JPS5840858A - ＧａＡｓ上のオ−ミック性電極構造 - Google Patents

ＧａＡｓ上のオ−ミック性電極構造

Info

Publication number
JPS5840858A
JPS5840858A JP56139465A JP13946581A JPS5840858A JP S5840858 A JPS5840858 A JP S5840858A JP 56139465 A JP56139465 A JP 56139465A JP 13946581 A JP13946581 A JP 13946581A JP S5840858 A JPS5840858 A JP S5840858A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
auge
gaas
ohmic
metal
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56139465A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Saito
昭 斉藤
Yoshiki Wada
和田　嘉記
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
NTT Inc
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Telegraph and Telephone Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP56139465A priority Critical patent/JPS5840858A/ja
Publication of JPS5840858A publication Critical patent/JPS5840858A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
    • H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＧａＡｓとオーミック接触する電極の構造に関
するものである。
従来、半導体デバイスにはＧｅ、８ｉ等の単一元素の半
導体材料が使用されていたが、最近になって化合物半導
体を用い、化合物半導体特有の性質あるいは化合物半導
体のＳｉ、Ｇｅよりもすぐれた材料特性を生かした種々
の素子が提案され、また実用化された。その中でもＧａ
Ａｓは直接遷移型の性質を利用して、光デバイスに、あ
るいはＳｉ。
Ｇｅよシも数倍大きい電子移動度を有することやガン効
果を有することを利用して、超高周波素子に応用され、
％にその進歩が著しい。
それでもＳ＋に比較すると技術的には極めて未熟な段階
であり、はとんどの素子で用いられるオーミック電極に
関してさえも充分小さなオーミック抵抗で、かつその抵
抗が種々の実際的なストレスに対し安定で、かつ素子製
造上量産性に富んだものは得られていない。
さて実際の素子に適用可能なオーミック電極のもつ性質
としては次のものが挙げられる。
（１１オーミック形成後のウェハー処理に伴う熱処理や
組立に伴う熱処理又組立後の長時間にわたるバイアス印
加によってもオー之ツタ抵抗が変動しないこと。
（２１組立の際通常ボ／ディ／グを行うが、それが容易
にできかつボンディング線との接着強度が強いこと。
（３）　　オーミック電極を構成する金属中をオーミ・
ンク接合と平行に大電流が流れる素子時［ＧａＡｓの電
力用電界効果トランジスタではエレクトロマイグレーシ
Ｎ／を引き起さないこと。
これらの条件を満すために、通常は多層の金属で構成さ
れたオーミック電極が用いられている。
さて、上記オー＜、り抵抗の変動に関しては。
和田等の研究によ９１次のことが判明している。
（ＩＬＩ　　ＡｕＧｅ　／　Ｐｔ又はＡｕＧｅ／Ｎｉを
Ｇａ　Ａ　Ｂ上に被覆後熱処理により一部合金化してオ
ーミνり接触をとっただけのオーミック電極はオーｉ　
＋７り劣化に対しては安定であるが、その上にＴｉ、Ｐ
ｔ。
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等を被覆すると高温処理でオーミック
性が劣化する。このことは高温加速試験で確認できた。
また被覆する金属がＡｕ又はＡｇの場合は高温処理によ
ってもオーミック性の劣化はほとんどない。
（ハ）オーミック電極の抵抗が劣化する金属構成の場合
、抵抗は増加した後ある値で飽和する。この場合被覆す
る金属の厚みがうすいほど、抵抗の増加する速度も小さ
く％また飽和時の抵抗値も小さい。
次に（３）の条件をみたすには通常エレクトロマイグレ
ーショ／を起しにくいＡｕを用い最大のＸ流が流れたと
きでも電流密度は１×１０５Ａ／ｃｍ２程度になるよう
１μｍ以上のＡｕメッキをつける。これは蒸着によって
も可能であるが通常はパターニングが必要であるので蒸
着ではパターン形成が困難である。
さて従来は（１）と（３）の条件をみたすためＡｕＧｅ
／Ｐｔ又はＡｕＧｅ／Ｎｉ上に直接Ａｕ７＋、、キを行
う方法も提案されていたがＡｕ　Ｇｅ　／Ｐ　を又はＡ
ｕＧｅ／Ｎｉ蒸着後熱処理によυ−一部合金化て形成し
た電極表面はメ・ツキが均一につきにくく、メッキが黒
く変色しやすい。またこのようなメッキ面はボンディン
グしてもボンディング線との接着が悪く（２）の条件を
みたさない。
本発明の目的は上記（１１〜（３）のすべての条件を満
たし、かつ量産にも適合した電極構造を提供しようとい
うものである。
上記困難を解決するため種々の電極構造を検討した結果
ＱａＡ＠上にＡｕＧｅ／Ｎｉ　、ＡｕＧｅ／Ｐｔ　。
ＡｕＧｅ　／Ｎｉ　／Ａｕ等のＡｕＧｅ系金属（以下、
　ＡｕＧｅ系金属という）を被覆し熱処理で一部ＧａＡ
ｓと合金化した後１，０ＯＯＸ以下のＴ１またけＣｒ等
の接着性金属を被着し、さらにそれに連続してＡｕ又け
Ａｇを蒸着した表面は金メッキが外観上きれいＫできか
つボンディング線との接着強度も強く。
かつ、高温処理によってもほとんどオーミ９り抵抗の変
動がなかった。また製造上でも例えばＴｉ／Ａｕを各々
５ｏｏｎ、　ｌ、ｏｏｏＸの厚さにし、リフトオフ性に
よって形成すれば容易に上記構造は実現できる。
製造方法に関しては他にもＴｉ／Ａｕのバターニングを
エツチングで行う方法などいろんな方法が考えられる。
オーミック抵抗の変動に関しては第１図に２９５Ｃの高
温保管時の初期値からの変動割合を時間と５− ともに示したように、実用上はまったく問題ない。
このように、本発明によれば、ＧａＡｓ上にＡｕＧ系金
属を被覆熱処理した後その上にＮｉ、Ｃｒ等の接着性の
良い金属を被覆し、さらにＡｕ又はＡｇを被覆すること
によって、オーミック抵抗の変動が少く、ボンディング
が容易で、製造も容易なＧａＡｓ上へのオーミック電極
構造を得る。
【図面の簡単な説明】
第１図はオーミック抵抗の初期値からの変動割合の変化
を示した図である。 Ｔ・・・・・・時間、Ｒｏ・・・・・・オーミック抵抗
の初期値。 Ｒ・・・・・・測定時のオーミック抵抗。 ６−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ＱＢ　Ａ　ｓ上にＡｕＧｅ／Ｐｔ　　、ＡｕＧｅ／Ｐｔ
    　　又はＡｕＧｅ　／Ｎｌ　／Ａｕ等を被覆した後熱処
    理により形成したオーミ・ツク電極と、該オーミック電
    極上に被着された接着性のよい金属の層と、この接着性
    のよい金属上に形成したＡｕ又はλｇの薄膜とを含むこ
    とを特徴とするＧａＡｓ上のオーミック性電極構造。
JP56139465A 1981-09-04 1981-09-04 ＧａＡｓ上のオ−ミック性電極構造 Pending JPS5840858A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56139465A JPS5840858A (ja) 1981-09-04 1981-09-04 ＧａＡｓ上のオ−ミック性電極構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56139465A JPS5840858A (ja) 1981-09-04 1981-09-04 ＧａＡｓ上のオ−ミック性電極構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5840858A true JPS5840858A (ja) 1983-03-09

Family

ID=15245859

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56139465A Pending JPS5840858A (ja) 1981-09-04 1981-09-04 ＧａＡｓ上のオ−ミック性電極構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5840858A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4695869A (en) * 1983-05-31 1987-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba GAAS semiconductor device
US5121174A (en) * 1987-10-23 1992-06-09 Vitesse Semiconductor Corporation Gate-to-ohmic metal contact scheme for III-V devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4695869A (en) * 1983-05-31 1987-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba GAAS semiconductor device
US5121174A (en) * 1987-10-23 1992-06-09 Vitesse Semiconductor Corporation Gate-to-ohmic metal contact scheme for III-V devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3200490A (en) Method of forming ohmic bonds to a germanium-coated silicon body with eutectic alloyforming materials
US2820932A (en) Contact structure
JPH03216909A (ja) 補強された直接結合銅構造体
US3959522A (en) Method for forming an ohmic contact
JP3312752B2 (ja) 薄膜サーミスタ
GB1207010A (en) Improvements relating to contact electrodes
US5187560A (en) Ohmic electrode for n-type cubic boron nitride and the process for manufacturing the same
JPS59208789A (ja) 太陽電池
US3483610A (en) Thermocompression bonding of foil leads
JPH03137081A (ja) ｐ型ｃＢＮのオーム性電極形成方法
JPS5835919A (ja) 金属半導体接合電極の製造方法
US5240877A (en) Process for manufacturing an ohmic electrode for n-type cubic boron nitride
US3178271A (en) High temperature ohmic joint for silicon semiconductor devices and method of forming same
JPS6148776B2 (ja)
JPS6016463A (ja) オ−ム性電極
JPS59112654A (ja) 砒化ガリウム半導体装置
JPS60113954A (ja) 半導体基板とヒ−トシンクとの固着方法
JPS5932890B2 (ja) シヨツトダイオ−ドの電極形成方法
JPS6220338A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS609341B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6038823A (ja) 半導体装置
JPS58112336A (ja) 化合物半導体装置の電極形成法
JPS58100455A (ja) 化合物半導体のオ−ミツク電極およびその製造方法
US3153600A (en) Process for applying electrodes on semiconductors
JPS5811096B2 (ja) ハンドウタイソシノ パツケ−ジヘノセツチヤクホウホウ