JPS5841337A

JPS5841337A - 発光現象の測定装置

Info

Publication number: JPS5841337A
Application number: JP56139584A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Tsuchiya; 裕土屋
Original assignee: Hamamatsu TV Co Ltd
Current assignee: Hamamatsu TV Co Ltd
Priority date: 1981-09-04
Filing date: 1981-09-04
Publication date: 1983-03-10
Also published as: GB2105035A; US4461572A; JPS6224737B2; GB2105035B

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は超高速で強度、形状、スペクトル等が変化する
発光現象を連続的繰返して発生させ高い時間分解能で発
光現象を測定するための発光現象の測定装置に関する。

有機分子性結晶にパルス光を照射して励起するとその結
晶は螢光寿命が１０−６秒から１０１秒の螢光を発生す
る。この−光の強度の時間的変化のプロファイル、スペ
クトル分布の変化などを正確に測定することができると
その結晶の性質を知ることができる。また、放電発光、
その他の急激に変化する発光現象を高い精度で測定する
ことができると発光装置の性能、物質の物理的化学的な
性質や変化を知るととができる。

そのような高速度で変化する発光現象の測定方法の従来
例を有機分子性結晶の螢光寿命の測定方法を例にして説
明する。

サンプリング方式と呼ばれている亀のは、数Ｈｚ〜数Ｍ
Ｈｚの繰返しパルス光で測定しようとする結晶を励起し
て螢光を発光させる。前記励起による螢光は光電子増倍
管により検出される。前記励起光に基づいて形成された
サンプリングパルス電圧が、前記光電子増倍管のダイノ
ードまたは電子ビームの通路に設けたメツシュ状電極（
以下ゲート電極という）に加えられており、励起ごとに
部分的にサンプリングされる。

各サンプリング結果を総合して、多数の螢光発光から１
つの螢光発光に対応する。螢光強度のプロファイルが得
られる。

ストリークカメラを用−る測定方法では、単発のパルス
光で結晶を励起する。前記励起によって得られた螢光を
ストリーク管の光電面に入射する。ストリーク管の偏向
板には励起光に同期した偏向電圧を加えると、ストリー
ク管の螢光面に掃引方向を時間軸として輝度を螢光の強
度とする儂が現れる。これを画惨解析するととにより螢
光強度のプロファイルを得る。

第３の測定方法は統計的に螢光発光のプロファイルを得
る本のである。測定対象の結晶を数Ｈｚ〜数ＭＨｚの繰
返しパルス光源で励起する。

結晶からの螢光をフィルタを通して単−ｆｉ子を検出で
きる領域まで減光させる。減光した螢光を光電子増倍管
で検出する。積分回路を励起光でスタートさせ、光電子
増倍管の出力パルスでストップする（この積分回路を時
間電圧変換装置という）。上記積分回路の出方電圧を多
チャンネル波高分析製雪によって各出力の大きさに対応
する精度を計数する。出方の大きさに対応して一度をプ
ロットし、出方の大きさを時間、Ｗを螢光の強度とする
ことにより螢光のプロファイルを得る。

前記サンプリング方法は広く用いられているが光電子増
倍管は光の強さの情報しか取り出すことができないので
、結果的に得られるのは、螢光発光の強度の時間的変化
のみである。またこの方法で正確なサンプリングを行な
うためにけサンプリング期間中に光電子増倍管が正常に
動作することが必要である。したがってサンプリングパ
ルス電圧はサンプリング期間内で一定に保たれなければ
ならない。しかしパルス幅の幾い正確な矩形波を発生さ
せるのは容易でない。

そのためこのサンプリング方法における時間分解能は５
Ｘ１０”’秒にとどまっている。

前記第２のストリークカメラを用いる方法において、時
間分解能の改善はス）　＋３−り管の偏向電極の変化す
る速度を速くして電圧掃引速度を速くすることによって
達成できる。しかし時間分解能を改善しようとして偏向
電圧の変化を速くすれば出力螢光面を短時間で掃引して
しまうので測定可能な時間は短かぐなる。すなわちスト
リークカメラにおいて時間分解能の向上と測定可能な時
間を大きくすることは相反する要求であって両方を満足
させることけできないという問題がある。

前記第３の方法は単一光子領域の測定であるため、非常
に多くのサンプルを必要とするから長時間測定しなけれ
ばならない。例えば３０Ｈｚでサンプリングを繰返し、
１０６個のサンプルを得る象めには９時間の測定時間を
要する。

本発明の主たる目的は、高速度で変化する発光現象を従
来得られなかった高い精度で、任意の持続時間の発光現
象を比較的短時間で測定することができる発光現象の測
定装置を提供することにある。

本発明による発光現象の測定装置は、繰り返して実質的
に同一な発光現象を励起できる場合の発光現象の測定に
有効に適用できるものであり、基本的に以下の構成を備
えている。

光電面、多数の電子通路をもつチャンネル板、螢光面お
よび前記通路に直交するシャッタ電界を発生することが
できるシャッタ電極を持つ電子ビームシャッタ管を電気
信号への変換およびサンプリングのために使用する。

観測対象である発光現象は、起動手段により、その現象
の持続時間よりも十分に長い時間間隔を保って繰返し連
続的に起動される。前記起動手段により発生させられた
発光偉は像形成手段により前配電子ビームシャッタ管の
光電面上に構成させられる。サンプリング期間指定手段
は前記起動を検出して各発光現象ごとに異なったサンプ
リング期間を指定する。シャッタ管駆動装置Ｆｉ、前記
サンプリング期間〈対応してシャッタ電界を零とする。

前記サンプリングにより抽出された電子儂による螢光面
の輝度は前記シャッタ管の螢光面に対向して設けられた
光電変換器により前記サンプリングごとに光電変換して
出力される。前記光電変換装置の出方は転送手段により
前記転送手段の出力は記憶製雪により記憶される。

記憶された内容は表示手段により表示されるか、出力装
置により出力される。

前述した電子ビームシャッタ管の螢光面および螢光面に
対向する光電変換器は、電子偉を直接画儂信号に変換で
きる個体イメージセンサに雪き変えることができる。

前述し九構成によれば、本発明の目的は完全に達成でき
る。

これ等の構成とその効果を実施例を参照して詳細に説明
する。

第１図は本発明による発光現象測定装置の第１の実施例
装置を用いて、有機分子性結晶の波長分布強度の時間に
対する変化を測定する例を示すブロック図である。第５
図は前記装置の動作を説明するための波形図である。起
動手段１には起動発振器１０１と、この発振器１０１か
らの起動クロックにより定間隔で発振させられるレーザ
発振器１０２が設けられている。発振器１０１は起動命
令（第５図Ａ参照）で動作を開始し、以後定時間間隔で
レーザ発振器１０２を励起する。

この実施例ではレーザ発振器１０２としてモード同期Ｙ
ＡＧレーザと第４高調波発生器からなるレーザ発振器を
用いている。堰ｔト；ギＶ戸レーザ装置１０２は発振器
】０１からの起動クロックを受ける九びに発振し、波長
２６６　ｎｍ　、パルス幅３０ｐｓの紫外線レーザ光を
発生する（第５１１！ｉＢ参照）。この紫外線レーザ光
は起動手段１ｔＣ含まれる光分割器７によって一部分割
され、他の部分は被測定対象発光源３である有機分子性
結晶に入射させられる。有機分子性結晶３はこのレーザ
光により励起されて第５図Ｃに示すように螢光を発する
。励起から螢光発光までの遅れ時間、螢光発光中に含ま
れる波長分布および各波長ごとの持続時間等は結晶の種
類、不純物の存在、結晶の状態により、種々異る。した
がってそれ等を解析することに重要な意味がある。

アントラセン結晶においては紫外線により励起されてか
ら螢光が発生するまでの時間は、数百ピコ秒から数百ナ
ノ秒であり、螢光の接続時間は数ナノ秒以上であること
が知られている。被測定対象である有機分子性結晶から
の螢光は偉形成手段４である分光器により波長にしたが
って分散され、電子ビームシャッタ装置６の電子ビーム
シャッタ管ωの光電面６２に入射させられる。光電面６
２への入射位置は波長に対応させられており、光電面の
各位置は各波長の螢光強度に応じた電子を放出する。半
透明鏡光分割器７によって分岐された紫外線の一部はす
ンプリンタ期間指定手段２の励起光光電変換器１１に入
射する。辷の光電変換器８はＰＩＮフォトダイオードか
らｆｋＤｘナノ秒以下の応答時間で入射した紫外線に対
応する電気信号を出力する。なおこのときＰＩＮフォト
ダイオードはモード同期ＹＡＧレーザの１次光を受光し
ても良い。この光電変換器８の出力端はリニアフォトセ
ンナからなる儂光電変換器５、可変遅延回路ｇシよぴ遅
延時間指示回路１０に接続されている。遅延時間指示回
路１０は、光電変換器８の出力パルス（第３図Ｂ）を計
数してその数に対応する電圧を出力する。第５ｌＱＤＶ
ｃ出力電圧を示している。

この遅延時間指示回路１０の構成例を第２図を参照して
説明する。遅延時間指示回路１０は、計数器１０５とデ
ジタルアナログ変換器ｌＯ６とアナログ増幅器４０７と
からな夛、計数器１０５は起動ブロックｉの起動信号（
第Ｓ図Ａ）Ｋよって調定開始時にリセットされ以後光電
変換器８の出力パルス（第５図Ｂ）を計数する。デジタ
ルアナログ変換器１０６は、計数器１０５の計数信号を
カウント数に対応する電圧に変換し、アナログ増幅器１
０７によって後述する可変遅延回路を駆動するレベルま
で増幅する。

可変遅延回路９は、前記励起光光電変換器８の出力パル
ス（第５図Ｂ）を遅延する回路である。この遅延時間は
遅延時間指示回路１０の出力（ｍｓ図Ｄ）によって決定
される。

可変遅延回路９の構成例を第３図を参照して説明する。

可変電圧源９２は、正または負の可変電圧を切換えて出
力することができる。可変遅延回路９の演算増幅器９１
は前記遅延時間指示回路１０の出力（第５図Ｄ）と可変
電源９２の出力とを加算する回路である。演算増幅器毎
の出力端には可変容量ダイオード９３と９４の一端が抵
抗を介して接続されている。可変容量ダイオード９３゜
９４の容量をそれぞれ０、；イル９５のインダクタンス
をＬとすれば可変容量ダイオード９３と抵抗９６の接続
点に入力した電気信号はへＩｎだけ遅延させられて可変
容量ダイオード９４と抵抗釘の接続点に現れる。この可
変容量ダイオードの端子間電圧を５ボルトから３０ボル
トに変化させると容量は１５９ＦからＳ　ＰＰ　Ｋ変化
する。コイル９５のインダクタンスを１００　＃Ｈとす
れば前記電圧変化により遅延時間をＯ，Ｓナノ秒の範囲
で変えることができる。可変容量ダイオード９３と９４
の容量はその両端に加えられる電圧によって変化させら
れる。可変電圧源９２の出力電圧を固定すれば前記遅延
時間は演算増幅器９１の他の入力端に入力する電圧、す
なわち遅延時間指示回路１０の出力電圧（第５図Ｄ）Ｋ
よって変化させられることになる。し九がってモード同
期ＹＡＧレーザ装置１０２が順次パルス光を送出するの
にし喪がって遅延時間が増加する。第５図ＢＫ遅延され
たパルス列を示しである。可変遅延時間嘗の出力端はシ
ャッタ管駆動ｌ賂１１の入力端子に接続されている。さ
らに長い可変遅延時間を発生する手段として、エミッタ
結合型単安定マルチバイブレータがある。この場合には
、準安定期間の長さを遅延時間指定回路１００出力で制
御する。例えば遅延時間指示回路ｌＯの出力電圧をエン
ツタ結合型単安定マルチバイブレータのベースに印加す
ることによって可能である。

シャッタ管駆動回路１１の構成例を第４図を参照して説
明する。この回路１１は正の１００ボルトから負のＩＩ
ＸＩボルトまで”３−ｙ−、を秒の速度で変化する電圧
を発生することができる。ＷＯボルトの定圧電源１１５
とＺＧｏボルトの定圧電源１１９の正極にそれぞれ接続
されている抵抗１１４と１１８の他端はコンデン＋　１
１７を介して接続され、各電源のそれぞれの負極は接地
されている。アバランシェトランジスタ１１ｍのエミッ
タは―地されコレクタは前記抵抗１１４とコンデン＋　
１１７の接続点に接続されている。定電圧電源１１５と
抵抗１１４の直列回路に並列にコンデンサ１１ｇが接続
されている。コンデンサ１１７の出力端１２０側の電位
は電源１１１１　Ｋより１００ボルトに保たれている。

これに対し、コンデンサ１１７のアバランシェトランジ
スタ１１Ｓ側の電位は電源１１５　ＫよりＺｏｏポルト
である。入力端１１０　Ｋ可変遅延回路９からのパルス
（第５図Ｎ）が入力するとアバランシェトランジスタ１
１３は導通してコンデンサ１１７の一端は瞬時に２００
ボルトからＯボルトに変化する。これに伴ってシャッタ
管駆動回路１１の出力端１２００電位は１００ボルトか
ら−１００１Ｎルトに変化する。アバランシェトランジ
スタの電圧変化速度が得られる。この急激な電圧変化は
電子ビームシャッタ装置６にシャッタ電圧として印加さ
れる。

コノ電圧ハ、電子ビームシャッタ管６００シャッタ板６
３０２つの電極の間に加えられる。

電子ビームシャッタ管６０はｌ゛インチ　２５．４きり
メートル）の径の円筒気密容器６１の１つの面内面にア
ンチモンセシウムからなる光電ｉ［６２が形成されてい
る。光電［＠２は−ｔＫＶに維持されている。前記光電
間６２に対向する面に螢光［６４が設けられている。前
記光電面６２と螢光面との間にシャツタ板６３が設けら
れている。この電子ビームシャッタ装置は本件出願人の
先の出願（４１願昭５５−　ｘｌｓｚａｘ　）に係るも
ので当該明細書に詳述されているが、これを要約すると
次のとおりである。シャツタ板６３は上下一対の電極ｓ
ｓ　、　ｓｅｔ有している。そしてこの一対の電極６５
と電極６６間には適尚な電気抵抗を有する板状体重が設
けられている。そして、この板状体６γには前記電極６
５と電極６６間に形成される電界の方向に直交する向き
、すなわち管軸方向と平行に多数の貫通孔が設けられて
いる。前記電極６５と電極６６間に加えられる電圧が零
であると！に前記貫通孔は電子通路を形成し、一方の藺
から入射した電子は他方の面に通過できる。

前記一対の電極間に電界な生ぜしめると、貫通孔内の電
子は前記板状体６７に捕捉されて、シャッタが閉じ光状
態が形成される。このシャッタ管ωは画像を形成する電
子の２次元分布のシャッタ作用を行なうことができる。

本発明による装置で使用する電子ビームシャッタ管６０
のシャツタ板６３の貫通孔の内径ｔｆ２００ミクロン、
長さは４ミリメートルである０貫通孔を有する板状体６
７の部分は幅１ミリメートルの帯状でその両側に電極が
設けられている。シャッタ板槌と光電面６２０間隔は２
ンリメートルである。螢光間６４は＋５ＫＶｉＣ維持さ
れている。電子ビームシャッタ管６０は、シャッタ板砧
の貫通孔部分の孔の軸が光電面６２と螢光Ｎ＠間に形成
される光電子の加速電界の方向とを一致させられている
。

そして光電子は１キロボルトで加速されシャツタ板６４
に垂直に入射する。このシャツタ板６３の”型室電極に前述し九　　　ノ秒の速度で変化する電圧が加え
られると、その電圧がＯポルトとなる前後５０ピコ秒間
のみ光電子を通過させる。

有機分子性結晶３の螢光の持続時間が１ナノ秒であれば
、その２０分の１の時間に相当する時間だけ、光電子を
通過させる。その結果その部分の各波長の螢光強度に対
応する数の電子がシャツタ板６３を通過して螢光面に衝
突し各波長の螢゛　　光強度に対応して、螢光面に横方
向に広がった線状輝度分布が現れる。第５図Ｆは波長に
対応する強［Ｉを縦軸にして示し九略図である。

遅延時間指示回路１０の出力により可変遅延回路９が、
ＰＩＮフォトダイオード８の送出するパルスととＫＳＧ
ピコ秒の遅延時間の増加を生ずるように調整すれば、螢
光の先端から終端に致るまでの螢光強度が第ＳｇＦ）（
示すように次々と螢光面６４上に輝度として現われる。

螢光面６４上の輝度分布の長手方向を波長軸というとと
Ｋする。第Ｓ図ＦＫＴｈいてλの示す方向は波長軸の方
向である。波長軸は、分光器４０波長分散の方向に一致
しシャツタ板６３０貫通孔の孔軸の方向に直角な方向で
ある。

螢光面６４１／Ｃ向けて光電変換器５が設けられている
。この実施例では光電変換器５として波長軸と走査方向
を一致させられて螢光［６１ｍ対向させられ波長軸方向
Ｋ　２５６の画素を有する一次元リニアフォトセンナを
用いている。リニアフォトセンサよりなる光電変換器５
はＰＩＮｙオドダイオードよりなる励起光電変換器８の
出力パルスを基準として動作させられる。リニアフォト
センナは２５６個の画素を有するからその１つ１つが波
長に対応した強度を示す。各画素に記憶された情報は次
のナノプリングが行なわれる前に転送される。この情報
を受は入れる記憶装置１２はすくなくとも（波長軸に対
応する画素数×サンプリング回数）個だけの記憶場所を
持っている。

この実施例ではサンプリング回数は加回なので、すくな
くと４１２５６　Ｘ　Ｎｏの記憶場所を４つ記憶装置を
用いる必要がある。

ＰＩＮフォトダイオ−Ｆよシなる光電変換器８がパルス
を送出するごとに１電子ビームシヤツタ管６０の螢光間
６４　Ｋ　５０ピコ秒だけ時間のずれた分光スペクトル
強度があられれその都度２５６画素のりニヤホトセンナ
で変換され記憶装置ｌｚＫ転送され、２０回のサンプリ
ングチ２５８個Ｘ２Ｇ個の記憶場所のすべてに記憶され
る。これＫより１回の測定を終了する。次にとの記憶内
容の処理例を脱刷する。特定の波長に対応する記憶のみ
読み出してＸ−ＹレコーダｌｓＫ表示すればその波長の
強度変化のプロファイルが得られる。

儂形成手段４について分光器に代えて光学レンズを用い
れば、被測定対象の二次元儂が光電面６２に形成される
。

このような場合、シャッタ装置は光電子の二次元分布の
シャッタ作用を行うことができる。

もちろんこのとき光電変換器５は、二次元固体撮像装置
またはビシ゛コンのような撮偉管を用いた撮像装置を用
いる。

第６図は本発明による発光現象の測定装置の第２の実施
例を示すブロック図である。

自己走査型固体撮像素子フォトダイオードアレイは、可
視光の検出素子として広く用いられている。この素子は
前記可視光の検出と同様に電子を検出することができる
。この実施例で使用され電子ビームシャッタ管６０は、
前述したシャッタ管ωの螢光面の位置に固体撮像素子６
９を配置し、固体撮像素子０に前述した第１の実施例装
置における螢光［６４と、光電変換器５０両方の役割を
果させている。その他の構成は第１の実施例と異ならな
い。なお電子ビームシャツメ管６０内に光電子増倍用の
チャンネルプレート６８を設けて、シャツタ板６３を通
過して来た光電子、すなわちサンプリングされた光電子
を増幅するようにしである。なお前述した第１０実施例
においても同様にチャンネルプレートを設けることがで
きる。

有機分子性結晶がレーザ光により励起されてから螢光を
発生するまでの時間にゆらぎがある場合には、前述した
第１の実施例のように、レーザ光を検出して基準時間を
決定することが好ましくないことがある。第７図はその
ような場合に適した変形例を示すブロック図である。こ
の変形例では像形成手段４薬またはその前段に光分割器
４１を設け、螢光の一部をサンプリング期間指定手段２
に送る。サンプリング期間指定手段２では第１の実施例
において述べたようにＰＩＮホトダイオードでこれを検
出し、サンプリング期間を指定する信号を発生する。一
方侭形成手段４では前記光分割器４１を通過した螢光を
光学的遅延手段４２で遅延させて電子ビームシャッタ管
６０の光電ＷＪ６２に９１を形成させる。このようにす
れば前記ゆらぎの影響を除去して、正確なサンプリング
を行なうことができる。

本発明による発光現象の測定装置は以上のように構成さ
れているので、発光現象を従来の測定装置に比較して、
より高い時間分解能で測定できる。

発光現象の起動は、任意の時間間隔で可能であるから、
発光現象の持続時間を考慮して最適に選択できる。また
そのために時間分解能を低下させる必要はない。電子ビ
ームシャッタ管により分光スペクトルのような一次元画
偉のサンプリングのみならず、レンズ系によって得られ
る２次元画儂から得られた電子流のサンプリングが可能
になるので、従来測定不能であった光源儂の測定が可能
となった。

以上詳しく説明した実施例につき、本発明の範囲内で種
々の変形が可能である。

反射光または透過光を魚速に変化させる物も、とζに言
う発光現象と理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による発光現象の測定装置の第１の実施
例を示すブロック図である。第２図はサンプリング期間
指定手段ｚ＜ｔすれる遅延時間指示手段の実施例を示す
ブロック図、第３図はサンプリング期間指定手段に含ま
れる可変遅延回路の実施例を示す回路図である。第４図
はシャッタ管駆動回路の実施例を示す回路図である。第
５図は第１図に示した装置の動作を説明するための波形
図である。第６図は本発明による測定装置の第２の実施
例を示す図である。第７図は像形成手段の変形例を説明するためのブロック
図である。ｌ・・・起動手段　　　１０１・・・起動発振器１０２
・・・レーザ発振器２・・・サンプリング期間指定手段３・・・被測定対象発光源　　４・・・像形成手段５・
・・儂光電変換器　６・・・電子ビームシャッタ装置７
・・・光分割器　　　ト・・励起光光電変換器９・・・
可変遅延回路　１０−・遅延時間指示回路１１・・・シ
ャッタ管駆動装置１２・・・記憶装置　　　１３・・・ｘ−ｙレコーダ特
許出願人　　浜松テレビ株式会社代理人　弁理士　井　ノ　ロ　　　壽才１図第５図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）繰り返して実質的に同一な発光現象を励起できる
場合の発光現象の測定装置であって、光電面、多数の電
子通路を本つチャンネル板、螢光面および前記通路に直
交するシャッタ電界を発生することができるシャッタ電
極を持つ電子ビームシャッタ管と、前記発光現象を、そ
の現象の持続時間よりも十分に長い時間間隔を保って連
続的に起動する起動手段と、前記起動手段により発生さ
せられた発光倫を前記電子ビームシャッタ管の光電面上
に形成する偉形成手段と、前記起動を検出して各発光現
象ごとく異なったサンプリング期間を指定する信号を発
生するサンプリング期間指定手段と、前記サンプリング
期間に対応してシャッタ電界を零とする前記シャッタ管
駆動装置と、前記シャッタ管の螢光面に対向して設けら
れ螢光面の輝度を前記サンプリングごとに光電変換して
出力する光電変換器と、前記光電変換器の出力を次のサ
ンプリングまでに転送する転送手段と、前記転送手段の
出力を記憶または表示する手段とから構成した発光現象
の測定装置。
（２）前記発光現象の起動手段は、光パルスを定間隔で
発生する光源であり、発光は前記光パルスとより励起さ
れた物質が発生する発光である特許請求の範囲第１項記
載の発光現象の測定装置。
（３）前記物質は有機分子性結晶である特許請求の範囲
第２項記載の発光現象の測定装置。
（４）前記光源はレーザ装置である特許請求の範囲第２
項記載の発光現象の測定装置。
（５）前記偉形成手段は被測定発光源の光を波長により
分散させる分光器を含み、波長ごとの強度を電子ビーム
シャッタ管の光電面に形成させ分散の方向と前記シャッ
タ電界は直角方向となるようＫＬ＆特許請求の範囲第１
項記載の発光現象の測定装置。
（６）前記像形成手段は、被測定発光源の発光形状を２
次元儂として、電子ビームシャッタ管の光電面に形成さ
せるレンズ系である特許請求の範囲第１項記載の発光現
象の測定装置。
（７）前記像形成手段はスリットを含み、光電面はスリ
ットを通過した光のみを受は入れ、前配光電変換器は、
光電子増倍管であり前記スリットの方向と前記シャッタ
電界方向は直角である特許請求の範囲第１項記載の発光
現象の測定装置。
（８）前記光電変換装置は、固体操像素子である特許請
求の範囲第１項記載の発光現象の測定装置。
（９）前記サンプリング期間指定手段の起動検出は、前
記レーザ装置の光パルスの検出により行なう特許請求の
範囲第２項記載の発光現象の測定装置。
（１０）前記サンプリング期間指定手段の起動検出は、
励起された発光を検出するととＫより行なわれ、前記像
形成手段は、励起された発光を光学的に遅延させて、電
子ビームシャッタ管の光電面に導くようにした特許請求
の範囲第１項記載の発光現象の測定装置。
（１１）繰９返して実質的に同一な発光現象を励起でき
る場合の発光現象の測定装置であって、光電面、多数の
電子通路をもつチャンネル板、偉電子流を位置ととに記
憶するイメージターゲットおよび前記通路ＫｒＩＬ交す
るシャッタ電界を発生することができるシャッタ電極を
持つ、電子ビームシャッタ管と、前記発光現象を、その
現象の持続時間よりも十分に長い時間間隔を保って繰返
し連続的に起動する起動手段と、前記起動手段により発
生させられた発光像を前記電子ビームシャッタ管の光電
面上に形成する像形成手段と、前記起動を検出して各発
光現象ごとに異なったサンプリング期間を指定する信号
を発生するサンプリング期間指定手段と、前記サンプリ
ング期間に対応してシャッタ電界を零とする前記シャッ
タ管駆動装置と、前記イメージターゲットの各素子の出
力を次のサンプリングまでに転送する転送手段と、前記
転送手段の出力を記憶する手段とから構成した発光現象
の測定装置。