し
た構或の超伝導体電極に置換した構或とすることも出来
る。
第４図で上述した構成とするが、その針状超伝導体電極
３１が点接触する超伝導体電極２５を、第１図で上述し
た構或の超伝導体電極に置換した構或とすることも出来
る。
その他、本発明の精神を脱することなしに、種種の変型
変更をなし得るであろう。
変更をなし得るであろう。
第１図は、従来の超伝導体点接触形ジョセフソン素子を
示す略線的斜視図である。 第２図は、本発明による超伝導体点接触形ジョセフノン
素子の針状超伝導体電極の尖端の説明に供する電子顕微
鏡写真を以て示されてＬ゛る超伝導体薄層の表面を示す
図である。 第３図は、本発明による超伝導体点接触形ジョセフソン
素子の針状超伝導体電極を形或する方法を示す略線図で
ある。 第４図は、本発明による超伝導体点接触形ジョセフソン
素子の一例を示す略線的斜視図である。 ２１・・・・・・端面、２２・・・・・・基体線体、２
３・・・・・備伝導体層、２４・・・・・・被接触面、
２６・・・・・・尖端、２１・・・・・・針状部、２８
・・・・・・基体線体、２９・・・・・・超伝導体層、
３０・・・・・・尖端、３１・・・・・・針状超伝導体
電極。
示す略線的斜視図である。 第２図は、本発明による超伝導体点接触形ジョセフノン
素子の針状超伝導体電極の尖端の説明に供する電子顕微
鏡写真を以て示されてＬ゛る超伝導体薄層の表面を示す
図である。 第３図は、本発明による超伝導体点接触形ジョセフソン
素子の針状超伝導体電極を形或する方法を示す略線図で
ある。 第４図は、本発明による超伝導体点接触形ジョセフソン
素子の一例を示す略線的斜視図である。 ２１・・・・・・端面、２２・・・・・・基体線体、２
３・・・・・備伝導体層、２４・・・・・・被接触面、
２６・・・・・・尖端、２１・・・・・・針状部、２８
・・・・・・基体線体、２９・・・・・・超伝導体層、
３０・・・・・・尖端、３１・・・・・・針状超伝導体
電極。
Claims (1)
- １ 超伝導体電極に、針状超伝導体電極の尖端を点接触
させてＬ・る構成を有する超伝導体点接触形ジョセフソ
ン素子にお（・て、上記針状超伝導体電極の尖端が、基
体上に化学気相堆積法によって形成された、Ｎｂ３Ｇｅ
でなる超伝導体層の表面における、ＮｂａＧｅでなる針
状体でなることを特徴とする超伝導体点接触形ジョセフ
ソン素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54089697A JPS5837704B2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 | 超伝導体点接触形ジヨセフソン素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54089697A JPS5837704B2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 | 超伝導体点接触形ジヨセフソン素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5613783A JPS5613783A (en) | 1981-02-10 |
| JPS5837704B2 true JPS5837704B2 (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=13977950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54089697A Expired JPS5837704B2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 | 超伝導体点接触形ジヨセフソン素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5837704B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018123965A1 (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 昭和電工株式会社 | レドックスフロー電池 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58117861U (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-11 | 株式会社シマノ | 釣用リ−ルにおけるスプ−ルの着脱構造 |
| JPH0624091B2 (ja) * | 1984-06-20 | 1994-03-30 | 株式会社東芝 | 酸化物陰極構体 |
| JPS62271388A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-25 | 松下電器産業株式会社 | カ−トリツジヒ−タ |
| EP4443171A1 (en) * | 2023-04-06 | 2024-10-09 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Probe for use in a probe system for probing a superconductive circuit, method of probing and of manufacturing a probe |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5386687A (en) * | 1977-01-10 | 1978-07-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of nb3ge crystal |
| JPS53120354A (en) * | 1977-03-30 | 1978-10-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Josephson junction element of coaxial type for ultra-high frequency |
-
1979
- 1979-07-13 JP JP54089697A patent/JPS5837704B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018123965A1 (ja) | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 昭和電工株式会社 | レドックスフロー電池 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5613783A (en) | 1981-02-10 |
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