JPS5838290A - 新規セフエム化合物およびその製造法 - Google Patents
新規セフエム化合物およびその製造法Info
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- JPS5838290A JPS5838290A JP57135601A JP13560182A JPS5838290A JP S5838290 A JPS5838290 A JP S5838290A JP 57135601 A JP57135601 A JP 57135601A JP 13560182 A JP13560182 A JP 13560182A JP S5838290 A JPS5838290 A JP S5838290A
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- JP
- Japan
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- alkyl
- carboxy
- compound
- cephem
- acid
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- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は新規セフェム化合物および七の塩類に関する
。さらに詳しくは、この発明は抗菌活性を有する新規セ
フェム化合物およびその塩類、それらの製造法、それら
を有効成分とする医薬組成物に関するものである。
。さらに詳しくは、この発明は抗菌活性を有する新規セ
フェム化合物およびその塩類、それらの製造法、それら
を有効成分とする医薬組成物に関するものである。
すなわち、この発明の一つの目的は多くの病原菌に対し
て有効な、とシわけ経口投与用としての新規セフェム化
合物およびその塩類を提供することにある。
て有効な、とシわけ経口投与用としての新規セフェム化
合物およびその塩類を提供することにある。
こO発明の別の目的は新規セフェム化合物およびその塩
類の製造法を提供すること#cIhる。
類の製造法を提供すること#cIhる。
この発明のもう一つの目的は前記の新規セフェム化合物
およびその塩類を有効成分として含有する医薬組成物を
提供することにある。
およびその塩類を有効成分として含有する医薬組成物を
提供することにある。
この発明の目的とするセフェム化合物は#風化合物であ
シ、次の一般式α)で示すことができる。
シ、次の一般式α)で示すことができる。
〔式中 R1はカルボキシ(低級)アルキルまたは保護
されたカルボキシ(低級)アルキル、R2はカルボキシ
または保護されたカルボキシ、R3は水素または低級ア
ルキル R4は低級アルキル、低級アルコキシ、アシル
オキシメチル、低級アルキルチオメチル、低級アルコ中
ジメチル、ハロゲン、低級アルケニルまたは水素をそれ
ぞれ意味する〕。
されたカルボキシ(低級)アルキル、R2はカルボキシ
または保護されたカルボキシ、R3は水素または低級ア
ルキル R4は低級アルキル、低級アルコキシ、アシル
オキシメチル、低級アルキルチオメチル、低級アルコ中
ジメチル、ハロゲン、低級アルケニルまたは水素をそれ
ぞれ意味する〕。
この発明に従って、新規セフェム化合物α)は下記反応
式で示される種々の製造法で製造される。 製造法1 (II) 、 (Ill) もしくはそのアンノ基に もしくはそのカルボキシお
ける反応性誘導体また 基における反応性誘導体はそ
れらの塩類 またはそれらの塩類製造法2 (Ia) (Ib) またはその塩類 製造法6 (Ic) Ic+ (□) またはその塩類 製造法4 (1,1) (IQ) またはその塩類 〔式中、R1,R2,R5,R4はそれぞれ前と同じ意
味でTo!+、〜は保護された力弗ポキシ(低級)アル
キル、へはカルボキシ(低級)アルキル、くけ保護され
たカルボキシ%R5U、弐ニー〇〇OR’なる基で示さ
れるエステル化されたカルボ今Voエステル部分をそれ
ぞれ意味する〕。
式で示される種々の製造法で製造される。 製造法1 (II) 、 (Ill) もしくはそのアンノ基に もしくはそのカルボキシお
ける反応性誘導体また 基における反応性誘導体はそ
れらの塩類 またはそれらの塩類製造法2 (Ia) (Ib) またはその塩類 製造法6 (Ic) Ic+ (□) またはその塩類 製造法4 (1,1) (IQ) またはその塩類 〔式中、R1,R2,R5,R4はそれぞれ前と同じ意
味でTo!+、〜は保護された力弗ポキシ(低級)アル
キル、へはカルボキシ(低級)アルキル、くけ保護され
たカルボキシ%R5U、弐ニー〇〇OR’なる基で示さ
れるエステル化されたカルボ今Voエステル部分をそれ
ぞれ意味する〕。
原料化合物(2)は新規化合物であシ、下記反応式で示
される製造法で製造することができる。
される製造法で製造することができる。
製造法ム
〜
(■マ) (V)’ (III)また
はその塩類 またはその塩類 またはその塩類製造
法B (マI)(Illa) またはその塩類 またはその塩類製造法C (夏IIb)
(III)またはその塩類 またはその塩類
〔式中、R1は前と同じ意味であり、R6はカルボキシ
または保臘されたカルボキシ、R7は保護され九カルボ
中シをそれぞれ意味する〕。
はその塩類 またはその塩類 またはその塩類製造
法B (マI)(Illa) またはその塩類 またはその塩類製造法C (夏IIb)
(III)またはその塩類 またはその塩類
〔式中、R1は前と同じ意味であり、R6はカルボキシ
または保臘されたカルボキシ、R7は保護され九カルボ
中シをそれぞれ意味する〕。
この発明において、目的化合物(I)および(Ia)〜
(II)ならびにその他の化合物(2)、(臘) 、(
IMb)および(VI)K一ついては、これらの化合物
1c社すべて、シン異性体、アンチ異性体およびそれら
の混合物が含まれるものとする。さら禄、目的化合物(
DeCついては、そのシン異性体は式:〔式中、RFi
前と同じ意味〕で示される基を有する一つの幾何異性体
を意味し、アンチ異性体は式: 〔式中、Rは前と同じ意味〕で示される基金有する他の
幾何異性体を意味する。
(II)ならびにその他の化合物(2)、(臘) 、(
IMb)および(VI)K一ついては、これらの化合物
1c社すべて、シン異性体、アンチ異性体およびそれら
の混合物が含まれるものとする。さら禄、目的化合物(
DeCついては、そのシン異性体は式:〔式中、RFi
前と同じ意味〕で示される基を有する一つの幾何異性体
を意味し、アンチ異性体は式: 〔式中、Rは前と同じ意味〕で示される基金有する他の
幾何異性体を意味する。
さらに他の化合物に′)hて4、それらのシンヤ異性体
およびアンチ異性体は、それぞれ目的化合物山と同様な
幾何学的立体配置くよって示されゐ非毒性塩であ〉、例
えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩およ
び、例えばカルシウム塩、!グネシウム塩等のアルカリ
土類金属塩Oような金属塩、アン電工りム塩、例えばト
リエチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、
ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、N、N’−ジ
ベンジルエチレンジアミン塩等の有機塩基塩、または例
えばアルギニン、アスパツギン酸、グルタンン酸勢のア
ミノ酸との塩等がその例として挙げられる。
およびアンチ異性体は、それぞれ目的化合物山と同様な
幾何学的立体配置くよって示されゐ非毒性塩であ〉、例
えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩およ
び、例えばカルシウム塩、!グネシウム塩等のアルカリ
土類金属塩Oような金属塩、アン電工りム塩、例えばト
リエチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ピリジン塩、
ピコリン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、N、N’−ジ
ベンジルエチレンジアミン塩等の有機塩基塩、または例
えばアルギニン、アスパツギン酸、グルタンン酸勢のア
ミノ酸との塩等がその例として挙げられる。
この明細書のvJ記記載ならびに以下の記載において、
この発明の範囲内に包含される種々の定義の適切な例と
説明と金以下詳細に述べる。
この発明の範囲内に包含される種々の定義の適切な例と
説明と金以下詳細に述べる。
「低級」とは、41v−指示がなゆれd1炭素原子1〜
6個を意味する。
6個を意味する。
適当な「保護され九カルボ命シ」および[保護され九カ
ルボ中¥(低級)アルキル」の[保護され九カルボキ7
部分]にはエステル化されたカルボキシ等が含まれる。
ルボ中¥(低級)アルキル」の[保護され九カルボキ7
部分]にはエステル化されたカルボキシ等が含まれる。
前記エステル化され九カルボ中シのエステル部分および
、式: −00ORなる基によって示されるエステル化
されたカルボキクのエステル部分の適当な例としては、
少なくとも1個の適当な置換基を有していてもよい、例
えばメチルエステル、エチルエステル、プoピルエステ
ル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、インブチ
ルエステル、第三級ブチルエステル、ペンチルエステル
、ヘキシルエステル、1−シクロプロピルエチルエステ
ル尋の低級アルキルエステル例えば、ア竜トキシメチル
エステル、プロピオニルオキシエチルエステル、プチリ
ルオ中シ)?ルエステル、バレリルオ中ジメチルエステ
ル、ピパロイルオキシメチルエステル、ヘキナノイルオ
キシメチルエステル1.1(tたは2)−アセト中ジエ
チルエステル、1(tたa2を九は3)−アセト午ジプ
ロピルエステル、1(ま九a2を九はSまた社4)−ア
セトキシブチル工xf*、1 (t*a2 )−プロピ
オニルオキシエチルエステル、1(または21九は5)
−グロビオニルオキシグロビルエステル、t(を九社2
)−プチリルオ中ジエチルエステル、1(鷹た往2)−
イソブチリルオキシメチルエステル、t(を九1i2)
−に’パロイルオ中ジエチルエステル、Dt九は2)−
ヘキナノイへオキクエチルエステル、イソブチリルオキ
シメチルエステル、2−エチルブチリルオキシメチルエ
ステル、6.5−ジメチルブチリルオキシメチルエステ
ル、1(または2)−ペンタノイルオキシエチルエステ
ル等の低級アルカノイルオキク(低級)アルキルエステ
ル、例えば2−メシルエチルエステル等の低級アルカン
スルホニル(低級)アルキルエステル、例工ば2−ヨー
ドエチルエステル、 2.2.2−ト’)Iロロエチル
エステル等のモノ(ま九はジを九はトリ)−ハロ(低級
)アルキルエステル、例えばエトキシカルボニルオキシ
エチルエステル、エトキシカルボニルオキシメチルエス
テル、2−メトキシカルボニルオキシエチルエステル、
1−エトキシカルボニルオキシエチルエステル、1−イ
ングロポ中シカルボニルオ中ジエチルエステル等の低級
アルコキシカルJ1%(低級)アルキルエステル、フタ
リジリデン(低級)アルキルエステル、または例えば(
5−メチル−2−オキソ−1,5−ジオキソ−ルー4−
イル)メチルエステル、(5−エチ1sI−2−オキソ
ー1.5−ジオキン−ルー4−イル)メチルエステル、
(5−ブロビル−2−オキソ−1,5−ジオキソ−ルー
4−イル)エチルエステル等の(s−低1ikアル中ル
ー2−オキソ−1,3−ジオキン−ルー4−イル)(1
jtM)アルキルエステル;例えばビニルエステル、ア
リルエステル等の低級アルケニルエステル: 例エバエチニルエステル、フロビニルエステル等aim
アルキニルエステル; 少なくとも1個の適当な置換基を有していてもよい、例
えばモノ(tた性ジま九はトリ)フエ二41級)アルキ
ルエステル等のアル(低級)アルキルエステル、例えば
ベンジルエステル、4−、yl)キシベンジルエステル
、4−ニトロベンシルエステル、7エネチルエステル、
)!1ルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(メ
ト中シ7工=ル)メチルエステル、翫4−ジメトヤシベ
ンジルエステル、4−ヒドロキシ−3゜5−シー11N
三Mkフfルベンジルエステル勢;少なくと41個Qj
I当な置換基を有していてもよいアリールエステル例え
ば、フェニルエステ’s 4−り’ロフェニルエステル
、トリルエステル、第三級ブチルフェニルエステル、キ
シリルエステル、メシチルニスデル、クメニルエステル
吟が挙げられる。
、式: −00ORなる基によって示されるエステル化
されたカルボキクのエステル部分の適当な例としては、
少なくとも1個の適当な置換基を有していてもよい、例
えばメチルエステル、エチルエステル、プoピルエステ
ル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、インブチ
ルエステル、第三級ブチルエステル、ペンチルエステル
、ヘキシルエステル、1−シクロプロピルエチルエステ
ル尋の低級アルキルエステル例えば、ア竜トキシメチル
エステル、プロピオニルオキシエチルエステル、プチリ
ルオ中シ)?ルエステル、バレリルオ中ジメチルエステ
ル、ピパロイルオキシメチルエステル、ヘキナノイルオ
キシメチルエステル1.1(tたは2)−アセト中ジエ
チルエステル、1(tたa2を九は3)−アセト午ジプ
ロピルエステル、1(ま九a2を九はSまた社4)−ア
セトキシブチル工xf*、1 (t*a2 )−プロピ
オニルオキシエチルエステル、1(または21九は5)
−グロビオニルオキシグロビルエステル、t(を九社2
)−プチリルオ中ジエチルエステル、1(鷹た往2)−
イソブチリルオキシメチルエステル、t(を九1i2)
−に’パロイルオ中ジエチルエステル、Dt九は2)−
ヘキナノイへオキクエチルエステル、イソブチリルオキ
シメチルエステル、2−エチルブチリルオキシメチルエ
ステル、6.5−ジメチルブチリルオキシメチルエステ
ル、1(または2)−ペンタノイルオキシエチルエステ
ル等の低級アルカノイルオキク(低級)アルキルエステ
ル、例えば2−メシルエチルエステル等の低級アルカン
スルホニル(低級)アルキルエステル、例工ば2−ヨー
ドエチルエステル、 2.2.2−ト’)Iロロエチル
エステル等のモノ(ま九はジを九はトリ)−ハロ(低級
)アルキルエステル、例えばエトキシカルボニルオキシ
エチルエステル、エトキシカルボニルオキシメチルエス
テル、2−メトキシカルボニルオキシエチルエステル、
1−エトキシカルボニルオキシエチルエステル、1−イ
ングロポ中シカルボニルオ中ジエチルエステル等の低級
アルコキシカルJ1%(低級)アルキルエステル、フタ
リジリデン(低級)アルキルエステル、または例えば(
5−メチル−2−オキソ−1,5−ジオキソ−ルー4−
イル)メチルエステル、(5−エチ1sI−2−オキソ
ー1.5−ジオキン−ルー4−イル)メチルエステル、
(5−ブロビル−2−オキソ−1,5−ジオキソ−ルー
4−イル)エチルエステル等の(s−低1ikアル中ル
ー2−オキソ−1,3−ジオキン−ルー4−イル)(1
jtM)アルキルエステル;例えばビニルエステル、ア
リルエステル等の低級アルケニルエステル: 例エバエチニルエステル、フロビニルエステル等aim
アルキニルエステル; 少なくとも1個の適当な置換基を有していてもよい、例
えばモノ(tた性ジま九はトリ)フエ二41級)アルキ
ルエステル等のアル(低級)アルキルエステル、例えば
ベンジルエステル、4−、yl)キシベンジルエステル
、4−ニトロベンシルエステル、7エネチルエステル、
)!1ルエステル、ベンズヒドリルエステル、ビス(メ
ト中シ7工=ル)メチルエステル、翫4−ジメトヤシベ
ンジルエステル、4−ヒドロキシ−3゜5−シー11N
三Mkフfルベンジルエステル勢;少なくと41個Qj
I当な置換基を有していてもよいアリールエステル例え
ば、フェニルエステ’s 4−り’ロフェニルエステル
、トリルエステル、第三級ブチルフェニルエステル、キ
シリルエステル、メシチルニスデル、クメニルエステル
吟が挙げられる。
上記のエステル化されたカルボキシの好ましイ%lには
、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プ
ロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、インブトキシカルボニル、第三級ブト
キシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、第三級ペ
ンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルlニル、
1−¥/p7’ロピルエトキシヵルボニル等の低級アル
コキシカルボニル、例えばアセトキクメトキシカルボニ
ル、ピバロイルオキシメトキシカルボニル、ヘキナノイ
ルオキシメトキシカルボニル、1(tたU2)−プロピ
オニルオキシエトキシカルlニル等の低級アルカノイル
に’P’y (低M )アルコキシカルボニル、例えば
メトキシカルボニルオキシメトキシカルボニル、1−メ
トキシカルボニルオキシメトキシカルボニル、1−イソ
グロボキシカルボニルオキシエトキシカルボニル勢の低
級アルコキシカルボニルオキシ(低11t)アルコキシ
カルボニル、例えば(5−メチル−2−オキノー1.6
−ジオキソ−ルー4−イル)エトキシカルボニル等の(
5−低級アルキルー2−オキソ−1,6−シオキノール
ー4−イル)(低級)アルコキシカルボニル、少なくと
41個の置換基を有していてもよい、例えばモノ(を九
はジまたはトリ)フェニル<低a>アルコキシカルボニ
ル等0アル(aUS>アルコキシカルボニル例えハ、ベ
ンジルオキシカルボニル、4−メト中Vベンジルオキシ
カルボニル、4−ニトロベンジルオキシカルlニル、フ
エ本チルオキシカルボニル、トリテルオ中ジカルボニル
、ペンズヒドリルオキシカルホニル等が含まれる。
、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プ
ロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、インブトキシカルボニル、第三級ブト
キシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、第三級ペ
ンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルlニル、
1−¥/p7’ロピルエトキシヵルボニル等の低級アル
コキシカルボニル、例えばアセトキクメトキシカルボニ
ル、ピバロイルオキシメトキシカルボニル、ヘキナノイ
ルオキシメトキシカルボニル、1(tたU2)−プロピ
オニルオキシエトキシカルlニル等の低級アルカノイル
に’P’y (低M )アルコキシカルボニル、例えば
メトキシカルボニルオキシメトキシカルボニル、1−メ
トキシカルボニルオキシメトキシカルボニル、1−イソ
グロボキシカルボニルオキシエトキシカルボニル勢の低
級アルコキシカルボニルオキシ(低11t)アルコキシ
カルボニル、例えば(5−メチル−2−オキノー1.6
−ジオキソ−ルー4−イル)エトキシカルボニル等の(
5−低級アルキルー2−オキソ−1,6−シオキノール
ー4−イル)(低級)アルコキシカルボニル、少なくと
41個の置換基を有していてもよい、例えばモノ(を九
はジまたはトリ)フェニル<低a>アルコキシカルボニ
ル等0アル(aUS>アルコキシカルボニル例えハ、ベ
ンジルオキシカルボニル、4−メト中Vベンジルオキシ
カルボニル、4−ニトロベンジルオキシカルlニル、フ
エ本チルオキシカルボニル、トリテルオ中ジカルボニル
、ペンズヒドリルオキシカルホニル等が含まれる。
適当な「低級アルキル」ならびに「カルホキV(低M)
7*中ル」、「保Ilされたカルボキシ(低級)アルキ
ル」および[低級アルキルチオメチル」の−級アル中ル
部分」としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、第三級ブチル、ペンチル、ヘキシル等が
その例として挙げられるが、好ましくは縦索原子1〜4
個を有するアルキルである。
7*中ル」、「保Ilされたカルボキシ(低級)アルキ
ル」および[低級アルキルチオメチル」の−級アル中ル
部分」としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロ
ピル、ブチル、第三級ブチル、ペンチル、ヘキシル等が
その例として挙げられるが、好ましくは縦索原子1〜4
個を有するアルキルである。
適当な「低級アルコキシ」および「低級アルコキシメチ
ル」の−級アルコキシ婦分JU、メトキシ、エトキシ、
プロポキシ、イノグロボヤ7、プトキ/、第三級ブトキ
シ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等が挙げられるが
、好ましくは縦木原子1〜4個のアルコΦ7である。
ル」の−級アルコキシ婦分JU、メトキシ、エトキシ、
プロポキシ、イノグロボヤ7、プトキ/、第三級ブトキ
シ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ等が挙げられるが
、好ましくは縦木原子1〜4個のアルコΦ7である。
「アフルオキ7メチル」の適当な「アシル」としてはM
l肪族アシル基、および芳香濃ま九は複素s1−含むア
シル基が挙げられる。前記アシルの適当な例は、例えば
ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブ
チリル、バレリル、インバレリル、ピバロイル等の低級
アルカノイル、好ましく紘炭嵩原子1〜4個を有する低
級アルカノイル; 例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロ
ポキシカルボニル、1−シクロプロピルエト中シカルメ
ニル、イソプロポキシカルボニル、メトキシカルボニル
、第三級ブトキシカルlニル、ペンチルオキシカルボニ
ル、第三級べ/チルオ中シカルゲニル、へ中シルオキジ
カルボニル等の低級アルコキシカルボニル;例エバメタ
ル、エタンスルホニル、プロパンスルホニル、イソプロ
パンスルホニル、ブタンスルホニル*o低級アルカンス
ルホニル;N、tばベンインスルホニル、トシル等のア
レンスルホニル量 f4Lばベンゾイル、トルオイル、ナフトイル、7タロ
イル、インダンカルボニル等のアロイル7例エバフェニ
ルアセチル、フェニルプロピオニル勢のアル(低級)ア
ルカノイル; 例えばベンジルオキシカルボニル、7エネチルオキシカ
ルIニル等のアル(低級)アルコキシカルボニル等があ
る。
l肪族アシル基、および芳香濃ま九は複素s1−含むア
シル基が挙げられる。前記アシルの適当な例は、例えば
ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブ
チリル、バレリル、インバレリル、ピバロイル等の低級
アルカノイル、好ましく紘炭嵩原子1〜4個を有する低
級アルカノイル; 例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロ
ポキシカルボニル、1−シクロプロピルエト中シカルメ
ニル、イソプロポキシカルボニル、メトキシカルボニル
、第三級ブトキシカルlニル、ペンチルオキシカルボニ
ル、第三級べ/チルオ中シカルゲニル、へ中シルオキジ
カルボニル等の低級アルコキシカルボニル;例エバメタ
ル、エタンスルホニル、プロパンスルホニル、イソプロ
パンスルホニル、ブタンスルホニル*o低級アルカンス
ルホニル;N、tばベンインスルホニル、トシル等のア
レンスルホニル量 f4Lばベンゾイル、トルオイル、ナフトイル、7タロ
イル、インダンカルボニル等のアロイル7例エバフェニ
ルアセチル、フェニルプロピオニル勢のアル(低級)ア
ルカノイル; 例えばベンジルオキシカルボニル、7エネチルオキシカ
ルIニル等のアル(低級)アルコキシカルボニル等があ
る。
好ましい「アシル」としては、例えば、ホルミル、アセ
チル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリ
ル、インバレリル、ピバロイル等の低級アルカノイル勢
である。
チル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリ
ル、インバレリル、ピバロイル等の低級アルカノイル勢
である。
適当な「ハロゲン」の例は塩素、臭素、コー素また#i
−yツ嵩である。
−yツ嵩である。
適当な「低級アルケニル」にはビニル、1−プロベニル
、アリル、1ま九は2または3−ブテニル、1または2
または3tたは4−ペンテニル、+または2または51
九は4または5−へキセニル等、好運しく社員素原子2
〜4個のアルクニルが含まれる。
、アリル、1ま九は2または3−ブテニル、1または2
または3tたは4−ペンテニル、+または2または51
九は4または5−へキセニル等、好運しく社員素原子2
〜4個のアルクニルが含まれる。
目的化合物a)における好ましい例は次のとおりである
。
。
Rの好ましい例はカルlキシ(低iりアルキ* t k
kA x xチル化されたカルボキシ(低IjIk)
アルキル〔さらに好ましくは低級アルコキシカルボニル
(低級)アルキル、またはモノ(tたはジまたはトリ)
フェニル(低級)アルコキシカルボニル(低級)アル+
S); R2の好ましい例はカルボキクまたはエステル化された
カルボキシ〔さらく好ましくはニドQで置換されていて
もよhモノ(tたはジま&d)!J);yエニル(低i
)アルコキクカルボニル、低級アルカノイルオキシ(低
級)アルコキクカルボニル、低級アルコ中ジカルボニル
オキシ(低it)アルコ平ジカルボニル、または(5−
低級アルキル−2−オキノー1゜3−ジオキソ−ルー4
−イル)(低M)アルコキシカルボニル〕; R3の好ましい何社水素または低級アルキル(最も好ま
しくはメチル); R4O好ましい例は低級アルキル(最も好ましくはメチ
ル)、低級アルコキシ(最屯好ましくはメトキシ)、低
級アルカノイルオキシメチル(最も好ましくはアセトキ
シメチル)、低級アルキルチオメチル(最も好ましくは
メチルチオメチル)、低級アルコキシメチル(最4好ま
しくはハ平ジメチル)、ハロゲン(最も好ましくは塩素
)、低級アルケニル(最も好ましくはビニル)t7□は
水嵩である。
kA x xチル化されたカルボキシ(低IjIk)
アルキル〔さらに好ましくは低級アルコキシカルボニル
(低級)アルキル、またはモノ(tたはジまたはトリ)
フェニル(低級)アルコキシカルボニル(低級)アル+
S); R2の好ましい例はカルボキクまたはエステル化された
カルボキシ〔さらく好ましくはニドQで置換されていて
もよhモノ(tたはジま&d)!J);yエニル(低i
)アルコキクカルボニル、低級アルカノイルオキシ(低
級)アルコキクカルボニル、低級アルコ中ジカルボニル
オキシ(低it)アルコ平ジカルボニル、または(5−
低級アルキル−2−オキノー1゜3−ジオキソ−ルー4
−イル)(低M)アルコキシカルボニル〕; R3の好ましい何社水素または低級アルキル(最も好ま
しくはメチル); R4O好ましい例は低級アルキル(最も好ましくはメチ
ル)、低級アルコキシ(最屯好ましくはメトキシ)、低
級アルカノイルオキシメチル(最も好ましくはアセトキ
シメチル)、低級アルキルチオメチル(最も好ましくは
メチルチオメチル)、低級アルコキシメチル(最4好ま
しくはハ平ジメチル)、ハロゲン(最も好ましくは塩素
)、低級アルケニル(最も好ましくはビニル)t7□は
水嵩である。
この発明の目的化合物の製造法を以下#!1I11c説
明する。
明する。
製造法1:
目的化合物(I)またはその塩類は、化合物■もしくは
そのアミノ基における反応性誘導体またはそれらの塩類
を、化合物旬もしくはそのカルボキシ基における反応性
誘導体またはそれらの塩類と反応させることにより製造
することができる。
そのアミノ基における反応性誘導体またはそれらの塩類
を、化合物旬もしくはそのカルボキシ基における反応性
誘導体またはそれらの塩類と反応させることにより製造
することができる。
化合物(社)のアミノ基における適当な反応性誘導体と
しては、化合物(2)とアルデヒド、ケトン等のような
カルボニル化合物との反応によって得られるシック塩基
型イミノ基もしくはそのエナきン謔互変異性体;化合物
曲とビス(トリメチルシリル)アセトアンド、トリメチ
ルクリルアミド等のようなシリル化合物との反応によっ
て生成したシリル鱒導体;化合*(社)と三塩化リンま
九はホスゲンとの反応にようて生成した誘導体等がその
例として挙げられる。
しては、化合物(2)とアルデヒド、ケトン等のような
カルボニル化合物との反応によって得られるシック塩基
型イミノ基もしくはそのエナきン謔互変異性体;化合物
曲とビス(トリメチルシリル)アセトアンド、トリメチ
ルクリルアミド等のようなシリル化合物との反応によっ
て生成したシリル鱒導体;化合*(社)と三塩化リンま
九はホスゲンとの反応にようて生成した誘導体等がその
例として挙げられる。
化合物■の適当な塩類としては、例えばナトリウム塩、
カリウム塩等のアルカリ金属塩および例えばカルシウム
塩、iグネシウム塩勢のアルカリ土類金属塩のような金
属塩、アンモニウム塩、例えばトリメチルアン/塩、ト
リエチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、シンクロ
ヘキシルアイソ塩、N、トジベンジルエチレンジアζン
塩等の有機塩基塩、例えば酢酸塩、マレイン酸塩、酒石
酸塩、メタンスルホン酸塩、ペン(ンスルホン酸塩、ギ
峻塩、トルエンスルホ/酸塩等の有機酸塩、例えば塩峻
塩、臭化水素酸塩、硫峻塩、リン酸塩等の無犠鍛塩、を
友は、例えばアルギニン、アスパラギン酸、ダケタZ)
陵等のアンノ酸との塩等がその例として挙げられる。
カリウム塩等のアルカリ金属塩および例えばカルシウム
塩、iグネシウム塩勢のアルカリ土類金属塩のような金
属塩、アンモニウム塩、例えばトリメチルアン/塩、ト
リエチルアミン塩、ピリジン塩、ピコリン塩、シンクロ
ヘキシルアイソ塩、N、トジベンジルエチレンジアζン
塩等の有機塩基塩、例えば酢酸塩、マレイン酸塩、酒石
酸塩、メタンスルホン酸塩、ペン(ンスルホン酸塩、ギ
峻塩、トルエンスルホ/酸塩等の有機酸塩、例えば塩峻
塩、臭化水素酸塩、硫峻塩、リン酸塩等の無犠鍛塩、を
友は、例えばアルギニン、アスパラギン酸、ダケタZ)
陵等のアンノ酸との塩等がその例として挙げられる。
化合物(2)の適当な塩類としては、化合物(1)につ
いて例示し友ものと同じものを挙げることができる。
いて例示し友ものと同じものを挙げることができる。
化合物(2)のカルボキシ基における適当な反応性誘導
体として杜、蒙ハライド、酸無水物、活性アずド、活性
エステル等が挙げられる。その好ましい例は峻塩化物;
駿アジド;例えばジアルキルリフ酸、7xニルリン駿、
)yエニルリ/酸、ジベンジルリン蒙、ハロゲン化リン
酸等の置換され九リン酸、ジアルキル亜りン峻、亜硫酸
、チオ硫酸、硫酸、アルキル炭酸、例えばピバリン酸、
ぺ/タン酸、インペンタン酸、2−エチル酪酸またはト
リクロロ酢酸等の脂肪族カルボン酸、またハ、例えば安
息香酸等の芳香族カルボン酸のような酸との混合酸無水
物;対称型酸無水物;イミダゾール、4−置換イミダゾ
ール、ジメチルピラゾール、トリアゾール、またはテト
ラゾールとの活性アミド;または伺えばシアノメチルエ
ステル、メトキノメチルエステル、ジメチルインツメチ
ル((cn、)2Ti=am−)エステル、ビニルエス
テル、グロバルギルエステル、4−二トロフェニルエス
テル、2.4−ジニトロフェニルエステル、ト9りaa
7エ二ルエルエステルンタクロロフェニルエステル、メ
シルフェニルエステル、フェニルアゾフェニルエステル
、フェニルチオエステル、4−ニトロフェニルチオエス
テル、4−クレジルチオエステル、カルボキシ、°チル
チオエステル、ビンニルエステル、ヒリシルエステル、
ヒヘリシルエステル、6−キツリルチオエステル等の活
性エステル、または例えばN、M−ジメチルヒドロキシ
ル1ンン、1−ヒドロキシ−2−(IH)−ピリドン、
y−ヒト0中シスクシンインド、N−ヒドロキシ7タル
イミド、1−ヒドロキシ−6−りao−IH−ベンゾト
リアゾール等ON−ヒドロ午シ化合物とのエステル等で
ある。
体として杜、蒙ハライド、酸無水物、活性アずド、活性
エステル等が挙げられる。その好ましい例は峻塩化物;
駿アジド;例えばジアルキルリフ酸、7xニルリン駿、
)yエニルリ/酸、ジベンジルリン蒙、ハロゲン化リン
酸等の置換され九リン酸、ジアルキル亜りン峻、亜硫酸
、チオ硫酸、硫酸、アルキル炭酸、例えばピバリン酸、
ぺ/タン酸、インペンタン酸、2−エチル酪酸またはト
リクロロ酢酸等の脂肪族カルボン酸、またハ、例えば安
息香酸等の芳香族カルボン酸のような酸との混合酸無水
物;対称型酸無水物;イミダゾール、4−置換イミダゾ
ール、ジメチルピラゾール、トリアゾール、またはテト
ラゾールとの活性アミド;または伺えばシアノメチルエ
ステル、メトキノメチルエステル、ジメチルインツメチ
ル((cn、)2Ti=am−)エステル、ビニルエス
テル、グロバルギルエステル、4−二トロフェニルエス
テル、2.4−ジニトロフェニルエステル、ト9りaa
7エ二ルエルエステルンタクロロフェニルエステル、メ
シルフェニルエステル、フェニルアゾフェニルエステル
、フェニルチオエステル、4−ニトロフェニルチオエス
テル、4−クレジルチオエステル、カルボキシ、°チル
チオエステル、ビンニルエステル、ヒリシルエステル、
ヒヘリシルエステル、6−キツリルチオエステル等の活
性エステル、または例えばN、M−ジメチルヒドロキシ
ル1ンン、1−ヒドロキシ−2−(IH)−ピリドン、
y−ヒト0中シスクシンインド、N−ヒドロキシ7タル
イミド、1−ヒドロキシ−6−りao−IH−ベンゾト
リアゾール等ON−ヒドロ午シ化合物とのエステル等で
ある。
これらの反応性誘導体は、使用すべき化合物輔の種類に
よって、その中から任意に選択することができる。
よって、その中から任意に選択することができる。
反応は通常、水、ア竜トン、ジオ今ナン、アセトニトリ
ル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テト
ラヒドロフ2ン、酢酸エチル、11、N−ジメチルホル
ムアンド、ピリジンのような慣用OII媒中で行なわれ
るが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば、その他
のいかなる有機溶媒も使用することができる。これらの
慣用のslsは、また水と混合して使用してもよい。
ル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、テト
ラヒドロフ2ン、酢酸エチル、11、N−ジメチルホル
ムアンド、ピリジンのような慣用OII媒中で行なわれ
るが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば、その他
のいかなる有機溶媒も使用することができる。これらの
慣用のslsは、また水と混合して使用してもよい。
化合物(2)が遊離酸または塩の形で反応に使用される
場合、反応を、N、llI’−ジシクロへ中ジルカルボ
シイ々ド;y−シクロヘキシル−菫−モルホリノエチル
カルボジイミド;l−シクロヘキシル−N’−(4−ジ
エチルアミノシクロへ中シル)カルルーM’−(3−ジ
メチルアミノプロピル)カルボジイミド;M、N−カル
ボニルビス−(2−メチルイミダゾール);ペンタメチ
レンケテン−N−シクロヘキシルイミン;ジフェニルケ
テン−N−シクロヘキシルイミン;エトヤシアセチレン
;1−7thコ中シー1−クロロエチレン1トリアルキ
ル亜リン酸;エチルポリリン酸;イソグロビルボリリン
酸;オ午シ塩化リン(塩化本スフオリル);三塩化りン
;塩化チオニル;塩化オキナリル;トリフェニルホスフ
ィン;2−エチル−7−ヒドロ中シベンズインオ中すゾ
リウム塩;2−エチル−5−(@ −スルホフェニル)
インオキサシリウムヒドロキサイド分子内塩:1 (
p−クロロベン(/スルホニルオキシ) −6−/ロー
−1H−ベンゾトリアゾール; M、 N−ジメチルホ
ルムアンドと塩化チオニル、ホスゲン、オ午シ塩化リン
等との反応によって調製したいわゆるビルスマイヤー試
薬等のような慣用の縮合剤の存在下に行なうことが望ま
しい。
場合、反応を、N、llI’−ジシクロへ中ジルカルボ
シイ々ド;y−シクロヘキシル−菫−モルホリノエチル
カルボジイミド;l−シクロヘキシル−N’−(4−ジ
エチルアミノシクロへ中シル)カルルーM’−(3−ジ
メチルアミノプロピル)カルボジイミド;M、N−カル
ボニルビス−(2−メチルイミダゾール);ペンタメチ
レンケテン−N−シクロヘキシルイミン;ジフェニルケ
テン−N−シクロヘキシルイミン;エトヤシアセチレン
;1−7thコ中シー1−クロロエチレン1トリアルキ
ル亜リン酸;エチルポリリン酸;イソグロビルボリリン
酸;オ午シ塩化リン(塩化本スフオリル);三塩化りン
;塩化チオニル;塩化オキナリル;トリフェニルホスフ
ィン;2−エチル−7−ヒドロ中シベンズインオ中すゾ
リウム塩;2−エチル−5−(@ −スルホフェニル)
インオキサシリウムヒドロキサイド分子内塩:1 (
p−クロロベン(/スルホニルオキシ) −6−/ロー
−1H−ベンゾトリアゾール; M、 N−ジメチルホ
ルムアンドと塩化チオニル、ホスゲン、オ午シ塩化リン
等との反応によって調製したいわゆるビルスマイヤー試
薬等のような慣用の縮合剤の存在下に行なうことが望ま
しい。
反応はt九、炭酸水素アルカリ金属、トリ(低級)アル
中ルアンン、ピリジン、N−(低級)アルキルモルホリ
ン、N、M−ジ(低級)アルキルベンジルアミン等のよ
うな無機塩基または有機塩基の存在下に行なってもよい
。反応温度は特に限定されず、反応は通常冷却下または
室温において行なわれる。
中ルアンン、ピリジン、N−(低級)アルキルモルホリ
ン、N、M−ジ(低級)アルキルベンジルアミン等のよ
うな無機塩基または有機塩基の存在下に行なってもよい
。反応温度は特に限定されず、反応は通常冷却下または
室温において行なわれる。
製造法2:
目的化合物(Ib)またはその塩類は、化合物(Ia)
また社その塩類をRHにおけるカルl中シ保膜基の
脱離反応に付すことによって製造することができる。
また社その塩類をRHにおけるカルl中シ保膜基の
脱離反応に付すことによって製造することができる。
化合物(Ia)’および(Ib)の適当な塩類としては
、化合物(I)について例示した塩類を挙げることがで
きる。
、化合物(I)について例示した塩類を挙げることがで
きる。
この反応は加水分解、還元等の慣用の方法に従って行な
うことができる。
うことができる。
保−基がエステルである場合には、保麟基は加水分解に
よって脱離することができる。
よって脱離することができる。
加水分解は塩基または酸の存在下に行なう仁とが望まし
い。適当な塩基として社、例えばナトリウム、カリウム
等のアルカリ金属、例えばマグネシウム、カルシウム婢
のアルカリ土類金属4しくけこれらの金属の水酸化物ま
たは炭酸塩または炭酸水素塩、例えばトリメチルアミン
、トリエチルアミン尋のトリアルキルアミン、ピコリン
、1.5−ジアザビシクロ(4,5,0)ノン−5−二
ン、1.4−ジアゾビシクロ(2,2,2)オクタン、
1.8−シアずビシクロ(5,4,0)クンデセン−7
等のような無機塩基および有機塩基が、その例として挙
けられる。適当な酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロ
ピオン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸および、例えば
塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸が挙げられる。トリ
フルオロ酢酸を用いる駿加水分解の場合には、通常アニ
ソールを加えて反応を促進する。
い。適当な塩基として社、例えばナトリウム、カリウム
等のアルカリ金属、例えばマグネシウム、カルシウム婢
のアルカリ土類金属4しくけこれらの金属の水酸化物ま
たは炭酸塩または炭酸水素塩、例えばトリメチルアミン
、トリエチルアミン尋のトリアルキルアミン、ピコリン
、1.5−ジアザビシクロ(4,5,0)ノン−5−二
ン、1.4−ジアゾビシクロ(2,2,2)オクタン、
1.8−シアずビシクロ(5,4,0)クンデセン−7
等のような無機塩基および有機塩基が、その例として挙
けられる。適当な酸としては、例えばギ酸、酢酸、プロ
ピオン酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸および、例えば
塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸が挙げられる。トリ
フルオロ酢酸を用いる駿加水分解の場合には、通常アニ
ソールを加えて反応を促進する。
反応は通常、水、塩化メチレン、例えばメタノール、エ
タノール等のアルコールのような溶媒またはそれらの混
合物中で行なわれるが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒
であればその他のいかなる溶媒でも使用することができ
る。液状の塩基または液状の酸もfIII&として使用
することができる。
タノール等のアルコールのような溶媒またはそれらの混
合物中で行なわれるが、反応に悪影響を及ぼさない溶媒
であればその他のいかなる溶媒でも使用することができ
る。液状の塩基または液状の酸もfIII&として使用
することができる。
反応温度は%に限定されず、反応社通常冷却下ないし加
温下の範囲で行なわれる。
温下の範囲で行なわれる。
11元ハa−ニトロベンジル、2−ヨードエチル、2、
2.2− )リクロμエチル等のような保護基の脱離に
適用することが望ましい。
2.2− )リクロμエチル等のような保護基の脱離に
適用することが望ましい。
還元線化学的還元および接触還元を含む慣用の方法で行
なわれる。
なわれる。
化学的還元(使用される適当な還元剤は、例えばスズ、
亜鉛、鉄部O金属ま九は、例えば塩化クロム、酢酸クロ
ム勢の金属化合物と、例えばギ酸、酢酸、ブーピオン酸
、トリフルオロ酢酸、p−)ルエンスルホン酸、塩酸、
臭化水素酸等の有機酸または無りl酸との組合わせであ
る。
亜鉛、鉄部O金属ま九は、例えば塩化クロム、酢酸クロ
ム勢の金属化合物と、例えばギ酸、酢酸、ブーピオン酸
、トリフルオロ酢酸、p−)ルエンスルホン酸、塩酸、
臭化水素酸等の有機酸または無りl酸との組合わせであ
る。
接触還元に使用される適当な触媒は、例えば白金板、白
金NM、白金蝿、コロイド白金、酸化白金、白金Iwt
の白金触媒、例えばノ(ラジウム海綿、パラジウム黒、
酸化パラジウム、I(ラジウム−炭素、コロイドパラジ
ウム、〕(〕ラジウムーa酸/リウム、パラジウム−炭
酸ツリウム等の〕くラジウム触媒、例えば還元ニッケル
、酸化ニッケル、ラネーニッケル等のニッケル触媒、例
えば還元コノ(ルト、ラネーコバルト等のコバルト触媒
、例えば還元鉄、ラネー鉄等の鉄触媒、例えば還元鋼、
ラネー鋼、クルマン鋼等の銅触媒等のような慣用の触媒
である。
金NM、白金蝿、コロイド白金、酸化白金、白金Iwt
の白金触媒、例えばノ(ラジウム海綿、パラジウム黒、
酸化パラジウム、I(ラジウム−炭素、コロイドパラジ
ウム、〕(〕ラジウムーa酸/リウム、パラジウム−炭
酸ツリウム等の〕くラジウム触媒、例えば還元ニッケル
、酸化ニッケル、ラネーニッケル等のニッケル触媒、例
えば還元コノ(ルト、ラネーコバルト等のコバルト触媒
、例えば還元鉄、ラネー鉄等の鉄触媒、例えば還元鋼、
ラネー鋼、クルマン鋼等の銅触媒等のような慣用の触媒
である。
還元は過電、水、例えにメタノール、エタノール等のア
ルコール、N、トジメチルホルムアミト°、テトラヒド
ロフランもしくはこれらの混合物中で行なわれるが、反
応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば、その他のいかな
る溶媒で4使用することができる。
ルコール、N、トジメチルホルムアミト°、テトラヒド
ロフランもしくはこれらの混合物中で行なわれるが、反
応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば、その他のいかな
る溶媒で4使用することができる。
さらに、化学的還元に使用される曲記酸が液体である場
合には、これらを溶媒として使用することもできる。
合には、これらを溶媒として使用することもできる。
この還元反応の反応温度社特に限定されず、反応は通常
冷却下ないし加温下の範囲で行なわれる。
冷却下ないし加温下の範囲で行なわれる。
この発明においては R2の保膳されたカルボキシ基が
こO反応の工程中4しくはこの反応の後処理工程中に遊
離カルぽキシ基に変化する場合tこの発−の範囲内に含
まれる。
こO反応の工程中4しくはこの反応の後処理工程中に遊
離カルぽキシ基に変化する場合tこの発−の範囲内に含
まれる。
脱離反応に付すことにより製造することができる。
化食物(Ic)および(la)の適当な塩類としては、
化合物(I)について例示したものと同じ塩類が挙げら
れる。
化合物(I)について例示したものと同じ塩類が挙げら
れる。
この脱離反応は前記製造法2W−準じて実施することが
できる。
できる。
製造@4
目的化合物(Is) tたはその塩類は、化合物(Ia
) tたはその塩類をエステル化反応に付すことによp
製造することができる。
) tたはその塩類をエステル化反応に付すことによp
製造することができる。
化合物(1・)の適当な塩類としては、化合物(DIc
ついて例示し丸ものと同じ塩IImを挙げることができ
る。
ついて例示し丸ものと同じ塩IImを挙げることができ
る。
この反応は化合物(Ia) tたはその塩類をエステル
化剤と反応させることによシ行なう仁とができる。
化剤と反応させることによシ行なう仁とができる。
適当なエステル化剤としては、式:X−85、〔式中、
R5は前と同じ意味であり、Xはヒドロキシまたはその
反応性誘導体を意味する〕で示される化合物が挙げられ
る。
R5は前と同じ意味であり、Xはヒドロキシまたはその
反応性誘導体を意味する〕で示される化合物が挙げられ
る。
Xのヒドロ午シの適当な反応性誘導体としては、前記ハ
ロゲン等のような酸残基が挙げられる。
ロゲン等のような酸残基が挙げられる。
この反応は通常、ジメチルホルムアミド、ピリジン、ヘ
キナメチルリン酸トリアミド、ジメチルスルホキシドの
ような溶媒中で行なわれるが、反応に悪影響を及ぼさな
い溶媒であればその他のいかなる溶媒も使用することが
できる。
キナメチルリン酸トリアミド、ジメチルスルホキシドの
ような溶媒中で行なわれるが、反応に悪影響を及ぼさな
い溶媒であればその他のいかなる溶媒も使用することが
できる。
化合物(Id)を遊離酸の湖で使用する場合、反応を製
造法2で述べたような塩基の存在下に行なうことが望ま
しい。
造法2で述べたような塩基の存在下に行なうことが望ま
しい。
反応温度は特に限定されないが、冷却下、室温または加
温下に反応を行なうことが望ましい。
温下に反応を行なうことが望ましい。
目的化合物(I)が遊離カルボキシ基を有する場合、慣
用の方法によってその塩類に変化させることができる。
用の方法によってその塩類に変化させることができる。
原料化合物の製造法を以下詳IIAに@明する。
製造法人
化合物(2)またはその塩類は、化合物(n)またはそ
の塩類を化合物(T)tた唸その塩類と反応させること
によシ製造することができる。
の塩類を化合物(T)tた唸その塩類と反応させること
によシ製造することができる。
化合物(N)の適当な塩類としては、化合物(I)Eつ
いて例示したものと同じ塩類を挙げることができる。
いて例示したものと同じ塩類を挙げることができる。
化合物ff)の適当な塩類としては、化合物■について
例示しえものと同じ塩類を挙げることができる。
例示しえものと同じ塩類を挙げることができる。
反応は通常、水、例えばメタノール、エタノール、1g
パノール等のアルコール、ジオキナン、テトツLドロ7
ラン等のような反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒を
九社それらの混合物中で行なわれる。反応温度alf!
1Ilc限定されず、通常冷却下ないし加熱下に反応が
行なわれる。
パノール等のアルコール、ジオキナン、テトツLドロ7
ラン等のような反応に悪影響を及ぼさない慣用の溶媒を
九社それらの混合物中で行なわれる。反応温度alf!
1Ilc限定されず、通常冷却下ないし加熱下に反応が
行なわれる。
製造法B
化合物011a)またはその塩類は、化合物(W)ま九
はその塩類を脱ア電ノ反応に付すことにより製造するこ
とができる。
はその塩類を脱ア電ノ反応に付すことにより製造するこ
とができる。
化合物α〕の適当な塩類としては、化合物■で例示した
ものと同じ塩類を挙げることができる。
ものと同じ塩類を挙げることができる。
化合物(Hla)の適当な塩類としては、化合(1)に
ついて例示したものと同じ塩類を挙げることがで自る。
ついて例示したものと同じ塩類を挙げることがで自る。
この反応は化合物l)tたはその塩類を、例えば亜硝酸
ナトリウム、亜硝酸カリウム等の亜硝酸アルカリ金属、
または例えば亜硝酸第三級ブチル、亜硝酸イソペンチル
等の亜硝酸(低級)アルキルと反応させることによ〕行
なうことができる。
ナトリウム、亜硝酸カリウム等の亜硝酸アルカリ金属、
または例えば亜硝酸第三級ブチル、亜硝酸イソペンチル
等の亜硝酸(低級)アルキルと反応させることによ〕行
なうことができる。
この反応は通常、ナト2ヒドロフラン、M、N−ジメデ
ルホルムアミド等のような反応に悪影響會及ばさない慣
用の溶媒中て行なわれる。
ルホルムアミド等のような反応に悪影響會及ばさない慣
用の溶媒中て行なわれる。
反応温度はII!iに限定されず、室温ないし溶媒の沸
点までの加熱の範囲で反応が行表われる。
点までの加熱の範囲で反応が行表われる。
製造法0
化合物(2)またはその塩類は、化合物個b)を九はそ
の塩類を R7におけるカルボキシ保饅基の脱離反応に
付すことによ抄製造することができる。
の塩類を R7におけるカルボキシ保饅基の脱離反応に
付すことによ抄製造することができる。
この反応は前記製造法2の方法に準じて行なうことがで
きる。
きる。
この発明の目的化合物(1)およびその塩類は、優れた
抗菌作用を有する新規化合物であシ、ダラム陽性曹およ
びダラム隘性面を含む広範囲の病j!lf*の発育を阻
止し、抗生物質、Il#に経口投与用抗性物質として有
用である。この発明の目的化合物α)を丸線その塩類を
治療の目的で投与するにあ九りては、上記化合物を主成
分とし、これに医薬上許容される担体、例えば経口、非
経口を九は外用に適し九有機もしくは無機、固体もしく
は液体の賦形系を加え友製剤の形で使用できる。こ0よ
うな製剤としては、カブ七−1錠剤、顆粒剤、軟膏、層
剤、液剤、けんだ〈剤、乳剤等が含まれる。さらE、必
I&に応じて前記製剤中に補助剤、安定触af14剤、
乳化剤、緩衝剤、その他繁用される添加剤を含有させる
仁とができる。
抗菌作用を有する新規化合物であシ、ダラム陽性曹およ
びダラム隘性面を含む広範囲の病j!lf*の発育を阻
止し、抗生物質、Il#に経口投与用抗性物質として有
用である。この発明の目的化合物α)を丸線その塩類を
治療の目的で投与するにあ九りては、上記化合物を主成
分とし、これに医薬上許容される担体、例えば経口、非
経口を九は外用に適し九有機もしくは無機、固体もしく
は液体の賦形系を加え友製剤の形で使用できる。こ0よ
うな製剤としては、カブ七−1錠剤、顆粒剤、軟膏、層
剤、液剤、けんだ〈剤、乳剤等が含まれる。さらE、必
I&に応じて前記製剤中に補助剤、安定触af14剤、
乳化剤、緩衝剤、その他繁用される添加剤を含有させる
仁とができる。
化合物の投与量は患者の年令、状態、疾病の種類、シよ
び投与化合物α)の11類によ)異なるが、1回の平均
投与量としては、この発明の目的化合物(I)約10’
L 5011v、 100q、 250q。
び投与化合物α)の11類によ)異なるが、1回の平均
投与量としては、この発明の目的化合物(I)約10’
L 5011v、 100q、 250q。
5oolIvおよび+ 000IIvを、病原面による
疾病の治療のために投与することができる。一般に、1
日当nlqないし約6000〜tたはそれ以上の量を投
与できる。
疾病の治療のために投与することができる。一般に、1
日当nlqないし約6000〜tたはそれ以上の量を投
与できる。
ζO発Ij10目的化合物の有用I!1.を示すためζ
Q発明の代表的な化合物の抗菌活性、尿中排泄および胆
汁中排泄を以下に示す。
Q発明の代表的な化合物の抗菌活性、尿中排泄および胆
汁中排泄を以下に示す。
(1) 試験化合物
7−〔2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−チア
ゾリル)アセトアミドツー3−セフェム−4−カルボン
酸(シン異性体)、(以下化合物■と略称する)。
ゾリル)アセトアミドツー3−セフェム−4−カルボン
酸(シン異性体)、(以下化合物■と略称する)。
(乃 試験
(4)最低発育阻止濃度
Q)試験法
試験管内抗−活性を、下記0gl1天平板倍数希釈法に
よシ一定した。
よシ一定した。
トリグチケース・ソーイ・プロス(IIwllo”/j
)中で一夜培養した各種試験菌株の1白金耳を、各濃度
の代表試験化合物を含むハート響インフュージョン拳ア
ガー(H工寒天)IC接種し、37℃で20時間培養し
た後、最低発育阻止濃11m(MIC)を厘鷹単位で測
定した。
)中で一夜培養した各種試験菌株の1白金耳を、各濃度
の代表試験化合物を含むハート響インフュージョン拳ア
ガー(H工寒天)IC接種し、37℃で20時間培養し
た後、最低発育阻止濃11m(MIC)を厘鷹単位で測
定した。
■ 試験結果
M工0 (用l讐)
(2)尿中排泄
■ 試験法
試験化合物10(1+v/#を経口投与し九ラットの口
ないし6時間および6ないし24時間内の尿を採尿器を
用いて集めた。尿検体中の抗生物質濃度を、M/15燐
酸緩Iii液により擬した標準液を用いてバイオアッセ
イによ1測定し、24時間内の尿中回収量を計算した。
ないし6時間および6ないし24時間内の尿を採尿器を
用いて集めた。尿検体中の抗生物質濃度を、M/15燐
酸緩Iii液により擬した標準液を用いてバイオアッセ
イによ1測定し、24時間内の尿中回収量を計算した。
■ 試験結果
(Q 胆汁中排泄
■ 試験法
ベンドパルビタールで麻酔し九ラントを仰向けに固短し
、ボリエテレ/管1胆管に挿入した。試験化合#IIJ
100■/幻を経口投与し九後口ないしS%Sないし6
および6ないし24時間内O胆汁検体會集めた。胆汁検
体中の抗生物質濃度を、M/15燐酸緩衝液によシ製し
た標準液を用いて〕(イオアツセイにより極短し、24
時間内の胆汁空回収量を醐定した。
、ボリエテレ/管1胆管に挿入した。試験化合#IIJ
100■/幻を経口投与し九後口ないしS%Sないし6
および6ないし24時間内O胆汁検体會集めた。胆汁検
体中の抗生物質濃度を、M/15燐酸緩衝液によシ製し
た標準液を用いて〕(イオアツセイにより極短し、24
時間内の胆汁空回収量を醐定した。
■ 試験結果
以下この発明を製造例および実施例に従ってa明する。
製造例1
2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(
2−ホμムアミドテアゾーμ一番一イlv)酢酸(シン
真性体) (15,or)および濃塩酸(9,5f)の
メタノ−/L/(75iu)中温合物を室温で2.5時
間攪拌した。反応混合物に水(10017)を加え、こ
の溶液を水酸化ナトリウム10%水溶液で攪拌下1c
pH3,0に調整した。沈wkiF取し、水およびジイ
ソプロピルエーテμで洗浄し、乾燥して、2−第三級ブ
トキシカルボニルメトキシイミノ−2−(2−アンノテ
アゾー/L/−4−イA/)酢酸(シン異性体) (1
2,′If) t−得た。
2−ホμムアミドテアゾーμ一番一イlv)酢酸(シン
真性体) (15,or)および濃塩酸(9,5f)の
メタノ−/L/(75iu)中温合物を室温で2.5時
間攪拌した。反応混合物に水(10017)を加え、こ
の溶液を水酸化ナトリウム10%水溶液で攪拌下1c
pH3,0に調整した。沈wkiF取し、水およびジイ
ソプロピルエーテμで洗浄し、乾燥して、2−第三級ブ
トキシカルボニルメトキシイミノ−2−(2−アンノテ
アゾー/L/−4−イA/)酢酸(シン異性体) (1
2,′If) t−得た。
IR(ヌジョー/W ) : 3340.1740.1
630 ctrMMR(DMSO−d@、 J) :
1.43(9H,e)、 4.51 (gH,11)、
6.’/フ (3H,a)製造例2 2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(
$1−ア建ノテアゾー!−4−イ/L/)酢酸(シン異
性体) (11,5F)のテトラヒドロ7ラン(Ao、
I5 d l中Mll液に亜硝酸第三級ブチμ(6,5
P)のナト2ヒドロフラン(32,5114)溶液t″
50〜57℃で攪拌下に滴下し、混合物t−50〜55
℃で20分間攪拌した。反応混合物を酢酸エテμと水と
の混合物中に注ぎ、溶液を10%塩酸でpH1,0に調
整した。分離した有機層に水(60iu)i加え、混合
物を40%訳酸カリウム水溶液でpH6,0に調整した
。分離した水溶液を酢酸エテ〜で洗浄し、10%塩酸で
pH2,8に調整した。この酸性溶液を酢酸エチルで抽
出し、酢酸エチル層t−a酸マグネシウムで乾燥して溶
V&を留去した。残渣をジイソプロピルエーテル中で粉
砕して、2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ
−2−(4−チアシリA/)酢酸(シン異性体) (6
,1j) t−得た。融点141℃(分解)。
630 ctrMMR(DMSO−d@、 J) :
1.43(9H,e)、 4.51 (gH,11)、
6.’/フ (3H,a)製造例2 2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(
$1−ア建ノテアゾー!−4−イ/L/)酢酸(シン異
性体) (11,5F)のテトラヒドロ7ラン(Ao、
I5 d l中Mll液に亜硝酸第三級ブチμ(6,5
P)のナト2ヒドロフラン(32,5114)溶液t″
50〜57℃で攪拌下に滴下し、混合物t−50〜55
℃で20分間攪拌した。反応混合物を酢酸エテμと水と
の混合物中に注ぎ、溶液を10%塩酸でpH1,0に調
整した。分離した有機層に水(60iu)i加え、混合
物を40%訳酸カリウム水溶液でpH6,0に調整した
。分離した水溶液を酢酸エテ〜で洗浄し、10%塩酸で
pH2,8に調整した。この酸性溶液を酢酸エチルで抽
出し、酢酸エチル層t−a酸マグネシウムで乾燥して溶
V&を留去した。残渣をジイソプロピルエーテル中で粉
砕して、2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ
−2−(4−チアシリA/)酢酸(シン異性体) (6
,1j) t−得た。融点141℃(分解)。
IR(ヌジョーA/) : 1730 (WNMR(D
mso−as、 J) : Li2 (9Js)l’6
9 (2H。
mso−as、 J) : Li2 (9Js)l’6
9 (2H。
s)、 8.08 (IH,d、J−2,0Hz)、
9.21 (IH,d。
9.21 (IH,d。
J=i、0Hz)
製造例3
亜硝酸イソペンテ/’ (5,9yd )のテトラヒド
ロ7ラン(50II7)溶液を2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イN)−2−(ベンズヒドリルオキシカルボ
ニルメトキシイミノ)酢酸(シン異性体)(10,6t
)のテトラヒドロ7う7 (100314)中温合物に
50〜55℃で攪拌下に滴下し、混合物i55〜60℃
で30分間攪拌した。テトラヒドロ7ランを減圧下に留
去した。残渣を酢酸エテμと水との混合物に溶解し、混
合物ヲ脚酸カリウム20%水溶液でpH7,5にN整し
た。分離した水層を取シ、10%塩酸でpH2LOII
C調整して酢酸エテμで抽出した。抽出層を塩化ナトリ
ウム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し友
後、溶v&t−留去して、2−(ベンズヒドリ〜オキシ
カμボニNメトキシイ建))−2−(4−テアシリ/I
/)酢酸(シン異性体) (4・9f) を得た。
ロ7ラン(50II7)溶液を2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イN)−2−(ベンズヒドリルオキシカルボ
ニルメトキシイミノ)酢酸(シン異性体)(10,6t
)のテトラヒドロ7う7 (100314)中温合物に
50〜55℃で攪拌下に滴下し、混合物i55〜60℃
で30分間攪拌した。テトラヒドロ7ランを減圧下に留
去した。残渣を酢酸エテμと水との混合物に溶解し、混
合物ヲ脚酸カリウム20%水溶液でpH7,5にN整し
た。分離した水層を取シ、10%塩酸でpH2LOII
C調整して酢酸エテμで抽出した。抽出層を塩化ナトリ
ウム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し友
後、溶v&t−留去して、2−(ベンズヒドリ〜オキシ
カμボニNメトキシイ建))−2−(4−テアシリ/I
/)酢酸(シン異性体) (4・9f) を得た。
IR(ヌジョー/L/) : 1735備NMR(DM
SO−da、 J) : 4.96 (2)1.s)、
6.90 (IH,s)、 ’7.18−グ、58
(log、!+1)、 8.03 (LH。
SO−da、 J) : 4.96 (2)1.s)、
6.90 (IH,s)、 ’7.18−グ、58
(log、!+1)、 8.03 (LH。
d、J==2.0Hs)、 9.18 (LH,d、J
=2.0H1)製造例4 メタノ−/I/(23iu)中2−(4−テアゾリルフ
グリオキシル酸(2,39)および2−アミノオキシ酢
酸の第三級ブチルエステル(2,,6f)の混合物を室
温で1時間攪拌した。反応混合物を酢酸エチルと水との
混合物に加え、訳酸水素ナトリウム飽和水浴液でpH1
,5にIt整した。分離した水層を1096塩酸でpH
2,0に調整し、塩化ナトリウムを飽和させた。この酸
性混合物を酢酸エテμで抽出し、抽出液を塩化ナトリウ
ム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後
、溶媒を留去して、2−第三級ブトキシカルボニルメト
キシイミノ−2−(4−テアグリル)酢酸(シン異性体
) <2.8?) ’t”得た。融点136〜139℃
。
=2.0H1)製造例4 メタノ−/I/(23iu)中2−(4−テアゾリルフ
グリオキシル酸(2,39)および2−アミノオキシ酢
酸の第三級ブチルエステル(2,,6f)の混合物を室
温で1時間攪拌した。反応混合物を酢酸エチルと水との
混合物に加え、訳酸水素ナトリウム飽和水浴液でpH1
,5にIt整した。分離した水層を1096塩酸でpH
2,0に調整し、塩化ナトリウムを飽和させた。この酸
性混合物を酢酸エテμで抽出し、抽出液を塩化ナトリウ
ム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後
、溶媒を留去して、2−第三級ブトキシカルボニルメト
キシイミノ−2−(4−テアグリル)酢酸(シン異性体
) <2.8?) ’t”得た。融点136〜139℃
。
IR(ヌジ−s −/I/ ) : 1730 cIR
NMR(DMSO−d@、 a) : 1.46 (9
H,a)、 4.69 (2H。
NMR(DMSO−d@、 a) : 1.46 (9
H,a)、 4.69 (2H。
s)、 8.08 (LH,d、J−2hOHz)、
9.21 (IH,d。
9.21 (IH,d。
J=龜0Hz)
製造例5
(1)2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−
2−(2−ホμムアミドテアゾー1v−4−イl%/)
酢酸(シン異性体) (65,99)の酢酸エテル(3
00iu)およびテトラヒドロ7’)7(200114
)溶液に、ジフェニルジアゾメタンの酢酸エチル溶液(
lミ〃モyv/ml 、 2oo d )を室温で滴下
し、混合物を1時間攪拌し九。生成した混合物t−決醋
酸水素ナトリウム飽和水溶液よび食塩水で洗浄し、硫酸
マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去して、2−第三級
ブトキシカ〜ボニ、Uメトキシイミノ)−2−(2−ホ
A/ムアイドテアゾール一番−イル酢酸のベンズヒドリ
ルエステ〃(シンJ[体)(go、3f) t−得た。
2−(2−ホμムアミドテアゾー1v−4−イl%/)
酢酸(シン異性体) (65,99)の酢酸エテル(3
00iu)およびテトラヒドロ7’)7(200114
)溶液に、ジフェニルジアゾメタンの酢酸エチル溶液(
lミ〃モyv/ml 、 2oo d )を室温で滴下
し、混合物を1時間攪拌し九。生成した混合物t−決醋
酸水素ナトリウム飽和水溶液よび食塩水で洗浄し、硫酸
マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去して、2−第三級
ブトキシカ〜ボニ、Uメトキシイミノ)−2−(2−ホ
A/ムアイドテアゾール一番−イル酢酸のベンズヒドリ
ルエステ〃(シンJ[体)(go、3f) t−得た。
2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(
2−ホルムアミドチアゾ−/I/ −4−イル)酢酸の
ベンズヒドリルエステル(シン真性体) C99,Of
) f)l II) −/l/ (500wt)溶液に
濃塩酸(41,6f) t−室温で加え、混合物を同じ
温度で1.5時間攪拌した。反応混合物を炭酸水素ナト
リウム(33,6F)の水(2JJ)溶液に注ぎ、酢酸
エテ〜で抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。溶謀會餉去して残渣をエーテル中
で粉砕して、2−第三級ブトキシカルボ二μメトキシイ
ミノ−2−(2−アミノチアゾ−A/ −4−イル〕酢
酸のベンズヒドリルエステyv(シン異性体)(72,
3f) t″得た。
2−ホルムアミドチアゾ−/I/ −4−イル)酢酸の
ベンズヒドリルエステル(シン真性体) C99,Of
) f)l II) −/l/ (500wt)溶液に
濃塩酸(41,6f) t−室温で加え、混合物を同じ
温度で1.5時間攪拌した。反応混合物を炭酸水素ナト
リウム(33,6F)の水(2JJ)溶液に注ぎ、酢酸
エテ〜で抽出した。抽出液を食塩水で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥した。溶謀會餉去して残渣をエーテル中
で粉砕して、2−第三級ブトキシカルボ二μメトキシイ
ミノ−2−(2−アミノチアゾ−A/ −4−イル〕酢
酸のベンズヒドリルエステyv(シン異性体)(72,
3f) t″得た。
IR(フィルム) : 1740.1610国NMR(
DM80−d4. J) : 1.43 (9H,s)
、 4.18 (2H,a)、 6.73 (1)(,
8)、 6.98 (lHiL)、O’7−7.60
(IOH,rn)(2)亜硝酸第三級ブチA/(1,7
F)のテトラヒドロフラン(lolIj)溶液を2−第
三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(2−7
ミノチアゾーμ一番一イ/L/)酢酸のベンズヒドリル
エステ/I/(シン真性体) (5F)のテトラヒドロ
フラン(50su)溶液に50〜53℃で攪拌下に滴下
し、混合物を同じ温度で25分間攪拌した。反応混合物
を酢酸エチルと水との混合物に注ぎ、有機層を分離した
。有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶gt−留去して残渣tシリカゲルカラムクロマト
グラフィーに付した。カラムをベンゼンと酢酸エテNと
の混合溶K(19!l)で溶出し、目的化合物を含む溶
出液1kX発乾1して、2−第三級ブトキシカルボ二μ
メトキシイミノ−2−(4−チアシリy)酢酸のベンズ
ヒドリルエステ/L/(シン異性体) C2,2t)
t−II′fi−0IR(フィルム) : 1740.
1600 amNMR(DM80−da、δ) : 1
.43 (9H,El)、468(2H,8)。
DM80−d4. J) : 1.43 (9H,s)
、 4.18 (2H,a)、 6.73 (1)(,
8)、 6.98 (lHiL)、O’7−7.60
(IOH,rn)(2)亜硝酸第三級ブチA/(1,7
F)のテトラヒドロフラン(lolIj)溶液を2−第
三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(2−7
ミノチアゾーμ一番一イ/L/)酢酸のベンズヒドリル
エステ/I/(シン真性体) (5F)のテトラヒドロ
フラン(50su)溶液に50〜53℃で攪拌下に滴下
し、混合物を同じ温度で25分間攪拌した。反応混合物
を酢酸エチルと水との混合物に注ぎ、有機層を分離した
。有機層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し
た。溶gt−留去して残渣tシリカゲルカラムクロマト
グラフィーに付した。カラムをベンゼンと酢酸エテNと
の混合溶K(19!l)で溶出し、目的化合物を含む溶
出液1kX発乾1して、2−第三級ブトキシカルボ二μ
メトキシイミノ−2−(4−チアシリy)酢酸のベンズ
ヒドリルエステ/L/(シン異性体) C2,2t)
t−II′fi−0IR(フィルム) : 1740.
1600 amNMR(DM80−da、δ) : 1
.43 (9H,El)、468(2H,8)。
フ−as (11(* s ) + 1.15−1
.60 (IOH,m)、 8.03(IH,d、
J=2Hz)、 9.15 (IH,d、J=2Hz)
(3)2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−
2−(4−テアシリ/I/)酢酸のベンズヒドリルエス
テ/I/(シン異性体) (2JLf)およびアニソ−
〜(2,2m)の塩化メチレフ(22d)溶液にトリフ
ルオロ酢酸(4d)を室温で加え、混合物を同じ温度で
25分間攪拌した。反応混合物に酢酸メチA/を加え、
この溶液全水洗し友。分離した有機層に水を加え、混合
物を脚酸ナトリクム2096水溶液でpH7,51c胸
整した。分離した水層を10%塩酸でpH2,Qにl#
整し、この酸性溶液に塩化ナトリウムを飽和させて、酢
酸エチルで抽出し友。
.60 (IOH,m)、 8.03(IH,d、
J=2Hz)、 9.15 (IH,d、J=2Hz)
(3)2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−
2−(4−テアシリ/I/)酢酸のベンズヒドリルエス
テ/I/(シン異性体) (2JLf)およびアニソ−
〜(2,2m)の塩化メチレフ(22d)溶液にトリフ
ルオロ酢酸(4d)を室温で加え、混合物を同じ温度で
25分間攪拌した。反応混合物に酢酸メチA/を加え、
この溶液全水洗し友。分離した有機層に水を加え、混合
物を脚酸ナトリクム2096水溶液でpH7,51c胸
整した。分離した水層を10%塩酸でpH2,Qにl#
整し、この酸性溶液に塩化ナトリウムを飽和させて、酢
酸エチルで抽出し友。
酢酸エチル層を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥した。溶V&を留去し、残渣をジイソプロピ!エーテ
ルおよびn−へキサン中で粉砕して、2−第三級ブトキ
シカルボニルメトキシイミノ−2−(4−テアシリ/L
/)酢酸(シン異性体)(10ツt)を得た。融点13
6〜139℃ In (ヌジョー/V ) : 1730 cin実施
例1 ビルスマイヤー試薬をオキシ塩化リン(0,yaf )
およびN、N−ジメチμホ〜ムアミド(0,36F)か
ら酢酸エテ〜(1,44m )中で常法により#整した
。
燥した。溶V&を留去し、残渣をジイソプロピ!エーテ
ルおよびn−へキサン中で粉砕して、2−第三級ブトキ
シカルボニルメトキシイミノ−2−(4−テアシリ/L
/)酢酸(シン異性体)(10ツt)を得た。融点13
6〜139℃ In (ヌジョー/V ) : 1730 cin実施
例1 ビルスマイヤー試薬をオキシ塩化リン(0,yaf )
およびN、N−ジメチμホ〜ムアミド(0,36F)か
ら酢酸エテ〜(1,44m )中で常法により#整した
。
2−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(
4−チアシリlv)酢酸(シン異性体) (1,2f)
をビルスマイヤー試薬の酢酸エチル(20+++j)懸
濁液に氷冷しながら加え、混合物を同じ温度で20分間
攪拌して活性酸溶液を製造した。トリメチμシリμアセ
トアミド<3.sf) 5r 7−アミノ−3−セ7エ
ム−4−力〜ボン酸(0,161)のテトラヒドロフラ
ン(151Lt)FI&濁液に加え、混合物を35〜4
0℃で20分間攪拌した。この溶液に前記活性酸溶液を
一1O℃で加え、混合物を同じm度で30分間攪拌した
。反応混合物に水を加え、分離した有槙層を水に加え次
。この混合物を抜酸カリウム飽和水溶液でpH7,5に
調整し友。分離し次水層を10%塩酸でpH2,0に#
整し、酢酸エチルで抽出し友。抽出層を塩化ナトリウム
飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
を留去して7−〔2−第三級プトキシ力ルポニμメトキ
シイ建)−2−(4−テアシリlv)アセトアミドクー
3−セフェム一番−力μボン酸(シン真性体)(1,4
t )を得た。
4−チアシリlv)酢酸(シン異性体) (1,2f)
をビルスマイヤー試薬の酢酸エチル(20+++j)懸
濁液に氷冷しながら加え、混合物を同じ温度で20分間
攪拌して活性酸溶液を製造した。トリメチμシリμアセ
トアミド<3.sf) 5r 7−アミノ−3−セ7エ
ム−4−力〜ボン酸(0,161)のテトラヒドロフラ
ン(151Lt)FI&濁液に加え、混合物を35〜4
0℃で20分間攪拌した。この溶液に前記活性酸溶液を
一1O℃で加え、混合物を同じm度で30分間攪拌した
。反応混合物に水を加え、分離した有槙層を水に加え次
。この混合物を抜酸カリウム飽和水溶液でpH7,5に
調整し友。分離し次水層を10%塩酸でpH2,0に#
整し、酢酸エチルで抽出し友。抽出層を塩化ナトリウム
飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒
を留去して7−〔2−第三級プトキシ力ルポニμメトキ
シイ建)−2−(4−テアシリlv)アセトアミドクー
3−セフェム一番−力μボン酸(シン真性体)(1,4
t )を得た。
IR(X ジ:!−A/) : 3240. 1’
7’15. 1?15゜1670.1630゜ NMR(DMSO−d藝、 I) : 1.
44 (9H,#)、 3.60 (2H
,m)、4.61 (2H,s)、5.10 (I
H,l、J5.0Hz)、 5.86 (LH,dd、
J=5.0Hz、8.0Hz)。
7’15. 1?15゜1670.1630゜ NMR(DMSO−d藝、 I) : 1.
44 (9H,#)、 3.60 (2H
,m)、4.61 (2H,s)、5.10 (I
H,l、J5.0Hz)、 5.86 (LH,dd、
J=5.0Hz、8.0Hz)。
6.43 (LH,t、J=4.0Hz)、 7.
88 (1m11.d、、T=2.0Hz)、 9.
10 (1)!、d、J= 2.0Hz)、 9.49
(IH、a 、 J= 8.0HZ) 、*施例2 ビスマイヤーStC*をオキシ塩化リン(1,3mF)
およびH,H−ジメチμホルムアミド(0,6F)がら
酢酸エテル(2,4d )中で常法によシ調整し次。2
−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(4
−テアシリ/I/)酢酸(シン真性体) (2,0?)
をビスマイヤー試薬の酢酸エチ/%/(20a()空騒
濁液に水冷下加え、混合物を同じ温度で20分間攪拌し
て活性酸溶液′に製造した。
88 (1m11.d、、T=2.0Hz)、 9.
10 (1)!、d、J= 2.0Hz)、 9.49
(IH、a 、 J= 8.0HZ) 、*施例2 ビスマイヤーStC*をオキシ塩化リン(1,3mF)
およびH,H−ジメチμホルムアミド(0,6F)がら
酢酸エテル(2,4d )中で常法によシ調整し次。2
−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(4
−テアシリ/I/)酢酸(シン真性体) (2,0?)
をビスマイヤー試薬の酢酸エチ/%/(20a()空騒
濁液に水冷下加え、混合物を同じ温度で20分間攪拌し
て活性酸溶液′に製造した。
トリメチμシリμアセトアミド(5,8f) k 7−
γミノー3−メチ〜−3−セフェム−4−力〜ボン酸(
x、ar) Oテトラヒトo7ラン(2swLt)中M
U液に加え、混合物ヲ38〜42℃で20分間攪拌した
。この溶液に前記活性酸溶液を一10℃で加え、混合物
を同じ温度で30分間攪拌した。反応混合物に水全顎え
、分離し九有槙層を水に加え、混合物t−i酸カジカリ
ウム飽和水溶液H7,5に調整した。
γミノー3−メチ〜−3−セフェム−4−力〜ボン酸(
x、ar) Oテトラヒトo7ラン(2swLt)中M
U液に加え、混合物ヲ38〜42℃で20分間攪拌した
。この溶液に前記活性酸溶液を一10℃で加え、混合物
を同じ温度で30分間攪拌した。反応混合物に水全顎え
、分離し九有槙層を水に加え、混合物t−i酸カジカリ
ウム飽和水溶液H7,5に調整した。
分離した水層を1096塩酸でpH2,0に調整し、酢
酸エチルで抽出した。抽出液を塩化ナトリウム飽和水溶
液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去し
て、 、7− C2−第三級ブトキシカルボニルメトキ
シイミノ−2−(4−デアゾリルノアセトアミド〕−3
−メチル−3−セフェム−4−カルボン#(シン異性体
) (2,25f)を得た。
酸エチルで抽出した。抽出液を塩化ナトリウム飽和水溶
液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去し
て、 、7− C2−第三級ブトキシカルボニルメトキ
シイミノ−2−(4−デアゾリルノアセトアミド〕−3
−メチル−3−セフェム−4−カルボン#(シン異性体
) (2,25f)を得た。
工R(ヌジョー/I/) : 1750 (ブロード)
、l’710゜1680国 NMR(DMSO−d@、 J) : 1.46 (9
H,s)、 2.02 (2H。
、l’710゜1680国 NMR(DMSO−d@、 J) : 1.46 (9
H,s)、 2.02 (2H。
s)、 3.45 (2H,q、、T= 18.0FI
z)、 4.61 (2H。
z)、 4.61 (2H。
a)、 5.10 (lH,d、!=5−OHz)、
5.’73 (LH,dd。
5.’73 (LH,dd。
J== 5.0Hz、 8.0Hz)、 7.89
(IH,d、J= 2.01(z)。
(IH,d、J= 2.01(z)。
9.10 (IH,d、J==2.0Hz)、9.4
7 (LH,d、、T=8.0Hz) 実施例3 ビスマイヤーXg′にオキシ塩化リン(2,21)およ
びN、M−ジメテμホ〜ムアミド(1,Or)がら酢酸
エテA/(41I7)中で常法によシ調整した。2−(
ベンズヒドリルオキシカルボニルメトキシイミノ)−2
−(4−テアシリA/)酢酸(シン異性体)(4,8f
) l ヒμスマイヤー試薬の酢酸エチル(4oWLt
)懸濁液に水冷下に加え%混合物を同じ温度で30分間
攪拌して活性酸溶液を製造し次。
7 (LH,d、、T=8.0Hz) 実施例3 ビスマイヤーXg′にオキシ塩化リン(2,21)およ
びN、M−ジメテμホ〜ムアミド(1,Or)がら酢酸
エテA/(41I7)中で常法によシ調整した。2−(
ベンズヒドリルオキシカルボニルメトキシイミノ)−2
−(4−テアシリA/)酢酸(シン異性体)(4,8f
) l ヒμスマイヤー試薬の酢酸エチル(4oWLt
)懸濁液に水冷下に加え%混合物を同じ温度で30分間
攪拌して活性酸溶液を製造し次。
トリメチμシリyアセトアミド(lQ、:Lf)を7−
ア建ノー3−セフェム−4−力μボン酸<2.2t)の
テトラLドロ7ツン(30m)社藏故に加え、弗p物1
に35〜40℃で30分間攪拌し良。このl!g液に前
記活性酸溶液を一10℃で加え、混合物を同じ温度で3
0分間攪拌した。反応混合物に水を加え、分離した有機
層を水に加え、混合物1に鹸酸カリウム2096水溶液
でpH’7.5に調整した。分離した水層を1096塩
酸でpH2,0に#IEL、酢酸エテルで抽出した。抽
出層t−m化ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を餉去して、?−(2−ベンズ
ヒドリルオキシカルボニルメトキシイミノ−2−(4−
チアシリ/L/)アセトアミドシー3−セフェム−4−
カルボン酸(シン異性体) (6,2f)を得た。
ア建ノー3−セフェム−4−力μボン酸<2.2t)の
テトラLドロ7ツン(30m)社藏故に加え、弗p物1
に35〜40℃で30分間攪拌し良。このl!g液に前
記活性酸溶液を一10℃で加え、混合物を同じ温度で3
0分間攪拌した。反応混合物に水を加え、分離した有機
層を水に加え、混合物1に鹸酸カリウム2096水溶液
でpH’7.5に調整した。分離した水層を1096塩
酸でpH2,0に#IEL、酢酸エテルで抽出した。抽
出層t−m化ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を餉去して、?−(2−ベンズ
ヒドリルオキシカルボニルメトキシイミノ−2−(4−
チアシリ/L/)アセトアミドシー3−セフェム−4−
カルボン酸(シン異性体) (6,2f)を得た。
工R(ヌジョー/1/) : 1775.110. 1
675゜1630 (!I! NMR(DMSO−d@、 II) : 3.56 (
2H,m)、 4.93 (2H,e)、 5.13
(IH,d、J=5.0Hz)、 5.92 (IH,
dd、 J=+5.0Hl、 8.0Hz)、 6.4
8 (IH,m)。
675゜1630 (!I! NMR(DMSO−d@、 II) : 3.56 (
2H,m)、 4.93 (2H,e)、 5.13
(IH,d、J=5.0Hz)、 5.92 (IH,
dd、 J=+5.0Hl、 8.0Hz)、 6.4
8 (IH,m)。
6.90 (LH,s)、 7.11−7.615
(10H,B)、 ’7.90(LH,d、J=2.
0Hz)、 9.16 (LH,d、J=2.0Hz)
。
(10H,B)、 ’7.90(LH,d、J=2.
0Hz)、 9.16 (LH,d、J=2.0Hz)
。
9.68 (IH、d 、 J=: 8Hz )実施
例4 実施例1〜3の方法に準じて、下記の化合物を得九。
例4 実施例1〜3の方法に準じて、下記の化合物を得九。
(1) ? −(: 2−カルボキシメトキシイミノ−
2−(4−テアシリ/L/)アtドアミド〕−3−メチ
ルー3−セフェム一番−カルボン酸(シン異性体)。
2−(4−テアシリ/L/)アtドアミド〕−3−メチ
ルー3−セフェム一番−カルボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジョー/L’ ) : 1765.1715.
1670 cIR(2) ? −(ji!−第三級プト
キシカルボニルメトキシイ建ノー2−(4−チアシリμ
)アセトアミド〕−2−メチA/−3−セフェム−4−
カルボ/#(シン異性体)。
1670 cIR(2) ? −(ji!−第三級プト
キシカルボニルメトキシイ建ノー2−(4−チアシリμ
)アセトアミド〕−2−メチA/−3−セフェム−4−
カルボ/#(シン異性体)。
IR(ヌジョー/I/) : 1780. l’i/
ao、 1670゜1630国 NMR(DM80−(1@、 l) : 1.2
8−1.67 (12H,m)。
ao、 1670゜1630国 NMR(DM80−(1@、 l) : 1.2
8−1.67 (12H,m)。
3.16 (111,m)、 4.62 (2H
,a)、 5.13 (IH。
,a)、 5.13 (IH。
d、 J=5.0Hz)、 5.92 (IJ dd、
J=5.0Hz)。
J=5.0Hz)。
8.0Hz)、 6.53 (IH,d、J=6.0H
z)、 7.90 (LH。
z)、 7.90 (LH。
(1,I=LOHz)、 9.14 (LH,d、 J
−2J)Hz)。
−2J)Hz)。
9.53 (LH,d、J=8.0Hz)(3) ?
−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−テアシ
リ/L/)アセトアミドシー2−メナルー3−セフエム
−4−カルボン酸(シン異性体)。
−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−テアシ
リ/L/)アセトアミドシー2−メナルー3−セフエム
−4−カルボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジョー/L’) : 1770.1720.1
67t)。
67t)。
1630 am
(4) 7− C2−第三級ブトキシカルボニルメトキ
シイミノ−2−(4−チアシリ/I/)アセトIミドJ
−3−メトキシ−3−セフェム一番−カルボン酸04−
二トロペンジpエステル(シンM性体)。
シイミノ−2−(4−チアシリ/I/)アセトIミドJ
−3−メトキシ−3−セフェム一番−カルボン酸04−
二トロペンジpエステル(シンM性体)。
IR(ヌジ:j−A/) : 3230. 1?’70
.1710゜1675、 1600 cm NMR(DM80−d@、δ) : 1.43 (9H
,、a)、 3.69(2H,s)、 3.80 (3
H,s)、 4.62 (2H,s)。
.1710゜1675、 1600 cm NMR(DM80−d@、δ) : 1.43 (9H
,、a)、 3.69(2H,s)、 3.80 (3
H,s)、 4.62 (2H,s)。
5.19 (IH,d、J=4.0Hz)、5.32
(2H,a)、5.65(LH,dd、J=4.0
Hz、8.0Hz)、 ツ、60 (2H,d。
(2H,a)、5.65(LH,dd、J=4.0
Hz、8.0Hz)、 ツ、60 (2H,d。
J= 9.0Hz) 、 7.94 (LH,d、J=
2゜0Hz) 、 8.18(2H,d、J=9.0
Hz)、 9.11 (LH,d、J= 2.0Hz)
。
2゜0Hz) 、 8.18(2H,d、J=9.0
Hz)、 9.11 (LH,d、J= 2.0Hz)
。
9.49 (LH、d 、 J= 8.0Hi )(5
) ? −(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4
−チアシリ/%−′)アセトアミドクー3−メトキシ−
3−セフェム一番−カルボン酸(シン真性体)。
) ? −(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4
−チアシリ/%−′)アセトアミドクー3−メトキシ−
3−セフェム一番−カルボン酸(シン真性体)。
iR(ヌジョーA/ ) : 3180. 1760.
1665 CI+(a) r −[2−第三級ブトキ
シカルボニ/L’メトキシイミノ−2−(4−チアゾリ
ル)アセトアミドクー3−メトキシ−3−セフェム−4
−力μボン酸(シン真性体)。
1665 CI+(a) r −[2−第三級ブトキ
シカルボニ/L’メトキシイミノ−2−(4−チアゾリ
ル)アセトアミドクー3−メトキシ−3−セフェム−4
−力μボン酸(シン真性体)。
IR(ヌジョーA/ ) : 1770. 1690
(ブロード)σ(7) ? −(2−第三級ブトキシカ
ルボニルメトキシイミノ−2−(4−チアシリ/&/)
アセトアミド〕セファロスポラン酸(シン異性体)。
(ブロード)σ(7) ? −(2−第三級ブトキシカ
ルボニルメトキシイミノ−2−(4−チアシリ/&/)
アセトアミド〕セファロスポラン酸(シン異性体)。
工R(ヌジョー/k) : 3200. 1780.1
720゜1670 (Ill NMR(pmso−as、 J) : 1.42 (9
H,s)、 2.01 (3H,s)、 3.54 (
2H,I!I)、 4.62 (2H,s)、 4.8
3(8H,q、J=13.0Hz)、 15.16 (
IH,d、J=I5.0Hz)。
720゜1670 (Ill NMR(pmso−as、 J) : 1.42 (9
H,s)、 2.01 (3H,s)、 3.54 (
2H,I!I)、 4.62 (2H,s)、 4.8
3(8H,q、J=13.0Hz)、 15.16 (
IH,d、J=I5.0Hz)。
5.83 (III、dd、J=5.OHs 、B、
OHz )+ フ、89 (IH。
OHz )+ フ、89 (IH。
d、 J= LOHz)、 9.11 (LH,d、J
= 2.0■z)t9.53 (LH,d、J= 8.
0H21)(a) ? −(a−カμボキシメトキシイ
ず)−2−(4−テアシリμ)アセトアミド〕セファロ
スポラン酸(シyJ4性体)。
= 2.0■z)t9.53 (LH,d、J= 8.
0H21)(a) ? −(a−カμボキシメトキシイ
ず)−2−(4−テアシリμ)アセトアミド〕セファロ
スポラン酸(シyJ4性体)。
工R(ヌジョー/L/) : 3200. 1780.
1?23゜1675 on (9) 7− [2−第三級ブトキシカルボニルメトキ
シイミノ−2−(4−チアシリ〜)アセトアミドクー3
−メチpチオメチA/−3−セフェム一番−カルボン酸
のベンズヒドリルエステル(シフ真性体)。
1?23゜1675 on (9) 7− [2−第三級ブトキシカルボニルメトキ
シイミノ−2−(4−チアシリ〜)アセトアミドクー3
−メチpチオメチA/−3−セフェム一番−カルボン酸
のベンズヒドリルエステル(シフ真性体)。
IR(ヌジョール) : 3S’i’0. 1770.
1?2o。
1?2o。
1660α
NMR(DM80−d6. J) : 1.42 (9
H,8)、 1.78 (3H,s)、 3.42−3
.’73 (4H,m)、 4.61 (2H,s)。
H,8)、 1.78 (3H,s)、 3.42−3
.’73 (4H,m)、 4.61 (2H,s)。
5.26 (LH,d、J= &()klz)、5.
87 (LH,dd。
87 (LH,dd。
J=4.0Hz、 8.0Hz)、 6.88 (LH
,s)、 ’2.13−7.60 (IOH,m)、
7.91 (IH,d、J=2.0Hz)。
,s)、 ’2.13−7.60 (IOH,m)、
7.91 (IH,d、J=2.0Hz)。
9.11 (IH,d、J=2.0Hz)、9.56
(LH,d、J二8.0Hz) (10)7− (2−カルボキシメトキシイミノ−2−
(4−チアゾリル)アセトアミドシー3−メチルfオ)
f#−5−セフェム−4−力tvボ41&C/ン興性俸
)0 IR(ヌジョー/I/) : 3180. 1775.
1720゜1675 cm (11)? −C2−第三級プトキシカ〜ボニ〜メトキ
シイミノ−2−(4−チアゾリル)アセトアミドツー3
−メトキシメチA/−3−セフェム−4−力〜ボン酸の
ベンズヒドリルエステA/(シン異性体)。
(LH,d、J二8.0Hz) (10)7− (2−カルボキシメトキシイミノ−2−
(4−チアゾリル)アセトアミドシー3−メチルfオ)
f#−5−セフェム−4−力tvボ41&C/ン興性俸
)0 IR(ヌジョー/I/) : 3180. 1775.
1720゜1675 cm (11)? −C2−第三級プトキシカ〜ボニ〜メトキ
シイミノ−2−(4−チアゾリル)アセトアミドツー3
−メトキシメチA/−3−セフェム−4−力〜ボン酸の
ベンズヒドリルエステA/(シン異性体)。
IR(ヌジョーA/) : 3250. 1780.
1720゜1655 cm NMR(DM80−d・e ’) ” 1.43 C9
M4)+ 3.06 (3H* e ) * ”J 6
(2H,m ) r ’−08(2He s ) r
4.63 (2H,s)、 5.23 (IH,d、J
=5.0Hz)。
1720゜1655 cm NMR(DM80−d・e ’) ” 1.43 C9
M4)+ 3.06 (3H* e ) * ”J 6
(2H,m ) r ’−08(2He s ) r
4.63 (2H,s)、 5.23 (IH,d、J
=5.0Hz)。
5.91 (LH,dd、J=5.0Hz、 8.0H
z)、 6.92DL”)+ 7.17−1.62
(IOH,is)、 7.91 (LH。
z)、 6.92DL”)+ 7.17−1.62
(IOH,is)、 7.91 (LH。
d、、T:ja、0Hz)、 9.12 (LH,d、
:J−2,0Hz)。
:J−2,0Hz)。
9.58 (IH、d 、 J== 8.0)1 z
)(1K)7− (2−カルボキシメトキシイミノ−2
−(4−テアシリA/)アセトアミド〕−3−メトキク
メチA/−3−セフェム一番−カルボン酸(シン異性体
)。
)(1K)7− (2−カルボキシメトキシイミノ−2
−(4−テアシリA/)アセトアミド〕−3−メトキク
メチA/−3−セフェム一番−カルボン酸(シン異性体
)。
工R(Xジv −yv ) : 3200. 1775
. 1720゜(13)? −(2−第三級ブトキシカ
〜ボニμメトキシイ書ノー2−(4−チアゾリル)アセ
トアミド〕−3−クロロー3−セフェム−4−カルボン
酸(シン異性体)。
. 1720゜(13)? −(2−第三級ブトキシカ
〜ボニμメトキシイ書ノー2−(4−チアゾリル)アセ
トアミド〕−3−クロロー3−セフェム−4−カルボン
酸(シン異性体)。
IR(ヌジョー/%/ ) : 1780. 17K)
、 110 cxr(14)7− (2−第三級ブト
キシカルボニμメトキシイミノ−2−(4−チアゾリル
)アセトアミド〕−3−クロロー3−セフェム−4−カ
ルボン酸の4−ニトロベンジルエステlv(シ/JR性
体)。
、 110 cxr(14)7− (2−第三級ブト
キシカルボニμメトキシイミノ−2−(4−チアゾリル
)アセトアミド〕−3−クロロー3−セフェム−4−カ
ルボン酸の4−ニトロベンジルエステlv(シ/JR性
体)。
IR(ヌジョー/L/) : 17B0. 1720.
1670゜1600 (m NMR(DM80−d・、 I) : 1.43 (9
H,s)、 3.88 (2H,q、J= 18.0H
z)、 4.63 (2H,8) 、 5.33(IH
,d、、T=5.0)Iz)、 5.4!S (2H,
s)、 5.94 (LH,dd 、J= 5.0Hz
、 8.0Hz)、 フ、6フ (2H,d。
1670゜1600 (m NMR(DM80−d・、 I) : 1.43 (9
H,s)、 3.88 (2H,q、J= 18.0H
z)、 4.63 (2H,8) 、 5.33(IH
,d、、T=5.0)Iz)、 5.4!S (2H,
s)、 5.94 (LH,dd 、J= 5.0Hz
、 8.0Hz)、 フ、6フ (2H,d。
J=8.0Hz)、 ’7.91 (111,d、J=
2.0Hz)、 8.23(2H,d、 J=8.0H
s)、 9.14 (IH,d、 J=2.0Hz)、
9.6’7 (LH,d、 J=8.0Hz)(15
)? −(2−力μボキシメトキシイミノー2−(4−
チアゾリル)アセトアミド〕−3−クロロー3−七7エ
ム−4−力μボン酸(シン異性体)。
2.0Hz)、 8.23(2H,d、 J=8.0H
s)、 9.14 (IH,d、 J=2.0Hz)、
9.6’7 (LH,d、 J=8.0Hz)(15
)? −(2−力μボキシメトキシイミノー2−(4−
チアゾリル)アセトアミド〕−3−クロロー3−七7エ
ム−4−力μボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジョール) : 3200.1775. 17
20゜1670 all (16)? −(2−第三級プトキシカルボニμメトキ
シインノー2−(4−チアシリ/v)アセトアミド〕−
3−ビニA/−3−セフェム−4−カルボン酸のベンズ
ヒドリルエステlv(シン異性体)。
20゜1670 all (16)? −(2−第三級プトキシカルボニμメトキ
シインノー2−(4−チアシリ/v)アセトアミド〕−
3−ビニA/−3−セフェム−4−カルボン酸のベンズ
ヒドリルエステlv(シン異性体)。
IR(ヌジョー/L/) : 32t50. 1770
. 1720゜1’710. 1655国 NMR(DM80ai@、 J) : x、4+ (9
H,s)、 3.75(2H,wr)、 4.64 (
2J@)、 5.28 (IH,d、、T=11−OH
z)、 5.29 (LH,d、J= 5.0Hz)、
5.62 (111、(1,J=11.0Hz)、
5.93 (lit、dd、J=5.0Hz。
. 1720゜1’710. 1655国 NMR(DM80ai@、 J) : x、4+ (9
H,s)、 3.75(2H,wr)、 4.64 (
2J@)、 5.28 (IH,d、、T=11−OH
z)、 5.29 (LH,d、J= 5.0Hz)、
5.62 (111、(1,J=11.0Hz)、
5.93 (lit、dd、J=5.0Hz。
s、□H=)、 6.グ〒 (IH,!d、J=
11.0Hss、 1)、0Hz)。
11.0Hss、 1)、0Hz)。
6.93 (IHsl)+ グ、35 (10M、
1)、 1.93(lヨ。
1)、 1.93(lヨ。
tl + J”Loll ) * st、14 (IH
、d a J−2,0Hz ) 。
、d a J−2,0Hz ) 。
9.62 (IH,d、J=8.0Hz)(17)?
−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−テアシ
リA/)アセトアミド〕−3−とニルm3−セフェム−
4−カルボン11(7ンJ4性体)。
−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−テアシ
リA/)アセトアミド〕−3−とニルm3−セフェム−
4−カルボン11(7ンJ4性体)。
IR(ヌジョーA/ ) : 1765. 1710.
1665 >(1B)7− [2−カルボキシメトキ
シイミノ−2−(4−テアシリ/L/)アセトアミドク
ー3−セフェム一番−カルボン酸(シン異性体)。
1665 >(1B)7− [2−カルボキシメトキ
シイミノ−2−(4−テアシリ/L/)アセトアミドク
ー3−セフェム一番−カルボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジョール) : 3280. 1750. 1
725゜1655、 1620 C11 (19)7−(2−ベンズヒドリρオキシカルボニルメ
トキシイミノ−2−(4−テアシリ/L/)アセトアミ
ド〕−3−セフェム−4−力μボン酸の1−グロビオニ
ルオキシエチルエステル(シン真性体)。
725゜1655、 1620 C11 (19)7−(2−ベンズヒドリρオキシカルボニルメ
トキシイミノ−2−(4−テアシリ/L/)アセトアミ
ド〕−3−セフェム−4−力μボン酸の1−グロビオニ
ルオキシエチルエステル(シン真性体)。
IR(ヌジョー/L/) : 1775. 1?35.
1680 ts(20)? −(2−ペンズヒドリル
オキシカルボニμメトキシイミノ−2−(4−テアシリ
U)アセトアミドツー3−セフェム一番−力μボン酸の
1−エトキシカ〜ボニμオキ7エテ〜エステル(クン異
性体)。
1680 ts(20)? −(2−ペンズヒドリル
オキシカルボニμメトキシイミノ−2−(4−テアシリ
U)アセトアミドツー3−セフェム一番−力μボン酸の
1−エトキシカ〜ボニμオキ7エテ〜エステル(クン異
性体)。
IR(ヌジョーμ) : 1780. 1750. 1
68(J on(21)? −(a−ベンズヒドリμオ
中シカルポニルメトキシイき)−2−(4−チアゾリル
)アセトアンド〕−3−セフェムー4−カルボン酸のピ
バロイルオキシメチルエステ/&/(シン異性体)。
68(J on(21)? −(a−ベンズヒドリμオ
中シカルポニルメトキシイき)−2−(4−チアゾリル
)アセトアンド〕−3−セフェムー4−カルボン酸のピ
バロイルオキシメチルエステ/&/(シン異性体)。
IR(ヌジョー〜):1780. 1740.1680
cm(22)7−(2−ベンズヒドリμオキシカルボ
ニμメトキシイミノ−2−(4−テアシリμ)アセトア
ンド〕−3−セフェム−4−力μボン酸の(6−メテ1
v−2−オキソ−1,3−ジオキ7−/L/−4−イA
/)メチルエステ/I/(シン異性体)。
cm(22)7−(2−ベンズヒドリμオキシカルボ
ニμメトキシイミノ−2−(4−テアシリμ)アセトア
ンド〕−3−セフェム−4−力μボン酸の(6−メテ1
v−2−オキソ−1,3−ジオキ7−/L/−4−イA
/)メチルエステ/I/(シン異性体)。
IR(ヌジョーμ) : 1810. 1?70. 1
730゜1670国 (X)?−[2−カルボキシメトキシイ建)−2−(4
−チアシリfi/)アセトアンドツー3−セフェム−4
−力yボン酸の1−プロピオニ〃オキシェテμエステμ
(シンJ[体)。
730゜1670国 (X)?−[2−カルボキシメトキシイ建)−2−(4
−チアシリfi/)アセトアンドツー3−セフェム−4
−力yボン酸の1−プロピオニ〃オキシェテμエステμ
(シンJ[体)。
IR(ヌジョーμ) : 3250. 1780. 1
750゜1680 (II (24)?−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(
4−テアシリ〜)アセドアイドツー3−セフェA−4−
力〃ボン酸の1−エトキシカルボニルオキシエテ〜エス
テル(シン異性体)。
750゜1680 (II (24)?−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(
4−テアシリ〜)アセドアイドツー3−セフェA−4−
力〃ボン酸の1−エトキシカルボニルオキシエテ〜エス
テル(シン異性体)。
IR(ヌジョール) : 1750 (ブロード) +
17’/−’(25)7−[2−力μボキシメトキシ
イミノー2−(4−チアゾリル)アセトアミドクー3−
セフェム−4−カルボン酸のピバロイルオキシメチルエ
ステ/L/(シン異性体)。
17’/−’(25)7−[2−力μボキシメトキシ
イミノー2−(4−チアゾリル)アセトアミドクー3−
セフェム−4−カルボン酸のピバロイルオキシメチルエ
ステ/L/(シン異性体)。
IR(ヌジョー)v ) : 1740 (ブロード)
。
。
1680 ca
(26)? −(2−力μボキシメトキシイミノーに−
(4−チアゾリル)アセトアミドクー3−セフェム−4
−カルボン酸のく5−メチ1v−2−オdt’)−1,
3−ジオキソ−!一番−イJv)メチルエステ14/(
シン異性体)。
(4−チアゾリル)アセトアミドクー3−セフェム−4
−カルボン酸のく5−メチ1v−2−オdt’)−1,
3−ジオキソ−!一番−イJv)メチルエステ14/(
シン異性体)。
IR(ヌジョー〜) : 1810. 1770. 1
730゜1670 > 実施例5 トリフ1vオ四酢酸(5,2M )を7−〔2−第三級
ブトキシカ〃ボニμメトキシイミノ−2−(4−テアシ
リ/I/)アセトアミドクー3−セフェム−4−カルボ
ン酸(シン異性体) (1,3f)の塩化メチレy(s
lm)およびアニソ−μ(1,3wJ )中動濁液に室
温で加え、混合物を同じ温度で1.5時間攪拌した。
730゜1670 > 実施例5 トリフ1vオ四酢酸(5,2M )を7−〔2−第三級
ブトキシカ〃ボニμメトキシイミノ−2−(4−テアシ
リ/I/)アセトアミドクー3−セフェム−4−カルボ
ン酸(シン異性体) (1,3f)の塩化メチレy(s
lm)およびアニソ−μ(1,3wJ )中動濁液に室
温で加え、混合物を同じ温度で1.5時間攪拌した。
この溶液にジイソプロピpエーテ/%/(401LJ)
とn−ヘキサン(3011j)とを攪拌下に加えた。沈
殿をP取し、ジイソプロピyエーテμとn−ヘキサンと
の混合筒[(1!l)で洗浄した。この沈FIk1に酢
酸エチルと水との混合物に加え、訳酸カリクム飽和水溶
液でpH’2.5 Kit整し友。分離した水層を10
%塩酸でpH4−OKml整し、この溶液を酢酸エテ〃
で洗浄した。この溶液を水冷下10%塩酸でpH1,8
Ki1整し友。沈殿をF取して冷水で洗浄し、五酸化リ
ンで減圧礼燥して、7−〔2−力pボΦジメトキシイン
ノー2−(4−テアシリ/I/)アセドア建ド〕−3−
セフェム−4−力μボン酸(シン異性体) (1,Of
) t−得た。
とn−ヘキサン(3011j)とを攪拌下に加えた。沈
殿をP取し、ジイソプロピyエーテμとn−ヘキサンと
の混合筒[(1!l)で洗浄した。この沈FIk1に酢
酸エチルと水との混合物に加え、訳酸カリクム飽和水溶
液でpH’2.5 Kit整し友。分離した水層を10
%塩酸でpH4−OKml整し、この溶液を酢酸エテ〃
で洗浄した。この溶液を水冷下10%塩酸でpH1,8
Ki1整し友。沈殿をF取して冷水で洗浄し、五酸化リ
ンで減圧礼燥して、7−〔2−力pボΦジメトキシイン
ノー2−(4−テアシリ/I/)アセドア建ド〕−3−
セフェム−4−力μボン酸(シン異性体) (1,Of
) t−得た。
工R(ヌジ*−IW) : 328o、 175o、
1725゜16155、 16to tx NMR(DM80−(1@、 J) : 3.58 (
花、in)@ 4−67(g4−67(、5,1m (
1a、a、 J=4J)Hz)、 a、8a(IH,d
、J=4.0Hz、8.011g)、6.45 (L
H,m)。
1725゜16155、 16to tx NMR(DM80−(1@、 J) : 3.58 (
花、in)@ 4−67(g4−67(、5,1m (
1a、a、 J=4J)Hz)、 a、8a(IH,d
、J=4.0Hz、8.011g)、6.45 (L
H,m)。
1.93 (LH,d、 J=2.0Hz)、 9.0
Si (lii、d。
Si (lii、d。
J=2.0Hz)、9.5ja (IH,d、J=8
.0Hz)実施例6 トリ7/L/オロ酢酸(8,4yd )を7−〔2−第
三級プトキシカμボニμメトキシイミノ−2−(4−テ
アシリ/L/)アセトアミド〕−3・−メチA/−3−
セフェムー4−力μボン酸(シン異性体) (2,1r
)の塩化メチレン(4,2id)およびアニソ−/I/
(2,1−)中動濁液に室温で加え、混合物を同じ温度
で1.5時間攪拌した。この溶液にジイソプロピルエー
テst (50su )とn−ヘキサン(30m)とを
加えて攪拌した。沈殿をP取してジイソプロピルエーテ
ルとn−ヘキサンとの混合溶媒(1:1)で洗浄した。
.0Hz)実施例6 トリ7/L/オロ酢酸(8,4yd )を7−〔2−第
三級プトキシカμボニμメトキシイミノ−2−(4−テ
アシリ/L/)アセトアミド〕−3・−メチA/−3−
セフェムー4−力μボン酸(シン異性体) (2,1r
)の塩化メチレン(4,2id)およびアニソ−/I/
(2,1−)中動濁液に室温で加え、混合物を同じ温度
で1.5時間攪拌した。この溶液にジイソプロピルエー
テst (50su )とn−ヘキサン(30m)とを
加えて攪拌した。沈殿をP取してジイソプロピルエーテ
ルとn−ヘキサンとの混合溶媒(1:1)で洗浄した。
沈yI!kt−酢酸エチルと水との混合物に加え、混合
物を縦酸カリウム飽和水溶液でpH’7.0に調整した
。分離した水層を10%塩酸でpH4に#!整し、酢酸
メチ〃で洗浄した。水層t−10%塩酸でpH18にl
#整して塩化ナトリウムを飽和させた。この酸性溶液を
酢酸エテμとテトラζドロ7ランとの混合筒K(1:l
)で抽出した。抽出液を塩化ナトリウム飽和水溶液で洗
浄し、a酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去して
、7−〔2−カルボキシメトキシインノ−2−(4−テ
アシリ/L/)アセドア建ド〕−3−メチA/−3−セ
フェム−4−力〜ボン酸(シン真性体) (1−Or)
t−得た。
物を縦酸カリウム飽和水溶液でpH’7.0に調整した
。分離した水層を10%塩酸でpH4に#!整し、酢酸
メチ〃で洗浄した。水層t−10%塩酸でpH18にl
#整して塩化ナトリウムを飽和させた。この酸性溶液を
酢酸エテμとテトラζドロ7ランとの混合筒K(1:l
)で抽出した。抽出液を塩化ナトリウム飽和水溶液で洗
浄し、a酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去して
、7−〔2−カルボキシメトキシインノ−2−(4−テ
アシリ/L/)アセドア建ド〕−3−メチA/−3−セ
フェム−4−力〜ボン酸(シン真性体) (1−Or)
t−得た。
IR(ヌジM−IV) : 1765. 1715.1
6?0cbNMR(DMBOds*す: 2.Q3 (
3H,8)、 3.47(2H,m)、 4.67 (
2H,a)、 5.13 (IH,d、 J= 5.
0Hzハ 5.)8 (IH,dd、 J=5.0
Hs、 8.0Hz)7.96 (1M、d、 J=
2.0Hz)、 9.15(IH,d、 、T=LO
Hz)、 9.52 (11(、d、J=8.0Hz)
実施例7 トリフルオロ酢酸(1,4yd )を7−〔2−ベンズ
ヒドリルオキ7カμボニμメトキシイオノ−2−(4−
テアシリl&/)アセトアミドクー3−七7!A −4
−力yホン酸の1−プロピオニルオキシエテルエステル
(シン真性体) (1・21’)の塩化メチレン(lo
m)およびアニソ−A/(O旧−)中動濁液に′M温で
加え、混合物を同じ温度で2時間攪拌した。この溶液に
ジイングロビμエーテ〜(50114)t−加えて攪拌
した。沈WkkP取し、ジイソプロピルエーテyで洗浄
した。沈殿を酢酸エチルと水との混合物に加え、この混
合物t−i酸カジカリウム2096水溶液H7,5にI
H整した。分離した水層を1096塩酸でpH2,04
C胸整して酢酸エチルで抽出した。抽出層を塩化ナトリ
ウム°飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し
几後、溶媒t−留去した。残渣をジイソプロピルエーテ
ルで洗浄し、P取して、?−(2−力yボキシメトキシ
イミノ−2−(4−テアシリA/)アセトアミド〕−3
−セフェム一番−力μボン酸の1−プロピオニμオキシ
エチμエステlv(シン異性体) (0,4”/l)
t−得た。
6?0cbNMR(DMBOds*す: 2.Q3 (
3H,8)、 3.47(2H,m)、 4.67 (
2H,a)、 5.13 (IH,d、 J= 5.
0Hzハ 5.)8 (IH,dd、 J=5.0
Hs、 8.0Hz)7.96 (1M、d、 J=
2.0Hz)、 9.15(IH,d、 、T=LO
Hz)、 9.52 (11(、d、J=8.0Hz)
実施例7 トリフルオロ酢酸(1,4yd )を7−〔2−ベンズ
ヒドリルオキ7カμボニμメトキシイオノ−2−(4−
テアシリl&/)アセトアミドクー3−七7!A −4
−力yホン酸の1−プロピオニルオキシエテルエステル
(シン真性体) (1・21’)の塩化メチレン(lo
m)およびアニソ−A/(O旧−)中動濁液に′M温で
加え、混合物を同じ温度で2時間攪拌した。この溶液に
ジイングロビμエーテ〜(50114)t−加えて攪拌
した。沈WkkP取し、ジイソプロピルエーテyで洗浄
した。沈殿を酢酸エチルと水との混合物に加え、この混
合物t−i酸カジカリウム2096水溶液H7,5にI
H整した。分離した水層を1096塩酸でpH2,04
C胸整して酢酸エチルで抽出した。抽出層を塩化ナトリ
ウム°飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し
几後、溶媒t−留去した。残渣をジイソプロピルエーテ
ルで洗浄し、P取して、?−(2−力yボキシメトキシ
イミノ−2−(4−テアシリA/)アセトアミド〕−3
−セフェム一番−力μボン酸の1−プロピオニμオキシ
エチμエステlv(シン異性体) (0,4”/l)
t−得た。
IR(ヌジョー/I/) : 3250. 17B0.
1750゜1680国 NMR(DMBO−d・、δ) : 1.05 (31
1,t、 J=マ、0Hx)、 1.49 (3H,d
、 J=5.0Hz)、 2.36(2Ht q*
l−7−OH2)s 3−63 (S!H1!El
) 、 4.66(2H,a)、 5.16 (111
,d、 J:4−0Hz)、 5.93(IH,dd、
J一番、OHz、 8.0Hz’)、 6.59 (
IH。
1750゜1680国 NMR(DMBO−d・、δ) : 1.05 (31
1,t、 J=マ、0Hx)、 1.49 (3H,d
、 J=5.0Hz)、 2.36(2Ht q*
l−7−OH2)s 3−63 (S!H1!El
) 、 4.66(2H,a)、 5.16 (111
,d、 J:4−0Hz)、 5.93(IH,dd、
J一番、OHz、 8.0Hz’)、 6.59 (
IH。
t、 J=4.0Hz)、 6.89.(IH,q、
J=5.0Hz)。
J=5.0Hz)。
7.93 (IH,d、 J=2.0Hz)、
9.13 (IH,d、 J=2.0Hz)、 9
.54 (IH,d、 X=8.0Hz)実施例8 トリノ/L/オロ酢酸(11,21Ilj)を7−〔2
−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(4
−テアシリIA/)アセトアミド〕−3−ビニA/−3
−七7エムー4−力μボン酸のベンズヒドリルエX f
lv(シン異性体) (2−8?)の塩化メチレン(
5,6iu)およびアニソ−/I/(2−8ml )中
動濁液に室温で加え%混合物!同じ温度で1.5時間攪
拌した。
9.13 (IH,d、 J=2.0Hz)、 9
.54 (IH,d、 X=8.0Hz)実施例8 トリノ/L/オロ酢酸(11,21Ilj)を7−〔2
−第三級ブトキシカルボニルメトキシイミノ−2−(4
−テアシリIA/)アセトアミド〕−3−ビニA/−3
−七7エムー4−力μボン酸のベンズヒドリルエX f
lv(シン異性体) (2−8?)の塩化メチレン(
5,6iu)およびアニソ−/I/(2−8ml )中
動濁液に室温で加え%混合物!同じ温度で1.5時間攪
拌した。
この溶液にジイソプロピルエーテA/ (40ml )
およびn−ヘキサノ(30d)t−加えて攪拌した。
およびn−ヘキサノ(30d)t−加えて攪拌した。
m*tF取してジイソプロピμエーテ〜とn−へ中テン
との混合溝[(1:、1)で洗浄した。この沈殿を酢酸
エテ〜と水との混合物に加えて酢酸カリウム飽和水溶液
でpH’/、OK−NIE した。分離した水Jltl
o%塩酸でpH4,0に絢整して酢酸エチルで洗浄した
。水層t−10%塩酸でpH1,8に11!1し、塩化
ナトリウムを飽和させた。この酸性溶液を酢酸エチルと
テトラヒト07ランの混&溶g(1:l)で抽出した。
との混合溝[(1:、1)で洗浄した。この沈殿を酢酸
エテ〜と水との混合物に加えて酢酸カリウム飽和水溶液
でpH’/、OK−NIE した。分離した水Jltl
o%塩酸でpH4,0に絢整して酢酸エチルで洗浄した
。水層t−10%塩酸でpH1,8に11!1し、塩化
ナトリウムを飽和させた。この酸性溶液を酢酸エチルと
テトラヒト07ランの混&溶g(1:l)で抽出した。
抽出液を塩化ナトリウム飽和水溶液で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥し九L sit留去して、 7−(−m
−カルボキシメトキシインノー2−(4−チアシリlv
)アセトアミド〕−3−ビニA/ −3−セフmA’−
4−カルボン酸(シン真性体) (1,22r) t−
得九。
ネシウムで乾燥し九L sit留去して、 7−(−m
−カルボキシメトキシインノー2−(4−チアシリlv
)アセトアミド〕−3−ビニA/ −3−セフmA’−
4−カルボン酸(シン真性体) (1,22r) t−
得九。
IR(ヌジ’ii −IV ) : 1765. 17
10. 166e+ rxrNMR(DMBO−d@、
δ) : 3.71 (2H,Ell)、 4−’12
(2H,a)、5.26 (LH,d、J=5−O
Hz)、5.37 (lHld、 J= u、0H
z)、 5.61 (IH,d 、 J= l
)、0Hz)。
10. 166e+ rxrNMR(DMBO−d@、
δ) : 3.71 (2H,Ell)、 4−’12
(2H,a)、5.26 (LH,d、J=5−O
Hz)、5.37 (lHld、 J= u、0H
z)、 5.61 (IH,d 、 J= l
)、0Hz)。
5.91 (LH,dd、 J=5.0Hz、 8.0
Hz)、 6.98 (IH,dd、 J= 11
.0Hz、 l)、0Hz)、 8.02 (
LH。
Hz)、 6.98 (IH,dd、 J= 11
.0Hz、 l)、0Hz)、 8.02 (
LH。
d、 J=2.0Hz)、 9.21 (LH,d、
J=2.0Hz)。
J=2.0Hz)。
9.64 (IJd、 、T=8.0Hz)さらに、?
−(2−カルボキシメトキシインノ−g−(4−デアシ
リ/L/)アセトアミド〕−3−ビニA/−3−セフェ
ム−4−カルボン酸(シン真性体)t−ff酸水素ナト
リウムと慣用の方法で反応させることによfi、?−(
2−、t#ボキシラートメトキシインノー2−(4−テ
アシリ/L/)アセトアミドツー3−ビニA/−3−セ
フェム一番−カルボン酸のジナトリウム塩(シン異性体
)t−得た。
−(2−カルボキシメトキシインノ−g−(4−デアシ
リ/L/)アセトアミド〕−3−ビニA/−3−セフェ
ム−4−カルボン酸(シン真性体)t−ff酸水素ナト
リウムと慣用の方法で反応させることによfi、?−(
2−、t#ボキシラートメトキシインノー2−(4−テ
アシリ/L/)アセトアミドツー3−ビニA/−3−セ
フェム一番−カルボン酸のジナトリウム塩(シン異性体
)t−得た。
実施例9
実施例5〜8の方法に準じて、下記の化合物を得た。
(]) 7− [2−力〜ボキシメトキシイミノー2−
(4−チアシリlv)アセトアミド]−2−メチルー3
−セフェム−4−力μボン酸(シンjn体)。
(4−チアシリlv)アセトアミド]−2−メチルー3
−セフェム−4−力μボン酸(シンjn体)。
IR(JCC10A/) : 1770. 1720.
1670゜1630国 NMR(DMSO−as、δ) : 1.43 (3H
,d、 J=7.0Hz)。
1670゜1630国 NMR(DMSO−as、δ) : 1.43 (3H
,d、 J=7.0Hz)。
3.120Ht”)+ 4.61(2H,a)、 15
.13 (IH,d。
.13 (IH,d。
J=4.0Hz)、 5.93 (11,dd、 !−
4,0Hz、 8.0Hz)、 6.55 (IH,d
、 J=6.0Hz)、 ’1−92 (LH。
4,0Hz、 8.0Hz)、 6.55 (IH,d
、 J=6.0Hz)、 ’1−92 (LH。
d、 J=2.0Hz)、 9.12 (IH,d、
J=2.0Hz)。
J=2.0Hz)。
9.53 (IH,4,J=8.0Hz)(2) ?
−[2−力μボキシメトキシイミノー2−(4−テアシ
リJ4/)アセドアiド]−3−メトキシ−5−セフェ
ム−4−力μボン酸(シン異性体)。
−[2−力μボキシメトキシイミノー2−(4−テアシ
リJ4/)アセドアiド]−3−メトキシ−5−セフェ
ム−4−力μボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジョーIV ) : 31B0.1760.
1665 crnNMR(DMSO−d、、 δ)
: 3.60 (2H,ブロード 8)。
1665 crnNMR(DMSO−d、、 δ)
: 3.60 (2H,ブロード 8)。
3、’l (3H,e)、4.68 (2H,s)
、5.18 (LH,d。
、5.18 (LH,d。
J=5.0Hz)、5.62 (IH,dd、J=5
.0Hz、8.0Hz)、8.02 (11(、d、
J=2.0Hz)、9.15 (IJd、J=2.0
Hz)、9.52 (IH;d、J=8.0Hz)(
3) 7− (2−力μボキシメトキシイミノー2−(
4−チアシリA/ )アセトアミド〕セファロスポラン
酸(シン異性体)。
.0Hz、8.0Hz)、8.02 (11(、d、
J=2.0Hz)、9.15 (IJd、J=2.0
Hz)、9.52 (IH;d、J=8.0Hz)(
3) 7− (2−力μボキシメトキシイミノー2−(
4−チアシリA/ )アセトアミド〕セファロスポラン
酸(シン異性体)。
IR(ヌジョーlL/) : 3200. l’/8
0. 1723゜1675 am NMR(DMSO−d@、 J) : 2.01 (3
H,s)、 3.56(2H,m)、4.67 (2H
,s)、4−83 (2H,q。
0. 1723゜1675 am NMR(DMSO−d@、 J) : 2.01 (3
H,s)、 3.56(2H,m)、4.67 (2H
,s)、4−83 (2H,q。
J= 14.0Hz)、 5.17 (LH,d、 J
= 4.0Hz) 。
= 4.0Hz) 。
5.85 (LH,dd、 J=4.0Hz、 8.0
Hz)、 7.92(IH,d、J=2.0Hz)、
9.:12(IH,d、 J=2.08名)、 9.5
4 (IH,d、 I=8.0Hz)(4) ? −[
2−カルボキシメトキシイミノ−2−(番−チアシリy
)アセトアミド]−3−メチルチオメチ〜−3−セフェ
ム−4−力μボン酸(シン異性体)。
Hz)、 7.92(IH,d、J=2.0Hz)、
9.:12(IH,d、 J=2.08名)、 9.5
4 (IH,d、 I=8.0Hz)(4) ? −[
2−カルボキシメトキシイミノ−2−(番−チアシリy
)アセトアミド]−3−メチルチオメチ〜−3−セフェ
ム−4−力μボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジョーA/ ) : 318t)、 177
5. 1720゜1675 > NMR(DMSO−d・、 δ) : 1.96
(3H+s)+ ”’ツー3.76 (4H,!E
l)、 4.6’7 (2H,8)、 5.20
(IH。
5. 1720゜1675 > NMR(DMSO−d・、 δ) : 1.96
(3H+s)+ ”’ツー3.76 (4H,!E
l)、 4.6’7 (2H,8)、 5.20
(IH。
d、、T=番、0Hz)、 5.グ9 (IH,d
d、J= 4.0Hz。
d、J= 4.0Hz。
8.0Hz)、7.93 (IH,d、J=2.0H
z)、 9.12 (IH,d、J=2.0Hz)
、9.54 (IH,d、J=8.0Hz)(5)
? −(2−力μボキクメトキシイミノー2−(4−テ
アシリfi/)アセトアミド〕−3−メトキシメチA/
−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
z)、 9.12 (IH,d、J=2.0Hz)
、9.54 (IH,d、J=8.0Hz)(5)
? −(2−力μボキクメトキシイミノー2−(4−テ
アシリfi/)アセトアミド〕−3−メトキシメチA/
−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジョーり : 3200. 1775. 17
20゜1675国 NMR(DMSO−d@、 J) : 3.2ツ(3H
,s)、 3.52(2H,m)、 4.16 (21
1,s)、 4.66 (2H,e)。
20゜1675国 NMR(DMSO−d@、 J) : 3.2ツ(3H
,s)、 3.52(2H,m)、 4.16 (21
1,s)、 4.66 (2H,e)。
5.16 (lil、d、 J=4.0Hz)、 5.
81 (IH,dd。
81 (IH,dd。
J= 4.0Hz、 8.0Hz)、 7.91 (L
H,d、 I=2.0Hz)、 9.11 (111,
d、 J=2.0Hz)、 9−52 (IH,d、
J−8,0Hz) (6) ?−(2−力μボキシメトキシイミノー2−(
4−テアシリA/)アセトアミドクー3−クロロ−3−
セフェム−4−力μボンta<シン異性体)。
H,d、 I=2.0Hz)、 9.11 (111,
d、 J=2.0Hz)、 9−52 (IH,d、
J−8,0Hz) (6) ?−(2−力μボキシメトキシイミノー2−(
4−テアシリA/)アセトアミドクー3−クロロ−3−
セフェム−4−力μボンta<シン異性体)。
IR(ヌジョーtv) : 3200. 1?75.
l’/2u。
l’/2u。
1670 (2II
NMR(DMSO−d、、 δ): 3.81
(2H,Q、J二lb、t’+Hz)、 4.65 (
2H,a)、 5.25 (1)1.d、 J −5,
0Hz)、5J3ツ (IH,dd、 J=5.0H
z、 8.0Hz)。
(2H,Q、J二lb、t’+Hz)、 4.65 (
2H,a)、 5.25 (1)1.d、 J −5,
0Hz)、5J3ツ (IH,dd、 J=5.0H
z、 8.0Hz)。
7.72 (LH,d、 J=2.0Hz)、 9.1
0 (LH,d、 J= 2.0Hz)、 9.63
(LH,d、 J= 8.0Hz)(7) ? −(2
−力μボキシメトキシイミノー2−(4−チアゾリル〕
アセトアミド〕−3−セフェム−4−カルボン酸の1−
エトキシカルボニルオキシエチルエステル(シン異性体
)。
0 (LH,d、 J= 2.0Hz)、 9.63
(LH,d、 J= 8.0Hz)(7) ? −(2
−力μボキシメトキシイミノー2−(4−チアゾリル〕
アセトアミド〕−3−セフェム−4−カルボン酸の1−
エトキシカルボニルオキシエチルエステル(シン異性体
)。
工R(ヌジョーA/ ) : 1750(ブロード)。
1770 tx
NMR(DMSO−d、、す: 1.09 and 1
.22 (全体3H,それぞれt、 J=7.QH工)
、 1.50 (3H,d。
.22 (全体3H,それぞれt、 J=7.QH工)
、 1.50 (3H,d。
J=5.0Hz)、 3.63 (2H,m)、 4.
16 (2H,q。
16 (2H,q。
J=7.0Hz)、 4−66 (2H,s)、 5.
16 (LH,d。
16 (LH,d。
J==4.0Hz)、 5.93 (IH,m)、 6
.62 (IH,t。
.62 (IH,t。
J一番、0Ht)、 6.77 (IJQ、 J
=6.0Hz)、 ’7.94(IH,d、J=2.
0Hz)、j、14 (IH,d、 J=2.0H
z)、 9.56 (LH,d、J二8.0Hz)
(8) ? −[2−力〜ボキシメトキシインノ−2−
(4−チアゾリル)アセトアミドクー3−セフェム−4
−カルボン酸のビバロイ〃オキシメチ〜エステル(シン
異性体)。
=6.0Hz)、 ’7.94(IH,d、J=2.
0Hz)、j、14 (IH,d、 J=2.0H
z)、 9.56 (LH,d、J二8.0Hz)
(8) ? −[2−力〜ボキシメトキシインノ−2−
(4−チアゾリル)アセトアミドクー3−セフェム−4
−カルボン酸のビバロイ〃オキシメチ〜エステル(シン
異性体)。
IR(ヌジョー/%/ ) : 174fノ(ブロード
ハ1680 txt NMR(DMSO−d@、 I) : 1.14
(9H,ロン、 3.60(2H,q、 J=1
8.0Hz)、 4.63 (2M、8)。
ハ1680 txt NMR(DMSO−d@、 I) : 1.14
(9H,ロン、 3.60(2H,q、 J=1
8.0Hz)、 4.63 (2M、8)。
5.13 (IH,d、 J=4.0Hz)、 5J5
2−6.03(3H。
2−6.03(3H。
a+)、 6.55 (LH,t、 J−−Hz)、
7.81(1■。
7.81(1■。
d、 J−2,011g)、 9.06 (LH,d、
J=2.0Hz)。
J=2.0Hz)。
9.48 (IH,d、 J=8.0Hz)(9) ?
−(2−力〜ボキシメトキシイミノー2−(4−テア
シリI4/)ア竜ドアミド〕−3−セフェム−4−力〜
ボン酸の(5−メチA/−2−オキンー1.3−ジオキ
ン−μm4−イI′v)メチルエステ〜(シン異性体)
。
−(2−力〜ボキシメトキシイミノー2−(4−テア
シリI4/)ア竜ドアミド〕−3−セフェム−4−力〜
ボン酸の(5−メチA/−2−オキンー1.3−ジオキ
ン−μm4−イI′v)メチルエステ〜(シン異性体)
。
工R(ヌジ1i−A/) : 1B10. 1770.
l’/jQ。
l’/jQ。
1670国
NMR(DMSO−d・+ ’) ” 2−18
(3H,a)、 3−62 (2H,vn)、 4.
67 (2H,aン、5.15 (2H,s)+5
−16 (IH,d、、T5.0Hs)、5.93
(1もdd。
(3H,a)、 3−62 (2H,vn)、 4.
67 (2H,aン、5.15 (2H,s)+5
−16 (IH,d、、T5.0Hs)、5.93
(1もdd。
J=5.0Hz、8.0Hz)、6.60 (LH,
t、 J=4.0Hz)。
t、 J=4.0Hz)。
7.95 (LH,d、 J−2−OHz)、
9.15 (IH,d、 J二LOHz)、9.5
6 (LH,d、J−8,0Hz)実施例10 7−〔2−第三級ブトキクカルボニルメトキシイミノ−
2−(4−チアシリ〃)アセトアミド〕−3−メトキシ
−3−セフェム−4−カルボン酸の4−二トロベンジp
エステ/l/(シンX性体) (2,9r) t−メタ
ノ−/L/(50117)、テトラヒドロフラン(30
mg)および氷酢酸(0,5wJ )の混合溶媒に溶解
し次。この溶液にlO%パ2ジウムー脚素(1,5r)
を加えて混合物を室温で大気圧下に接触還元に付した。
9.15 (IH,d、 J二LOHz)、9.5
6 (LH,d、J−8,0Hz)実施例10 7−〔2−第三級ブトキクカルボニルメトキシイミノ−
2−(4−チアシリ〃)アセトアミド〕−3−メトキシ
−3−セフェム−4−カルボン酸の4−二トロベンジp
エステ/l/(シンX性体) (2,9r) t−メタ
ノ−/L/(50117)、テトラヒドロフラン(30
mg)および氷酢酸(0,5wJ )の混合溶媒に溶解
し次。この溶液にlO%パ2ジウムー脚素(1,5r)
を加えて混合物を室温で大気圧下に接触還元に付した。
触媒をp別し、P液を減圧濃縮した。
残渣に水と酢酸エテμとを加え、混合物′ik抜酸カリ
ウム飽和水溶液でpH7,5に調整した。分離した水層
を10%塩酸でpH2,0VC調整し、酢酸エテμで抽
出した。抽出液を塩化ナトリウム飽和水fgf&で洗浄
し、硫酸マダネシクムで乾燥しA後、溶媒を留去して、
7−〔2−第三級ブトキクカルボニルメトキシイミノ−
2−(4−テアシリ〜)アセドアきド〕−3−メトキシ
ー3−セフェム一番−力μボン酸(シン異性体)(1,
)1f)を得た。
ウム飽和水溶液でpH7,5に調整した。分離した水層
を10%塩酸でpH2,0VC調整し、酢酸エテμで抽
出した。抽出液を塩化ナトリウム飽和水fgf&で洗浄
し、硫酸マダネシクムで乾燥しA後、溶媒を留去して、
7−〔2−第三級ブトキクカルボニルメトキシイミノ−
2−(4−テアシリ〜)アセドアきド〕−3−メトキシ
ー3−セフェム一番−力μボン酸(シン異性体)(1,
)1f)を得た。
工R(ヌジョーA/ ) : 1770. 1690
(ブロード)1 NMR(DMSO−d4. J) : L44 (9J
s)、 3.60($’L8)t ’グ5 (3H,a
)、 4.63 (2HeB)+5.16 (lJd、
J=4−.0Hs)、 5.61 (IH,dd。
(ブロード)1 NMR(DMSO−d4. J) : L44 (9J
s)、 3.60($’L8)t ’グ5 (3H,a
)、 4.63 (2HeB)+5.16 (lJd、
J=4−.0Hs)、 5.61 (IH,dd。
J4.OHs、 s、oax)s フ、96 (
IH,d、 !=2.0F1z)。
IH,d、 !=2.0F1z)。
9.13 (IJd、 J−2,0Hz)、 9−50
(LH,d、 J−B、QH,) 実施例11 実施例10の方法に準じて下記の化合物會得た。
(LH,d、 J−B、QH,) 実施例11 実施例10の方法に準じて下記の化合物會得た。
(1)”7−(11−11三級プトキシカ〜ボ3fi/
メトキシイイノ−2−(4−テアシリμ)アセドアtド
〕−3−メチA/−3−セフェム−4−カルボン酸(シ
ン異性体)。
メトキシイイノ−2−(4−テアシリμ)アセドアtド
〕−3−メチA/−3−セフェム−4−カルボン酸(シ
ン異性体)。
IR(ヌジョーlv) : 1750 (ブロード)
、 1710゜1680 ts (2) ? −(g−カルボキシメトキシイミノ−2−
(4−テアシリ/I/)アセトアミド〕−3−メチ〜−
3−セフェム−4−力μボン酸(シン異41)。
、 1710゜1680 ts (2) ? −(g−カルボキシメトキシイミノ−2−
(4−テアシリ/I/)アセトアミド〕−3−メチ〜−
3−セフェム−4−力μボン酸(シン異41)。
IR(ヌジョーA/ ) : 1765. 1715.
1670 cIn(3) ? −(21−第三級ブト
キクカルボニルメトキシイミノ−2−(4−テアシリ〜
)アセトアミドツー2−メチA/−3−セフェム−4−
力〜ボン酸(シン異性体)。
1670 cIn(3) ? −(21−第三級ブト
キクカルボニルメトキシイミノ−2−(4−テアシリ〜
)アセトアミドツー2−メチA/−3−セフェム−4−
力〜ボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジi−/I’) : 1780. 1720.
1670゜1630 (1111 (4) ? −(2−カルボキシメトキシイミノ−2−
(4−チアシリA/)アセドア建ド〕−2−メチμ−3
−セフェム−4−力μボン酸(シン異性体)。
1670゜1630 (1111 (4) ? −(2−カルボキシメトキシイミノ−2−
(4−チアシリA/)アセドア建ド〕−2−メチμ−3
−セフェム−4−力μボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジョー/%’) : 1770. 1720.
1670゜1630 ts (5) ? −(2−カ〜ボキシメトキシイミノー2−
(4−チアシリりアセトアミドクー3−メトキシ−3−
セフェム一番−カルボン酸(シン異性体)。
1670゜1630 ts (5) ? −(2−カ〜ボキシメトキシイミノー2−
(4−チアシリりアセトアミドクー3−メトキシ−3−
セフェム一番−カルボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジH−A/ ) : 31B0. 1760.
1665 ca”(6) 7− (2−第三級プトキ
シヵyボニμメ)−+ジイミノー2−(4−テアシリ/
I/)アセトアミド〕セファロスボ2ン酸(シン異性体
)。
1665 ca”(6) 7− (2−第三級プトキ
シヵyボニμメ)−+ジイミノー2−(4−テアシリ/
I/)アセトアミド〕セファロスボ2ン酸(シン異性体
)。
IR(XジEl−、A/) : 3200. 1780
. 1720゜1670m” (7) ? −(2−#〜ボキシメトキシイ1)−2−
(4−チアゾリル)アセドア建ド〕セ7アロスポツン酸
(シン異性体)。
. 1720゜1670m” (7) ? −(2−#〜ボキシメトキシイ1)−2−
(4−チアゾリル)アセドア建ド〕セ7アロスポツン酸
(シン異性体)。
IR(ヌジW−/L/) : 3200. 1780.
1723゜1675cm’ (8) ? −(jil−力μボキシメトキシイ建ノー
2−(4−チアシリ!〕アセトアンド〕−3−メテルデ
オメテA/−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性
体)。
1723゜1675cm’ (8) ? −(jil−力μボキシメトキシイ建ノー
2−(4−チアシリ!〕アセトアンド〕−3−メテルデ
オメテA/−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性
体)。
工R(Xジ!−7M) : 3180. 1775.
1720゜1675QIl’ (9) ? −C2−カルボキシメトキシイミノ−2−
(4−チアシリμ)アセトアミドクー3−メトキシメチ
A/−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
1720゜1675QIl’ (9) ? −C2−カルボキシメトキシイミノ−2−
(4−チアシリμ)アセトアミドクー3−メトキシメチ
A/−3−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)。
工R(Xジ:1−/L/) ::lOo、 1775
. 1?20゜1675 cm (10)7− C2−第三級ブトキシカルボニルメトキ
シイミノ−2−(4−チアシリ/v)アセトアミドJ−
3−クロロー3−セフェム−4−カルボン酸くシン異性
体)。
. 1?20゜1675 cm (10)7− C2−第三級ブトキシカルボニルメトキ
シイミノ−2−(4−チアシリ/v)アセトアミドJ−
3−クロロー3−セフェム−4−カルボン酸くシン異性
体)。
IR(ヌジEi −IV ) : 1780. 172
0. 1680 cMNMR(DMSO−d6. J)
: 1.43 (9H,s)、 3.81(2H,Q
、 J=18.0Hz)、 4.61 (2H,a)、
5.26(1111,d、 J=5,0Hz)、 5
.86 (IH,dd、 J=5.0Fiz、 8.0
H2)、 7.99 (IH,d、 J−2,0Hz)
、 9.12!(LH,d、 J−2,0Hz)、 9
.54 (IH,d、 J=8Hz)(11)? −[
2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−チアゾリル
)アセトアミドツー3−クロロ−3−セフェム−4−力
μボン酸(シン異性体)。
0. 1680 cMNMR(DMSO−d6. J)
: 1.43 (9H,s)、 3.81(2H,Q
、 J=18.0Hz)、 4.61 (2H,a)、
5.26(1111,d、 J=5,0Hz)、 5
.86 (IH,dd、 J=5.0Fiz、 8.0
H2)、 7.99 (IH,d、 J−2,0Hz)
、 9.12!(LH,d、 J−2,0Hz)、 9
.54 (IH,d、 J=8Hz)(11)? −[
2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−チアゾリル
)アセトアミドツー3−クロロ−3−セフェム−4−力
μボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジョー、&) : 3200.1??5.17
20゜1670 (Ml (12)7− (: a−カルボキシメトキシイミノ−
2−(4−テアシリ/L/)アセトアミド〕−3−ビニ
ルー3−セフェム−4−力pボン酸(シン異性体)。
20゜1670 (Ml (12)7− (: a−カルボキシメトキシイミノ−
2−(4−テアシリ/L/)アセトアミド〕−3−ビニ
ルー3−セフェム−4−力pボン酸(シン異性体)。
工R(ヌジョー# ) : 17615.1710.1
665 CI!(13)? −[2−第三級ブトキシカ
ルボニ〃メトキシイ(〕−2−(4−チアシリA/)ア
セトアミドクー3−セフェム−4−力μボン酸(シン異
性体)。
665 CI!(13)? −[2−第三級ブトキシカ
ルボニ〃メトキシイ(〕−2−(4−チアシリA/)ア
セトアミドクー3−セフェム−4−力μボン酸(シン異
性体)。
IR(ヌジョーA/) : 3240. 1775.
1716゜1670、 1630国 (14)? −(2−力μボキシメトキシイミノー2−
(4−チアシリA/)アセドア建ド)−3−セフェム−
4−力!ボン酸(シン異性体)。
1716゜1670、 1630国 (14)? −(2−力μボキシメトキシイミノー2−
(4−チアシリA/)アセドア建ド)−3−セフェム−
4−力!ボン酸(シン異性体)。
IR(ヌジ璽−/I/) : 3280. i?50
. 1725゜1655、 1620 as (IJ5)? −(2−ベンズヒドリμオキシカルボニ
μメトキシイ建)−2−(4−テアシリ/&/)アセド
ア建ド〕−3−セフェム一番−力μボン酸(シン異性体
)。
. 1725゜1655、 1620 as (IJ5)? −(2−ベンズヒドリμオキシカルボニ
μメトキシイ建)−2−(4−テアシリ/&/)アセド
ア建ド〕−3−セフェム一番−力μボン酸(シン異性体
)。
IR(ヌジ璽−A/) : 1775. 1720.
1675゜1630 am 実施例12 グロピオン酸の1−クロロエf/’L’エステA/(0
,6f)t−ジメテ〃スμホキシト(x3m)中の7−
〔2−ベンズヒドリyオキ7カμボニμメトキシイミノ
−2−(4−テアシリlv)アセトアミド〕−3−七フ
二五一番−力yポン酸(シン異性体)(に、Ov)およ
び訳酸カリワム(0,3f)の混合物に加え、混合物を
40℃で2時間攪拌した。反応混合物を氷水と酢酸エテ
μとの混合物に加え、209自訳酸カリウム水溶液でp
H’7.5に1整した。分離した有機層を水洗し、硫酸
iクネシウムで乾燥した後、溶V&を留去して?−〔3
−ベンズヒドリyオキシカμボニμメトキシイミノ−2
−(4−テアシリ/L/)アセトアミド〕−3−セフェ
ム−4−カルボン酸の1−7’ロビオニ〜オキシエチル
エステ/%/(シン異性体) (1,3r)を得た。
1675゜1630 am 実施例12 グロピオン酸の1−クロロエf/’L’エステA/(0
,6f)t−ジメテ〃スμホキシト(x3m)中の7−
〔2−ベンズヒドリyオキ7カμボニμメトキシイミノ
−2−(4−テアシリlv)アセトアミド〕−3−七フ
二五一番−力yポン酸(シン異性体)(に、Ov)およ
び訳酸カリワム(0,3f)の混合物に加え、混合物を
40℃で2時間攪拌した。反応混合物を氷水と酢酸エテ
μとの混合物に加え、209自訳酸カリウム水溶液でp
H’7.5に1整した。分離した有機層を水洗し、硫酸
iクネシウムで乾燥した後、溶V&を留去して?−〔3
−ベンズヒドリyオキシカμボニμメトキシイミノ−2
−(4−テアシリ/L/)アセトアミド〕−3−セフェ
ム−4−カルボン酸の1−7’ロビオニ〜オキシエチル
エステ/%/(シン異性体) (1,3r)を得た。
IR(ヌジョー/l/ ) : 1775. 1735
. 1680σNMR(DMSO−d4. J) :
1.04 (3H,t、 J4.0Hz)。
. 1680σNMR(DMSO−d4. J) :
1.04 (3H,t、 J4.0Hz)。
1.51(3Jd、 J=5.0Hs)、 2.38
(2H1ql J=7、Oklm)、 3.60
(2H,m)、 4.94 (2H,a)、 5
.18(IH,d、J−4,0Hz)、5.96 (
IH,dd、J”4.0Hz、8.0Hz)、6.63
(IH,t、J4.0Hz)、6.91(LH,a
)、6.93 (IH,q、J=5.0Hz)、7.
20−7.59 (IOH,m)、’i’、92
(IJd、J=2.0Hz)。
(2H1ql J=7、Oklm)、 3.60
(2H,m)、 4.94 (2H,a)、 5
.18(IH,d、J−4,0Hz)、5.96 (
IH,dd、J”4.0Hz、8.0Hz)、6.63
(IH,t、J4.0Hz)、6.91(LH,a
)、6.93 (IH,q、J=5.0Hz)、7.
20−7.59 (IOH,m)、’i’、92
(IJd、J=2.0Hz)。
9.18 (lJd、J:S2.0Hz)、9.68
(LH,d、J=8.0H2) 実施例13 4−ブロモメゾμm5−メチA/ −1,3−ジオキソ
−fi/−2−オン(0,59)をジメデ〜スルホキシ
ド(ツー)中の7−[2−ベンズヒドリルオキシカルボ
ニルメトキシイミノ−2−(4−テアシリ〃)アセドア
イド]−3−セフェム−4−力μボン酸(シン異性体)
(1,Of)および脚酸カリウム(0,1ツt)の混
合物に加え、混合物上室温で2時間攪拌し喪。反応混合
物を氷水と酢酸エチルとの混合物に加え、混合物1に脚
酸カリウム2096水溶液でpH7,aKII!lた。
(LH,d、J=8.0H2) 実施例13 4−ブロモメゾμm5−メチA/ −1,3−ジオキソ
−fi/−2−オン(0,59)をジメデ〜スルホキシ
ド(ツー)中の7−[2−ベンズヒドリルオキシカルボ
ニルメトキシイミノ−2−(4−テアシリ〃)アセドア
イド]−3−セフェム−4−力μボン酸(シン異性体)
(1,Of)および脚酸カリウム(0,1ツt)の混
合物に加え、混合物上室温で2時間攪拌し喪。反応混合
物を氷水と酢酸エチルとの混合物に加え、混合物1に脚
酸カリウム2096水溶液でpH7,aKII!lた。
分離した有機mt水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した
。溶V&を留去して得た粗生成物をシリカゲμカラムク
ロマトグラフィーに付し、酢酸エチル−n−ヘキサン(
3:2)により溶出して精製した。溶出液倉黒発1rL
固し−C1?−(2−ベンズヒドリルオキシカルボニル
メトキシイミノ−2−(4−チアシリ〜)アセトアミド
クー3−セフェム−4−カルボン酸の(b−メチル−2
−オキソ−1,3−ジオキソ−/I/ −4−イ/L/
)メゾA/エステA/(シン異性体)O(0,;5)y
)k得た。
。溶V&を留去して得た粗生成物をシリカゲμカラムク
ロマトグラフィーに付し、酢酸エチル−n−ヘキサン(
3:2)により溶出して精製した。溶出液倉黒発1rL
固し−C1?−(2−ベンズヒドリルオキシカルボニル
メトキシイミノ−2−(4−チアシリ〜)アセトアミド
クー3−セフェム−4−カルボン酸の(b−メチル−2
−オキソ−1,3−ジオキソ−/I/ −4−イ/L/
)メゾA/エステA/(シン異性体)O(0,;5)y
)k得た。
IR(ヌジョー/L/) : 1B10. 1770.
1?30゜1670 (2 NMR(DM80−d、、δ) : 2.14 (3H
,a)、 3.53 (2H,m)、 4.86 (2
H,a)、 5.09 (2H,s)、 5.10(L
H,d、 ’J−5,0Hz)、 5.88 (IH,
dd、 J−5,OHs、 8.0Hz)、 6.51
(LH,t、 J−4,0Hz)、 6.81(LH
,a)、 7.09−1.50 (IOH,a)、
’180 (IH。
1?30゜1670 (2 NMR(DM80−d、、δ) : 2.14 (3H
,a)、 3.53 (2H,m)、 4.86 (2
H,a)、 5.09 (2H,s)、 5.10(L
H,d、 ’J−5,0Hz)、 5.88 (IH,
dd、 J−5,OHs、 8.0Hz)、 6.51
(LH,t、 J−4,0Hz)、 6.81(LH
,a)、 7.09−1.50 (IOH,a)、
’180 (IH。
d、 J−2,0Hz)、 9.06 (IH,d、
J−2,0Hz)。
J−2,0Hz)。
9.5’7 (IH,d、 J=8.0Hz)実施例1
4 実施例12および13の方法に準じて、下記の化合物を
得た。
4 実施例12および13の方法に準じて、下記の化合物を
得た。
(1) ? −(2−第三級プトキシカ〜ボニμメトキ
シイイノ−2−(4−テアシリA/)アセトアミド〕−
3−メトキシ−3−セフェム一番−カルボン酸の4−ニ
トロベンジルエステA/(シン異性体)。
シイイノ−2−(4−テアシリA/)アセトアミド〕−
3−メトキシ−3−セフェム一番−カルボン酸の4−ニ
トロベンジルエステA/(シン異性体)。
工R(Jtジy −1v ) : 3230. 17?
o、 1710゜1675、 1600国 (2)?−(2−第三級ブトキシヵμボニμメトキシイ
1ノー2−(4−テアシリA/)アセトアミド〕−3−
メチルデオメチA/−3−セフェム−4−力μボン酸の
ベンズヒドリルエステ/l/(シン異性体〕。
o、 1710゜1675、 1600国 (2)?−(2−第三級ブトキシヵμボニμメトキシイ
1ノー2−(4−テアシリA/)アセトアミド〕−3−
メチルデオメチA/−3−セフェム−4−力μボン酸の
ベンズヒドリルエステ/l/(シン異性体〕。
IR(Xジ]−1v) : 3270. 1770.1
71゜1660 。
71゜1660 。
(3)7−(g−第三級ブトキシカμボニA’メトキシ
インノー2−(4−チアゾリル)アセドアイドクー3−
メトキシメチA/ −5−セフェム−4−力〜ホン酸の
ベンズヒドリルエステ/v(シンJi[体)。
インノー2−(4−チアゾリル)アセドアイドクー3−
メトキシメチA/ −5−セフェム−4−力〜ホン酸の
ベンズヒドリルエステ/v(シンJi[体)。
IR(ヌジョーA/) :’3250. 1780.
1720゜1655国 (4) 7− (2−第三級ブトキシカμボニμメトキ
シインノー2−(4−テアシリ〜)アセトアミド〕−3
−りμロー3−セフェムー4−力ρボン酸ノ4−ニトロ
ベンジルエステA/(シン異性り。
1720゜1655国 (4) 7− (2−第三級ブトキシカμボニμメトキ
シインノー2−(4−テアシリ〜)アセトアミド〕−3
−りμロー3−セフェムー4−力ρボン酸ノ4−ニトロ
ベンジルエステA/(シン異性り。
IR(ヌジョーtv ) : 1780. 1720.
Hj7o。
Hj7o。
−凰
1600 cIn
(5) ? −(2−第三級ブトキシカyボニμメトキ
シイミノ−2−(4−チアシリ/L/)アセトアミド1
−3−ビニ/%/−3−セフェムー4−カルボン酸のベ
ンズヒドリルエステ/l/(シン^a体)。
シイミノ−2−(4−チアシリ/L/)アセトアミド1
−3−ビニ/%/−3−セフェムー4−カルボン酸のベ
ンズヒドリルエステ/l/(シン^a体)。
工R(ヌジョー/%/ ) : 3250. 1?70
. l’/20゜1710、 1655 G (a) ? −(2−ベンズヒドリルオキシカルボニル
メトキシイミノ−2−(4−テアシリ、A/)アセトア
ミドクー3−セフェム−4−力μボン酸の1−エトキシ
カ〜ボニμオキシエテyエステA/(シン異性体)。
. l’/20゜1710、 1655 G (a) ? −(2−ベンズヒドリルオキシカルボニル
メトキシイミノ−2−(4−テアシリ、A/)アセトア
ミドクー3−セフェム−4−力μボン酸の1−エトキシ
カ〜ボニμオキシエテyエステA/(シン異性体)。
工R(ヌジョーA/) : 1780. 1750.
1680閑NMR(DM80−ds+ δ) : LO
9(3Jt、 J=7.0Hz)。
1680閑NMR(DM80−ds+ δ) : LO
9(3Jt、 J=7.0Hz)。
1.52 (3H,d、 J=5.0Hz)、 3.6
3 (2H,m)。
3 (2H,m)。
番、1ツ (2H,q、 J−7,0Hz)、 4
.93 (2H,sン。
.93 (2H,sン。
5、lツ (LH,d、 J=5.0Hz)、 5
.97 (lH,dd。
.97 (lH,dd。
J=6.0Hz、 8.0H21)、 6.65 (L
H,t、 J−EL、0H2)。
H,t、 J−EL、0H2)。
6.81 (LH,q、J−5,0H2)、6.92
(IH,s)。
(IH,s)。
7.20−’7.60 (10Jm)、 ”、92 (
IH劃、 J=2.0Hz)、9.68 (LH,d
、J−8,0Hz)、9.19(IH,d、!=2.0
Hz) (7) ? −CB−ベンズヒドリルオキシカルボニル
メトキシイミノ−2−(4−テアシリμ)アセトアミド
〕−3−セフェム−4−カルボン酸のピバロイ〜オキシ
メチμエステIV(シン真性体)。
IH劃、 J=2.0Hz)、9.68 (LH,d
、J−8,0Hz)、9.19(IH,d、!=2.0
Hz) (7) ? −CB−ベンズヒドリルオキシカルボニル
メトキシイミノ−2−(4−テアシリμ)アセトアミド
〕−3−セフェム−4−カルボン酸のピバロイ〜オキシ
メチμエステIV(シン真性体)。
工R(Xジ”I −A/ ) : 178o、 17
40. 1680 cm+NMR(1M80−d@、
I) : 1.16 (9H,s)、 3.61(2H
,m)、 4.91 (2H,a)、 5.16 (L
H,d、 J=4.0Hz)、 5.69−6.04
(3H,a+)、 6−59(LH,Ell)。
40. 1680 cm+NMR(1M80−d@、
I) : 1.16 (9H,s)、 3.61(2H
,m)、 4.91 (2H,a)、 5.16 (L
H,d、 J=4.0Hz)、 5.69−6.04
(3H,a+)、 6−59(LH,Ell)。
6.89 (LH,a)、 7.16−7.60
(IOH,511)、 7.89(LM、(1,J
域、0Hz)、 9.16 (LH,d、 J城、0H
z)。
(IOH,511)、 7.89(LM、(1,J
域、0Hz)、 9.16 (LH,d、 J城、0H
z)。
9.68 (LH,d、 J−7,0Hz)(8) 7
− (2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−テア
シリ〜)アセドア建ド〕−3−セフェム−4−カルボン
酸の1−プロピオニルオキシニブルエステ〜(シン異性
体)。
− (2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−テア
シリ〜)アセドア建ド〕−3−セフェム−4−カルボン
酸の1−プロピオニルオキシニブルエステ〜(シン異性
体)。
IR(ヌジョー1%/) : 3250. 1780.
1750゜1680 ts+ ’ (9)7−(2−力7uボキシメトキシイミノー2−(
4−デアゾリル)アセトアミド〕−3−セフェム−4−
カルボン酸の1−エトキシヵ〜ポニルオキシエテyエス
テル(シン異性K ) uIR(スジ:1−ル) :
1750 ()lJ−)”)。
1750゜1680 ts+ ’ (9)7−(2−力7uボキシメトキシイミノー2−(
4−デアゾリル)アセトアミド〕−3−セフェム−4−
カルボン酸の1−エトキシヵ〜ポニルオキシエテyエス
テル(シン異性K ) uIR(スジ:1−ル) :
1750 ()lJ−)”)。
1770α】1
(10)? −(2−カルボキシメトキシイミノ−2−
(4−チアシリ/L/)アセトアミドクー3−センエム
一番−カルボン酸のピバロイルオキシメチルエステA/
(シン異性体)。
(4−チアシリ/L/)アセトアミドクー3−センエム
一番−カルボン酸のピバロイルオキシメチルエステA/
(シン異性体)。
IR(ヌジョ−A/ ) : 1740 (ブロード)
。
。
1680 on
(u)7− (2−カルボキシメトキシイミノ−2−(
4−テアシリy)アセドアiド〕−3−セフェム一番−
力yボン酸の(5−メチA/ −2−オキソ−1,3−
ジオキソ−ルー4−イ、A/)メチルエステル(シン異
性体)。
4−テアシリy)アセドアiド〕−3−セフェム一番−
力yボン酸の(5−メチA/ −2−オキソ−1,3−
ジオキソ−ルー4−イ、A/)メチルエステル(シン異
性体)。
IR(ヌジ3−/I/) : 1B10. 1770.
l’/30゜xa7ocIn’
l’/30゜xa7ocIn’
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一般式: 〔式中、Rはカルボキシ(低級)アルキルまたは保護さ
れたカルlキシ(低級)アルキル、R2はカルボ*Vt
えは保護され九カルボ中シ、Rs は水素または低級ア
ルキル、 R4は低級アルキル、低級アルコキシ、アシルオキシメ
チル、低級アル中ルテオメチル、低級アル:1中ジメチ
ル、ハロゲン、低級アルケニルtえは水素をそれぞれ意
味する〕で示される新規セフェム化合物およびその塩類
。 2 Rがカルlキシ(低級)アルキルまた社エステル化
され大カルボ命シ(低級)アルキルであj、R2がカル
ボキシまたはエステル化されたカルボキシであり、R4
が低級アルキル、低級アルコキシ、低級アルカノイルオ
中7メチル、低級アルキルチオメチル、低級アルコキシ
メチル、ハロゲン、低級アルケニルまたは水素である特
許請求の範囲第1項記載の化合物。 3 特許請求の範囲第2項記載の化合物のシン異性体。 4、R1がカルボキシ(低級)アルキルまたは低級アル
コキシカルボニル(低級)アルキルであり s R2が
カルボキシであり、Rs が水素であり、R4が水素で
ある特許請求の範18第5項記載の化合物。 s、7−(2−カルボキシメYキシイミノ−2−(4−
チアゾリル)ア竜ドアミド〕−3−セフェム−4−カル
ボン酸(タン異性体)である特許請求の範囲第4項記載
の化合−0 6、R1がカルボキシ(低級)アルキルまたはアル(低
級)アルコキシカルボニル(低級)アルキルでToD%
R2が低級アルカノイルオキシ(低級)アルコキシカル
ボニル、低級アルコキシカルボニルオキシ(低級)アル
コキシカルボニルまたは(5−低級アルキルー2−オキ
ソ−1,5−ジオ平ソールー4−イル)(低級)アルコ
キシカルボニルであり R5が水素であシ、R4が水素
である特許請求の範11il第S項紀献の化合物。 7.7−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−
チアゾリル)アセトアミドシー5−セフェム−4−カル
メン酸の1−フロピオニルオキシエチルエステル(クン
異性体)、 7−〔2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4−チア
ゾリル)アセトアミドシー5−セフェム−4−カルボン
酸の1−エトキシカルlニルオキシエチルエステル(シ
ン異性体)、7−〔2−カルボキシメトキシイミノ−2
−(4−チアゾリル)アセトアミドシー5−セフェム−
4−カルボン酸のビバロイルオ中ジメチルエステル(シ
ン異性体)、および 7−〔2−カルボキシメトキクインノー2−(4−チア
シリ−)アセトアンドツー6−セフェム−4−カルボ/
酸の(5−メチル−2−オキソ−1,5uキソ〜ルー4
−イル)メチルエステル(シン異性体)よりなる群から
選ばれた特許請求の範囲第6項記載の化合物。 8 Rがカルボキシ(低級)アルキルまたは低級アルコ
キシカルボニル(低級)アルキルであり、R2がカルボ
キシであや、R5が水素であり R4が低級アルキルで
ある特許請求の範囲815項記載の化合物。 9.7=[2−カルボキシメトキシイ(〕−2−(4−
チアゾリル)アセトアミドシー5−メチル−5−セフェ
ム−4−カルボ/酸(り/異性体)である特許請求の範
囲第8項記載の化合物。 10 Rがカルボキシ(低級)アルキルまたは低級ア
ルコキシカルボニル(低級)アルキルでる’p、R2が
カルボキシであ〉、R5が低級アルキルで6リ R4が
水嵩である特許請求の範囲第5項記載の化合物。 117−(2−カルボキシメトキクインノー2−(4−
チアゾリル)アセトアミド)−2−メチル−5−セフェ
ム−4−カルボ7酸(シン異性体)である特許請求の範
囲第10項に載の化合物。 12、Rがカルlキシ(低!りアルキルまたは低級アル
コキシカルボニル(低級)アルキルでTo曳Rがカルl
キシまたはニトロ基を有するアル(低級)アルコキシカ
ルボニルで6)、R5が水軍でめ9、R4が低級アルコ
キシである特許請求の範囲第3現記@0化合物。 1iS、7−[2−カルボキシメトキシインノー2−(
4−チアゾリル)ア竜トアンド]−3−メトキシ−3−
セフェム−4−カルボン酸(シン異性体である特許請求
の範囲第12g記載の化合物。 14、Rがカルボキシ(低級)アルキルまたは低級アル
コキシカルボニル(低a)アル牛ルテあLR2がカルl
キシであシ R3が水素であり R4が低級アルヵノイ
ルオ中ジメチルである特許請求の範囲第3項記載の化合
物。 15.7−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4
−デアゾリル)アセトアミド〕セファロスポラン酸(シ
ン異性体)でおる特許請求の範囲@14項紀畝の化合物
。 16.11 がカルボキシ(低級)アルキルまたは低
級アルコキシカルボニル(低級)アルキルであり R2
がカルボキシまたはアル(低M)アルコキシカルボニル
で6!ll1%R5が水軍であり、R4が低級アルキル
チオメチルである%#!F趙求の範囲第3項記載の化合
物。 17.7−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4
−チアゾリル)アセトアミドシー5−メチルチオメチル
−3−セフェム−4−カルボン1m2(シン異性体)で
ある特許蹟求O梶囲@16項記載の化合物。 181R’ がカルボキシ(低級)アルキルまたは低
級アルコキシカルlニル(低M)アルキルでありb”
がカルボキシまたはアル(低級)アルコキシカルボニル
でありsR’ が水軍であり、4 Rが低級アルコキシメチルである特許請求の範囲jIS
項記載の化合物。 19.7−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4
−チアゾリル)アセトアンドツー6−メドキクメチルー
5−セフェム−4−カルボン酸(シン異性体)でるる特
許請求の範囲5118項記載の化合物。 20、Rがカルボ千シ(低級)アル中ルまたは低級アル
コd?7カルボニル(低級)アル中ルで67%R2がカ
ルボキクまたはニトロ基を有するアル(低級)アルコ中
ジカルボニルでめり、R5が水素で多シ R4が−ログ
ンである特許請求の範lli嬉3項と絨の化合物。 21.7−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4
−チアゾリル)アセトアミドゴー3−クロロ−3−セフ
ェム−4−カルボン酸(シン異性体)である特許請求の
範囲第20項記載の化合物。 22、RがカルホキV(低級)アル呼ルまたは低級アル
コ中ジカルボニル(低M)アルキルでルコキシカルポニ
ルで69 s ” が水素でおり、R4が低級アルケニ
ルである特許請求の範囲第3項記幀の化合物。 25.7−(2−カルボキシメトキシイミノ−2−(4
−チアゾリル)アセトアミドシー6−ピニルー3−セフ
エム−4−カルボン酸(シン異性体)である特許請求の
範囲第22項1載の化合物。 24、 (1) 一般式: 〔式中 R2はカルボキシまたL保−されたカルボキシ
、R5は水素また昧低級アルキル、R4u低級アル午ル
、低級アルコキシ、アンルオキシメテル、低級アルキル
チオメチル、低級アルコキシメチル、ハロゲン、低級ア
ルケニルまたは水X’にそれぞれ意味する〕で示される
化合物もしくはそのアミノ基における反応性−導体また
はそれらの塩類に一般式; 〔式中、 R’ aカルボキシ(低級)アルキルまたL
保護されたカルボキシ(低級)アルキルを意味する〕で
示される化合物もしくはそのカルボキシ基における灰石
性誘導体またはそれらの塩類を反応させて、一般式; 〔式中、R1,R2,R5,p4はそれぞれ前と同じ意
味〕で示される化合物またはその塩類を得るか、まえは (2) 一般式: 〔式中 R2,xsシよびR4はそれぞれ前と同じ意味
であり R1は保護されたカルボキシ(低級)アルキル
を意味する〕で示される化合物また杜その塩類をくにお
けるカルボキシ保臘基の脱離反応に付して、一般式; 〔式中、R2,R3,R4はそれぞれ前と−1じ意味で
&す、 l(4ifカカルキシ(低級)アルキルを意味
する〕で示される化合物を九はその塩類金得るか、また
は (5) 一般式; C式中、R1,R5,,4はそれぞれ前と岡じ意味でT
oc、n:は保護されたカルボキシを意味する〕で示さ
れる化食物またはその塩類をくにおけるカルボ中シ保繰
基の脱離反応に付して、一般式: 〔式中 R1,R5,R4はそれぞれ前と同じ意味〕で
示される化合物またはその塩類を得るか、または (リ
一般式: 〔式中 u 1. R5,R4はそれぞれ前と同じ意味
〕で示される化合物またはその塩類をエステル化反応に
付して、一般式: 〔式中 ul、R5,R4はそれぞれ前と同じ意味でこ
とを特徴とする、一般式: 〔式中、N R2,R3,R4はそれぞれ前と同じ意味
〕で示される化合物またはその塩類の製造法。 25一般式: 〔式中、Rはカルボキシ(低級)アルキルまたは保−さ
れたカルボキシ(低級)アルキル R6はカルボキシま
たは保護され九カルボキシをそれぞれ意味する〕で示さ
れる化合物およびその塩類。 26 (t) 一般式: で示される化合物を九はその塩類に、一般式:R−0−
Nl2 〔式中、n iiカカルキシ(低級)アルキルまたは
保−されたカルボキシ(低級)アルキルを意味する〕で
示される化合物またはその塩類を反応させて、一般式: 〔式中、R1は前と同じ意味〕で示される化合物または
その塩類を得るか、または (2)一般式: 〔式中、Rは前と同じ意味であり、R’ Gよりルポキ
Vまたは保護されたカルボキシを意味する〕で示される
化合物またはその塩類を脱アミノ反応に付して、一般式
: 〔式中、Bl 、HA はそれぞれ前と同じ意味〕で
示される化合物またはその塩類を得る力・、または、 (5)一般式: 〔式中、R1は前と同じ意味であり、R’ tよ保護さ
れたカルボキシを意味する〕で示さオする化合物または
その塩類をR7における力〜ボキシ保護基の脱離反応に
付して、一般式: 〔式中、R1眸前と同じ意味〕で示されるイし金物また
はその塩類を得ることを特徴とする、一般式: 〔式中、R1、R6はそれぞれ前と同じ意味〕で示され
る化合物またはその塩類の製造法。 27、一般式 〔式中 R1はカルボキシ(低級)アルキルまたは保護
された力〃ホキV(低級)アルキル、R2は力〜ボキシ
または保護された力μポキシ、R3は水素または低級ア
ルキル、R4は低級アルキル、低級アルコキシ、アシル
オキシメチル、低級アル中ルチオメチル、低級アルコキ
シメチル、ハロゲン、低級アルケニルまたは水素をそれ
ぞれ意味する〕で示される化合物またはその塩類を有効
成分とする細菌感染症予防・治−粋
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8123683 | 1981-08-03 | ||
| GB8123683 | 1981-08-03 | ||
| GB8131261 | 1981-10-16 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62130484A Division JPS6399064A (ja) | 1981-08-03 | 1987-05-27 | チアゾリル酢酸誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838290A true JPS5838290A (ja) | 1983-03-05 |
| JPH0323553B2 JPH0323553B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=10523659
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57135601A Granted JPS5838290A (ja) | 1981-08-03 | 1982-08-02 | 新規セフエム化合物およびその製造法 |
| JP62130484A Granted JPS6399064A (ja) | 1981-08-03 | 1987-05-27 | チアゾリル酢酸誘導体 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62130484A Granted JPS6399064A (ja) | 1981-08-03 | 1987-05-27 | チアゾリル酢酸誘導体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPS5838290A (ja) |
| ZA (1) | ZA825194B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10340990A1 (de) * | 2003-09-05 | 2005-04-28 | Ks Kolbenschmidt Gmbh | Feinbearbeitete Oberfläche der Bolzenlöcher eines Kolbens |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119895A (en) * | 1977-03-26 | 1978-10-19 | Grelan Pharmaceut Co Ltd | 2h-pyrazolo (3,4-f) quinolines |
| JPS54154785A (en) * | 1978-05-26 | 1979-12-06 | Hoechst Ag | Cephem derivative and its manufacture |
| JPS5514149A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Toyota Motor Corp | Curling device |
-
1982
- 1982-07-20 ZA ZA825194A patent/ZA825194B/xx unknown
- 1982-08-02 JP JP57135601A patent/JPS5838290A/ja active Granted
-
1987
- 1987-05-27 JP JP62130484A patent/JPS6399064A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53119895A (en) * | 1977-03-26 | 1978-10-19 | Grelan Pharmaceut Co Ltd | 2h-pyrazolo (3,4-f) quinolines |
| JPS54154785A (en) * | 1978-05-26 | 1979-12-06 | Hoechst Ag | Cephem derivative and its manufacture |
| JPS5514149A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-31 | Toyota Motor Corp | Curling device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0323553B2 (ja) | 1991-03-29 |
| JPS646194B2 (ja) | 1989-02-02 |
| ZA825194B (en) | 1983-05-25 |
| JPS6399064A (ja) | 1988-04-30 |
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