JPS5838007B2 - 弾性表面波共振器とその製造方法 - Google Patents
弾性表面波共振器とその製造方法Info
- Publication number
- JPS5838007B2 JPS5838007B2 JP4572076A JP4572076A JPS5838007B2 JP S5838007 B2 JPS5838007 B2 JP S5838007B2 JP 4572076 A JP4572076 A JP 4572076A JP 4572076 A JP4572076 A JP 4572076A JP S5838007 B2 JPS5838007 B2 JP S5838007B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- wave resonator
- surface acoustic
- film
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、弾性表面波共振器とその製造方法に関する。
圧電物質の表面にすだれ状電極を有する弾性表面波(以
後単に表面波と称す)素子は、VHF,UHF領域にお
いて、構造が簡単で、小型、低損失であるという利点を
有する優れた電気通信回路素子であり、その実用化が極
めて有望視されている。
後単に表面波と称す)素子は、VHF,UHF領域にお
いて、構造が簡単で、小型、低損失であるという利点を
有する優れた電気通信回路素子であり、その実用化が極
めて有望視されている。
かかる表面波素子で得られる用途の1つに、共振器があ
る。
る。
従来の共振器は、LCによるものの外に、圧電セラミッ
クスや水晶の機械共振を利用した共振子が知られている
。
クスや水晶の機械共振を利用した共振子が知られている
。
しかし、これらの有効な適用周波数の範囲は、通常数十
メガヘルツ( MHz )までであり、これ以上の周波
数では損失が増加したり、製造や取扱いが困難になる。
メガヘルツ( MHz )までであり、これ以上の周波
数では損失が増加したり、製造や取扱いが困難になる。
これに対し、表面波共振器は、100MHz以上の高周
波において、容易に使用しうるものである。
波において、容易に使用しうるものである。
表面波共振器のよく知られた基本的構或概略図を第1図
に示す。
に示す。
圧電結晶基板11の表面上に形威された表面波送、受波
用すだれ状電極12と、この両側に設けられた表面波反
射器13,14とが、共振器の基本的構戒要素である。
用すだれ状電極12と、この両側に設けられた表面波反
射器13,14とが、共振器の基本的構戒要素である。
表面波反射器は、結晶基板表面に周期的溝を設けたり、
金属もしくは誘電体の格子型薄膜を周期的に付着する事
により、表面上で音響インピーダンスを周期的に変動せ
しめて得られる。
金属もしくは誘電体の格子型薄膜を周期的に付着する事
により、表面上で音響インピーダンスを周期的に変動せ
しめて得られる。
基板表面に溝を設ける具体的方法は、イオンエッチング
等の装置を用いて選択的に表面を削って得るものである
。
等の装置を用いて選択的に表面を削って得るものである
。
この方法は、装置が大規模であり、同装置への試料の装
填に多大の時間を要するという欠点を有する。
填に多大の時間を要するという欠点を有する。
更に、溝を形成する工程は、すだれ状電極12の製造工
程と異なる為二度の微細パターン作製工程における目合
せ誤差により、電極12と反射器13,14の相対位置
ずれが発生する。
程と異なる為二度の微細パターン作製工程における目合
せ誤差により、電極12と反射器13,14の相対位置
ずれが発生する。
従って損失が増大して共振特性が劣化し好ましくない。
一方、誘電体の格子型被膜による反射器は、通常、良好
な反射効率を得るため、密度、もしくは弾性定数の大き
い薄膜材料を選び、これを真空蒸着もしくはスパッタリ
ングで成膜し、しかる後、フオトマスキングの手法で所
望の格子型にエッチングして作る。
な反射効率を得るため、密度、もしくは弾性定数の大き
い薄膜材料を選び、これを真空蒸着もしくはスパッタリ
ングで成膜し、しかる後、フオトマスキングの手法で所
望の格子型にエッチングして作る。
この場合も、前述の溝型反射器同様、すだれ状電極と製
造工程を異にする事から発生する欠点を有する。
造工程を異にする事から発生する欠点を有する。
更に、反射器に金属薄膜を用いる例が知られている。
この方法田LiNb03の様に圧電性の大きい基板に対
して用いられる。
して用いられる。
この場合、圧電反作用に基き、金属被膜部と無被膜部の
音響インピーダンスの差が大きいので反別率が大きく、
従って共振器として良好である。
音響インピーダンスの差が大きいので反別率が大きく、
従って共振器として良好である。
しかも、すだれ状電極と同一の金属材料を用いれば、成
膜工程が一度で済む為、上記の電極及び反射器の位置ず
れによる欠点はなくなる。
膜工程が一度で済む為、上記の電極及び反射器の位置ず
れによる欠点はなくなる。
しかし、LiNb03は温度安定度が悪いため、実用上
、これを用いた共振器は不適当である。
、これを用いた共振器は不適当である。
従って、温度変化に対して安定な共振器を得るためには
、基板として温度安定度のよい圧電結晶を使うことが必
要である。
、基板として温度安定度のよい圧電結晶を使うことが必
要である。
このような結晶の例として水晶がある。
水晶は現在知られている圧電結晶のうちで、最も温度安
定度が良いため、しばしば表面波素子として実用に供さ
れている。
定度が良いため、しばしば表面波素子として実用に供さ
れている。
しかし、水晶基板上に、上述の金属薄膜反射器を形成す
る場合、水晶基板の圧電性、従って圧電反作用が小さい
為、反射効率が悪く、共振器として好ましくない。
る場合、水晶基板の圧電性、従って圧電反作用が小さい
為、反射効率が悪く、共振器として好ましくない。
以上の様に、従来の表面波共振器、特に水晶を基板とし
た共振器及びその製法には欠点が多かった。
た共振器及びその製法には欠点が多かった。
本発明の目的は、従来とは異なった新しい構造及び製法
に基ずく、安定度及び実用性の優れた表面波共振器、及
びその製造方法を提供するものである。
に基ずく、安定度及び実用性の優れた表面波共振器、及
びその製造方法を提供するものである。
本発明によれば、圧電結晶基板の表面に、金属薄膜から
或るすだれ状電極と、該すだれ状電極をはさんで相対向
して設けた前記金属の酸化物置換体で構或された格子型
表面波反射器とを備えた弾性表面波共振器が得られる。
或るすだれ状電極と、該すだれ状電極をはさんで相対向
して設けた前記金属の酸化物置換体で構或された格子型
表面波反射器とを備えた弾性表面波共振器が得られる。
又、本発明によれば、圧電結晶基板の表面に金属膜を被
着し、該金属膜の一部にすだれ状電極を形成する工程と
、残りの一部に陽極酸化を施して、該金属の酸化物置換
体から戊る表面波反躬器を形或する工程とを組み合せて
或る、表面波共振器の製造方法が得られる。
着し、該金属膜の一部にすだれ状電極を形成する工程と
、残りの一部に陽極酸化を施して、該金属の酸化物置換
体から戊る表面波反躬器を形或する工程とを組み合せて
或る、表面波共振器の製造方法が得られる。
次に図面を用いて、本発明の詳細を説明する。
第2図は、本発明の一実施例により得られた表面波共振
器の一部分の断面図である。
器の一部分の断面図である。
同図において、水晶基板31の表面に、アルミニウム(
Al)蒸着膜から成るすだれ状電極32、及び該蒸着膜
の陽極酸化によって得られたアルミナ(Al203)膜
から成る表面波反躬器33が形成されている。
Al)蒸着膜から成るすだれ状電極32、及び該蒸着膜
の陽極酸化によって得られたアルミナ(Al203)膜
から成る表面波反躬器33が形成されている。
第3図は、上記実施例の表面波共振器の主要な製作工程
の説明概略図である。
の説明概略図である。
同図aに示す通り、水晶基板41の表面に厚み2000
人のAA膜42を蒸着し、更に、この上に、所望のすだ
れ状電極及び格子状反射器のパターンを併せ持つフォト
マスクを用いて、陽性フォトレジスト膜43のパターン
を形威する。
人のAA膜42を蒸着し、更に、この上に、所望のすだ
れ状電極及び格子状反射器のパターンを併せ持つフォト
マスクを用いて、陽性フォトレジスト膜43のパターン
を形威する。
次に、同図bに示す通り、かかるフォトレジストパター
ンの中、すだれ状電極部のみ、陰性フォトレジスト膜4
5で覆い、格子状反射器部のみを露出せしめる。
ンの中、すだれ状電極部のみ、陰性フォトレジスト膜4
5で覆い、格子状反射器部のみを露出せしめる。
次に、この露呈部の陽性フォトレジスト膜43−aをマ
スクとして、選択的に陽極酸化処理を施し、AA蒸着膜
の一部44を多孔性アルミナ膜に置換する。
スクとして、選択的に陽極酸化処理を施し、AA蒸着膜
の一部44を多孔性アルミナ膜に置換する。
陰性フォトレジスト膜45は、陽極酸化処理に際して、
すだれ状電極部を保護すればよいので、被覆領域の寸法
精度は緩やかでよい。
すだれ状電極部を保護すればよいので、被覆領域の寸法
精度は緩やかでよい。
従って陰性フォトレジスト膜45の或膜は、フオトマス
キングに依るまでもなく、より簡単な方法、例えば、ロ
ーラーによるプリント法、あるいは筆などの道具を用い
た手塗りでも達威される。
キングに依るまでもなく、より簡単な方法、例えば、ロ
ーラーによるプリント法、あるいは筆などの道具を用い
た手塗りでも達威される。
前記アルミナ膜44を形成するには、硫酸(H2SO4
)を用いて、処理電圧25Vで約30分、定電圧処理す
るのが適当である。
)を用いて、処理電圧25Vで約30分、定電圧処理す
るのが適当である。
この後、陽性フォトレジスト膜43−a、次いで陰性フ
ォトレジスト膜45の順に除去する。
ォトレジスト膜45の順に除去する。
これにより同図Cに示す様に、すだれ状電極部のみに、
陽性フォトレジスト膜43−bが残る。
陽性フォトレジスト膜43−bが残る。
最後に陽性フォトレジスト膜43−bをマスクとして、
55℃のリン酸( H3 P 04 )中にてAA膜4
2のエッチングを行い、同図dに示す様にAAから或る
すだれ状電極46と共にアルミナ膜から成る格子型反射
器44を得る。
55℃のリン酸( H3 P 04 )中にてAA膜4
2のエッチングを行い、同図dに示す様にAAから或る
すだれ状電極46と共にアルミナ膜から成る格子型反射
器44を得る。
次に、前述の実施例を参照しながら、本発明の利点を述
べる。
べる。
第一の利点は、すだれ状電極と格子型反射器の両パター
ンの良好な平行性が得られることである。
ンの良好な平行性が得られることである。
本発明は主として100〜800MHzのUHF領域で
、温度安定を強く要求される様な表面波共振器を製造す
る目的で水晶(例えばSTカット板)に代表される高安
定度の圧電結晶を基板とする場合に、特に有効である。
、温度安定を強く要求される様な表面波共振器を製造す
る目的で水晶(例えばSTカット板)に代表される高安
定度の圧電結晶を基板とする場合に、特に有効である。
この場合、前述のすだれ状電極部、及び格子型反射器部
の谷短冊の幅は、10〜1μUの微細パターンである為
、両部短冊間の平行度は、1〜0.2μmの高精度が要
求される。
の谷短冊の幅は、10〜1μUの微細パターンである為
、両部短冊間の平行度は、1〜0.2μmの高精度が要
求される。
ところで一枚のフォトマスク内に、かかる高精度の平行
性を有する両パターンを形成することは可能である。
性を有する両パターンを形成することは可能である。
従ってかかるフォトマスクを用いて一度のフオトマスキ
ングで、かかるパターンの或膜を行うことは出来る。
ングで、かかるパターンの或膜を行うことは出来る。
しかし各々のパターンを有する個別のフォトマスクを用
いて、二度のフオトマスキング工程を経て、上述のパタ
ーンを製造する場合、両工程間の目合わせ誤差により、
平行度が劣化する事は免れない。
いて、二度のフオトマスキング工程を経て、上述のパタ
ーンを製造する場合、両工程間の目合わせ誤差により、
平行度が劣化する事は免れない。
本発明では、実施例に述べた様に、高精度のフオトマス
キング工程は、従来例と異り、一度で済む為、すだれ状
電極及び格子型反射器のパターン間の平行性は極めて良
好なものとなる。
キング工程は、従来例と異り、一度で済む為、すだれ状
電極及び格子型反射器のパターン間の平行性は極めて良
好なものとなる。
従って、かかる平行性の劣化による共振器の損失は免か
れる。
れる。
本発明の第二の利点は、良好な反別効率の反射器が得ら
れることである。
れることである。
アルミナ物質は弾性定数が大きく、従って弾性波伝搬速
度が大きい物質として知られている。
度が大きい物質として知られている。
この為、例えば水晶基板にアルミナ膜を被着した事によ
って、被着前に比して変動する表面波速度の変化量はア
ルミニウム膜を被着した場合の約10倍に達する。
って、被着前に比して変動する表面波速度の変化量はア
ルミニウム膜を被着した場合の約10倍に達する。
この事によって、前述の反射器を構成する薄膜材料とし
て、アルミニウムを用いた場合に比し、アルミナを用い
た場合、反射効率は約10倍増大する。
て、アルミニウムを用いた場合に比し、アルミナを用い
た場合、反射効率は約10倍増大する。
従って、本発明は表面波の反射を抑止すべき、すだれ状
電極部をアルミニウムで、且つ反躬を増すべき反射器部
をアルミナで構或可能であると云う利点をもつ。
電極部をアルミニウムで、且つ反躬を増すべき反射器部
をアルミナで構或可能であると云う利点をもつ。
上記の実施例では、すだれ状電極と反躬器の構或物質と
してアルミニウム金属膜と、アルミナ膜の組合わせの場
合を述べた。
してアルミニウム金属膜と、アルミナ膜の組合わせの場
合を述べた。
しかし、本発明の骨子は、この組合わせに限られず、一
般の金属膜と、これの酸化物置換体との組合わせに対し
ても適用しうるものである。
般の金属膜と、これの酸化物置換体との組合わせに対し
ても適用しうるものである。
例えば、金属膜として、チタン(Ti )、タンタル(
Ta)、クロム(Cv)と、これらの酸化物である。
Ta)、クロム(Cv)と、これらの酸化物である。
酸化チタン(T102)、酸化タンタル(Ta)、酸化
クロム(Cr203 )等の、それぞれの組合わせも可
能である。
クロム(Cr203 )等の、それぞれの組合わせも可
能である。
第1図は、表面波共振器の基本的構成概略図、第2図は
本発明実施例によって得られる表面波共振器の一部分の
断面図、第3図a”−dは、第2図の実施例の主要な製
作工程を説明する概略図である。 なお図において、11,31,41は水晶基板、12,
32,46はすだれ状電極、13,14,33 ,44
は表面波反荊器、43.45はフォトレジスト膜を、そ
れぞれ示す。
本発明実施例によって得られる表面波共振器の一部分の
断面図、第3図a”−dは、第2図の実施例の主要な製
作工程を説明する概略図である。 なお図において、11,31,41は水晶基板、12,
32,46はすだれ状電極、13,14,33 ,44
は表面波反荊器、43.45はフォトレジスト膜を、そ
れぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 圧電結晶基板の表面に、陽極酸化が可能な金属薄膜
から成るすだれ状電極と、該すだれ状電極の両側に前記
金属の酸化物置換体から成る格子型表面波反射器とを設
けたことを特徴とする弾性表面波共振器。 2 圧電結晶基板として水晶を用いた特許請求の範囲第
1項記載の弾性表面波共振器。 3 金属薄膜がアルミニウムであり、酸化物置換体が酸
化アルミニウムである特許請求の範囲第1項又は第2項
記載の弾性表面波共振器。 4 圧電結晶基板の表面に、陽極酸化が可能な金属薄膜
を被着し、該金属薄膜の一部にすだれ状電極を形成する
工程と、残りの一部に陽極酸化を施して、当該金属の酸
化物置換体から戒る格子型表面波反別器を形或する工程
からなる弾性表面波共振器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4572076A JPS5838007B2 (ja) | 1976-04-20 | 1976-04-20 | 弾性表面波共振器とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4572076A JPS5838007B2 (ja) | 1976-04-20 | 1976-04-20 | 弾性表面波共振器とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52128036A JPS52128036A (en) | 1977-10-27 |
| JPS5838007B2 true JPS5838007B2 (ja) | 1983-08-19 |
Family
ID=12727174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4572076A Expired JPS5838007B2 (ja) | 1976-04-20 | 1976-04-20 | 弾性表面波共振器とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838007B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3114931B1 (fr) * | 2020-10-01 | 2022-12-30 | Frecnsys | Structure réflectrice pour dispositifs à ondes acoustiques de surface (SAW) |
-
1976
- 1976-04-20 JP JP4572076A patent/JPS5838007B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52128036A (en) | 1977-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4456850A (en) | Piezoelectric composite thin film resonator | |
| US5894647A (en) | Method for fabricating piezoelectric resonators and product | |
| US6939475B2 (en) | Etching method, etched product formed by the same, and piezoelectric vibration device, method for producing the same | |
| US4554717A (en) | Method of making miniature high frequency SC-cut quartz crystal resonators | |
| JPH01129517A (ja) | 表面波共振素子の製造方法 | |
| JPH11340775A (ja) | 圧電振動子 | |
| JPS5838007B2 (ja) | 弾性表面波共振器とその製造方法 | |
| JP3832214B2 (ja) | Saw素子及びその製造方法 | |
| JP5936438B2 (ja) | 圧電振動デバイスの製造方法 | |
| JP3140767B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JPH10209794A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| CN119343042B (zh) | 一种压电水晶光刻腐蚀工艺 | |
| JPS61220513A (ja) | 弾性表面波共振器 | |
| JPS61218214A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
| JPS6127929B2 (ja) | ||
| JPS6346605B2 (ja) | ||
| JPS5911287B2 (ja) | 弾性表面波共振器の製造方法 | |
| JPS6119139B2 (ja) | ||
| JP5864140B2 (ja) | 圧電振動子、およびその製造方法 | |
| JPS6038891B2 (ja) | 超小型水晶振動子の製造方法 | |
| JPS61236207A (ja) | 弾性表面波共振子の製造方法 | |
| JPS5840848B2 (ja) | ダンセイヒヨウメンハスダレジヨウデンキヨクノセイゾウホウホウ | |
| JPS62206919A (ja) | 弾性表面波フイルタ | |
| JP3140759B2 (ja) | 弾性表面波素子の製造方法 | |
| JPH09162675A (ja) | 弾性表面波変換器と電子装置 |