JPS5840838B2 - 誘導加熱調理器 - Google Patents
誘導加熱調理器Info
- Publication number
- JPS5840838B2 JPS5840838B2 JP52125527A JP12552777A JPS5840838B2 JP S5840838 B2 JPS5840838 B2 JP S5840838B2 JP 52125527 A JP52125527 A JP 52125527A JP 12552777 A JP12552777 A JP 12552777A JP S5840838 B2 JPS5840838 B2 JP S5840838B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- circuit
- switching semiconductor
- terminals
- power supply
- Prior art date
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- Inverter Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
周波数変換装置を利用した誘導加熱調理器において、負
荷となる鍋の種類や大小によって、共振回路を形成する
インダクタンスの変動および入力電圧上昇に伴い、負荷
電流および周波数が変動し、さらに入力電流も変動する
。
荷となる鍋の種類や大小によって、共振回路を形成する
インダクタンスの変動および入力電圧上昇に伴い、負荷
電流および周波数が変動し、さらに入力電流も変動する
。
ところがスイッチング半導体を使用するに際して、前記
スイッチング半導体に流れる電流に制限があり、また前
記スイッチング半導体ケース温度上昇によるターン・オ
フ失敗等の諸問題が生じてくる。
スイッチング半導体に流れる電流に制限があり、また前
記スイッチング半導体ケース温度上昇によるターン・オ
フ失敗等の諸問題が生じてくる。
そこで本発明は入力電流および入力電圧を検知し、前記
入力電流、入力電圧が当初の設定レベルと比較して大き
くなったときに、スイッチング半導体不導通時間を太き
くシ、前記スイッチング半導体に流れる電流値を押える
ことにより、安定な動作を保障するものである。
入力電流、入力電圧が当初の設定レベルと比較して大き
くなったときに、スイッチング半導体不導通時間を太き
くシ、前記スイッチング半導体に流れる電流値を押える
ことにより、安定な動作を保障するものである。
以下、その具体的な一実施例を図面に基づき説明する。
第１図は周波数変換回路１０およびその制御回路１９か
ら成る誘導加熱調理器配線図を示す。
ら成る誘導加熱調理器配線図を示す。
前記周波数変換回路１０は商用電源１を全波整流回路２
にて整流し、その出力端子間に高周波電流バイパス用コ
ンデンサ３を接続する。
にて整流し、その出力端子間に高周波電流バイパス用コ
ンデンサ３を接続する。
全波整流回路２のプラス出力端子にチョークコイル４、
共振用コンデンサ６、共振用インダクタ７の直列回路の
一端を接続し、他の一端を全波整流回路２のマイナス端
子に接続する。
共振用コンデンサ６、共振用インダクタ７の直列回路の
一端を接続し、他の一端を全波整流回路２のマイナス端
子に接続する。
そして共振用コンデンサ６と共振用インダクタ７の直列
回路と並列にスイッチング半導体ブロック５を接続する
。
回路と並列にスイッチング半導体ブロック５を接続する
。
前記スイッチング半導体ブロック５は、順方向にサイリ
スタ５１、逆並列にダイオード５２より成る。
スタ５１、逆並列にダイオード５２より成る。
前記周波数変換回路１０を誘導加熱調理器として使用す
るときは、前記共振用インダクタ７を加熱コイルとして
使用し、鍋８を加熱する。
るときは、前記共振用インダクタ７を加熱コイルとして
使用し、鍋８を加熱する。
電流トランス９は、全波整流回路２の入力側に設置する
。
。
第２図は前記制御回路１９のブロック・ダイアグラムを
示す。
示す。
ゲートタイミング回路１８は前記スイッチング半導体ブ
ロック５の端子間電圧を、端子Ｂ−Ｄより検知し、ある
所定レベルに達すると、出力信号を出力するｖＦ検知回
路１１、前記ｖＦ検知回路１１が出力信号を出力して後
、ある一定の遅延時間の後に信号を出力する遅延回路１
２、前記遅延回路１２の出力信号によってトリガされ、
一定のパルスを形成するモノ・ステーブル回路１３より
成る。
ロック５の端子間電圧を、端子Ｂ−Ｄより検知し、ある
所定レベルに達すると、出力信号を出力するｖＦ検知回
路１１、前記ｖＦ検知回路１１が出力信号を出力して後
、ある一定の遅延時間の後に信号を出力する遅延回路１
２、前記遅延回路１２の出力信号によってトリガされ、
一定のパルスを形成するモノ・ステーブル回路１３より
成る。
また、１４は前記モノ・ステーブル回路１３のパルス信
号によりドライブされるゲート・ドライブ回路、１５は
前記電流トランス９により、入力電流と１対１に対応し
た直流電圧を出力するＩｉｎ検知回路、１６は比較回路
、１７は商用電源１の電圧と１対１に対応した直流電圧
を出力するＶｉｎ検知回路であり、前記比較回路１６は
前記Ｉｉｎ検知回路１５およびＶｉｎ検知回路１Ｔの直
流電圧出力のどちらか高い方のレベルと、あらかじめ設
定されたレベルと比較し、あらかじめ設定されたレベル
よりも高い信号が入力されると、前記遅延回路１２の遅
延時間をのばす（これはゲート信号周期が長くなる）よ
うに動作信号を出力するものであり、これらにより前記
制御回路１９は構成されている。
号によりドライブされるゲート・ドライブ回路、１５は
前記電流トランス９により、入力電流と１対１に対応し
た直流電圧を出力するＩｉｎ検知回路、１６は比較回路
、１７は商用電源１の電圧と１対１に対応した直流電圧
を出力するＶｉｎ検知回路であり、前記比較回路１６は
前記Ｉｉｎ検知回路１５およびＶｉｎ検知回路１Ｔの直
流電圧出力のどちらか高い方のレベルと、あらかじめ設
定されたレベルと比較し、あらかじめ設定されたレベル
よりも高い信号が入力されると、前記遅延回路１２の遅
延時間をのばす（これはゲート信号周期が長くなる）よ
うに動作信号を出力するものであり、これらにより前記
制御回路１９は構成されている。
第３図は前記制御回路の詳細図である。
端子Ｂ−Ｄにより前記スイッチング半導体ブロック５の
端子間電圧を抵抗１１０，１１１により抵抗分圧し、ツ
ェナーダイオード１１２のツェナー電圧以上になるとト
ランジスタ１１４がオンし、トランジスタ１２０がオフ
し、コンデンサ１２５が抵抗１２４を通じて充電される
。
端子間電圧を抵抗１１０，１１１により抵抗分圧し、ツ
ェナーダイオード１１２のツェナー電圧以上になるとト
ランジスタ１１４がオンし、トランジスタ１２０がオフ
し、コンデンサ１２５が抵抗１２４を通じて充電される
。
そして前記コンデンサ１２５の端子間電圧が抵抗１２６
，１２７による抵抗分圧値よりも高くなるとコンパレー
タ１２９の出力がｒＨＪになり、モノ・ステーブル回路
１３をトリガする。
，１２７による抵抗分圧値よりも高くなるとコンパレー
タ１２９の出力がｒＨＪになり、モノ・ステーブル回路
１３をトリガする。
そして前記モノ・ステーブル回路１３の出力は、ゲート
・ドライブ回路１４を動作させ、端子Ｇより端子に方向
にゲート電流を流す。
・ドライブ回路１４を動作させ、端子Ｇより端子に方向
にゲート電流を流す。
ゲート・ドライブ回路１４は、直流電源ＶＯＯより抵抗
１４１、パルストランス１４３の直列回路をトランジス
タ１４４のコレクタに接続し、前記パルストランス１４
３の端子間にダイオード１４２を接続し、前記パルスト
ランスのはね返り電圧を吸収する。
１４１、パルストランス１４３の直列回路をトランジス
タ１４４のコレクタに接続し、前記パルストランス１４
３の端子間にダイオード１４２を接続し、前記パルスト
ランスのはね返り電圧を吸収する。
そして前記バラストランス１４３の２次側端子に抵抗１
４５゜１４６の直列回路を接続し、前記抵抗１４６の両
端より端子Ｇ１端子Ｋを接続する。
４５゜１４６の直列回路を接続し、前記抵抗１４６の両
端より端子Ｇ１端子Ｋを接続する。
前記ゲート・ドライブ回路１４からのゲート電流がサイ
リスタ５１をオンさせると、端子Ｂ−Ｄ間電圧電圧にな
り、トランジスタ１１４がオフし、トランジスタ１２０
がオンする。
リスタ５１をオンさせると、端子Ｂ−Ｄ間電圧電圧にな
り、トランジスタ１１４がオフし、トランジスタ１２０
がオンする。
そして前記コンデンサ１２５は抵抗１２１を通じて放電
される。
される。
以上の動作状態を第４図に示す。
第４図においてａは高周波共振電流波形であり、ｂは端
子Ｂ−Ｄ間電圧電圧波形は前記コンデンサ１２５の端子
間電圧波形、ｄは前記コンパレーク１２９の出力波形、
ｅは前記モノ・ステーブル回路１３の出力波形を示す。
子Ｂ−Ｄ間電圧電圧波形は前記コンデンサ１２５の端子
間電圧波形、ｄは前記コンパレーク１２９の出力波形、
ｅは前記モノ・ステーブル回路１３の出力波形を示す。
一方端子ｃｌ 、Ｃ２は前記電流トランス９と接続され
、抵抗１５０の端子間電圧をダイオード１５１〜１５４
の全波整流回路を通し、コンデンサ１５５にて直流電圧
レベルに整流される。
、抵抗１５０の端子間電圧をダイオード１５１〜１５４
の全波整流回路を通し、コンデンサ１５５にて直流電圧
レベルに整流される。
なお抵抗１５６は前記コンデンサ１５５の放電用であり
、高抵抗のものを使用する。
、高抵抗のものを使用する。
また、端子Ａは前記高周波電流バイパス用コンデンサ３
のプラス側端子と接続し、抵抗１７０ 、１７１にて抵
抗分圧し、コンデンサ１１３にて整流し、前記商用電源
１の電圧と１対１に対応した直流電圧を得る。
のプラス側端子と接続し、抵抗１７０ 、１７１にて抵
抗分圧し、コンデンサ１１３にて整流し、前記商用電源
１の電圧と１対１に対応した直流電圧を得る。
なお抵抗１７２は前記コンデンサ１７３の放電用であり
、高抵抗のものを使用する。
、高抵抗のものを使用する。
前述のように得られた前記Ｉｉｎ検知回路１７゜Ｖｉｎ
検知回路１５の出力直流電圧のどちらか高い方の電圧が
、前記比較回路１６に入力される。
検知回路１５の出力直流電圧のどちらか高い方の電圧が
、前記比較回路１６に入力される。
入力電圧が当初の設定レベルよりも低い場合抵抗１６４
．１６５にて抵抗分圧し、それをトランジスタ１６３の
ベースに接続し、正常動作時はダイオード１６６のアノ
ード電圧がカソード電圧よりも低くなるようにしている
。
．１６５にて抵抗分圧し、それをトランジスタ１６３の
ベースに接続し、正常動作時はダイオード１６６のアノ
ード電圧がカソード電圧よりも低くなるようにしている
。
入力電圧をトランジスタ１６０のベースに入力し、前記
トランジスタ１６３のベース電圧よりも高くなると、前
記ダイオード１６６が導通し、前記遅延回路１２内のコ
ンパレータ１２９のマイナス入力端子電圧を押し上げ、
遅延時間を長くするように動作する。
トランジスタ１６３のベース電圧よりも高くなると、前
記ダイオード１６６が導通し、前記遅延回路１２内のコ
ンパレータ１２９のマイナス入力端子電圧を押し上げ、
遅延時間を長くするように動作する。
以上のように本発明によれば、入力電流と電源電圧の少
なくとも一方が所定レベル以上になるとスイッチング半
導体を導通させるゲート信号の周期が長くなることによ
って高周波電流値が自動的に小さくなり、スイッチング
半導体の安定したスイツチング動作が保障され、また、
電源電圧が増大しても入力電力をほぼ一定に保つことが
でき、さらに、鍋の種類や大小による共振回路のインダ
クタンス成分が変動しても入力電流値を所定レベル以下
に自動的に制御できる。
なくとも一方が所定レベル以上になるとスイッチング半
導体を導通させるゲート信号の周期が長くなることによ
って高周波電流値が自動的に小さくなり、スイッチング
半導体の安定したスイツチング動作が保障され、また、
電源電圧が増大しても入力電力をほぼ一定に保つことが
でき、さらに、鍋の種類や大小による共振回路のインダ
クタンス成分が変動しても入力電流値を所定レベル以下
に自動的に制御できる。
第１図は本発明の一実施例における誘導加熱調理器の周
波数変換回路とその制御回路の構成図、第２図は前記制
御回路のブ七ツクダイアグラム、第３図は前記制御回路
の具体的な一実施例回路図、第４図は前記制御回路の各
部波形図である。 ５・・・・・・半導体ブロック、６・・・・・・共振用
コンデンサ、７・・・・・・共振用インダクタ、１０・
・・・・・周波数変換回路、１４・・・・・・ゲート・
ドライブ回路、１５・・・・・・Ｉｉｎ検知回路、１６
・・・・・・比較回路、１７・・・・・・Ｖｉｎ検知回
路、１８・・・・・・ゲートタイミング回路、１９・・
・・・・制御回路。
波数変換回路とその制御回路の構成図、第２図は前記制
御回路のブ七ツクダイアグラム、第３図は前記制御回路
の具体的な一実施例回路図、第４図は前記制御回路の各
部波形図である。 ５・・・・・・半導体ブロック、６・・・・・・共振用
コンデンサ、７・・・・・・共振用インダクタ、１０・
・・・・・周波数変換回路、１４・・・・・・ゲート・
ドライブ回路、１５・・・・・・Ｉｉｎ検知回路、１６
・・・・・・比較回路、１７・・・・・・Ｖｉｎ検知回
路、１８・・・・・・ゲートタイミング回路、１９・・
・・・・制御回路。
Claims (1)
- １ 交流電源に接続された全波整流器と、この全波整流
器の出力端子に接続された加熱コイルと共振用コンデン
サよりなる直列回路と、この直列回路に並列接続された
スイッチング半導体と、このスイッチング半導体の導通
制御を行う制御回路を備え、この制御回路は前記スイッ
チング半導体の端子間電圧を検出し、この端子間電圧が
所定レベルに達してから一定時間後に、前記スイッチン
グ半導体をオンさせる信号を出力するゲートタイミング
回路と、前記交流電源の入力電流および交流電源の電圧
の少なくとも一方が所定レベルよりも高いと前記一定時
間を長くする手段を備えてなる誘導加熱調理器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52125527A JPS5840838B2 (ja) | 1977-10-18 | 1977-10-18 | 誘導加熱調理器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52125527A JPS5840838B2 (ja) | 1977-10-18 | 1977-10-18 | 誘導加熱調理器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5458235A JPS5458235A (en) | 1979-05-10 |
| JPS5840838B2 true JPS5840838B2 (ja) | 1983-09-08 |
Family
ID=14912373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52125527A Expired JPS5840838B2 (ja) | 1977-10-18 | 1977-10-18 | 誘導加熱調理器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840838B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57174884A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-27 | Sanyo Electric Co | Induction heating and cooking device |
| JPS57174885A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-27 | Sanyo Electric Co | Induction heating and cooking device |
| JPS5885293A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-21 | 株式会社東芝 | 調理器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421980B2 (ja) * | 1973-12-24 | 1979-08-03 |
-
1977
- 1977-10-18 JP JP52125527A patent/JPS5840838B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5458235A (en) | 1979-05-10 |
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