JPS583969A - 電子写真用感光体及びその製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS583969A JPS583969A JP10211181A JP10211181A JPS583969A JP S583969 A JPS583969 A JP S583969A JP 10211181 A JP10211181 A JP 10211181A JP 10211181 A JP10211181 A JP 10211181A JP S583969 A JPS583969 A JP S583969A
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- JP
- Japan
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- gaseous
- photoreceptor
- xcx
- asi1
- glow discharge
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファス光導電体を用いた電子写真用感光
体及びその製造方法に関するものである。
体及びその製造方法に関するものである。
従来から電子写真用感光体としてはセレン、硫化カドミ
ウム、酸化亜鉛等が広く利用されているが、これ等の物
質は次のような欠点をもっている。
ウム、酸化亜鉛等が広く利用されているが、これ等の物
質は次のような欠点をもっている。
即ち−セレンは安定性に問題があり、熱やコロナ放電に
より表面が結晶化して特性が劣化する。寸た分光増感作
用のために加えられるＡ、ｓやＴｅ と同様にセレン自
体も人体に有害な物質であり、製造時及び取り扱いにあ
たっては充分な注意を払わねばならない。上記硫化カド
ミウム及び酸化亜鉛は通常樹脂バインダーに分散させて
使用されるが、この分散状態を制御することは極めて困
難であり、製造時の歩留りに大きく影響し、特性の揃っ
た感光体を得ることが難しい。またこれらの物質は表面
硬度が小さいため摩耗には弱く、長寿命化は期待できな
い、等の問題があった。
より表面が結晶化して特性が劣化する。寸た分光増感作
用のために加えられるＡ、ｓやＴｅ と同様にセレン自
体も人体に有害な物質であり、製造時及び取り扱いにあ
たっては充分な注意を払わねばならない。上記硫化カド
ミウム及び酸化亜鉛は通常樹脂バインダーに分散させて
使用されるが、この分散状態を制御することは極めて困
難であり、製造時の歩留りに大きく影響し、特性の揃っ
た感光体を得ることが難しい。またこれらの物質は表面
硬度が小さいため摩耗には弱く、長寿命化は期待できな
い、等の問題があった。
このような問題が多い従来の感光体に対して、新規な電
子写真用感光体として最近注目されているものの中にア
モルファスンリコン（以下ａＳｉと略記する）がある。
子写真用感光体として最近注目されているものの中にア
モルファスンリコン（以下ａＳｉと略記する）がある。
水素化ａＳｌが光導電性を示すことは既に知られている
が、一般に何ら添加物を混入せずにグロー放電ＣＶＤ法
（ＧＤ−ＣＶＤ法）で作製さｎたａＳｉけ、ｎ型手導体
としての伝導性を示し、その暗抵抗は１０〜１００口程
度である。
が、一般に何ら添加物を混入せずにグロー放電ＣＶＤ法
（ＧＤ−ＣＶＤ法）で作製さｎたａＳｉけ、ｎ型手導体
としての伝導性を示し、その暗抵抗は１０〜１００口程
度である。
処でアモルファス光導電体が電子写真用感光体の光導電
層として利用できるためには、静電電荷を感光体表面に
長時間残留させるための電荷保持特性をもつことが必要
で、そのためには少なくとも１０１１Ωｍ以上の固有抵
抗をもつことが必要である。一方現在の現像処理技術で
は、光を照射した時の光導電体の固有抵抗の変化として
は２〜４桁が要求されるが、無添加の上記ａＳｉでは充
分な光感度が得られない。更に電子写真用感光体として
用いるためには耐摩耗性、耐コロナイオン性。
層として利用できるためには、静電電荷を感光体表面に
長時間残留させるための電荷保持特性をもつことが必要
で、そのためには少なくとも１０１１Ωｍ以上の固有抵
抗をもつことが必要である。一方現在の現像処理技術で
は、光を照射した時の光導電体の固有抵抗の変化として
は２〜４桁が要求されるが、無添加の上記ａＳｉでは充
分な光感度が得られない。更に電子写真用感光体として
用いるためには耐摩耗性、耐コロナイオン性。
耐熱性、耐溶剤性などが重要な因子となり、これらの特
性をも向上させることが強く望まれる。
性をも向上させることが強く望まれる。
本発明は上記従来の電子写真用感光体の問題点に鑑みて
なされたもので、電子写真用としての光導電特性及び機
械的諸性質を得ることができる感光体及びその製造方法
を提供するものである。
なされたもので、電子写真用としての光導電特性及び機
械的諸性質を得ることができる感光体及びその製造方法
を提供するものである。
本発明による感光体は、抵抗値を補償するために■族元
素が添加されたアモルファスンリコンカーバイド層を導
電性支持板上に成長させて形成されている。特徴とする
ところは、モノ７ランガス（ＳｉＨ４）を用いてグロー
放電法によりａＳｉ 膜を形成する際に、トリメチルガ
リウムガス （Ｇａ（ＣＨ３）３）を反応室内に同時に
導入する点にあるＯ 即ちＣＶＤ用真空槽内で１５０°〜３００℃に保たれた
導電性支持板上に、水素ガスに１０％の５ＩＨ４ガスを
含んだ混合ガス及び水素ガスにＧａ （ＣＨ３） ３蒸
気を混合したガスを、前者に対して後者が１０％〜０．
０１％となるように導入し、０．ＩＴｏｒｒから１０Ｔ
ｏ ｒ ｒの圧力範囲で高周波により誘起されたグロー
放電を行わせる。このグロー放電により上ファスンリコ
ンカーバイド層が形成される。同時に■族元素であるＧ
ａもａｓｌｌ ｙＣｘ’Ｈ層中に添加され、抵抗値を１
０〜１００口にすることができる○形成されたａＳｉｌ
−ｘＣＸＨは、カーボンが添加されることによって固さ
が増し、、ａｓｉ、Ｈに比べて耐摩耗性、耐熱性にすぐ
れており、電子写真用感光体として好ましい材料となる
。
素が添加されたアモルファスンリコンカーバイド層を導
電性支持板上に成長させて形成されている。特徴とする
ところは、モノ７ランガス（ＳｉＨ４）を用いてグロー
放電法によりａＳｉ 膜を形成する際に、トリメチルガ
リウムガス （Ｇａ（ＣＨ３）３）を反応室内に同時に
導入する点にあるＯ 即ちＣＶＤ用真空槽内で１５０°〜３００℃に保たれた
導電性支持板上に、水素ガスに１０％の５ＩＨ４ガスを
含んだ混合ガス及び水素ガスにＧａ （ＣＨ３） ３蒸
気を混合したガスを、前者に対して後者が１０％〜０．
０１％となるように導入し、０．ＩＴｏｒｒから１０Ｔ
ｏ ｒ ｒの圧力範囲で高周波により誘起されたグロー
放電を行わせる。このグロー放電により上ファスンリコ
ンカーバイド層が形成される。同時に■族元素であるＧ
ａもａｓｌｌ ｙＣｘ’Ｈ層中に添加され、抵抗値を１
０〜１００口にすることができる○形成されたａＳｉｌ
−ｘＣＸＨは、カーボンが添加されることによって固さ
が増し、、ａｓｉ、Ｈに比べて耐摩耗性、耐熱性にすぐ
れており、電子写真用感光体として好ましい材料となる
。
実施例
誘導型グロー放電装置の真空槽内に設置されたアルミニ
ウム感光体ドラムをヒーター加熱により２００℃の温度
に保持するＯ水素中にモノシラン全１０％含有させた混
合ガスに対し、トリメチルガリウムの蒸気を室温で飽和
状態に含ませた水素ガスを３％の割合で混入し、該混入
ガスを真空槽内に供給する。ガスが導入されたグロー放
電装置ノ誘導コイルに１３．５６ＭＨｚ ２００Ｗの
高周波を印加してグロー放電を起こさせ、アルミドラム
上にａＳｉ□−ＸＣＸ、Ｈ層を形成して感光体を作製す
るＣ該感光体の抵抗値は５×１０１１Ωｍを示し、少量
のＧａがａＳｉｌ−ＸＣＸ：Ｈに添加されることによっ
て抵抗値が補償される。
ウム感光体ドラムをヒーター加熱により２００℃の温度
に保持するＯ水素中にモノシラン全１０％含有させた混
合ガスに対し、トリメチルガリウムの蒸気を室温で飽和
状態に含ませた水素ガスを３％の割合で混入し、該混入
ガスを真空槽内に供給する。ガスが導入されたグロー放
電装置ノ誘導コイルに１３．５６ＭＨｚ ２００Ｗの
高周波を印加してグロー放電を起こさせ、アルミドラム
上にａＳｉ□−ＸＣＸ、Ｈ層を形成して感光体を作製す
るＣ該感光体の抵抗値は５×１０１１Ωｍを示し、少量
のＧａがａＳｉｌ−ＸＣＸ：Ｈに添加されることによっ
て抵抗値が補償される。
上記感光体に６．３ＫＶのマイナスコロナ放電を施こし
、従来の電子写真プロセスと同様に画像露光して静電潜
像を形成し、該静電潜像を磁気プラン法で現像し、続い
て普通紙に転写したところ良質の複写画像が得られた。
、従来の電子写真プロセスと同様に画像露光して静電潜
像を形成し、該静電潜像を磁気プラン法で現像し、続い
て普通紙に転写したところ良質の複写画像が得られた。
以上本発明のように、アモルファスシリコン膜をグロー
放電分解法によって形成する際のＳｉＨ。
放電分解法によって形成する際のＳｉＨ。
ガスにトリメチルガリウム蒸気を導入することにより、
光導電性をもつａＳｉｌ−ＸＣＸが形成され、該ａＳｊ
、−ＸＣＸは同時に少量のＧａが添加されているため暗
抵抗、光感度の増大した電子写真用として好適の感光体
を得ることができる。またカーボンの混入によって固さ
が増し、耐久性、耐熱性にすぐれると共に、製造工程で
環境を汚染したり公害の原因になる惧れもない。
光導電性をもつａＳｉｌ−ＸＣＸが形成され、該ａＳｊ
、−ＸＣＸは同時に少量のＧａが添加されているため暗
抵抗、光感度の増大した電子写真用として好適の感光体
を得ることができる。またカーボンの混入によって固さ
が増し、耐久性、耐熱性にすぐれると共に、製造工程で
環境を汚染したり公害の原因になる惧れもない。
代理人 弁理士 福 士 愛 彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光導電層表面に光像露光して静電潜像を形成する感
光体において、アモルファスシリコンカーバイド（ａｓ
ｉ、−ＸｃＸ ｏ、ｏｏ：ｔａｘ（ｏ、ｓ）に微量の■
族元素を添加してなる光導電層を導電性支持体上に形成
したことを特徴とする電子写真用感光体。 ２）前記■族元素はＧａであることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の電子写真用感光体。 ３）光導電層表面に光像露光して静電潜像を形成する感
光体の製造方法において、セレンランガス及びトリメチ
ルガリウムガスの混合ガスにグロー放電を行わせて、導
電性支持体にガリウムを添加物として含むアモルファス
シリコンカーバイドの光導電層を成長させることを特徴
とする電子写真用感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10211181A JPS583969A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 電子写真用感光体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10211181A JPS583969A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 電子写真用感光体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583969A true JPS583969A (ja) | 1983-01-10 |
| JPS6123271B2 JPS6123271B2 (ja) | 1986-06-05 |
Family
ID=14318685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10211181A Granted JPS583969A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 電子写真用感光体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583969A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145540A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP10211181A patent/JPS583969A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54145540A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Canon Inc | Electrophotographic image forming material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6123271B2 (ja) | 1986-06-05 |
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