JPS6016463A - オ−ム性電極 - Google Patents
オ−ム性電極Info
- Publication number
- JPS6016463A JPS6016463A JP58123473A JP12347383A JPS6016463A JP S6016463 A JPS6016463 A JP S6016463A JP 58123473 A JP58123473 A JP 58123473A JP 12347383 A JP12347383 A JP 12347383A JP S6016463 A JPS6016463 A JP S6016463A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ohmic electrode
- layer
- gaas
- ohmic
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/62—Electrodes ohmically coupled to a semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
- H10D62/85—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group III-V materials, e.g. GaAs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばＧａＡｓ ＦＥＴ ％ ＧａＡｓ Ｉ
Ｃなどの砒化ガリウム（ＧａＡｓ ） を表面に有す
る半導体素子のオーム性電極に関するものである。
Ｃなどの砒化ガリウム（ＧａＡｓ ） を表面に有す
る半導体素子のオーム性電極に関するものである。
従来におけるこの棚オーム性電極は第１図に示すような
構成であった。すなわち、第１図はｎ型砒化ガリウム（
ｎ −ＧａＡｓ ）へのオーム性電極の断面図であり、
（１）は半絶縁性ＧａＡｓ 基板、（２）Ｃよｎ型砒化
ガリウム（ｎ−ＧａＡｓ ） からなる動作層である。
構成であった。すなわち、第１図はｎ型砒化ガリウム（
ｎ −ＧａＡｓ ）へのオーム性電極の断面図であり、
（１）は半絶縁性ＧａＡｓ 基板、（２）Ｃよｎ型砒化
ガリウム（ｎ−ＧａＡｓ ） からなる動作層である。
従来、ｎＷ砒化ガリウム（ｎ −ＧａＡｓ ）へのオー
ム性電極は、例えば金−ゲルマニウム（Ａｕ −Ｇｅ
）系等のオーム性電極形成用材料からなるオーム性７ａ
極形成層（３）を真空蒸着等の方法によりｎ型砒化ガリ
ウム（ｎ −ＧａＡｓ ） （２）の表面上に被着させ
た後、ボンディングを容易にするため、オーム性電極形
感層（３）上にさらに、例えば金（Ａｕ ） 等からな
る配線金属層（４）を連続的に被着し、然る後をこ熱処
理を行なうことによりｎ型砒化ガリウム（ｎ −ＧａＡ
ｓ ）（２）と該オーム性電極形成Ｑ（３）とが合金化
されて、オーム性電極が得られていｔこ。
ム性電極は、例えば金−ゲルマニウム（Ａｕ −Ｇｅ
）系等のオーム性電極形成用材料からなるオーム性７ａ
極形成層（３）を真空蒸着等の方法によりｎ型砒化ガリ
ウム（ｎ −ＧａＡｓ ） （２）の表面上に被着させ
た後、ボンディングを容易にするため、オーム性電極形
感層（３）上にさらに、例えば金（Ａｕ ） 等からな
る配線金属層（４）を連続的に被着し、然る後をこ熱処
理を行なうことによりｎ型砒化ガリウム（ｎ −ＧａＡ
ｓ ）（２）と該オーム性電極形成Ｑ（３）とが合金化
されて、オーム性電極が得られていｔこ。
しかしながら、この種従来のオーム性電極暑こおいては
オーム性電極を形成する為の熱処理やボンディングの為
の加熱の除に、例えば金（Ａｕ ） 等のボンディング
用配線金属層（４）と、例え１１金−ゲルマニウム（Ａ
ｕ Ｇｅ ）系のオーム性電極形成層（３）とが相互に
拡散して、第２図に示すような合金ｎ（５）が形成され
る結果、オーム性電極中の組成、例えば、金−ゲルマニ
ウム（Ａｕ −Ｇｅ ）系オーム性電極の場合、金（Ａ
ｕ） とゲルマニウム（Ｇｅ） の組成が変化して、オ
ーム性電極の特性悪化、ひいては素子の電気特性の悪化
を引き起こす原因となる等耐熱性の点で問題があった。
オーム性電極を形成する為の熱処理やボンディングの為
の加熱の除に、例えば金（Ａｕ ） 等のボンディング
用配線金属層（４）と、例え１１金−ゲルマニウム（Ａ
ｕ Ｇｅ ）系のオーム性電極形成層（３）とが相互に
拡散して、第２図に示すような合金ｎ（５）が形成され
る結果、オーム性電極中の組成、例えば、金−ゲルマニ
ウム（Ａｕ −Ｇｅ ）系オーム性電極の場合、金（Ａ
ｕ） とゲルマニウム（Ｇｅ） の組成が変化して、オ
ーム性電極の特性悪化、ひいては素子の電気特性の悪化
を引き起こす原因となる等耐熱性の点で問題があった。
本発明は、かかる問題点を解消するためになさレタもの
で、オーム性電極形成層とボンディング用配線金属層と
の間に例えばモリブデン（Ｍｏ ）等の高融点金属膜を
形成することにより、電気特性が安定で、かつ耐熱性に
優れた新規なオーム性電極を提供するものである。
で、オーム性電極形成層とボンディング用配線金属層と
の間に例えばモリブデン（Ｍｏ ）等の高融点金属膜を
形成することにより、電気特性が安定で、かつ耐熱性に
優れた新規なオーム性電極を提供するものである。
以下、本発明の一実施例を第８図に従って説明する。す
なわち、第８図において、（１）は半絶縁性ＧａＡｓ
基板、（２）はｎ型砒化ガリウム（ｎ −ＧａＡｓ ）
からなる動作層でこのｎ型砒化ガリウム（ｎ −ＧａＡ
ｓ ）（２）の表面上に例えば金−ゲルマニウム（Ａｕ
−Ｇｅ ）系のオーム性電極形成層（３）を真空蒸着
等により被着させた後、例えばモリブデン（Ｍｏ） 等
の高融点金属膜（６）を連続的に形成し、さらにその上
を例えば金（Ａｕ ） 等のボンディング用配線金属層
（４）で連続的に被覆した後、熱処理を行なってオーム
性電極を形成する。本実施例によれば、従来性じていた
オーム性電極を形成する為の熱処理、ボンディングの為
の加熱、その他昇温を必要とする製造工程条件下でも、
オーム性疏極形成、１Δ（３）とボンディング用配線金
属層（４）との間に例えばモリブデン（Ｍｏ ） 等の
高融点金Ｊｔｉ Ｂ’Ａ （６）を介することにより、
オーム性電極形成Ｊｉ！ （３）とボンディング用配線
金；馬層（４）との相互拡散が高１ね点金、属股（６）
によって防止され、オーム性１ζ極形成ＡＪ （３）の
組成を保持することができる結果、オーム性電極の熱四
安冗性の向上を図ることができる。
なわち、第８図において、（１）は半絶縁性ＧａＡｓ
基板、（２）はｎ型砒化ガリウム（ｎ −ＧａＡｓ ）
からなる動作層でこのｎ型砒化ガリウム（ｎ −ＧａＡ
ｓ ）（２）の表面上に例えば金−ゲルマニウム（Ａｕ
−Ｇｅ ）系のオーム性電極形成層（３）を真空蒸着
等により被着させた後、例えばモリブデン（Ｍｏ） 等
の高融点金属膜（６）を連続的に形成し、さらにその上
を例えば金（Ａｕ ） 等のボンディング用配線金属層
（４）で連続的に被覆した後、熱処理を行なってオーム
性電極を形成する。本実施例によれば、従来性じていた
オーム性電極を形成する為の熱処理、ボンディングの為
の加熱、その他昇温を必要とする製造工程条件下でも、
オーム性疏極形成、１Δ（３）とボンディング用配線金
属層（４）との間に例えばモリブデン（Ｍｏ ） 等の
高融点金Ｊｔｉ Ｂ’Ａ （６）を介することにより、
オーム性電極形成Ｊｉ！ （３）とボンディング用配線
金；馬層（４）との相互拡散が高１ね点金、属股（６）
によって防止され、オーム性１ζ極形成ＡＪ （３）の
組成を保持することができる結果、オーム性電極の熱四
安冗性の向上を図ることができる。
なお、高融点金ＩＭ 股は、モリブデン（ＭＯ）に限ら
ず、タングステン（５）、タンタル（Ｔａ）等ｍ々考え
られる。
ず、タングステン（５）、タンタル（Ｔａ）等ｍ々考え
られる。
以上のように、本発明によれば、オーム性電極形成層と
ボンディング用配線金属層との間に高融点金属膜をはさ
むという極めて簡単な手段により１、ｔ−ム性ｆｉ４極
の耐熱性が向上し、ひいては素子の電気特性が安定して
良好になる等、信頼性の向上をも図ることができる。
ボンディング用配線金属層との間に高融点金属膜をはさ
むという極めて簡単な手段により１、ｔ−ム性ｆｉ４極
の耐熱性が向上し、ひいては素子の電気特性が安定して
良好になる等、信頼性の向上をも図ることができる。
節１図は従来のオーム性′岨極の断面図、第２図は従来
におけるオーム性電極に熱処理を施した後の断面図、第
３図は本発明の一実施例を示すオーム性電極の断面図で
ある。 図中、（１）は半絶縁性ＧａＡｓ 基板、（２）はｎ型
砒化ガリウム（ｎ −ＧａＡｓ ）からなる動作層、（
３）はオーム性電極形成層、（４）はボンディング用配
線金属層、（５）はオーム性電極形成層とボンディング
用配線層との合金層、（６）は高融点金属膜である。 なお、図中同一符号は圓−又は相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 川 １）裕 部第１図 第２図 第３図
におけるオーム性電極に熱処理を施した後の断面図、第
３図は本発明の一実施例を示すオーム性電極の断面図で
ある。 図中、（１）は半絶縁性ＧａＡｓ 基板、（２）はｎ型
砒化ガリウム（ｎ −ＧａＡｓ ）からなる動作層、（
３）はオーム性電極形成層、（４）はボンディング用配
線金属層、（５）はオーム性電極形成層とボンディング
用配線層との合金層、（６）は高融点金属膜である。 なお、図中同一符号は圓−又は相当部分を示す。 出願人 工業技術院長 川 １）裕 部第１図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）砒化ガリウム結晶上に直接被着されるオーム性電
極形成層と、このオーム性電極形成層上に形成されるボ
ンディング用配線金属層と、上記オーム性電極形成層と
上記配線金属層との間に形成された高融点金属膜を備え
たことを特徴とするオーム性電極。 - （２）上記高融点金属膜は、モリブデン、タングステン
、タンタルのうちのいずれかであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のオーム性電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123473A JPS6016463A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | オ−ム性電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58123473A JPS6016463A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | オ−ム性電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016463A true JPS6016463A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=14861492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58123473A Pending JPS6016463A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | オ−ム性電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016463A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204620A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-08-24 | バウマー エレクトリク アクチエンゲゼルシャフト | ハイブリッド厚膜回路におけるボンデイングワイヤとコンタクト領域との間の接続形成方法 |
| EP0460531A1 (de) * | 1990-06-07 | 1991-12-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Kontaktmetallisierung auf Halbleitermaterial |
| JPH10341039A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2007048878A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352362A (en) * | 1976-10-25 | 1978-05-12 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP58123473A patent/JPS6016463A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5352362A (en) * | 1976-10-25 | 1978-05-12 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204620A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-08-24 | バウマー エレクトリク アクチエンゲゼルシャフト | ハイブリッド厚膜回路におけるボンデイングワイヤとコンタクト領域との間の接続形成方法 |
| EP0460531A1 (de) * | 1990-06-07 | 1991-12-11 | Siemens Aktiengesellschaft | Kontaktmetallisierung auf Halbleitermaterial |
| JPH10341039A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2007048878A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3271475B2 (ja) | 電気素子の接合材料および接合方法 | |
| US3200490A (en) | Method of forming ohmic bonds to a germanium-coated silicon body with eutectic alloyforming materials | |
| KR100406247B1 (ko) | 옴접촉체를제조하는방법및이러한옴접촉체를구비한반도체소자 | |
| US5057454A (en) | Process for producing ohmic electrode for p-type cubic system boron nitride | |
| JPS6322060B2 (ja) | ||
| JPS61220344A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59500542A (ja) | Ｎ型ＧａＡｓ用のオ−ム接触装置 | |
| JPS5877227A (ja) | オ−ミツク接点の形成方法 | |
| JPS61256766A (ja) | 化合物半導体用電極 | |
| JPS59189625A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01166556A (ja) | ｎ型ＧａＡｓオーム性電極およびその形成方法 | |
| JPS63202031A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5880872A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63234562A (ja) | 半導体装置の電極 | |
| JP3142592B2 (ja) | 合金電極形成方法 | |
| JPS5950091B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06168958A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60113954A (ja) | 半導体基板とヒ−トシンクとの固着方法 | |
| JPS6220338A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS628576A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63304665A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5976437A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04100273A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0246773A (ja) | 化合物半導体装置およびその電極形成方法 | |
| JPS6024026A (ja) | 化合物半導体素子 |