JPS5838997A - 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路Info
- Publication number
- JPS5838997A JPS5838997A JP13793081A JP13793081A JPS5838997A JP S5838997 A JPS5838997 A JP S5838997A JP 13793081 A JP13793081 A JP 13793081A JP 13793081 A JP13793081 A JP 13793081A JP S5838997 A JPS5838997 A JP S5838997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- voltage
- capacitor
- display
- pulse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流電界の印加に依ってＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒ。
Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を呈する薄膜ＥＬ表示
装置の駆動回路に関するものである。
装置の駆動回路に関するものである。
従来、表示装置の表示体として用いられる薄膜ＥＬ素子
に関して、発光層に規則的に高い交流型のＭｎ（あるい
はＣｕ、Ａ、／、Ｂｒ等）をドープしたＺｎＳ、Ｚｎ５
ｅ等の半導体発光層をＹ２Ｏ３，ＴｉＯ２等の誘電体薄
膜でサンドイッチした三層構造ＺｎＳ：Ｍｎ （又はＺ
ｎ５ｅ ：Ｍｎ） Ｅ Ｌ素子が開発され、発光諸特性
の向上が確かめられている。この薄膜ＥＬ素子は数ＫＨ
ｚの交流電界印加によって高輝度発光し、しかも長寿命
であるという特徴を有している。
に関して、発光層に規則的に高い交流型のＭｎ（あるい
はＣｕ、Ａ、／、Ｂｒ等）をドープしたＺｎＳ、Ｚｎ５
ｅ等の半導体発光層をＹ２Ｏ３，ＴｉＯ２等の誘電体薄
膜でサンドイッチした三層構造ＺｎＳ：Ｍｎ （又はＺ
ｎ５ｅ ：Ｍｎ） Ｅ Ｌ素子が開発され、発光諸特性
の向上が確かめられている。この薄膜ＥＬ素子は数ＫＨ
ｚの交流電界印加によって高輝度発光し、しかも長寿命
であるという特徴を有している。
薄膜ＥＬ素子の１例としてＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子の
基本的構造を第１図に示す。
基本的構造を第１図に示す。
第１図に基いて薄膜ＥＬ素子の構造を具体的に説明する
と、ガラス基板１上にＩｎ２０Ｂ 、５ｎ０２等の透明
電極２、さらにその上に積層してＹ２０Ｂ＋ＴｉＯ２、
Ａｌ２Ｏ３，５ｉＢＮ４．５ｉ０２等からなる第１の誘
電体層８がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により
重畳形成されている。第１の誘電体層３上にはＺｎＳ：
Ｍｎ 焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得
られるＺｎＳ発光層４が形成されている。この時蒸着用
のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質となるＭｎが
目的に応じた濃４゜ 度に没、定されたペレットが使用される。ＺｎＳ発光層
４には第１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘
電体層５が積層され、更にその上にＡ／等から成る背面
電極６が蒸着形成されている。透明電極２と背面電極６
は交流電源７に接続され、薄膜ＥＬ素子が駆動される。
と、ガラス基板１上にＩｎ２０Ｂ 、５ｎ０２等の透明
電極２、さらにその上に積層してＹ２０Ｂ＋ＴｉＯ２、
Ａｌ２Ｏ３，５ｉＢＮ４．５ｉ０２等からなる第１の誘
電体層８がスパッタあるいは電子ビーム蒸着法等により
重畳形成されている。第１の誘電体層３上にはＺｎＳ：
Ｍｎ 焼結ペレットを電子ビーム蒸着することにより得
られるＺｎＳ発光層４が形成されている。この時蒸着用
のＺｎＳ：Ｍｎ焼結ペレットには活性物質となるＭｎが
目的に応じた濃４゜ 度に没、定されたペレットが使用される。ＺｎＳ発光層
４には第１の誘電体層３と同様の材質から成る第２の誘
電体層５が積層され、更にその上にＡ／等から成る背面
電極６が蒸着形成されている。透明電極２と背面電極６
は交流電源７に接続され、薄膜ＥＬ素子が駆動される。
電極２，６間にＡＣ電圧を印加すると、ＺｎＳ発光層４
の両側の誘電体層３，５間に上記ＡＣ電圧が誘起される
ことになり、従ってＺｎ≦発光層４内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、自由電子となって発光層界面へ誘、引
され、この界面で蓄積されて内部分極を形成する。この
時に高速移動する自由電子が直接Ｍｎ発光センターを励
起し、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際
に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加速され
た自由電子が発光層の界面から他方の界面へ移動する過
程でＺｎＳ発光層４中の発光センターであるＺｎサイト
に入ったＭｎ原子の電子射する。活性物質としてＭｎ以
外に希土類の弗化物を用いた場合にはこの希土類に特有
の緑色その他の発光色が得られる。
の両側の誘電体層３，５間に上記ＡＣ電圧が誘起される
ことになり、従ってＺｎ≦発光層４内に発生した電界に
よって伝導帯に励起されかつ加速されて充分なエネルギ
ーを得た電子が、自由電子となって発光層界面へ誘、引
され、この界面で蓄積されて内部分極を形成する。この
時に高速移動する自由電子が直接Ｍｎ発光センターを励
起し、励起されたＭｎ発光センターが基底状態に戻る際
に黄橙色の発光を行なう。即ち高い交流電界で加速され
た自由電子が発光層の界面から他方の界面へ移動する過
程でＺｎＳ発光層４中の発光センターであるＺｎサイト
に入ったＭｎ原子の電子射する。活性物質としてＭｎ以
外に希土類の弗化物を用いた場合にはこの希土類に特有
の緑色その他の発光色が得られる。
上記の、如き構造を有する薄膜ＥＬ素子はスペース・フ
ァクタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイ
スとして、文字及び図形を含むコンピューターの出力表
示端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画
像、動画像等の表示手段として利用することができる。
ァクタの利点を生かした平面薄型ディスプレイ・デバイ
スとして、文字及び図形を含むコンピューターの出力表
示端末機器その他種々の表示装置に文字、記号、静止画
像、動画像等の表示手段として利用することができる。
平面薄型表示装置としての薄膜ＥＬパネルは従来のブラ
ウン管（ＣＲＴ）と比較して動作電圧が低く、同じ平面
型ディスプレイ・デバイスであるプラズマディスプレイ
パネル（ＦＤＰ）と比較すれば重量や強度面で優れてお
り、液晶（ＬＣＤ）に比べて動作可能温度範囲が広く、
応答速度が速い等多くの利点を有している。また純固体
マトリックス型パネルとして使用できるため動作寿命が
長く、そのアドレスの正確さととも□にコンピューター
等の人出方表示手段として非常に有効なものである。
ウン管（ＣＲＴ）と比較して動作電圧が低く、同じ平面
型ディスプレイ・デバイスであるプラズマディスプレイ
パネル（ＦＤＰ）と比較すれば重量や強度面で優れてお
り、液晶（ＬＣＤ）に比べて動作可能温度範囲が広く、
応答速度が速い等多くの利点を有している。また純固体
マトリックス型パネルとして使用できるため動作寿命が
長く、そのアドレスの正確さととも□にコンピューター
等の人出方表示手段として非常に有効なものである。
ｆＪ従来の薄膜ＥＬ素子は、これを−ンデンサーの如き
動作を行なう容量性の素子と見ることができる。ところ
で、この薄膜ＥＬ素子は駆動電圧が２００ｖ程度と非常
に高くまたその容量も約６ｎＦ／ａｉ程度と大きい値を
呈する。このため発光表示駆動に於ける消費電力を求め
るに際し発光に関与する電力を省略し、単なるコンデン
サーへの充放電電力を消費電力量と見なしても実際に消
費される電力と大差はない。従って、上記薄膜ＥＬ素子
を単なるコンデンサーＣと考え電圧ｖＯを１回充放電す
るのに必要な電力量を求める。まず、従来から行なわれ
ている駆動力、法に於ける充放電動作を簡略化して第２
図に示す。スイッチＳ２をＯＦＦ 、スイッチＳｌをＯ
Ｎすることによって容量Ｃを抵抗Ｒを通して電圧ｖＯで
充電する場合次式が成立する。
動作を行なう容量性の素子と見ることができる。ところ
で、この薄膜ＥＬ素子は駆動電圧が２００ｖ程度と非常
に高くまたその容量も約６ｎＦ／ａｉ程度と大きい値を
呈する。このため発光表示駆動に於ける消費電力を求め
るに際し発光に関与する電力を省略し、単なるコンデン
サーへの充放電電力を消費電力量と見なしても実際に消
費される電力と大差はない。従って、上記薄膜ＥＬ素子
を単なるコンデンサーＣと考え電圧ｖＯを１回充放電す
るのに必要な電力量を求める。まず、従来から行なわれ
ている駆動力、法に於ける充放電動作を簡略化して第２
図に示す。スイッチＳ２をＯＦＦ 、スイッチＳｌをＯ
Ｎすることによって容量Ｃを抵抗Ｒを通して電圧ｖＯで
充電する場合次式が成立する。
（１）式を電荷ｑで書き改めると
Ｒ土＋１ｑ−Ｅ ・・・・・・・・・（２）
ｄｉ に 〆式の一般解はよく知られている。（但し、１＝０にお
いてｑ＝Ｏと考える。） 即ち 抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量ＷＲ，ＷＣは各々次
式から算出される。
ｄｉ に 〆式の一般解はよく知られている。（但し、１＝０にお
いてｑ＝Ｏと考える。） 即ち 抵抗Ｒおよび容量Ｃにおける電力量ＷＲ，ＷＣは各々次
式から算出される。
を−のにおいて、（６）式（６）式は次の値を示す。
ｌ ２ ・・・・・・・・・（７）ＷＲ＝
Ｗｃ−ＴＣＶ。
Ｗｃ−ＴＣＶ。
Ｒ中で消費し残り上が容量Ｃに蓄積されたことを示して
いる。また、容量Ｃに蓄積されたエネルギーはスイッチ
Ｓ１をＯＦＦ 、スイッチＳ２をＯＮすることによって
放電される時抵抗Ｒで全て消費されへ、従って、従来の
方法において容量Ｃに電圧ＶＯを充放電するのに必要な
消費電力は合計Ｃｖｏとなることは明らかである。
いる。また、容量Ｃに蓄積されたエネルギーはスイッチ
Ｓ１をＯＦＦ 、スイッチＳ２をＯＮすることによって
放電される時抵抗Ｒで全て消費されへ、従って、従来の
方法において容量Ｃに電圧ＶＯを充放電するのに必要な
消費電力は合計Ｃｖｏとなることは明らかである。
第３図は従来の薄膜ＥＬ表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。また第４図は第３図に示す駆動
回路の各端子及び薄膜ＥＬ素子８に入力される電圧波形
図である。電源電圧ｖＯが供給されている駆動回路の各
端子ＩＮＩ 、 ＩＮ２ 。
成を示す回路図である。また第４図は第３図に示す駆動
回路の各端子及び薄膜ＥＬ素子８に入力される電圧波形
図である。電源電圧ｖＯが供給されている駆動回路の各
端子ＩＮＩ 、 ＩＮ２ 。
ＩＮ８．ＩＮ４に第４図で示すタイミングでパルス電圧
を印加することによりトランジスタのベース電位が切換
えられてスイッチングが行なわれ薄膜ＥＬ素子８には交
番パルス電界が印−加されてシーソー駆動さることにな
り、Ｅｌ、発光が得られる。即ち、端子ＩＮＩ及びＩＮ
４にパルスが印加されるとトランジスタＴｒｌ及びＴｒ
４が導通状態となり、トランジスタＴ目より薄膜ＥＬ
素子８を介してトランジスタＴｒ４方向へ電流が流れ、
薄膜ＥＬ素子８は充電状態となる。次の期間で端子ＩＮ
２のみにパルスを印加するとトランジスタＴＲ２が導通
状態となり、薄膜ＥＬ素子８の電荷は゛放電される。次
に端子（、ｐ’、２．及びＩＮＫにパルスが印加される
とトランジスタＴｒ２及びＴｒＢが導通状態となり、ト
ランジスタＴｒｇより薄膜ＥＬ素子８を介してトランジ
スタＴｒ２方向へ電流が流れ、薄膜ＥＬ素子８は上記と
は逆極性の充電状態となる。次の期間で端子ＩＮ４のみ
にパルスを印加するとトランジスタＴｒ４が導通状態と
なり、薄膜ＥＬ素子８の電荷は放電される。
を印加することによりトランジスタのベース電位が切換
えられてスイッチングが行なわれ薄膜ＥＬ素子８には交
番パルス電界が印−加されてシーソー駆動さることにな
り、Ｅｌ、発光が得られる。即ち、端子ＩＮＩ及びＩＮ
４にパルスが印加されるとトランジスタＴｒｌ及びＴｒ
４が導通状態となり、トランジスタＴ目より薄膜ＥＬ
素子８を介してトランジスタＴｒ４方向へ電流が流れ、
薄膜ＥＬ素子８は充電状態となる。次の期間で端子ＩＮ
２のみにパルスを印加するとトランジスタＴＲ２が導通
状態となり、薄膜ＥＬ素子８の電荷は゛放電される。次
に端子（、ｐ’、２．及びＩＮＫにパルスが印加される
とトランジスタＴｒ２及びＴｒＢが導通状態となり、ト
ランジスタＴｒｇより薄膜ＥＬ素子８を介してトランジ
スタＴｒ２方向へ電流が流れ、薄膜ＥＬ素子８は上記と
は逆極性の充電状態となる。次の期間で端子ＩＮ４のみ
にパルスを印加するとトランジスタＴｒ４が導通状態と
なり、薄膜ＥＬ素子８の電荷は放電される。
上記パルス電圧の印加により薄膜ＥＬ素子８は交流駆動
され、ＥＬ発光パターンが得られる。
され、ＥＬ発光パターンが得られる。
本発明は技術的手段を駆使することにより表示駆動のた
めの上記消費電力を低減し得る新規有用な薄膜ＥＬ表示
装置の駆動方法を確立し、その駆動回路を提供すること
を目的とするものである。
めの上記消費電力を低減し得る新規有用な薄膜ＥＬ表示
装置の駆動方法を確立し、その駆動回路を提供すること
を目的とするものである。
以下、本発明を実施例に従って図面を参照しながら詳説
する。
する。
第５図は本発明の基本的動作の１実施例を説明する回路
の簡略構成図である。
の簡略構成図である。
以下、第５図に基いて本発明の１実施例を説明する。
スインｆｓ、、Ｓ２をＯＦＦ、スイッチＳ８をＯＮとし
、電源ＫＶ、（０＜Ｋ＜１）で抵抗Ｒを介し容量Ｃ（薄
膜ＥＬ素子）を充電する。次にスイッチｓ２．ｓ８ を
ＯＦＦ、スイッチＳｔ をＯＮにし、電源Ｖｏで容量Ｃ
を充電する。以後この充電方法をステップ駆動法と呼ぶ
。放電時においては従来の方法と同様スイッチＳ２のみ
ＯＮＬ放電する。
、電源ＫＶ、（０＜Ｋ＜１）で抵抗Ｒを介し容量Ｃ（薄
膜ＥＬ素子）を充電する。次にスイッチｓ２．ｓ８ を
ＯＦＦ、スイッチＳｔ をＯＮにし、電源Ｖｏで容量Ｃ
を充電する。以後この充電方法をステップ駆動法と呼ぶ
。放電時においては従来の方法と同様スイッチＳ２のみ
ＯＮＬ放電する。
次にこのステップ駆動法による充放電に必要な電力量を
求めると次の如くとなる。
求めると次の如くとなる。
電源ＫＶＱからの充電によって抵抗Ｒおよび容量Ｃにお
ける電力量は（７）式より次の値が求まる。
ける電力量は（７）式より次の値が求まる。
ｔｔ’ｊ ２ ・・・・・・・・・（
８）ＷＲ＝ Ｗｃ ＝Ｔ Ｃ（ＫＶｏ） 次に電源Ｖｏから容量Ｃを充電する場合の電力量は（２
）式およびｔ＝０のときｑ。＝ＣＫＶｏであることから ・・・・・・・・・ （１０） となる。
８）ＷＲ＝ Ｗｃ ＝Ｔ Ｃ（ＫＶｏ） 次に電源Ｖｏから容量Ｃを充電する場合の電力量は（２
）式およびｔ＝０のときｑ。＝ＣＫＶｏであることから ・・・・・・・・・ （１０） となる。
を−ωにおいて（９）式（１０）式は次の値を示す。
Ｗ’Ｒ＝−ＬＣ（］−Ｋ）２ＶＯ’ −−−−
−−−−・＋Ｉｌ１ｗｌｃ＝ Ｃ（１−Ｋ）ＶＯ２−ユ
Ｃ（１−Ｋ ）”Ｖｏ’ ０２）従ってステップ駆動法
による充電時の抵抗Ｒ２容 １量Ｃにおける電力量の各
々の合計ＷＲ５＋ ｗｃｓは（８）弐〇ｌ）弐〇２）式
より次の値を示す。
−−−−・＋Ｉｌ１ｗｌｃ＝ Ｃ（１−Ｋ）ＶＯ２−ユ
Ｃ（１−Ｋ ）”Ｖｏ’ ０２）従ってステップ駆動法
による充電時の抵抗Ｒ２容 １量Ｃにおける電力量の各
々の合計ＷＲ５＋ ｗｃｓは（８）弐〇ｌ）弐〇２）式
より次の値を示す。
ＷＲ５＝−ＬＣＫ２ＶＯ”＋−ＬＣ（１−Ｋ）２ＶＯ’
−・−・−・Ｈ２ ２ Ｗｃｓ＝ｉＣＶｏ・・・・・・・・・０４）なお、（１
４）式で示される容量Ｃに蓄積されたエネルギーは放電
時に抵抗Ｒで全て消費される。従って、ステップ駆動法
において容量Ｃに電圧ｖｏ を充放電するのに必要な消
費電力Ｗｓは（１３１式０４）式より次の値をとる。
−・−・−・Ｈ２ ２ Ｗｃｓ＝ｉＣＶｏ・・・・・・・・・０４）なお、（１
４）式で示される容量Ｃに蓄積されたエネルギーは放電
時に抵抗Ｒで全て消費される。従って、ステップ駆動法
において容量Ｃに電圧ｖｏ を充放電するのに必要な消
費電力Ｗｓは（１３１式０４）式より次の値をとる。
ＷＳ ”ＷＲ８＋ｗ（５
０５）式の消費電力Ｗｓとパラメータにとの関係を第６
図に示す。
図に示す。
図中の一点鎖線Ｐ１ は従来の駆動法であり、曲線Ｐ
２は本実施例のステップ駆動法に対応する。
２は本実施例のステップ駆動法に対応する。
第６図から明らかなようにに＝Ｔでは消費電力Ｗｓは最
小値をとり、従来の方法と比較して消費電力は７になる
ことが分る。
小値をとり、従来の方法と比較して消費電力は７になる
ことが分る。
またステップ駆動法により薄膜ＥＬ表示装置を駆動した
場合上記原理とよく一致する実験的結果を得てしＹる。
場合上記原理とよく一致する実験的結果を得てしＹる。
第７図は上記ステップ駆動法を実現するための駆動回路
を第３図の回路構成に基いて構成した回路構成図である
。第８図は第７２図に示す駆動回路の各端子及び薄膜Ｅ
Ｌ素子８に入力されるパルス電圧の電圧波形図である。
を第３図の回路構成に基いて構成した回路構成図である
。第８図は第７２図に示す駆動回路の各端子及び薄膜Ｅ
Ｌ素子８に入力されるパルス電圧の電圧波形図である。
端子ＩＮＩ’、ＩＮ２．ＩＮ３及びＩＮ４には第４図同
様にパルス電圧が印加される。ステップ駆動法は端子Ｉ
Ｎ５に印加されるパルスによって行なわれ、薄膜ＥＬ素
子８に印加される駆動パルスの立ち上りは端子ＩＮ５に
印加されるパルスの立ち上りに同期して２段階に上昇す
る。また薄膜”Ｅ Ｌ素子８に充電屯；、％ ｉ＝重電
荷端子ＩＮ２’、ＩＮ４’を選択してパルス電圧を印加
することにより従来と同様に放電される。トランジスタ
Ｔ目とＴｒ４及びＴｒ２とＴｒＢを交互に導通させるこ
とにより薄膜ＥＬ素子８が交流駆動され薄膜ＥＬ素子８
へ印加される正逆パルスの立ち上り途中でトランジスタ
Ｔｒ５を導通させることによりシーソー駆動法にステッ
プ駆動法が重畳された駆動方式が確立される。
様にパルス電圧が印加される。ステップ駆動法は端子Ｉ
Ｎ５に印加されるパルスによって行なわれ、薄膜ＥＬ素
子８に印加される駆動パルスの立ち上りは端子ＩＮ５に
印加されるパルスの立ち上りに同期して２段階に上昇す
る。また薄膜”Ｅ Ｌ素子８に充電屯；、％ ｉ＝重電
荷端子ＩＮ２’、ＩＮ４’を選択してパルス電圧を印加
することにより従来と同様に放電される。トランジスタ
Ｔ目とＴｒ４及びＴｒ２とＴｒＢを交互に導通させるこ
とにより薄膜ＥＬ素子８が交流駆動され薄膜ＥＬ素子８
へ印加される正逆パルスの立ち上り途中でトランジスタ
Ｔｒ５を導通させることによりシーソー駆動法にステッ
プ駆動法が重畳された駆動方式が確立される。
ところでこのステップ駆動法の欠点として外部電源がＫ
ＶＱとＶ□の２電源必要となり、装置の利便性が損なわ
れる。
ＶＱとＶ□の２電源必要となり、装置の利便性が損なわ
れる。
尚、外部電源としての電圧ｖｏの単電源を用いている第
２図に、おいてスイッチＳ２を０ＦＦＬ、、スイッチＳ
１をＯＮＬ容量Ｃの両端電圧がＫＶ、に達した時スイッ
チＳ１を０ＦＦＬ、、その後再びスイッチＳｌをＯＮし
容量Ｃの両端電圧がＶｏになるまで充電した場合には容
量Ｃの印加波形としてステップ状のものを得ることがで
きる。しかしながら、この場合には抵抗Ｒおよび容量Ｃ
における充電時の合計の電力量は（７）式で示した値と
同じになることは次のことから明かである。単純化の為
ｖｏ に達した時の抵抗Ｒ及び容量Ｃにおける電気量Ｗ
Ｒ、Ｗｃを求めると、（３）式より（１Ｂ１式を（５）
式（６）式に代入して３ ２ ・・・・
・・・・・（１７）ｗＲ−百ＣＶＯ −１２・・・・・・・・・（１８） Ｗｃ−８Ｃｖ。
２図に、おいてスイッチＳ２を０ＦＦＬ、、スイッチＳ
１をＯＮＬ容量Ｃの両端電圧がＫＶ、に達した時スイッ
チＳ１を０ＦＦＬ、、その後再びスイッチＳｌをＯＮし
容量Ｃの両端電圧がＶｏになるまで充電した場合には容
量Ｃの印加波形としてステップ状のものを得ることがで
きる。しかしながら、この場合には抵抗Ｒおよび容量Ｃ
における充電時の合計の電力量は（７）式で示した値と
同じになることは次のことから明かである。単純化の為
ｖｏ に達した時の抵抗Ｒ及び容量Ｃにおける電気量Ｗ
Ｒ、Ｗｃを求めると、（３）式より（１Ｂ１式を（５）
式（６）式に代入して３ ２ ・・・・
・・・・・（１７）ｗＲ−百ＣＶＯ −１２・・・・・・・・・（１８） Ｗｃ−８Ｃｖ。
て求まる。
′ １ ２ ・・・・・・・・・ （
１９）ＷＲ＝ＨＣＶＯ ′ ３２ ・・・・・・・・・ シ０
）Ｗｃ−ＴＣｖ。
１９）ＷＲ＝ＨＣＶＯ ′ ３２ ・・・・・・・・・ シ０
）Ｗｃ−ＴＣｖ。
（１？） 、 （＋８＋ 、 （１９） 、 （２０ｊ
式より合計Ｃｖｏとなり消費電力は低減されない。
式より合計Ｃｖｏとなり消費電力は低減されない。
従って、本実施例はこの点を改良して駆動回路を構成し
ている。
ている。
第９図は杢Ｐ明の１実施例を示す薄膜ＥＬ表示装置の駆
動回路の構成図である。第１０図は第９図に入力される
電圧波形のタイミング波形図である。
動回路の構成図である。第１０図は第９図に入力される
電圧波形のタイミング波形図である。
外部電源として電圧値ＫＶＱのＫ −／２に相当する１
／２■ｏの電圧値を有する電源を使用する。端子ＩＮＡ
及びＩＮＤにパルスを印加してそれぞれにペース端が接
続されているトランジスタＴｒＡ及びＴｒＤを導通させ
、薄膜ＥＬ素子８に／２■０の電圧を印加する。引き続
いて端子ＩＮＨにパルスを印加してトランジスタＴｒＥ
を導通させ、コンデンサＣｏ との結合による２倍電圧
電源を形成してｖＯの電圧を薄膜ＥＬ素子８に印加する
。これにより薄膜ＥＬ素子８には２段階に１／２ｖＯ９
ＶＯの電圧が連続して印加され、ＥＬ発光が得られる。
／２■ｏの電圧値を有する電源を使用する。端子ＩＮＡ
及びＩＮＤにパルスを印加してそれぞれにペース端が接
続されているトランジスタＴｒＡ及びＴｒＤを導通させ
、薄膜ＥＬ素子８に／２■０の電圧を印加する。引き続
いて端子ＩＮＨにパルスを印加してトランジスタＴｒＥ
を導通させ、コンデンサＣｏ との結合による２倍電圧
電源を形成してｖＯの電圧を薄膜ＥＬ素子８に印加する
。これにより薄膜ＥＬ素子８には２段階に１／２ｖＯ９
ＶＯの電圧が連続して印加され、ＥＬ発光が得られる。
次に端子ＩＮＢにパルスを印加してトランジスタＴ ｒ
Ｂヲ導通させ、薄膜ＥＬ素子８の充電電荷を放電させる
。また端子ＩＮＦにパルスを印加してコンデンサＣｏを
接地するトランジスタＴｒｐを導通させる。
Ｂヲ導通させ、薄膜ＥＬ素子８の充電電荷を放電させる
。また端子ＩＮＦにパルスを印加してコンデンサＣｏを
接地するトランジスタＴｒｐを導通させる。
更に端子ＩＮＢ及びＩＮＣに）句レスを印加してトラン
ジスタＴｒＢ及びＴｒｃＧ−通させ、薄膜ＥＬ素子８に
上記とは逆極性の電圧’／２Ｖｏを印加し、引き続いて
端子ＩＮＥにパルスを印加してトランジスタＴｒＥを導
通させ、コンデンサＣＯの充電電荷を重畳した２倍電圧
ｖＯを印加する。従って薄膜ＥＬ素子８はこの逆極性パ
ルス電圧の印加により再び発光する。次に端子ＩＮＤに
パルスを印加してトランジスタＴｒＤを導通させ、薄膜
ＥＬ素子８を放電させまた端子ＩＮＦにパルスを印加し
−てトランジスタＴｒｐを導通させ、コンデンサＣＯを
接地する。以上の動作を反復することにより薄膜ＥＬ素
子８は単一電源でシーソー駆動にステップ駆動が重畳さ
れた発光表示駆動されることになる。
ジスタＴｒＢ及びＴｒｃＧ−通させ、薄膜ＥＬ素子８に
上記とは逆極性の電圧’／２Ｖｏを印加し、引き続いて
端子ＩＮＥにパルスを印加してトランジスタＴｒＥを導
通させ、コンデンサＣＯの充電電荷を重畳した２倍電圧
ｖＯを印加する。従って薄膜ＥＬ素子８はこの逆極性パ
ルス電圧の印加により再び発光する。次に端子ＩＮＤに
パルスを印加してトランジスタＴｒＤを導通させ、薄膜
ＥＬ素子８を放電させまた端子ＩＮＦにパルスを印加し
−てトランジスタＴｒｐを導通させ、コンデンサＣＯを
接地する。以上の動作を反復することにより薄膜ＥＬ素
子８は単一電源でシーソー駆動にステップ駆動が重畳さ
れた発光表示駆動されることになる。
以上詳説した如く本発明は薄膜ＥＬ素子が容量性素子で
あることを利用して表示に際しての駆動電力を低減した
ものであり、薄膜ＥＬ表示装置の駆動回路として非常に
有効な技術である。
あることを利用して表示に際しての駆動電力を低減した
ものであり、薄膜ＥＬ表示装置の駆動回路として非常に
有効な技術である。
第１図は薄膜ＥＬ素子の基本的構造を示す構成図である
。 第２図は従来の駆動方法に於ける充放電動作を説明する
説明図である。 第３図は従来の薄膜ＥＬ表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図である。 第５図は本発明の基本的動作のｌ実施例を説明する回路
の簡略構成図である。 第６図は従来の駆動法と本発明の駆動法に於ける消費電
力を比較して説明する説明図である。 第７図はステップ駆動を実現するための薄膜ＥＬ表示装
置の駆動回路の構成図である。第８図は第７図に示す駆
動回路に入力される電圧波形を示すタイミング波形図で
ある。 第９図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ表示装置の駆
動回路の構成図である。第１０図は第９図に入力される
電圧波形のタイミング波形図である。 ８・・・薄膜ＥＬ素子、Ｃｏ・・・コンデンサ、ＩＮＡ
。 ＩＮＢ、ＩＮＣ，ＩＮＤ、ＩＮＥ、ＩＮＦ−・・端子、
Ｔｒ Ａ ＋ ＴｒＢ ＩＴｒｃ、 Ｔｒｐ 、 Ｔｒ
Ｅ、 Ｔｒｐ−トランジスタ。 第１図 ρ 第３図 Ｎ１ 八“タメータ Ｋ 第７図 第８図 第９図
。 第２図は従来の駆動方法に於ける充放電動作を説明する
説明図である。 第３図は従来の薄膜ＥＬ表示装置に於ける駆動回路の構
成を示す回路図である。第４図は第３図に示す駆動回路
に入力される電圧波形を示すタイミング波形図である。 第５図は本発明の基本的動作のｌ実施例を説明する回路
の簡略構成図である。 第６図は従来の駆動法と本発明の駆動法に於ける消費電
力を比較して説明する説明図である。 第７図はステップ駆動を実現するための薄膜ＥＬ表示装
置の駆動回路の構成図である。第８図は第７図に示す駆
動回路に入力される電圧波形を示すタイミング波形図で
ある。 第９図は本発明の１実施例を示す薄膜ＥＬ表示装置の駆
動回路の構成図である。第１０図は第９図に入力される
電圧波形のタイミング波形図である。 ８・・・薄膜ＥＬ素子、Ｃｏ・・・コンデンサ、ＩＮＡ
。 ＩＮＢ、ＩＮＣ，ＩＮＤ、ＩＮＥ、ＩＮＦ−・・端子、
Ｔｒ Ａ ＋ ＴｒＢ ＩＴｒｃ、 Ｔｒｐ 、 Ｔｒ
Ｅ、 Ｔｒｐ−トランジスタ。 第１図 ρ 第３図 Ｎ１ 八“タメータ Ｋ 第７図 第８図 第９図
Claims (1)
- １、電圧の印加、に応答してＥＬ発光を呈する薄膜ＥＬ
表示装置の駆動回路に於いて、ＥＬ発光を得る駆動電圧
値Ｖｏのに倍（０＜Ｋ＜１）の値を有するＫＶＱの電圧
値を有する電源よ６前記薄膜ＥＬ表示装置へ電源電圧と
該電源電圧の充電電荷が電源電圧に付加された重畳電圧
を継続して支テップ状に印加するスイッチ回路を構成し
たことを特徴とする薄膜ＥＬ表示装置の駆動回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13793081A JPS5838997A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
| US06/412,377 US4594589A (en) | 1981-08-31 | 1982-08-27 | Method and circuit for driving electroluminescent display panels with a stepwise driving voltage |
| DE19823232389 DE3232389A1 (de) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | Verfahren und treiberschaltung zum erregen von duennschicht-elektrolumineszenz-anzeigetafeln |
| GB08224801A GB2105085B (en) | 1981-08-31 | 1982-08-31 | Drive for thin-film electroluminescent display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13793081A JPS5838997A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5838997A true JPS5838997A (ja) | 1983-03-07 |
| JPS648828B2 JPS648828B2 (ja) | 1989-02-15 |
Family
ID=15210004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13793081A Granted JPS5838997A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838997A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156327A (ja) * | 1974-06-05 | 1975-12-17 | ||
| JPS54124998A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Sharp Corp | Driving method of thin-film el element |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP13793081A patent/JPS5838997A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50156327A (ja) * | 1974-06-05 | 1975-12-17 | ||
| JPS54124998A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Sharp Corp | Driving method of thin-film el element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS648828B2 (ja) | 1989-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5384517A (en) | Electroluminescent element including a thin-film transistor for charge control | |
| US4594589A (en) | Method and circuit for driving electroluminescent display panels with a stepwise driving voltage | |
| JPH0410392A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS63314594A (ja) | 薄膜ｅｌディスプレイユニットの駆動方法および駆動回路 | |
| JPH09212128A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JPS645318B2 (ja) | ||
| JPS5838997A (ja) | 薄膜ｅｌ表示装置の駆動回路 | |
| JP2728567B2 (ja) | Ｅｌパネルのエージング方法 | |
| JPH0245197B2 (ja) | ||
| GB2105085A (en) | Drive for thin-film electroluminescent display panel | |
| JPS648829B2 (ja) | ||
| Neyts et al. | Space charge and light generation in SrS: Ce thin film electroluminescent devices | |
| JP2670411B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの駆動方法 | |
| JPS6323640B2 (ja) | ||
| JPS6124192A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
| JPS5828194A (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| Ohwaki et al. | Stacked Insulator Structure Thin‐Film Electroluminescent Display Devices | |
| Kazan | Electroluminescent display | |
| JPH0115876B2 (ja) | ||
| JPH0361994A (ja) | 表示装置の駆動方法 | |
| JPS6089098A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の電極構造 | |
| JPS623431B2 (ja) | ||
| JPH0451490A (ja) | 有機薄膜型電界発光素子の駆動方法 | |
| JPS62147693A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| KR950000755B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 판넬의 구동방법 |