JPS5839082A - イオンレ−ザ管 - Google Patents
イオンレ−ザ管Info
- Publication number
- JPS5839082A JPS5839082A JP13810881A JP13810881A JPS5839082A JP S5839082 A JPS5839082 A JP S5839082A JP 13810881 A JP13810881 A JP 13810881A JP 13810881 A JP13810881 A JP 13810881A JP S5839082 A JPS5839082 A JP S5839082A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- laser tube
- graphite
- ion laser
- surface temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 25
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 241000277269 Oncorhynchus masou Species 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 210000005239 tubule Anatomy 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/041—Arrangements for thermal management for gas lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Lasers (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はグラファイトディスク、絶縁用スペーサを交
互に積層しアルミナ支柱にて連結されたプラズマ細管に
おける連結用アルミナ支柱構造に関する。
互に積層しアルミナ支柱にて連結されたプラズマ細管に
おける連結用アルミナ支柱構造に関する。
一般にイオンレーザは、レーザ管内にアルゴンガスまた
はクリプトンガスを封入して陽極と陰極間に電圧を加え
て放電させ、レーザ管の両端におかれた光共振器を形成
する1対の反射鏡の角度を適宜に調整してレーザ発振を
得る。このようなイオンレーザ装置は数檻類の発振波長
を有し、かつ出力値が大きいことから医用、計測、情報
処理、加工などの多くの分野に使用されている。レーザ
管は数100vの放電電圧と数A〜数十Aの大電流放電
下で使用されるためレーザ管からの発熱は数百W〜数十
KWにいたる。又発熱の90−以上はプラズマ細管から
の発熱である。これらの発熱に対して強制空冷、水冷の
手段が取られている。
はクリプトンガスを封入して陽極と陰極間に電圧を加え
て放電させ、レーザ管の両端におかれた光共振器を形成
する1対の反射鏡の角度を適宜に調整してレーザ発振を
得る。このようなイオンレーザ装置は数檻類の発振波長
を有し、かつ出力値が大きいことから医用、計測、情報
処理、加工などの多くの分野に使用されている。レーザ
管は数100vの放電電圧と数A〜数十Aの大電流放電
下で使用されるためレーザ管からの発熱は数百W〜数十
KWにいたる。又発熱の90−以上はプラズマ細管から
の発熱である。これらの発熱に対して強制空冷、水冷の
手段が取られている。
グラファイトディスク、絶縁用スペーサを積層して構成
されたプラズマ細管においてはグラファイトの放射率を
利用した水冷手段が一般に用いられている。動作時にお
けるグラファイトディスクの表面温度は約100DCの
高温になる。グラファイトディスク絶縁用スペーサを交
互に積層したグツズで細管からなるイオンレーザ管の寿
命モードとしてピ)グラファイトディスクの粉末がブリ
ュースタ宮内面に付着し横モードマルチとなる、(ロ)
グラファイト粉末又はスパッター膜が連結し、陽極、陰
極間の絶縁が劣化し放電管として機能を停止する、(ハ
)陰極が劣化し放電管として機能を停止する。
されたプラズマ細管においてはグラファイトの放射率を
利用した水冷手段が一般に用いられている。動作時にお
けるグラファイトディスクの表面温度は約100DCの
高温になる。グラファイトディスク絶縁用スペーサを交
互に積層したグツズで細管からなるイオンレーザ管の寿
命モードとしてピ)グラファイトディスクの粉末がブリ
ュースタ宮内面に付着し横モードマルチとなる、(ロ)
グラファイト粉末又はスパッター膜が連結し、陽極、陰
極間の絶縁が劣化し放電管として機能を停止する、(ハ
)陰極が劣化し放電管として機能を停止する。
これらの主因はグラファイトディスクが約1000C〜
1100Cもの高温になっていることにある。グラファ
イトディスクの表面温度を下げることが寿命を伸ばす最
大の要因といっても過言ではない。
1100Cもの高温になっていることにある。グラファ
イトディスクの表面温度を下げることが寿命を伸ばす最
大の要因といっても過言ではない。
グラファイトディスクの表面温度Tは動作時に消費する
電力Eと表面積S材質固有の放射率σとステファンボル
ツマン常数により与えられ、 F=にσSヤの式より求
めることが出来る。すなわちグラファイトディスクの表
面温度を下げるには老面積を大きくすることが最適な手
段であるが、グラファイトディスク表面積を大きくする
ことはレーザ管全体が大きくなることはもとよりレーザ
管を冷却するウォータジャケット及び電磁石の形状まで
大きくなりレーザ発振器全体が大きくなり且つ価格高へ
とつながる等の欠点がある。
電力Eと表面積S材質固有の放射率σとステファンボル
ツマン常数により与えられ、 F=にσSヤの式より求
めることが出来る。すなわちグラファイトディスクの表
面温度を下げるには老面積を大きくすることが最適な手
段であるが、グラファイトディスク表面積を大きくする
ことはレーザ管全体が大きくなることはもとよりレーザ
管を冷却するウォータジャケット及び電磁石の形状まで
大きくなりレーザ発振器全体が大きくなり且つ価格高へ
とつながる等の欠点がある。
この発明の目的は上述の欠点を取り除いた新らたなイオ
ンレーザ管を提供することである。
ンレーザ管を提供することである。
この発明はグラファイトディ;スフ絶縁用スペーサを交
互に積層しアルミナ支柱にて連結されたプラズマ細管に
おいて前記アルミナ支柱を中空パイプ構造とし内部を水
冷したことを特長とする。
互に積層しアルミナ支柱にて連結されたプラズマ細管に
おいて前記アルミナ支柱を中空パイプ構造とし内部を水
冷したことを特長とする。
以下本発明につき実施例を挙げ図面に従つて詳細に!!
明する。イオンレーザ管8は陽極2、陰極3、グラファ
イトディスク7と絶縁用スペーサ5を交互に積層し連結
用絶縁支柱バイブロにて連結されたプラズマ細管4、こ
れらを囲い水冷されるべき細管外囲器1、その他の外囲
器9およびブリュースタ窓10を主たる構成要素として
いる。陰極3は外囲器1に取付けられた導入棒11によ
って固定されている。陽極2はプラズマ細管4に対して
絶縁用スペーサ5を介して連結用絶縁支柱バイブロにて
連結され導入棒12と連結し固定されている。グラファ
イトディスクの冷却水の給排水用支柱パイプの一端外周
にはメタイズを施しメタライズ個所にKV金金属封入皿
16をロー付けにて固定し、KV金金属封入皿16は外
囲器IK融着し固定されている。給排水用支柱パイプ1
3と連結用絶縁支柱バイブロの一端は連結パイプ14を
介してフリットガラスにてシールし連結され真空気密が
保持される。一方連結用絶縁支柱パイブ6の他端は連結
パイプ15を介してフリットガラスにてシールし連結さ
れ真空気密が保持される。
明する。イオンレーザ管8は陽極2、陰極3、グラファ
イトディスク7と絶縁用スペーサ5を交互に積層し連結
用絶縁支柱バイブロにて連結されたプラズマ細管4、こ
れらを囲い水冷されるべき細管外囲器1、その他の外囲
器9およびブリュースタ窓10を主たる構成要素として
いる。陰極3は外囲器1に取付けられた導入棒11によ
って固定されている。陽極2はプラズマ細管4に対して
絶縁用スペーサ5を介して連結用絶縁支柱バイブロにて
連結され導入棒12と連結し固定されている。グラファ
イトディスクの冷却水の給排水用支柱パイプの一端外周
にはメタイズを施しメタライズ個所にKV金金属封入皿
16をロー付けにて固定し、KV金金属封入皿16は外
囲器IK融着し固定されている。給排水用支柱パイプ1
3と連結用絶縁支柱バイブロの一端は連結パイプ14を
介してフリットガラスにてシールし連結され真空気密が
保持される。一方連結用絶縁支柱パイブ6の他端は連結
パイプ15を介してフリットガラスにてシールし連結さ
れ真空気密が保持される。
第2図に第1図陽極近傍のA−A矢視図で示すように連
結パイプ15はV−ザ光18がゆられない構造にするこ
とは言うまでも 。陽極2と陰極3間に数100vの電
圧を印加しグラファイトディスクの中心孔で数A〜数十
人の大電流放電を行うことによってグラファイトディス
ク70表面温度は約1000tll’−1100Cもの
高温になる、外囲器10回りには水冷の手段によつて強
制水冷されることはもちろんのことであるが、給排水用
支柱パイプ13、連結パイプ14.15連結用絶像支柱
パイプ16からなる給排水系統に17aより給水された
冷却水は連結用絶縁支柱パイプ16を介してグラファイ
トディスク7の温度を熱伝達し17bより排水され、グ
ラ7アイトデイスク7の表面温度を下げることが出来る
ためグラファイトディスク7からのグラファイト粉末及
びスパッタ膜の発生を減少させグラファイト粉末にょる
プリー−メタ窓10の内面付着による横モードマルチ、
及び陽極2、陰極3間の絶縁劣化による放電機能の停止
問題を激減し長寿命で高信頼のイオンレーザ管を得るこ
とが出来るグラファイトディスク7を冷却する連結用絶
縁支柱バイブロに用いる材質には耐熱性、絶縁性に優れ
ていることはもとより効率良く冷却するためKm伝導率
の優れたべ91)ア磁器(熱伝導率: 2.5W/z/
C)を用いると最っとも効果的である。
結パイプ15はV−ザ光18がゆられない構造にするこ
とは言うまでも 。陽極2と陰極3間に数100vの電
圧を印加しグラファイトディスクの中心孔で数A〜数十
人の大電流放電を行うことによってグラファイトディス
ク70表面温度は約1000tll’−1100Cもの
高温になる、外囲器10回りには水冷の手段によつて強
制水冷されることはもちろんのことであるが、給排水用
支柱パイプ13、連結パイプ14.15連結用絶像支柱
パイプ16からなる給排水系統に17aより給水された
冷却水は連結用絶縁支柱パイプ16を介してグラファイ
トディスク7の温度を熱伝達し17bより排水され、グ
ラ7アイトデイスク7の表面温度を下げることが出来る
ためグラファイトディスク7からのグラファイト粉末及
びスパッタ膜の発生を減少させグラファイト粉末にょる
プリー−メタ窓10の内面付着による横モードマルチ、
及び陽極2、陰極3間の絶縁劣化による放電機能の停止
問題を激減し長寿命で高信頼のイオンレーザ管を得るこ
とが出来るグラファイトディスク7を冷却する連結用絶
縁支柱バイブロに用いる材質には耐熱性、絶縁性に優れ
ていることはもとより効率良く冷却するためKm伝導率
の優れたべ91)ア磁器(熱伝導率: 2.5W/z/
C)を用いると最っとも効果的である。
第1図は本発明の一実施例であるイオンレーザ管を示す
断面図、第21は第1図陽極近傍のA−A矢視図である
。 1−−一外囲器、2−一陽極、3−一陰極、4・−プラ
ズマ細管、5−一絶縁用スペーサ、6−−−一連結用絶
縁支柱パイプ、?−・・−グラファイトディスク−8+
#−+舛イナンレーぜ笹 a−、−M閤慕1電slbl
の外囲器、10=−−−−ブリー−メタ窓、11−一陰
極3を固定する導入棒、12−m−陽極2を固定する導
入棒、13−・・−冷却水の給排水用支柱パイプ、14
−−−−一連結用絶縁支柱バイブ6と冷却水の給排水用
支柱パイプを連結するパイプ、15−一連結用絶縁支柱
バイ°プロを連結するパイプ、16−−−−−−KV封
入皿、17ab−−−−一冷却水の給排水、18−m−
・レー・ザ光。
断面図、第21は第1図陽極近傍のA−A矢視図である
。 1−−一外囲器、2−一陽極、3−一陰極、4・−プラ
ズマ細管、5−一絶縁用スペーサ、6−−−一連結用絶
縁支柱パイプ、?−・・−グラファイトディスク−8+
#−+舛イナンレーぜ笹 a−、−M閤慕1電slbl
の外囲器、10=−−−−ブリー−メタ窓、11−一陰
極3を固定する導入棒、12−m−陽極2を固定する導
入棒、13−・・−冷却水の給排水用支柱パイプ、14
−−−−一連結用絶縁支柱バイブ6と冷却水の給排水用
支柱パイプを連結するパイプ、15−一連結用絶縁支柱
バイ°プロを連結するパイプ、16−−−−−−KV封
入皿、17ab−−−−一冷却水の給排水、18−m−
・レー・ザ光。
Claims (1)
- 陽極、陰極、プラズマ細管、外囲器からなるイオンレー
ザ管において、前記プラズマ細管はグラファイトディス
ク、絶縁用スペーサを交互に積層しアルミナ支柱にて連
結され、該アルミナ支柱を中空パイプ構造として内部を
水冷したことを特徴とするイオンレーザ管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13810881A JPS5839082A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | イオンレ−ザ管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13810881A JPS5839082A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | イオンレ−ザ管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839082A true JPS5839082A (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=15214131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13810881A Pending JPS5839082A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | イオンレ−ザ管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5839082A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5319662A (en) * | 1984-06-22 | 1994-06-07 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Longitudinal discharge laser baffles |
| US5341392A (en) * | 1984-06-22 | 1994-08-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Longitudinal discharge laser electrodes |
-
1981
- 1981-09-02 JP JP13810881A patent/JPS5839082A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5319662A (en) * | 1984-06-22 | 1994-06-07 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Longitudinal discharge laser baffles |
| US5341392A (en) * | 1984-06-22 | 1994-08-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Longitudinal discharge laser electrodes |
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