JPH09162675A - 弾性表面波変換器と電子装置 - Google Patents
弾性表面波変換器と電子装置Info
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- JPH09162675A JPH09162675A JP35069295A JP35069295A JPH09162675A JP H09162675 A JPH09162675 A JP H09162675A JP 35069295 A JP35069295 A JP 35069295A JP 35069295 A JP35069295 A JP 35069295A JP H09162675 A JPH09162675 A JP H09162675A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】正負電極間に開放型の浮き電極をもつ一方向変
換器及び微小ギャップ構造の正負電極間に開放型の浮き
電極をもつ一方向弾性表面波変換器及び微小ギャップ構
造の一方向弾性表面波変換器を作製する方法に関する特
許であり、広い電極幅の一方向変換器が得られることか
ら、超高周波の一方向弾性表面波変換器を得る。 【解決手段】圧電性の基板上に作製されるすだれ状電極
において、正負電極との間に開放型の浮き電極をもつ微
小ギャップ構造の一方向弾性表面波変換器が本特許の構
成である。また、この電極の作製法として、ミアンダー
ライン構造の電極の一部を切断する方法として、斜め蒸
着法により、レジストの影を用いる方法により、一方向
弾性表面波変換器を得るものであり、微細なマスク合わ
せを必要としない。
換器及び微小ギャップ構造の正負電極間に開放型の浮き
電極をもつ一方向弾性表面波変換器及び微小ギャップ構
造の一方向弾性表面波変換器を作製する方法に関する特
許であり、広い電極幅の一方向変換器が得られることか
ら、超高周波の一方向弾性表面波変換器を得る。 【解決手段】圧電性の基板上に作製されるすだれ状電極
において、正負電極との間に開放型の浮き電極をもつ微
小ギャップ構造の一方向弾性表面波変換器が本特許の構
成である。また、この電極の作製法として、ミアンダー
ライン構造の電極の一部を切断する方法として、斜め蒸
着法により、レジストの影を用いる方法により、一方向
弾性表面波変換器を得るものであり、微細なマスク合わ
せを必要としない。
Description
【産業上の利用分野】本発明は開放型の浮き電極をもつ
一方向性の弾性表面波変換器及びそれらの電極の作製す
る方法とその方法を用いた電子装置に関する。
一方向性の弾性表面波変換器及びそれらの電極の作製す
る方法とその方法を用いた電子装置に関する。
【従来技術】従来のすだれ状電極弾性表面波変換器は、
両方向性のため、低損失の弾性表面波変換器は得られな
かった。また、この難点を解決する方法として、一方向
弾性表面波変換器が種々提案されているが、２枚以上の
高精度のマスク重ね合わせ露光法が必要なため、その高
周波での作製が困難であった。
両方向性のため、低損失の弾性表面波変換器は得られな
かった。また、この難点を解決する方法として、一方向
弾性表面波変換器が種々提案されているが、２枚以上の
高精度のマスク重ね合わせ露光法が必要なため、その高
周波での作製が困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本方法は、新たな構造
の浮き電極をもつ一方向弾性表面波及び高度のマスク合
わせを必要しない上記の難点を解決する方法に関するも
のである。
の浮き電極をもつ一方向弾性表面波及び高度のマスク合
わせを必要しない上記の難点を解決する方法に関するも
のである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述したごとき
従来の欠陥を除去すべくなされたものであって、正負電
極の間に浮き電極を配置した一方向弾性表面波変換器及
び正負電極の間に浮き電極を配置した微小空隙構造の一
方向弾性表面波変換器を新たな作製法により得る法に関
するものである。
従来の欠陥を除去すべくなされたものであって、正負電
極の間に浮き電極を配置した一方向弾性表面波変換器及
び正負電極の間に浮き電極を配置した微小空隙構造の一
方向弾性表面波変換器を新たな作製法により得る法に関
するものである。
【０００５】
【実施例１】図１において、圧電性基板或いは圧電性薄
膜をもつ基板或いは圧電性をもつ半導体基板１の上に、
すだれ状電極を作製して弾性表面波を励振・受信する弾
性表面波変換器において、基本波での動作波長をλ１と
して、電極の配列を正電極２の幅Ｌ１、空隙の幅ａ１、
負電極３の幅Ｌ２、空隙の幅ａ２、負電極４の幅Ｌ３、
空隙の幅ａ３、開放型の浮き電極５の幅Ｌ４、空隙の幅
ａ４を１周期とする電極であり、Ｌ１／λ１、ａ１／λ
１、Ｌ２／λ１、ａ２／λ１、Ｌ３／λ１、ａ３／
λ１、Ｌ４／λ１、ａ４／λ１の値が総て０．１２５で
ある場合、及びＬ１／λ１＝０．１１，ａ１／λ１＝
０．１１、Ｌ２／λ１＝０．２３、ａ２／λ１＝０．１
１、Ｌ３／λ１＝０．１１、ａ３／λ１＝０．１１、Ｌ
４／λ１＝０．１１、ａ４／λ１＝０．１１の値である
場合、及びそれらの値の範囲が、０．０５から０．５の
範囲にある弾性表面波変換器及びこれらの１周期電極が
繰り返す構造の弾性表面波変換器及びこの変換器を用い
た電子装置。
膜をもつ基板或いは圧電性をもつ半導体基板１の上に、
すだれ状電極を作製して弾性表面波を励振・受信する弾
性表面波変換器において、基本波での動作波長をλ１と
して、電極の配列を正電極２の幅Ｌ１、空隙の幅ａ１、
負電極３の幅Ｌ２、空隙の幅ａ２、負電極４の幅Ｌ３、
空隙の幅ａ３、開放型の浮き電極５の幅Ｌ４、空隙の幅
ａ４を１周期とする電極であり、Ｌ１／λ１、ａ１／λ
１、Ｌ２／λ１、ａ２／λ１、Ｌ３／λ１、ａ３／
λ１、Ｌ４／λ１、ａ４／λ１の値が総て０．１２５で
ある場合、及びＬ１／λ１＝０．１１，ａ１／λ１＝
０．１１、Ｌ２／λ１＝０．２３、ａ２／λ１＝０．１
１、Ｌ３／λ１＝０．１１、ａ３／λ１＝０．１１、Ｌ
４／λ１＝０．１１、ａ４／λ１＝０．１１の値である
場合、及びそれらの値の範囲が、０．０５から０．５の
範囲にある弾性表面波変換器及びこれらの１周期電極が
繰り返す構造の弾性表面波変換器及びこの変換器を用い
た電子装置。
【実施例２】図２において、圧電性基板或いは圧電性薄
膜をもつ基板或いは圧電性をもつ半導体基板１の上に、
微小ギャップ構造のすだれ状電極を作製して弾性表面波
を励振・受信する弾性表面波変換器において、基本波で
の動作波長をλ１として、電極の配列を正電極２の幅Ｌ
１、空隙の幅ａ１、負電極３の幅Ｌ２、空隙の幅ａ２、
負電極４の幅Ｌ３、空隙の幅ａ３、開放型の浮き電極５
の幅Ｌ４、空隙の幅ａ４を１周期とする電極であり、Ｌ
１／λ１＝０．１８、ａ１／λ１＝０．０４、Ｌ２／λ
１＝０．１８、ａ２／λ１＝０．０４、Ｌ３／λ１＝
０．３０、ａ３／λ１＝０．０４、Ｌ４／λ１＝０．１
８、ａ４／λ１＝０．０４の値である場合、及びＬ１／
λ１０．２１，ａ１／λ１＝０．０４、Ｌ２／λ１＝
０．２１、ａ２／λ１＝０．０４、Ｌ３／λ１＝０．２
１、ａ３／λ１＝０．０４、Ｌ４／λ１＝０．２１、ａ
４／λ１＝０．０４の値ある場合、及びそれらの値の範
囲が、電極の幅Ｌ／λ１の値が０．１から０．５の範
囲、空隙の幅ａ／λ１が０．００５から０．１の範囲に
ある弾性表面波変換器及びこれらの１周期の電極が繰り
返す構造の弾性表面波変換器及びこの変換器を用いた電
子装置。
膜をもつ基板或いは圧電性をもつ半導体基板１の上に、
微小ギャップ構造のすだれ状電極を作製して弾性表面波
を励振・受信する弾性表面波変換器において、基本波で
の動作波長をλ１として、電極の配列を正電極２の幅Ｌ
１、空隙の幅ａ１、負電極３の幅Ｌ２、空隙の幅ａ２、
負電極４の幅Ｌ３、空隙の幅ａ３、開放型の浮き電極５
の幅Ｌ４、空隙の幅ａ４を１周期とする電極であり、Ｌ
１／λ１＝０．１８、ａ１／λ１＝０．０４、Ｌ２／λ
１＝０．１８、ａ２／λ１＝０．０４、Ｌ３／λ１＝
０．３０、ａ３／λ１＝０．０４、Ｌ４／λ１＝０．１
８、ａ４／λ１＝０．０４の値である場合、及びＬ１／
λ１０．２１，ａ１／λ１＝０．０４、Ｌ２／λ１＝
０．２１、ａ２／λ１＝０．０４、Ｌ３／λ１＝０．２
１、ａ３／λ１＝０．０４、Ｌ４／λ１＝０．２１、ａ
４／λ１＝０．０４の値ある場合、及びそれらの値の範
囲が、電極の幅Ｌ／λ１の値が０．１から０．５の範
囲、空隙の幅ａ／λ１が０．００５から０．１の範囲に
ある弾性表面波変換器及びこれらの１周期の電極が繰り
返す構造の弾性表面波変換器及びこの変換器を用いた電
子装置。
【実施例３】図３において、圧電性基板或いは圧電性薄
膜をもつ基板或いは圧電性をもつ半導体基板１の上に、
すだれ状電極を作製して弾性表面波を励振・受信する弾
性表面波変換器において、基本波での動作波長をλ１と
して、電極の配列を正電極１１の幅Ｌ１、空隙の幅
ａ１、負電極１２の幅Ｌ２、空隙の幅ａ２、開放型の浮
き電極１３の幅Ｌ３、空隙の幅ａ３を１周期とする電極
であり、Ｌ１／λ１＝０．１２５、ａ１／λ１＝０．１
２５、Ｌ２／λ１＝０．３７５、ａ２／λ１＝０．１２
５、Ｌ３／λ１＝０．１２５、ａ３／λ１＝０．１２
５、である場合、及びＬ１／λ１＝０．１１，ａ１／λ
１＝０．１１、Ｌ２／λ１＝０．４５、ａ２／λ１＝
０．１１、Ｌ３／λ１＝０．１１、ａ３／λ１＝０．１
１、の値である場合、及び電極の幅Ｌ／λ１＝０．１か
ら０．５の範囲、ａ／λ１の幅が０．０５から０．５の
範囲にある弾性表面波変換器及びこれらの１周期の電極
が繰り返す構造の弾性表面波変換器及びこの変換器及び
この変換器を用いた電子装置。
膜をもつ基板或いは圧電性をもつ半導体基板１の上に、
すだれ状電極を作製して弾性表面波を励振・受信する弾
性表面波変換器において、基本波での動作波長をλ１と
して、電極の配列を正電極１１の幅Ｌ１、空隙の幅
ａ１、負電極１２の幅Ｌ２、空隙の幅ａ２、開放型の浮
き電極１３の幅Ｌ３、空隙の幅ａ３を１周期とする電極
であり、Ｌ１／λ１＝０．１２５、ａ１／λ１＝０．１
２５、Ｌ２／λ１＝０．３７５、ａ２／λ１＝０．１２
５、Ｌ３／λ１＝０．１２５、ａ３／λ１＝０．１２
５、である場合、及びＬ１／λ１＝０．１１，ａ１／λ
１＝０．１１、Ｌ２／λ１＝０．４５、ａ２／λ１＝
０．１１、Ｌ３／λ１＝０．１１、ａ３／λ１＝０．１
１、の値である場合、及び電極の幅Ｌ／λ１＝０．１か
ら０．５の範囲、ａ／λ１の幅が０．０５から０．５の
範囲にある弾性表面波変換器及びこれらの１周期の電極
が繰り返す構造の弾性表面波変換器及びこの変換器及び
この変換器を用いた電子装置。
【実施例４】図４において、圧電性基板或いは圧電性薄
膜をもつ基板或いは圧電性をもつ半導体基板１の上に、
微小ギャップ構造のすだれ状電極を作製して弾性表面波
を励振・受信する弾性表面波変換器において、基本波で
の動作波長をλ１として、電極の配列を正電極１１の幅
Ｌ１、空隙ａ１、負電極１２の幅Ｌ２、空隙の幅ａ２、
開放型の浮き電極１３の幅Ｌ３、空隙の幅ａ３を１周期
とする電極であり、Ｌ１／λ１＝０．１８、ａ１／λ１
＝０．０４、Ｌ２／λ１＝０．５２、ａ２／λ１＝０．
０４、Ｌ３／λ１＝０．１８、ａ３／λ１＝０．０４、
である場合、及びＬ１／λ１＝０．２１，ａ１／λ１＝
０．０４、Ｌ２／λ１＝０．４６、ａ２／λ１＝０．０
４、Ｌ３／λ１＝０．２１、ａ３／λ１＝０．０４、の
値である場合、及び電極の幅Ｌ／λ１の値が０．１から
０．６の範囲、ａ／λ１の幅が０．００５から０．１の
範囲にある弾性表面波変換器及びこれらの１周期の電極
が繰り返す構造の弾性表面波変換器及びこの変換器を用
いた電子装置。
膜をもつ基板或いは圧電性をもつ半導体基板１の上に、
微小ギャップ構造のすだれ状電極を作製して弾性表面波
を励振・受信する弾性表面波変換器において、基本波で
の動作波長をλ１として、電極の配列を正電極１１の幅
Ｌ１、空隙ａ１、負電極１２の幅Ｌ２、空隙の幅ａ２、
開放型の浮き電極１３の幅Ｌ３、空隙の幅ａ３を１周期
とする電極であり、Ｌ１／λ１＝０．１８、ａ１／λ１
＝０．０４、Ｌ２／λ１＝０．５２、ａ２／λ１＝０．
０４、Ｌ３／λ１＝０．１８、ａ３／λ１＝０．０４、
である場合、及びＬ１／λ１＝０．２１，ａ１／λ１＝
０．０４、Ｌ２／λ１＝０．４６、ａ２／λ１＝０．０
４、Ｌ３／λ１＝０．２１、ａ３／λ１＝０．０４、の
値である場合、及び電極の幅Ｌ／λ１の値が０．１から
０．６の範囲、ａ／λ１の幅が０．００５から０．１の
範囲にある弾性表面波変換器及びこれらの１周期の電極
が繰り返す構造の弾性表面波変換器及びこの変換器を用
いた電子装置。
【実施例５】図５に示しように、実施例２及び実施例４
の電極の作製法として、基板１の表面に金属薄膜を付着
させた後、図５（１）の斜線のようなレジストパターン
を作製した後、エッチング法などによりレジストパター
ンの下に電極を得た後、レジストパターンの下の金属薄
膜のエッジを陽極酸化により誘電体膜を得た後、金属薄
膜を付着させ、図６の方法により、斜め方向から、金属
膜などを付着させ、レジストの影により図５の６、７、
８、の部分には金属膜などが付着しないことを用いて、
最初の金属膜はエッチングするが、後の金属膜などはエ
ッチングしないエッチング液を用いてエッチングするこ
とにより、６、７、８の部分の金属膜を除去した後、リ
フトオフ法によりレジスト及びレジストの上の金属薄膜
を除去した後、取り出し電極９、１０を付着させる方法
により得られる弾性表面波変換器及びこの変換器を用い
た電子装置。
の電極の作製法として、基板１の表面に金属薄膜を付着
させた後、図５（１）の斜線のようなレジストパターン
を作製した後、エッチング法などによりレジストパター
ンの下に電極を得た後、レジストパターンの下の金属薄
膜のエッジを陽極酸化により誘電体膜を得た後、金属薄
膜を付着させ、図６の方法により、斜め方向から、金属
膜などを付着させ、レジストの影により図５の６、７、
８、の部分には金属膜などが付着しないことを用いて、
最初の金属膜はエッチングするが、後の金属膜などはエ
ッチングしないエッチング液を用いてエッチングするこ
とにより、６、７、８の部分の金属膜を除去した後、リ
フトオフ法によりレジスト及びレジストの上の金属薄膜
を除去した後、取り出し電極９、１０を付着させる方法
により得られる弾性表面波変換器及びこの変換器を用い
た電子装置。
【実施例６】図５に示すように、実施例２及び実施例４
の電極の作製法として、図５のように、基板１の表面に
金属薄膜を付着させた後、図５（１）の斜線のようなレ
ジストパターンを作製した後、エッチング法などにより
レジストパターンの下に電極を得た後、レジストパター
ンの下の金属薄膜のエッジを陽極酸化により誘電体膜を
得た後、図６の方法により、斜め方向から、金属膜を付
着させ、レジストの影により図６の６、７、８、の部分
には金属膜が付着しないことを用いて、金属膜の一部が
切断される方法により電極を得た後、リフトオフ法によ
りレジスト及びレジストの上の金属薄膜を除去した後、
取り出し電極９、１０を付着させる方法により得られる
弾性表面波変換器及びこの変換器を用いた電子装置。
の電極の作製法として、図５のように、基板１の表面に
金属薄膜を付着させた後、図５（１）の斜線のようなレ
ジストパターンを作製した後、エッチング法などにより
レジストパターンの下に電極を得た後、レジストパター
ンの下の金属薄膜のエッジを陽極酸化により誘電体膜を
得た後、図６の方法により、斜め方向から、金属膜を付
着させ、レジストの影により図６の６、７、８、の部分
には金属膜が付着しないことを用いて、金属膜の一部が
切断される方法により電極を得た後、リフトオフ法によ
りレジスト及びレジストの上の金属薄膜を除去した後、
取り出し電極９、１０を付着させる方法により得られる
弾性表面波変換器及びこの変換器を用いた電子装置。
【実施例７】実施例５及び実施例６の方法により得られ
る弾性表面波変換器及びこの変換器を用いた電子装置。
図１に示した電極構造の内、Ｌ１／λ１＝０．１１，ａ
１／λ１＝０．１１、Ｌ２／λ１＝０．２３、ａ２／λ
１＝０．１１、Ｌ３／λ１＝０．１１、ａ３／λ１＝
０．１１、Ｌ４／λ１＝０．１１、ａ４／λ１＝０．１
１の値である場合でり、かつ、電極の対数Ｎ＝２０、電
極の幅Ｗ＝４０の場合の等価回路による計算結果を図７
に示す。実線が順方向であり、約７．５ｄＢの方向性が
得られている。また、図８は、図２に示した微小ギャッ
プ構造の電極の内、Ｌ１／λ１＝０．１８，ａ１／λ１
＝０．０４、Ｌ２／λ１＝０．１８、ａ２／／λ１＝
０．０４、Ｌ３／λ１＝０．３０、ａ３／λ１＝０．０
４、Ｌ４／λ１＝０．１８、ａ４／λ１＝０．０４の値
である場合の場合で、かつ Ｎ＝２０、Ｗ＝４０の場合
であり、約７ｄの方向性が得られている。上記の構造
は、同じ周期の電極が繰り返す方法について述べている
が、周期の異なる電極が繰り返す場合も本特許に含まれ
る。また、電極間の分離法として陽極酸化法について述
べたが、レジストのオーバーハングを用いる方法なども
本特許に含まれる。また、電極膜厚については、各電極
の膜厚が同じ場合、及び異なる場合も本特許に含まれ
る。特に、特許請求項２及び４においては、最初に付着
させる金属膜厚と後から付着させる膜厚は、同じ場合及
び異なる場合のいずれも本特許に含まれる。
る弾性表面波変換器及びこの変換器を用いた電子装置。
図１に示した電極構造の内、Ｌ１／λ１＝０．１１，ａ
１／λ１＝０．１１、Ｌ２／λ１＝０．２３、ａ２／λ
１＝０．１１、Ｌ３／λ１＝０．１１、ａ３／λ１＝
０．１１、Ｌ４／λ１＝０．１１、ａ４／λ１＝０．１
１の値である場合でり、かつ、電極の対数Ｎ＝２０、電
極の幅Ｗ＝４０の場合の等価回路による計算結果を図７
に示す。実線が順方向であり、約７．５ｄＢの方向性が
得られている。また、図８は、図２に示した微小ギャッ
プ構造の電極の内、Ｌ１／λ１＝０．１８，ａ１／λ１
＝０．０４、Ｌ２／λ１＝０．１８、ａ２／／λ１＝
０．０４、Ｌ３／λ１＝０．３０、ａ３／λ１＝０．０
４、Ｌ４／λ１＝０．１８、ａ４／λ１＝０．０４の値
である場合の場合で、かつ Ｎ＝２０、Ｗ＝４０の場合
であり、約７ｄの方向性が得られている。上記の構造
は、同じ周期の電極が繰り返す方法について述べている
が、周期の異なる電極が繰り返す場合も本特許に含まれ
る。また、電極間の分離法として陽極酸化法について述
べたが、レジストのオーバーハングを用いる方法なども
本特許に含まれる。また、電極膜厚については、各電極
の膜厚が同じ場合、及び異なる場合も本特許に含まれ
る。特に、特許請求項２及び４においては、最初に付着
させる金属膜厚と後から付着させる膜厚は、同じ場合及
び異なる場合のいずれも本特許に含まれる。
【０００７】
【発明の効果】本発明の方法を用いることにより、良好
な一方向弾性表面波変換器が得られる。また、その作製
法についても、微細電極の一方向弾性表面波変換器を高
精度のマスク合わせを必要とせず容易に得ることができ
る。
な一方向弾性表面波変換器が得られる。また、その作製
法についても、微細電極の一方向弾性表面波変換器を高
精度のマスク合わせを必要とせず容易に得ることができ
る。
【図１】本発明の一方向弾性表面波変換器の断面図を示
す。
す。
【図２】本発明の微小ギャップ構造の一方向弾性表面波
変換器の断面図を示す。
変換器の断面図を示す。
【図３】本発明の一方向弾性表面波変換器の断面図を示
す。
す。
【図４】本発明の微小ギャップ構造の一方向弾性表面波
変換器の断面図を示す。
変換器の断面図を示す。
【図５】本発明の微小ギャップ構造の電極の作製法を示
す
す
【図６】本発明の微小ギャップ構造の電極を作製するた
めの斜め蒸着法の平面図及び断面図を示す。
めの斜め蒸着法の平面図及び断面図を示す。
【図７】実施例の１の一方向弾性表面波変換器の計算結
果を示す。実線は前進方向、点線は後退方向の周波数特
性である。
果を示す。実線は前進方向、点線は後退方向の周波数特
性である。
【図８】実施例の２の一方向弾性表面波変換器の計算結
果を示す。実線は前進方向、点線は後退方向の周波数特
性である。
果を示す。実線は前進方向、点線は後退方向の周波数特
性である。
１…基板、２…正電極、３…負電極、４…負電極、５…
開放型の浮き電極、６…ギャップ、７…ギャップ、８…
ギャップ、９…取り出し電極、１０…取り出し電極、１
１…正電極、１２…負電極、１３…開放型の浮き電極、
開放型の浮き電極、６…ギャップ、７…ギャップ、８…
ギャップ、９…取り出し電極、１０…取り出し電極、１
１…正電極、１２…負電極、１３…開放型の浮き電極、
Claims (7)
- 【請求項１】圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或
いは圧電性をもつ半導体基板の上に、すだれ状電極を作
製して弾性表面波を励振・受信する弾性表面波変換器に
おいて、基本波での動作波長をλ１として、電極の配列
を正電極の幅Ｌ１、空隙ａ１、負電極の幅Ｌ２、空隙の
幅ａ２、負電極の幅Ｌ３、空隙の幅ａ３、開放型の浮き
電極の幅Ｌ４、空隙の幅ａ４を１周期とする電極であ
り、Ｌ１／λ１、ａ１／λ１、Ｌ２／λ１、ａ２／
λ１、Ｌ３／λ１、ａ３／λ１、Ｌ４／λ１ａ４／λ１
の値が総て０．１２５である場合、及びＬ１／λ１＝
０．１１，ａ１／λ１＝０．１１、Ｌ２／λ１＝０．２
３、ａ２／λ１＝０．１１、Ｌ３／λ１＝０．１１、ａ
３／λ１＝０．１１、Ｌ４／λ１＝０．１１、ａ４／λ
１＝０．１１の値である場合、及びそれらの値の範囲
が、０．０５から０．３の範囲にある弾性表面波変換器
及びこれらの１周期の電極が繰り返す構造の弾性表面波
変換器及びこの変換器を用いた電子装置。 - 【請求項２】圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或
いは圧電性をもつ半導体基板の上に、すだれ状電極を作
製して弾性表面波を励振・受信する弾性表面波変換器に
おいて、基本波での動作波長をλ１として、電極の配列
を正電極の幅Ｌ１、空隙ａ１、負電極の幅Ｌ２、空隙の
幅ａ２、負電極の幅Ｌ３、空隙の幅ａ３、開放型の浮き
電極の幅Ｌ４、空隙の幅ａ４を１周期とする電極であ
り、Ｌ１／λ１＝０．１８、ａ１／λ１＝０．０４、Ｌ
２／λ１＝０．１８、ａ２／λ１＝０．０４、Ｌ３／λ
１＝０．３０、ａ３／λ１＝０．０４、Ｌ４／λ１＝
０．１８、ａ４／λ１＝０．０４の値である場合、及び
Ｌ１／λ１＝０．２１，ａ１／λ１＝０．０４、Ｌ２／
λ１＝０．２１、ａ２／λ１＝０．０４、Ｌ３／λ１＝
０．２１、ａ３／λ１＝０．０４、Ｌ４／λ１＝０．２
１、ａ４／λ１＝０．０４の値である場合、及びそれら
の値の範囲が、電極の幅Ｌ／λ１の値が０．１から０．
５の範囲、空隙の幅ａ／λ１が０．００５から０．１の
範囲にある弾性表面波変換器及びこれらの１周期の電極
が繰り返す構造の弾性表面波変換器及びこの変換器を用
いた電子装置。 - 【請求項３】圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或
いは圧電性をもつ半導体基板の上に、すだれ状電極を作
製して弾性表面波を励振・受信する弾性表面波変換器に
おいて、基本波での動作波長をλ１として、電極の配列
を正電極の幅Ｌ１、空隙ａ１、負電極の幅Ｌ２、空隙の
幅ａ２、開放型の浮き電極の幅Ｌ３、空隙の幅ａ３を１
周期とする電極であり、Ｌ１／λ１＝０．１２５、ａ１
／＝０．１２５、Ｌ２／λ１＝０．３７５、ａ２／λ１
＝０．１２５、Ｌ３／λ１＝０．１２５、ａ３／λ１＝
０．１２５、である場合、及びＬ１／λ１＝０．１１，
ａ１／λ１＝０．１１、Ｌ２／／λ１＝０．４５、ａ２
／λ１＝０．１１、Ｌ３／λ１＝０．１１、ａ３／λ１
＝０．１１、の値である場合、及び電極の幅Ｌ／λ１の
値が０．１から０．５の範囲、ａ／λ１の幅が０．０５
から０．５の範囲にある弾性表面波変換器及びこれらの
１周期の電極が繰り返す構造の弾性表面波変換器及びこ
の変換器を用いた電子装置。 - 【請求項４】圧電性基板或いは圧電性薄膜をもつ基板或
いは圧電性をもつ半導体基板の上に、すだれ状電極を作
製して弾性表面波を励振・受信する弾性表面波変換器に
おいて、基本波での動作波長をλ１として、電極の配列
を正電極の幅Ｌ１、空隙ａ１、負電極の幅Ｌ２、空隙の
幅ａ２、開放型の浮き電極の幅Ｌ３、空隙の幅ａ３を１
周期とする電極であり、Ｌ１／λ１＝０．１８、ａ１／
λ１＝０．０４、Ｌ２／λ１＝０．５２、ａ２／λ１＝
０．０４、Ｌ３／λ１＝０．１８、ａ３／λ１＝０．０
４、である場合、及びＬ１／λ１＝０．２１，ａ１／λ
１＝０．０４、Ｌ２／λ１＝０．４６、ａ２／λ１＝
０．０４、Ｌ３／λ１＝０．２１、ａ３／λ１＝０．０
４、の値である場合、及び電極の幅Ｌ／λ１の値が０．
１から０．６の範囲、ａ／λ１の幅が０．００５から
０．１の範囲にある弾性表面波変換器及びこれらの１周
期の電極が繰り返す構造の弾性表面波変換器及びこの変
換器を用いた電子装置。 - 【請求項５】請求項２及び請求項４の電極の作製法とし
て、図５のように、基板１の表面に金属薄膜を付着させ
た後、図５（１）の斜線のようなレジストパターンを作
製した後、エッチング法などによりレジストパターンの
下に電極を得た後、レジストパターンの下の金属薄膜の
エッジを陽極酸化により誘電体膜を得た後、金属薄膜を
付着させ、図６の方法により、斜め方向から、金属膜な
どを付着させ、レジストの影により図５の６、７、８、
の部分には金属膜などが付着しないことを用いて、最初
の金属膜はエッチングするが、後の金属膜などはエッチ
ングしないエッチング液を用いてエッチングすることに
より、６、７、８の部分の金属膜を除去した後、リフト
オフ法によりレジスト及びレジストの上の金属薄膜を除
去した後、取り出し電極９、１０を付着させる方法によ
り得られる弾性表面波変換器及びこの変換器を用いた電
子装置。 - 【請求項６】図５に示すように、請求項２及び請求項４
の電極の作製法として、基板１の表面に金属薄膜を付着
させた後、図５（１）の斜線のようなレジストパターン
を作製した後、エッチング法などによりレジストパター
ンの下に電極を得た後、レジストパターンの下の金属薄
膜のエッジを陽極酸化により誘電体膜を得た後、図６の
方法により、斜め方向から、金属膜を付着させ、レジス
トの影により図６の６、７、８、の部分には金属膜が付
着しないことを用いて、金属膜の一部が切断される方法
により電極を得た後、リフトオフ法によりレジスト及び
レジストの上の金属薄膜を除去した後、取り出し電極
９、１０を付着させる方法により得られる弾性表面波変
換器及びこの変換器を用いた電子装置。 - 【請求項７】請求項５及び請求項６の方法により得られ
る弾性表面波変換器及びこの変換器を用いた電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35069295A JPH09162675A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 弾性表面波変換器と電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35069295A JPH09162675A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 弾性表面波変換器と電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162675A true JPH09162675A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18412201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35069295A Pending JPH09162675A (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 弾性表面波変換器と電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09162675A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11411143B2 (en) * | 2018-07-05 | 2022-08-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
-
1995
- 1995-12-11 JP JP35069295A patent/JPH09162675A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11411143B2 (en) * | 2018-07-05 | 2022-08-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Light emitting device and method of fabricating the same |
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