JPS62136018A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62136018A JPS62136018A JP27757585A JP27757585A JPS62136018A JP S62136018 A JPS62136018 A JP S62136018A JP 27757585 A JP27757585 A JP 27757585A JP 27757585 A JP27757585 A JP 27757585A JP S62136018 A JPS62136018 A JP S62136018A
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- sec
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［Ｉａ要］
半導体基板との接触面に、２０Å／秒以下の堆積速度で
アルミニウムを被着する。そうすると、コンタクト抵抗
の増大が抑制される。
アルミニウムを被着する。そうすると、コンタクト抵抗
の増大が抑制される。
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置の製造方法のうち、特に、アルミニ
ウム電極配線の形成方法に関する。
ウム電極配線の形成方法に関する。
周知のように、ＩＣなどの半導体装置では半導体素子上
にアルミニウム電極配線が設けられているが、それはア
ルミニウムは電気抵抗が低くて、低融点であり、且つ、
パターンニングが容易で、更に、アルミニウムは半導体
材料との密着性が良いからである。
にアルミニウム電極配線が設けられているが、それはア
ルミニウムは電気抵抗が低くて、低融点であり、且つ、
パターンニングが容易で、更に、アルミニウムは半導体
材料との密着性が良いからである。
しかし、このようなアルミニウムは電極部で半導体層と
接触すると、接触面に大きなコンタクト抵抗カ生じ易く
、このコンタクト抵抗の低減については十分な配慮が望
まれている。
接触すると、接触面に大きなコンタクト抵抗カ生じ易く
、このコンタクト抵抗の低減については十分な配慮が望
まれている。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点］さて、
このようなコンタクト抵抗の増加は、第４図に示すよう
に、シリコン基板１とアルミニウム電極２との接触面の
部分で、半導体装置の製造過程においてシリコンの固相
エピタキシャル成長体３がアルミニウム電極内に成長し
、その高抵抗物が接触面に介在するためである。即ち、
半導体装置の層間絶縁膜またはカバー膜として燐シリケ
ートガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）膜などを成長させると、４０
０〜４５０℃の高温になるために、アルミニウム・シリ
コンの接触面でシリコンとアルミニウムが反応して合金
になり、次に、その膜の成長処理を中止すると、温度が
下ってアルミニウムの中でシリコンが析出する。このよ
うな反応が製造過程の中で繰り返えされて、大きな固相
エピタキシャル成長体３がアルミニウム電極部に形成さ
れるものである。なお、図中の４は酸化シリコン膜から
なる絶縁膜である。
このようなコンタクト抵抗の増加は、第４図に示すよう
に、シリコン基板１とアルミニウム電極２との接触面の
部分で、半導体装置の製造過程においてシリコンの固相
エピタキシャル成長体３がアルミニウム電極内に成長し
、その高抵抗物が接触面に介在するためである。即ち、
半導体装置の層間絶縁膜またはカバー膜として燐シリケ
ートガラス（Ｐ Ｓ Ｇ）膜などを成長させると、４０
０〜４５０℃の高温になるために、アルミニウム・シリ
コンの接触面でシリコンとアルミニウムが反応して合金
になり、次に、その膜の成長処理を中止すると、温度が
下ってアルミニウムの中でシリコンが析出する。このよ
うな反応が製造過程の中で繰り返えされて、大きな固相
エピタキシャル成長体３がアルミニウム電極部に形成さ
れるものである。なお、図中の４は酸化シリコン膜から
なる絶縁膜である。
従って、このコンタクト抵抗を減少させるため、従前よ
り種々の対策が実施されており、例えば、第５図に示す
ように、その接触面にタングステン膜５を介在させる方
法が知られている。そうすれば、固相エピタキシャル成
長は防止できる。
り種々の対策が実施されており、例えば、第５図に示す
ように、その接触面にタングステン膜５を介在させる方
法が知られている。そうすれば、固相エピタキシャル成
長は防止できる。
しかし、タングステンのような異種導電体を接触面に介
在させると、ある程度のコンタクト抵抗の介在は避けら
れず、また、密着性も良くなく、パターンニングも困難
である。且つ、タングステンなどはシリサイド化するた
め、シリコン基板１を侵食して、シャロージヤンクショ
ン（浅い接合）には不向きである。
在させると、ある程度のコンタクト抵抗の介在は避けら
れず、また、密着性も良くなく、パターンニングも困難
である。且つ、タングステンなどはシリサイド化するた
め、シリコン基板１を侵食して、シャロージヤンクショ
ン（浅い接合）には不向きである。
本発明は、これらの問題点をなくしたアルミニウム電極
配線の形成方法を提案するものである。
配線の形成方法を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その問題は、半導体基板上にアルミニウムからなる電極
配線を形成する半導体装置の製造方法において、半導体
基板との接触面に２０Å／秒以下の堆積速度でアルミニ
ウムを被着するようにした工程が含まれる半導体装置の
製造方法によって解決される。
配線を形成する半導体装置の製造方法において、半導体
基板との接触面に２０Å／秒以下の堆積速度でアルミニ
ウムを被着するようにした工程が含まれる半導体装置の
製造方法によって解決される。
［作用］
即ち、本発明は、半導体基板との接触面に、堆積速度２
０Å／秒以下でアルミニウムな被着する。
０Å／秒以下でアルミニウムな被着する。
そうすれば、Ａ Ｉ ／ Ｓ ４間のコンタクト抵抗の
増大が抑制される。
増大が抑制される。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図（ａｌ、 （ｂｌは本発明にかかる形成方法の工
程順断面図である。同図ｆａ）に示すように、シリコン
基板１１の絶縁膜１４に設けた電極窓の上面に、スパッ
タ法によって５Å／秒の堆積速度でアルミニウム膜１２
Ａを被着し、その膜厚が２００人程度になると、次いで
、１００Å／秒の堆積速度でアルミニウム膜１２Ｂを膜
厚０．３〜５μｍまで被着する。
程順断面図である。同図ｆａ）に示すように、シリコン
基板１１の絶縁膜１４に設けた電極窓の上面に、スパッ
タ法によって５Å／秒の堆積速度でアルミニウム膜１２
Ａを被着し、その膜厚が２００人程度になると、次いで
、１００Å／秒の堆積速度でアルミニウム膜１２Ｂを膜
厚０．３〜５μｍまで被着する。
そうした後、塩素系ガスを用いたドライエツチングによ
ってパターンニングして、第１図（ｂｌに示すようなア
ルミニウム電極配線に形成する。
ってパターンニングして、第１図（ｂｌに示すようなア
ルミニウム電極配線に形成する。
このように、遅い堆積速度で被着すれば、アルミニウム
粒子が細かく分散されるから、アルミニウム・シリコン
間の反応が均一化されて、固相エピタキシャルの成長が
抑制される。第２図は、電極断面における固相エビクキ
シャル成長率と堆積速度との関係図表（実施結果のデー
タ）を示しており、この図表より２０Å／秒以下の堆積
速度では、殆んど固相エピタキシャル層が成長していな
いことが明らかである。
粒子が細かく分散されるから、アルミニウム・シリコン
間の反応が均一化されて、固相エピタキシャルの成長が
抑制される。第２図は、電極断面における固相エビクキ
シャル成長率と堆積速度との関係図表（実施結果のデー
タ）を示しており、この図表より２０Å／秒以下の堆積
速度では、殆んど固相エピタキシャル層が成長していな
いことが明らかである。
次に、第３図は本発明にかかる他の形成方法を示す断面
図で、本例は膜厚２００人のアルミニウム膜１２Ａと膜
厚１μｍのアルミニウム膜１２Ｂとの間に膜厚５００〜
１５００人の窒化チタン（ＴｉＮ）膜１５を介在させた
実施例である。本方法は窒化チタン膜１５の他に、ジル
コニウム（Ｚｒ） 、チタン（Ｔｉ） 。
図で、本例は膜厚２００人のアルミニウム膜１２Ａと膜
厚１μｍのアルミニウム膜１２Ｂとの間に膜厚５００〜
１５００人の窒化チタン（ＴｉＮ）膜１５を介在させた
実施例である。本方法は窒化チタン膜１５の他に、ジル
コニウム（Ｚｒ） 、チタン（Ｔｉ） 。
ハフニウム（Ｉｌｆ） 、タンタル（Ｔａ） 、タング
ステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）など
の金属膜、あるいはそれらの窒化膜を介在させることも
できる。
ステン（Ｗ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）など
の金属膜、あるいはそれらの窒化膜を介在させることも
できる。
以上のような形成方法によると、アルミニウム電極面に
おけるコンタクト抵抗が安定化して、ＩＣなどの半導体
装置の信頼性が顕著に改善される。
おけるコンタクト抵抗が安定化して、ＩＣなどの半導体
装置の信頼性が顕著に改善される。
［発明の効果］
以上の説明から判るように、本発明によれば半導体装置
の高信頼化に大きな効果があるものである。
の高信頼化に大きな効果があるものである。
第１図（ａ）、 （ｂｌは本発明にかかる形成方法の形
成工程順断面図、 第２図は固相エピタキシャル成長率と堆積速度との関係
図表、 第３図は本発明にかかる他の形成方法を示す断面図、 第４図は従来の問題点を示す断面図、 第５図は従来の形成方法を示す断面図である。 図において、 １．１１はシリコン基（反、 ２は従来のアルミニウム膜、 ３は固相エピタキシャル成長体、 ４．１４は絶縁膜、 ５はタングステン膜、１２
Ａは２０Å／分以下の堆積速度で被着したアルミニウム
膜、 １２Ｂは１００Å／分以上の堆積速度で被着したアルミ
ニウム膜、 １５は窒化チタン膜 第１図 ２０ ｔ、ｏ Ｇｏ ＡｈＪ／稽積遠度 第２図 第４ 図 第 ５Ｅ１１
成工程順断面図、 第２図は固相エピタキシャル成長率と堆積速度との関係
図表、 第３図は本発明にかかる他の形成方法を示す断面図、 第４図は従来の問題点を示す断面図、 第５図は従来の形成方法を示す断面図である。 図において、 １．１１はシリコン基（反、 ２は従来のアルミニウム膜、 ３は固相エピタキシャル成長体、 ４．１４は絶縁膜、 ５はタングステン膜、１２
Ａは２０Å／分以下の堆積速度で被着したアルミニウム
膜、 １２Ｂは１００Å／分以上の堆積速度で被着したアルミ
ニウム膜、 １５は窒化チタン膜 第１図 ２０ ｔ、ｏ Ｇｏ ＡｈＪ／稽積遠度 第２図 第４ 図 第 ５Ｅ１１
Claims (3)
- （１）半導体基板上にアルミニウムからなる電極配線を
形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板と
の接触面に２０Å／秒以下の堆積速度でアルミニウムを
被着するようにした工程が含まれてなることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - （２）上記半導体基板との接触面に２０Å／秒以下の堆
積速度でアルミニウムを膜厚１００〜１０００Åまで被
着し、次いで、１００Å／秒以上の堆積速度でアルミニ
ウムを所要の膜厚まで被着するようにした工程が含まれ
てなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置の製造方法。 - （３）上記半導体基板との接触面に２０Å／秒以下の堆
積速度でアルミニウムを被着し、次いで、金属膜あるい
は金属窒化膜を被着した後、１００Å／秒以上の堆積速
度でアルミニウムを所要の膜厚まで被着するようにした
工程が含まれてなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27757585A JPS62136018A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27757585A JPS62136018A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136018A true JPS62136018A (ja) | 1987-06-19 |
Family
ID=17585392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27757585A Pending JPS62136018A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136018A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4806022A (en) * | 1987-02-02 | 1989-02-21 | Nippon Seiko Kabushiki Kaisha | Miniature linear guide apparatus |
| US6893545B2 (en) | 1997-09-12 | 2005-05-17 | Therasense, Inc. | Biosensor |
| JP2011198896A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US9741578B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-08-22 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193337A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP27757585A patent/JPS62136018A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193337A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4806022A (en) * | 1987-02-02 | 1989-02-21 | Nippon Seiko Kabushiki Kaisha | Miniature linear guide apparatus |
| US6893545B2 (en) | 1997-09-12 | 2005-05-17 | Therasense, Inc. | Biosensor |
| US7713406B2 (en) | 1997-09-12 | 2010-05-11 | Abbott Diabetes Care Inc. | Biosensor |
| US7901554B2 (en) | 1997-09-12 | 2011-03-08 | Abbott Diabetes Care Inc. | Biosensor |
| US7905998B2 (en) | 1997-09-12 | 2011-03-15 | Abbott Diabetes Care Inc. | Biosensor |
| US7918988B2 (en) | 1997-09-12 | 2011-04-05 | Abbott Diabetes Care Inc. | Biosensor |
| US7998336B2 (en) | 1997-09-12 | 2011-08-16 | Abbott Diabetes Care Inc. | Biosensor |
| US8414761B2 (en) | 1997-09-12 | 2013-04-09 | Abbott Diabetes Care Inc. | Biosensor |
| US8557103B2 (en) | 1997-09-12 | 2013-10-15 | Abbott Diabetes Care Inc. | Biosensor |
| JP2011198896A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US9741578B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-08-22 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
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