JPS622713B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS622713B2 JPS622713B2 JP56137329A JP13732981A JPS622713B2 JP S622713 B2 JPS622713 B2 JP S622713B2 JP 56137329 A JP56137329 A JP 56137329A JP 13732981 A JP13732981 A JP 13732981A JP S622713 B2 JPS622713 B2 JP S622713B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- amorphous semiconductor
- metal substrate
- external lead
- amorphous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/93—Interconnections
- H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
- H10F77/935—Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は金属板を基板とするアモルフアス太
陽電池の構造に関するものである。
陽電池の構造に関するものである。
安価な太陽電池として金属板を基板とするアモ
ルフアス太陽電池が有望視され、研究開発が進め
られている。第１図は従来のこの種太陽電池の構
成を示す断面図である。まず、ステンレス鋼など
の銹びにくい金属基板１の上にグロー放電法によ
りシラン（SiH4）ガスを分解してアモルフアス半
導体層２をデポジシヨンする。その時にホスフイ
ン（PH3）またはジボラン（B2H6）ガスを１％程度
混合することによつて、それぞれｎ形またはｐ形
のアモルフアス半導体層を得るようにして、その
伝導形を制御して、連続的にｐ形、ｉ形およびｎ
形のアモルフアス半導体層を積層して図示、アモ
ルフアス半導体層２を形成する。次に、このアモ
ルフアス半導体層２の上にインジウム・スズ酸化
物（Indium・Tin・Oxide：ITO）を蒸着して光
学的に透明な導電膜３を形成する。この導電膜３
はアモルフアス半導体層２の表面側の電気抵抗を
低下させる目的をもつている。最後にアルミニウ
ムなどを蒸着して金属電極４および外部リード線
接続のためのボンデイングパツド（特に図示せ
ず）を形成し、この部分に外部リード線５を接続
する。他方の外部接続は金属基板１に対して行な
われる。
ルフアス太陽電池が有望視され、研究開発が進め
られている。第１図は従来のこの種太陽電池の構
成を示す断面図である。まず、ステンレス鋼など
の銹びにくい金属基板１の上にグロー放電法によ
りシラン（SiH4）ガスを分解してアモルフアス半
導体層２をデポジシヨンする。その時にホスフイ
ン（PH3）またはジボラン（B2H6）ガスを１％程度
混合することによつて、それぞれｎ形またはｐ形
のアモルフアス半導体層を得るようにして、その
伝導形を制御して、連続的にｐ形、ｉ形およびｎ
形のアモルフアス半導体層を積層して図示、アモ
ルフアス半導体層２を形成する。次に、このアモ
ルフアス半導体層２の上にインジウム・スズ酸化
物（Indium・Tin・Oxide：ITO）を蒸着して光
学的に透明な導電膜３を形成する。この導電膜３
はアモルフアス半導体層２の表面側の電気抵抗を
低下させる目的をもつている。最後にアルミニウ
ムなどを蒸着して金属電極４および外部リード線
接続のためのボンデイングパツド（特に図示せ
ず）を形成し、この部分に外部リード線５を接続
する。他方の外部接続は金属基板１に対して行な
われる。
ところで、金属基板１への外部接続は、金属基
板１が堅固であるので、安全容易であるが、アモ
ルフアス半導体層３の表面側の外部リード線５の
接続には困難を伴う。すなわち、この外部リード
線５の接続は、超音波接続、スポツト溶接、半田
付けなどによるが、それらの作業に伴う熱や、圧
力のために、第１図に示したように金属電極４か
らアモルフアス半導体層２に達するクラツク６が
発生することがある。このように、クラツク６が
発生すると、アモルフアス半導体層３の厚さが１
ミクロン以下で、極めて薄いので、電極４の金属
がクラツク６を通して容易に基板１に達し、この
太陽電池を短絡させることになる。つまり、電極
への外部リード線５の接続の工程で、太陽電池を
破損する危険が大きかつた。
板１が堅固であるので、安全容易であるが、アモ
ルフアス半導体層３の表面側の外部リード線５の
接続には困難を伴う。すなわち、この外部リード
線５の接続は、超音波接続、スポツト溶接、半田
付けなどによるが、それらの作業に伴う熱や、圧
力のために、第１図に示したように金属電極４か
らアモルフアス半導体層２に達するクラツク６が
発生することがある。このように、クラツク６が
発生すると、アモルフアス半導体層３の厚さが１
ミクロン以下で、極めて薄いので、電極４の金属
がクラツク６を通して容易に基板１に達し、この
太陽電池を短絡させることになる。つまり、電極
への外部リード線５の接続の工程で、太陽電池を
破損する危険が大きかつた。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、表面側の外部リード線をボンデイングすべ
き部位の直下に金属基板とアモルフアス半導体層
との間に絶縁膜を設けることによつて、たとえ上
述のようなクラツクが発生しても短絡事故の発生
しないアモルフアス太陽電池を提供することを目
的としている。
ので、表面側の外部リード線をボンデイングすべ
き部位の直下に金属基板とアモルフアス半導体層
との間に絶縁膜を設けることによつて、たとえ上
述のようなクラツクが発生しても短絡事故の発生
しないアモルフアス太陽電池を提供することを目
的としている。
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す断面
図で、第１図の従来例と同等部分は同一符号で示
し、その説明の重複を避ける。すなわち、この実
施例では、金属基板１上にアモルフアス半導体層
２を成長させる前に、将来表面側外部リード線５
をボンデイングすべき部位の直下にシリコン酸化
膜７を形成しておくもので、以下そのシリコン酸
化膜７の上を含めて金属基板１の上にアモルフア
ス半導体層２を形成し、それ以後の工程は従来例
と全く同様である。シリコン酸化膜７は400℃前
後の温度での化学的気相成長（CVD）または近
年実用化されつつあるプラズマCVDによつてデ
ポジシヨンさせるのが適当である。このように、
金属基板１とアモルフアス半導体層２との間のク
ラツク発生の可能性のある部位に堅固なシリコン
酸化膜７を設けたので、たとえ、外部リード線５
のボンデイングによつてクラツク６が発生して
も、金属電極４と金属基板１との短絡は阻止さ
れ、素子の破壊は発生しない。このとき、もちろ
んアモルフアス半導体層２内のpn接合はクラツ
ク６によつて破壊されるが、アモルフアス半導体
層２の自体が非常に高抵抗であり、このクラツク
発生部位は電極金属４の影に入つており、もとも
と太陽電池としての機能に寄与していない部分で
あるので、全体として素子機能を損ずることはな
い。
図で、第１図の従来例と同等部分は同一符号で示
し、その説明の重複を避ける。すなわち、この実
施例では、金属基板１上にアモルフアス半導体層
２を成長させる前に、将来表面側外部リード線５
をボンデイングすべき部位の直下にシリコン酸化
膜７を形成しておくもので、以下そのシリコン酸
化膜７の上を含めて金属基板１の上にアモルフア
ス半導体層２を形成し、それ以後の工程は従来例
と全く同様である。シリコン酸化膜７は400℃前
後の温度での化学的気相成長（CVD）または近
年実用化されつつあるプラズマCVDによつてデ
ポジシヨンさせるのが適当である。このように、
金属基板１とアモルフアス半導体層２との間のク
ラツク発生の可能性のある部位に堅固なシリコン
酸化膜７を設けたので、たとえ、外部リード線５
のボンデイングによつてクラツク６が発生して
も、金属電極４と金属基板１との短絡は阻止さ
れ、素子の破壊は発生しない。このとき、もちろ
んアモルフアス半導体層２内のpn接合はクラツ
ク６によつて破壊されるが、アモルフアス半導体
層２の自体が非常に高抵抗であり、このクラツク
発生部位は電極金属４の影に入つており、もとも
と太陽電池としての機能に寄与していない部分で
あるので、全体として素子機能を損ずることはな
い。
上記実施例では、シリコン酸化膜を絶縁膜とし
て用いたが、プラズマCVDによるシリコン窒化
膜、または蒸着した各種絶縁膜でもよく、また、
パターニングは全面に付着させた後に、写真製版
技術で不用部分をエツチングしてもよいし、パタ
ーン精度を問わないときにはマスク蒸着法で所要
部位に部分的に付着させてもよい。
て用いたが、プラズマCVDによるシリコン窒化
膜、または蒸着した各種絶縁膜でもよく、また、
パターニングは全面に付着させた後に、写真製版
技術で不用部分をエツチングしてもよいし、パタ
ーン精度を問わないときにはマスク蒸着法で所要
部位に部分的に付着させてもよい。
以上説明したように、この発明になるアモルフ
アス太陽電池ではアモルフアス半導体層にクラツ
クの発生するおそれのある表面側外部リード線の
ボンデイング部位直下の部分に、そのアモルフア
ス半導体層と金属基板との間に絶縁膜を介在させ
たので、上記クラツクが発生しても表面電極と金
属基板との間の短絡による素子の機能破壊が防止
できる。
アス太陽電池ではアモルフアス半導体層にクラツ
クの発生するおそれのある表面側外部リード線の
ボンデイング部位直下の部分に、そのアモルフア
ス半導体層と金属基板との間に絶縁膜を介在させ
たので、上記クラツクが発生しても表面電極と金
属基板との間の短絡による素子の機能破壊が防止
できる。
第１図は従来のアモルフアス太陽電池の構成を
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例の構成
を示す断面図である。 図において、１は金属基板、２はアモルフアス
半導体層、３は透明導電膜、４は金属電極、５は
外部リード線、７は絶縁膜である。なお、図中同
一符号は同一または相当部分を示す。
示す断面図、第２図はこの発明の一実施例の構成
を示す断面図である。 図において、１は金属基板、２はアモルフアス
半導体層、３は透明導電膜、４は金属電極、５は
外部リード線、７は絶縁膜である。なお、図中同
一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 金属基板上にアモルフアス半導体層と透明導
電膜とを順次形成しその上面の一部に金属電極を
介して外部リード線をボンデイングしてなるもの
において、上記外部リード線のボンデイング部位
の直下の部分の上記金属基板と上記アモルフアス
半導体層との間に絶縁膜を介在させたことを特徴
とするアモルフアス太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137329A JPS5839073A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137329A JPS5839073A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839073A JPS5839073A (ja) | 1983-03-07 |
| JPS622713B2 true JPS622713B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15196117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56137329A Granted JPS5839073A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5839073A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112019006224T5 (de) | 2019-02-28 | 2021-10-14 | Hitachi High-Tech Corporation | Elektrophoresevorrichtung, die in der Lage ist, eine Elektrophorese an mehreren Proben unabhängig auszuführen |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4590327A (en) * | 1984-09-24 | 1986-05-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photovoltaic device and method |
| US4633034A (en) * | 1985-02-08 | 1986-12-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photovoltaic device and method |
| JPS62128571A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| US5395457A (en) * | 1992-12-16 | 1995-03-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
| JP5147672B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2013-02-20 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
| JP2011222822A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| JP2011233798A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Fujifilm Corp | 太陽電池モジュール |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP56137329A patent/JPS5839073A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112019006224T5 (de) | 2019-02-28 | 2021-10-14 | Hitachi High-Tech Corporation | Elektrophoresevorrichtung, die in der Lage ist, eine Elektrophorese an mehreren Proben unabhängig auszuführen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5839073A (ja) | 1983-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3349308B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| US4758526A (en) | Procedure for producing an integrated system of thin-film solar cells connected in series | |
| US4542578A (en) | Method of manufacturing photovoltaic device | |
| US5385614A (en) | Series interconnected photovoltaic cells and method for making same | |
| JPS5961077A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池 | |
| JPS60240171A (ja) | 太陽光発電装置 | |
| JP3243232B2 (ja) | 薄膜太陽電池モジュール | |
| CN105826408B (zh) | 局部背表面场n型太阳能电池及制备方法和组件、系统 | |
| US4954181A (en) | Solar cell module and method of manufacture | |
| JPH1079522A (ja) | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 | |
| JPS5839073A (ja) | アモルフアス太陽電池 | |
| JPS5996779A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3243229B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| US4645866A (en) | Photovoltaic device and a method of producing the same | |
| JP4112202B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JPS5955079A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPS5863179A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH04153623A (ja) | 配線構造 | |
| JPS58196060A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPS6261376A (ja) | 太陽電池装置 | |
| JPH06112514A (ja) | 光電変換半導体装置作製方法 | |
| JP3209702B2 (ja) | 光起電力装置製造方法 | |
| JPH0415631B2 (ja) | ||
| JP2000261019A (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JPS6265480A (ja) | 薄膜太陽電池装置 |