JPS5911287B2 - 弾性表面波共振器の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、弾性表面波共振器とその製造方法に関する。

圧電物質の表面にすだれ状電極を有する弾性表面波（以
後単に表面波と称す）素子は、ＶＨＦ，ＵＨＦ領域にお
いて、構造が簡単で、小型、低損失であるという利点を
有する優れた電気通信回路素子であり、その実用化が極
めて有望視されている。

かかる表面波素子で得られる用途の１つに、共振器があ
る。

従来の共振器は、インダクタンスやキャパシタンスの組
み合わせによるものの外に、圧電セウミックスや水晶の
機械共振を利用した共振子が知られている。

しかし、これらの有効な適用周波数の範囲は、通常数十
メガヘルツ（ＭＨｚ）までであり、これ以上の周波数で
は損失が増加したり、製造や取扱いが困難になる。

これに対し、表面波共振器は、１００ＭＨｚ以上の高周
波において、容易に使用しうるものである。

表面波共振器のよく知られた基本的構成は、圧電結晶基
板の表面上に、表面波送・受波用すだれ状電極と、この
両側に設けられた表面波反射器とを擁して成るものであ
る。

表面波反射器は、結晶基板表面に周期的溝を設けたり、
金属もしくは誘電体の格子状薄嘆を周期的に−付着する
事により、表面上で音響インピーダンスを周期的に変動
せしめて得られる。

一本発明により得られる表面波反射器は、結晶基板
表面に金属の格子状薄膜を周期的に形成せしめ、これを
陽極酸化により酸化物置換体に変えて成るものである。

従来、かかる構造の表面波反射器は公知であった。

しかし、その製造方法において、前言駕極酸化処理工程
で前記金属格子状薄膜に通電する手段に難点が多かった
。

本発明の目的は、従来の陽極酸化法を用いた表面波共振
器の製造方法に、新しい改良点を提供するものである。

本発明によれば、圧電結晶基板表面の、表面波分布型反
射器形成予定部分にのみ、第一の金属膜を形成する工程
と、第二の金属瞭を付着して、写真蝕刻技術により、当
該の第二金属膜から成る、表面波送・受波用すだれ状電
極及び分布型反射器を形成せしむる工程と、前記第一の
金属模に通電して、陽極酸化処理を施すことにより、当
該の第一金属膜上に形成せしめられた前記分布型反射器
のみを、酸化物に置換する工程とにより、すだれ状電極
及び反射器を形成することを特徴とする表面波共振器の
製造方法が得られる。

次に図面を用いて、本発明の詳細を説明する。

第１図は、本発明の一実施例により得られる表面波共振
器の平面図である。

同図において、ＳＴーカット水晶基板１１の表面中央部
にアルミニウム（．Ａｔ）から成るすだれ状電極１２、
及びこの両側にアルミニウムを陽極酸化処理により置換
して得られた酸化アノベニウム（Ａ４０，）反射器１４
．１５が形成されている。

前記反射器１４，１５を含む斜線部分１３には、反射器
薄膜付着に先立って、厚み約３０ＯＡのクロム（Ｃｒ）
膜が付着されている。

第２図は上記実施例の主要な工程概略図である。

同図ａに示す通り、ＳＴ一カット水晶基板２１０表面に
、厚み約３００人のＣｒ薄嘆２２を蒸着し、すだれ状電
極が占有すべき領域２８のみ、写真蝕刻技術を用いて除
去されている。

次に同図ｂに示す通り、全面に厚み約２００ＯＡのＡｔ
Ａ２３を蒸着する。

この後、同図Ｃに示す通り、フォトレジスト膜を塗布し
、所望のすだれ状電極及び反射器のパターンを併せ持つ
フォトマスク及び与真蝕刻技術を用いて、これらのパタ
ーンのフォトレジストマスク２４を形成する。

次に、上記フォトレジスト２４をマスクとして５５℃の
リン酸（｝４Ｐへ）溶液中にて、Ａｔ膜２３のエッチン
グを行い、フオトレジストマスク２４を除去して同図ｄ
に示す様にＡ，５から成るすだれ状電極２６及び分布型
反射器２５を得る。

この場合、前記反射器２５は、前期Ｃｒ膜２２の表面に
、又すだれ状電極２６はＣｒ薄膜欠損部２８に形成せし
むる事に留意する必要がある。

しかる後、陽極酸化処理を施して、Ａｔの反射器２５を
酸化アルミニウムに置換し、同図ｅに示す様に、Ａｔか
ら成るすだれ状電極２６及び酸化アルミニウムから成る
分布型反射器２７を得る。

前記陽極酸化処理は、硫酸（Ｈ２ＳＯ４） を用いて
、前記Ｃｒ薄膜２２の任意端部に必要電圧２５Ｖを印加
し、約３０分行うのが適当である。

次に、前述の実施例を参照しながら、本発明の利点を述
べる。

本発明の利点は、すだれ状電極を損傷することなく、分
布型反射器の陽極酸化処理が容易に行なえることにある
。

従来公知の、陽極酸化処理を施した表面波共振器の主要
工程は前記の第２図Ｃにおいて、第１のＣｒ薄膜を予め
挿入する・事なく、すだれ状電極部２９を、フォトレジ
スト２４とは異なる補助レジスト材で覆い、フォトレジ
スト２４をマスクとして、分布型反射器部３０のみに陽
極酸化処理を行い、しかる後前記補助レジスト材を除去
して、Ａｔエッチング液中にて、すだれ状電極部のエッ
チングを行う事により、酸化アルミニウムから成る分布
型反射器及びＡｔから成るすだれ状電極を順次形成する
ものであった。

この場合前記補助レジスト材を除去する時、前記補助レ
ジスト剥離剤によりフォトレジスト２４がしばしば欠損
し、この為、陽極酸化後に形成されるすだれ状電極が、
しばしば損傷を受けるという事態が生じていた。

又これを回避しうる適当な補助マスク材が入手困難であ
った。

これに対し、本発明では、分布型反射器のみを選択的に
陽極酸化する為の方法として、上述の如き２種のフォト
レジストマスクを用いるのでなく、第２図ｄに示す様に
陽極酸化すべき第２の金属薄腰の下に予め第１の金属薄
膜を挿入しておき、これに通電する事により、これと導
通した前記第２の金属腰を酸化物置換体に変換する方法
を利用するものである。

従って、本発明は補助用のマスク材が不要であるため、
すだれ状電極の歩留りが良好となるという利点を有する
。

又従来公知の、陽極酸化処理技術を利用した表面波共振
器の有する利点即ちすだれ状電極と分布型反射器の良好
な平行性、及び分布型反射器の良好な反射効率は、本発
明の場合も、全く保存されるものである。

尚、実施例において、第１及び第２の金属膜としてＣｒ
，及びＡ／ｌ，を用いたが、本発明は、これらに限定さ
れるものではない。

第２の金属模としてチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）
、クロム（Ｃｒ）等の陽極酸化が容易な物質を用い又第
１の金属膜としては前記第２の金属膜を陽極酸化する処
理液に対して、処理速度が小さい様な金属、例えば硫酸
処理液に対してはＡ（Ａｕ）を選べば良い。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明実施例により得られる表面波共振器の
平面図、第２図は、第１図実施例の主要な製造工程概略
図である。 なお図において、１１，２１はＳＴカソト水晶基板、１
２，２６はすだれ状電極、１４，１５，２７は分布型反
射器、１３，２２はＣｒ薄膜を、それぞれ示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 圧電結晶基板表面の弾性表面波分布型反射器形成予
   定部分にのみ、第一の金属膜を形成する丁程と、第二の
   金属膜を付着して写真蝕刻技術により、当該の第二金属
   膜から成る弾性表面波送・受波用すだれ状電極及び分布
   型反射器を形成せしむる工程と、前記第一の金属膜に通
   電して陽極酸化処理を施すことにより、当該の第一金属
   膜上に形成せしめられた前記分布型反射器のみを酸化物
   に置換する工程とを含む弾性表面波共振器の製造方法。