JPS6224737B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は超高速で強度、形状、スペクトル等が
変化する発光現象を連続的繰返して発生させ高い
時間分解能で発光現象を測定するための発光現象
の測定装置に関する。

有機分子性結晶にパルス光を照射して励起する
とその結晶は螢光寿命が10^-6秒から10^-9秒の螢光
を発生する。この螢光の強度の時間的変化のプロ
フアイル、スペクトル分布の変化などを正確に測
定することができるとその結晶の性質を知ること
ができる。また、放電発光、その他の急激に変化
する発光現象を高い精度で測定することができる
と発光装置の性能、物質の物理的化学的な性質や
変化を知ることができる。

そのような高速度で変化する発光現象の測定方
法の従来例を有機分子性結晶の螢光寿命の測定方
法を例にして説明する。

サンプリング方式と呼ばれているものは、数Hz
〜数ＭHzの繰返しパルス光で測定しようとする結
晶を励起して螢光を発光させる。前記励起による
螢光は光電子増倍管により検出される。前記励起
光に基づいて形成されたサンプリングパルス電圧
が、前記光電子増倍管のダイノードまたは電子ビ
ームの通路に設けたメツシユ状電極（以下ゲート
電極という）に加えられており、励起ごとに部分
的にサンプリングされる。各サンプリング結果を
総合して、多数の螢光発光から１つの螢光発光に
対応する螢光強度のプロフアイルが得られる。

ストリークカメラを用いる測定方法では、単発
のパルス光で結晶を励起する。前記励起によつて
得られた螢光をストリーク管の光電面に入射す
る。ストリーク管の偏向板には励起光に同期した
偏向電圧を加えると、ストリーク管の螢光面に掃
引方向を時間軸として輝度を螢光の強度とする像
が現れる。これを画像解析することにより螢光強
度のプロフアイルを得る。

第３の測定方法は統計的に螢光発光のプロフア
イルを得るものである。測定対象の結晶を数Hz〜
数ＭHzの繰返しパルス光源で励起する。結晶から
の螢光をフイルタを通して単一光子を検出できる
領域まで減光させる。減光した螢光を光電子増倍
管で検出する。積分回路を励起光でスタートさ
せ、光電子増倍管の出力パルスでストツプする
（この積分回路を時間電圧変換装置という）。上記
積分回路の出力電圧を多チヤンネル波高分析装置
によつて各出力の大きさに対応する頻度を計数す
る。出力の大きさに対応して頻度をプロツトし、
出力の大きさを時間、頻度を螢光の強度とするこ
とにより螢光のプロフアイルを得る。

前記サンプリング方法は広く用いられているが
光電子増倍管は光の強さの情報しか取り出すこと
ができないので、結果的に得られるのは、螢光発
光の強度の時間的変化のみである。またこの方法
で正確なサンプリングを行なうためにはサンプリ
ング期間中に光電子増倍管が正常に動作すること
が必要である。したがつてサンプリングパルス電
圧はサンプリング期間内で一定に保たれなければ
ならない。しかしパルス幅の短い正確な矩形波を
発生させるのは容易でない。そのためこのサンプ
リング方法における時間分解能は５×10^-9秒にと
どまつている。

前記第２のストリークカメラを用いる方法にお
いて、時間分解能の改善はストリーク管の偏向電
極の変化する速度を速くして電圧掃引速度を速く
することによつて達成できる。しかし時間分解能
を改善しようとして偏向電圧の変化を速くすれば
出力螢光面を短時間で掃引してしまうので測定可
能な時間は短かくなる。すなわちストリークカメ
ラにおいて時間分解能の向上と測定可能な時間を
大きくすることは相反する要求であつて両方を満
足させることはできないという問題がある。

前記第３の方法は単一光子領域の測定であるた
め、非常に多くのサンプルを必要とするから長時
間測定しなければならない。例えば30Hzでサンプ
リングを繰返し、10⁶個のサンプルを得るために
は９時間の測定時間を要する。

本発明の主なる目的は、高速度で変化する発光
現象を従来得られなかつた高い精度で、任意の持
続時間の発光現象を比較的短時間で測定すること
ができる発光現象の測定装置を提供することにあ
る。

本発明による発光現象の測定装置は、繰り返し
て実質的に同一な発光現象を励起できる場合の発
光現象の測定に有効に適用できるものであり、基
本的に以下の構成を備えている。

光電面、多数の電子通路をもつチヤンネル板、
螢光面および前記通路に直交するシヤツタ電界を
発生することができるシヤツタ電極を持つ電子ビ
ームシヤツタ管を電気信号への変換およびサンプ
リングのために使用する。

観測対象である発光現象は、起動手段により、
その現象の持続時間よりも十分に長い時間間隔を
保つて繰返し連続的に起動される。前記起動手段
により発生させられた発光像は像形成手段により
前記電子ビームシヤツタ管の光電面上に形成させ
られる。サンプリング期間指定手段は前記起動を
検出して各発光現象ごとに異なつたサンプリング
期間を指定する。シヤツタ管駆動装置は、前記サ
ンプリング期間に対応してシヤツタ電界を零とす
る。前記サンプリングにより抽出された電子像に
よる螢光面の輝度は前記シヤツタ管の螢光面に対
向して設けられた光電変換器により前記サンプリ
ングごとに光電変換して出力される。前記光電変
換装置の出力は転送手段により前記転送手段の出
力は記憶装置により記憶される。

記憶された内容は表示手段により表示される
か、出力装置により出力される。

前述した電子ビームシヤツタ管の螢光面および
螢光面に対向する光電変換器は、電子像を直接画
像信号に変換できる個体イメージセンサに置き変
えることができる。

前述した構成によれば、本発明の目的は完全に
達成できる。

これ等の構成とその効果を実施例を参照して詳
細に説明する。

第１図は本発明による発光現象測定装置の第１
の実施例装置を用いて、有機分子性結晶の波長分
布強度の時間に対する変化を測定する例を示すブ
ロツク図である。第５図は前記装置の動作を説明
するための波形図である。起動手段１には起動発
振器１０１と、この発振器１０１からの起動クロ
ツクにより定間隔で発振させられるレーザ発振器
１０２が設けられている。発振器１０１は起動命
令（第５図Ａ参照）で動作を開始し、以後定時間
間隔でレーザ発振器１０２を励起する。この実施
例ではレーザ発振器１０２としてモード同期
YAGレーザと第４高調波発生器からなるレーザ
発振器を用いている。レーザ装置１０２は発振器
１０１からの起動クロツクを受けるたびに発振
し、波長266nm、パルス幅30psの紫外線レーザ光
を発生する（第５図Ｂ参照）。この紫外線レーザ
光は起動手段１に含まれる光分割器７によつて一
部分割され、他の部分は被測定対象発光源３であ
る有機分子性結晶に入射させられる。有機分子性
結晶３はこのレーザ光により励起されて第５図Ｃ
に示すように螢光を発する。励起から螢光発光ま
での遅れ時間、螢光発光中に含まれる波長分布お
よび各波長ごとの持続時間等は結晶の種類、不純
物の存在、結晶の状態により、種々異る。したが
つてそれ等を解析することに重要な意味がある。
アントラセン結晶においては紫外線により励起さ
れてから螢光が発生するまでの時間は、数百ピコ
秒から数百ナノ秒であり、螢光の持続時間は数ナ
ノ秒以上であることが知られている。被測定対象
である有機分子性結晶からの螢光は像形成手段４
である分光器により波長にしたがつて分散され、
電子ビームシヤツタ装置６の電子ビームシヤツタ
管６０の光電面６２に入射させられる。光電面６
２への入射位置は波長に対応させられており、光
電面の各位置は各波長の螢光強度に応じた電子を
放出する。半透明鏡光分割器７によつて分岐され
た紫外線の一部はサンプリング期間指定手段２の
励起光光電変換器８に入射する。この光電変換器
８はPINフオトダイオードからなり１ナノ秒以下
の応答時間で入射した紫外線に対応する電気信号
を出力する。なおこのときPINフオトダイオード
はモード同期YAGレーザの１次光を受光しても
良い。この光電変換器８の出力端はリニアフオト
センサからなる像光電変換器５、可変遅延回路９
および遅延時間指示回路１０に接続されている。
遅延時間指示回路１０は、光電変換器８の出力パ
ルス（第３図Ｂ）を計数してその数に対応する電
圧を出力する。第５図Ｄに出力電圧を示してい
る。この遅延時間指示回路１０の構成例を第２図
を参照して説明する。遅延時間指示回路１０は、
計数器１０５とデジタルアナログ変換器１０６と
アナログ増幅器１０７とからなり、計数器１０５
は起動ブロツク１の起動信号（第５図Ａ）によつ
て測定開始時にリセツトされ以後光電変換器８の
出力パルス（第５図Ｂ）を計数する。デジタルア
ナログ変換器１０６は、計数器１０５の計数信号
をカウント数に対応する電圧に変換し、アナログ
増幅器１０７によつて後述する可変遅延回路を駆
動するレベルまで増幅する。

可変遅延回路９は、前記励起光光電変換器８の
出力パルス（第５図Ｂ）を遅延する回路である。
この遅延時間は遅延時間指示回路１０の出力（第
５図Ｄ）によつて決定される。

可変遅延回路９の構成例を第３図を参照して説
明する。可変電圧源９２は、正または負の可変電
圧を切換えて出力することができる。可変遅延回
路９の演算増幅器９１は前記遅延時間指示回路１
０の出力（第５図Ｄ）と可変電源９２の出力とを
加算する回路である。演算増幅器９１の出力端に
は可変容量ダイオード９３と９４の一端が抵抗を
介して接続されている。可変容量ダイオード９
３，９４の容量をそれぞれＣ、コイル９５のイン
ダクタンスをＬとすれば可変容量ダイオード９３
と抵抗９６の接続点に入力した電気信号は√2
だけ遅延させられて可変容量ダイオード９４と抵
抗９７の接続点に現れる。この可変容量ダイオー
ドの端子間電圧を５ボルトから30ボルトに変化さ
せると容量は15pFから5pFに変化する。コイル
９５のインダクタンスを100μＨとすれば前記電
圧変化により遅延時間を0.5ナノ秒の範囲で変え
ることができる。可変容量ダイオード９３と９４
の容量はその両端に加えられる電圧によつて変化
させられる。可変電圧源９２の出力電圧を固定す
れば前記遅延時間は演算増幅器９１の他の入力端
に入力する電圧、すなわち遅延時間指示回路１０
の出力電圧（第５図Ｄ）によつて変化させられる
ことになる。したがつてモード同期YAGレーザ
装置１０２が順次パルス光を送出するのにしたが
つて遅延時間が増加する。第５図Ｅに遅延された
パルス列を示してある。可変遅延回路９の出力端
はシヤツタ管駆動回路１１の入力端子に接続され
ている。さらに長い可変遅延時間を発生する手段
として、エミツタ結合型単安定マルチバイブレー
タがある。この場合には、準安定期間の長さを遅
延時間指定回路１０の出力で制御する。例えば遅
延時間指示回路１０の出力電圧をエミツタ結合型
単安定マルチバイブレータのベースに印加するこ
とによつて可能である。

シヤツタ管駆動回路１１の構成例を第４図を参
照して説明する。この回路１１は正の100ボルト
から負の100ボルトまで1KV／ナノ秒の速度で変
化する電圧を発生することができる。200ボルト
の定圧電源115と100ボルトの定圧電源119の正極
にそれぞれ接続されている抵抗１１４と１１８の
他端はコンデンサ１１７を介して接続され、各電
源のそれぞれの負極は接地されている。アバラン
シエトランジスタ１１３のエミツタは接地されコ
レクタは前記抵抗１１４とコンデンサ１１７の接
続点に接続されている。定電圧電源１１５と抵抗
１１４の直列回路に並列にコンデンサ１１６が接
続されている。コンデンサ１１７の出力端１２０
側の電位は電源１１９により100ボルトに保たれ
ている。これに対し、コンデンサ１１７のアバラ
ンシエトランジスタ１１３側の電位は電源１１５
により200ボルトである。入力端１１０に可変遅
延回路９からのパルス（第５図Ｅ）が入力すると
アバランシエトランジスタ１１３は導通してコン
デンサ１１７の一端は瞬時に200ボルトから０ボ
ルトに変化する。これに伴つてシヤツタ管駆動回
路１１の出力端１２０の電位は100ボルトから−
100ボルトに変化する。アバランシエトランジス
タ１１３の応答速度は極めて速いので1KV／ナノ
秒の電圧変化速度が得られる。この急激な電圧変
化は電子ビームシヤツタ装置６にシヤツタ電圧と
して印加される。

この電圧は、電子ビームシヤツタ管６０のシヤ
ツタ板６３の２つの電極の間に加えられる。

電子ビームシヤツタ管６０は１インチ（25.4ミ
リメートル）の径の円筒気密容器６１の１つの面
内面にアンチモンセシウムからなる光電面６２が
形成されている。光電面６２は−1KVに維持され
ている。前記光電面６２に対向する面に螢光面６
４が設けられている。前記光電面６２と螢光面と
の間にシヤツタ板６３が設けられている。この電
子ビームシヤツタ装置は本件出願人の先の出願
（特願昭55―116241）に係るもので当該明細書に
詳述されているが、これを要約すると次のとおり
である。シヤツタ板６３は上下一対の電極６５，
６６を有している。そしてこの一対の電極６５と
電極６６間には適当な電気抵抗を有する板状体６
７が設けられている。そして、この板状体６７に
は前記電極６５と電極６６間に形成される電界の
方向に直交する向き、すなわち管軸方向と平行に
多数の貫通孔が設けられている。前記電極６５と
電極６６間に加えられる電圧が零であるときに前
記貫通孔は電子通路を形成し、一方の面から入射
した電子は他方の面に通過できる。前記一対の電
極間に電界を生ぜしめると、貫通孔内の電子は前
記板状体６７に捕捉されて、シヤツタが閉じた状
態が形成される。このシヤツタ管６０は画像を形
成する電子の２次元分布のシヤツタ作用を行なう
ことができる。本発明による装置で使用する電子
ビームシヤツタ管６０のシヤツタ板６３の貫通孔
の内径は200ミクロン、長さは４ミリメートルで
ある。貫通孔を有する板状体６７の部分は幅１ミ
リメートルの帯状でその両側に電極が設けられて
いる。シヤツタ板６３と光電面６２の間隔は２ミ
リメートルである。螢光面６４は＋3KVに維持さ
れている。電子ビームシヤツタ管６０は、シヤツ
タ板６３の貫通孔部分の孔の軸が光電面６２と螢
光面６４間に形成される光電子の加速電界の方向
とを一致させられている。そして光電子は１キロ
ボルトで加速されシヤツタ板６４に垂直に入射す
る。このシヤツタ板６３の電極に前述した1KV／
ナノ秒の速度で変化する電圧が加えられると、そ
の電圧が０ボルトとなる前後50ピコ秒間のみ光電
子を通過させる。有機分子性結晶３の螢光の持続
時間が１ナノ秒であれば、その20分の１の時間に
相当する時間だけ、光電子を通過させる。その結
果その部分の各波長の螢光強度に対応する数の電
子がシヤツタ板６３を通過して螢光面に衝突し各
波長の螢光強度に対応して、螢光面に横方向に広
がつた線状輝度分布が現れる。第５図Ｆは波長に
対応する強度Ｉを縦軸にして示した略図である。

遅延時間指示回路１０の出力により可変遅延回
路９が、PINフオトダイオード８の送出するパル
スごとに50ピコ秒の遅延時間の増加を生ずるよう
に調整すれば、螢光の先端から終端に致るまでの
螢光強度が第５図Ｆに示すように次々と螢光面６
４上に輝度として現われる。螢光面６４上の輝度
分布の長手方向を波長軸ということにする。第５
図Ｆにおいてλの示す方向は波長軸の方向であ
る。波長軸は、分光器４の波長分散の方向に一致
しシヤツタ板６３の貫通孔の孔軸の方向に直角な
方向である。

螢光面６４に向けて光電変換器５が設けられて
いる。この実施例では光電変換器５として波長軸
と走査方向を一致させられて螢光面６４に対向さ
せられ波長軸方向に256の画素を有する一次元リ
ニアフオトセンサを用いている。リニアフオトセ
ンサよりなる光電変換器５はPINフオトダイオー
ドよりなる励起光電変換器８の出力パルスを基準
として動作させられる。リニアフオトセンサは
256個の画素を有するからその１つ１つが波長に
対応した強度を示す。各画素に記憶された情報は
次のサンプリングが行なわれる前に転送される。
この情報を受け入れる記憶装置１２はすくなくと
も（波長軸に対応する画素数×サンプリング回
数）個だけの記憶場所を持つている。

この実施例ではサンプリング回数は20回なの
で、すくなくとも256×20の記憶場所をもつ記憶
装置を用いる必要がある。

PINフオトダイオードよりなる光電変換器８が
パルスを送出するごとに、電子ビームシヤツタ管
６０の螢光面６４に50ピコ秒だけ時間のずれた分
光スペクトル強度があらわれその都度256画素の
リニヤホトセンサで変換され記憶装置１２に転送
され、20回のサンプリングで256個×20個の記憶
場所のすべてに記憶される。これにより１回の測
定を終了する。次にこの記憶内容の処理例を説明
する。特定の波長に対応する記憶のみ読み出して
Ｘ―Ｙレコーダ１３に表示すればその波長の強度
変化のプロフアイルが得られる。像形成手段４に
ついて分光器に代えて光学レンズを用いれば、被
測定対象の二次元像が光電面６２に形成される。

このような場合、シヤツタ装置は光電子の二次
元分布のシヤツタ作用を行うことができる。もち
ろんこのとき光電変換器５は、二次元固体撮像装
置またはビジコンのような撮像管を用いた撮像装
置を用いる。

第６図は発光現象の測定装置の他の発明の実施
例を示すブロツク図である。

自己走査型固体撮像素子フオトダイオードアレ
イは、可視光の検出素子として広く用いられてい
る。この素子は前記可視光の検出と同様に電子を
検出することができる。この実施例で使用され電
子ビームシヤツタ管６０は、前述したシヤツタ管
６０の螢光面の位置に固体撮像素子６９を電子像
検出のイメージターゲツトとして配置し、固体撮
像素子６９に前述した第１の実施例装置における
螢光面６４と、光電変換器５の両方の役割を果さ
せている。その他の構成は第１の実施例と異なら
ない。なお電子ビームシヤツタ管６０内に光電子
増倍用のチヤンネルプレート６８を設けて、シヤ
ツタ板６３を通過して来た光電子、すなわちサン
プリングされた光電子を増幅するようにしてあ
る。なお前述した第１の実施例においても同様に
チヤンネルプレートを設けることができる。

有機分子性結晶がレーザ光により励起されてか
ら螢光を発生するまでの時間にゆらぎがある場合
には、前述した第１の実施例のように、レーザ光
を検出して基準時間を決定することが好ましくな
いことがある。第７図はそのような場合に適した
変形例を示すブロツク図である。この変形例では
像形成手段４またはその前段に光分割器４１を設
け、螢光の一部をサンプリング期間指定手段２に
送る。サンプリング期間指定手段２では第１の実
施例において述べたようにPINホトダイオードで
これを検出し、サンプリング期間を指定する信号
を発生する。一方像形成手段４では前記光分割器
４１を通過した螢光を光学的遅延手段４２で遅延
させて電子ビームシヤツタ管６０の光電面６２に
像を形成させる。このようにすれば前記ゆらぎの
影響を除去して、正確なサンプリングを行なうこ
とができる。

本発明による発光現象の測定装置は以上のよう
に構成されているので、発光現象を従来の測定装
置に比較して、より高い時間分解能で測定でき
る。

発光現象の起動は、任意の時間間隔で可能であ
るから、発光現象の持続時間を考慮して最適に選
択できる。またそのために時間分解能を低下させ
る必要はない。電子ビームシヤツタ管により分光
スペクトルのような一次元画像のサンプリングの
みならず、レンズ系によつて得られる２次元画像
から得られた電子流のサンプリングが可能になる
ので、従来測定不能であつた光源像の測定が可能
となつた。

以上詳しく説明した実施例につき、本発明の範
囲内で種々の変形が可能である。

反射光または透過光を急速に変化させる物も、
ここに言う発光現象と理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、発光現象の測定装置の発明の実施例
を示すブロツク図である。第２図はサンプリング
期間指定手段２に含まれる遅延時間指示手段の実
施例を示すブロツク図、第３図はサンプリング期
間指定手段に含まれる可変遅延回路の実施例を示
す回路図である。第４図はシヤツタ管駆動回路の
実施例を示す回路図である。第５図は第１図に示
した装置の動作を説明するための波形図である。
第６図は、発光現象の測定装置のさらに他の発明
の実施例を示すブロツク図である。第７図は像形
成手段の変形例を説明するためのブロツク図であ
る。 １…起動手段、１０１…起動発振器、１０２…
レーザ発振器、２…サンプリング期間指定手段、
３…被測定対象発光源、４…像形成手段、５…像
光電変換器、６…電子ビームシヤツタ装置、７…
光分割器、８…励起光光電変換器、９…可変遅延
回路、１０…遅延時間指示回路、１１…シヤツタ
管駆動装置、１２…記憶装置、１３…Ｘ・Ｙレコ
ーダ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 繰り返して実質的に同一な発光現象を励起で
   きる場合の発光現象の測定装置であつて、光電
   面，多数の電子通路をもつチヤンネル板、螢光面
   および前記通路に直交するシヤツタ電界を発生す
   ることができるシヤツタ電極を持つ電子ビームシ
   ヤツタ管と、前記発光現象を、その現象の持続時
   間よりも十分に長い時間間隔を保つて連続的に起
   動する起動手段と、前記起動手段により発生させ
   られた発光像を前記電子ビームシヤツタ管の光電
   面上に形成する像形成手段と、前記起動を検出し
   て各発光現象ごとに異なつたサンプリング期間を
   指定する信号を発生するサンプリング期間指定手
   段と、前記サンプリング期間に対応してシヤツタ
   電界を零とするシヤツタ管駆動装置と、前記シヤ
   ツタ管の螢光面に対向して設けられ螢光面の輝度
   を前記サンプリングごとに光電変換して出力する
   光電変換器と、前記光電変換器の出力を次のサン
   プリングまでに転送する転送手段と、前記転送手
   段の出力を記憶または表示する手段とから構成し
   た発光現象の測定装置。 ２ 前記発光現象の起動手段は、光パルスを定間
   隔で発生する光源であり、発光は前記光パルスに
   より励起された物質が発生する発光である特許請
   求の範囲第１項記載の発光現象の測定装置。 ３ 前記物質は有機分子性結晶である特許請求の
   範囲第２項記載の発光現象の測定装置。 ４ 前記光源はレーザ装置である特許請求の範囲
   第２項記載の発光現象の測定装置。 ５ 前記像形成手段は被測定発光源の光を波長に
   より分散させる分光器を含み、波長ごとの強度を
   電子ビームシヤツタ管の光電面に形成させ分散の
   方向と前記シヤツタ電界は直角方向となるように
   した特許請求の範囲第１項記載の発光現象の測定
   装置。 ６ 前記像形成手段は、被測定発光源の発光形状
   を２次元像として、電子ビームシヤツタ管の光電
   面に形成させるレンズ系である特許請求の範囲第
   １項記載の発光現象の測定装置。 ７ 前記像形成手段はスリツトを含み、光電面は
   スリツトを通過した光のみを受け入れ、前記光電
   変換器は光電子増倍管であり、前記スリツトの方
   向と前記シヤツタ電界方向は直角である特許請求
   の範囲第１項記載の発光現象の測定装置。 ８ 前記光電変換装置は、固体撮像素子である特
   許請求の範囲第１項記載の発光現象の測定装置。 ９ 前記サンプリング期間指定手段の起動検出
   は、前記レーザ装置の光パルスの検出により行な
   う特許請求の範囲第４項記載の発光現象の測定装
   置。 １０ 前記サンプリング期間指定手段の起動検出
   は、励起された発光を検出することにより行なわ
   れ、前記像形成手段は、励起された発光を光学的
   に遅延させて、電子ビームシヤツタ管の光電面に
   導くようにした特許請求の範囲第１項記載の発光
   現象の測定装置。 １１ 繰り返して実質的に同一な発光現象を励起
   できる場合の発光現象の測定装置であつて、光電
   面、多数の電子通路をもつチヤンネル板、像電子
   流を位置ごとに記憶するイメージターゲツトおよ
   び前記通路に直交するシヤツタ電界を発生するこ
   とができるシヤツタ電極を持つ電子ビームシヤツ
   タ管と、前記発光現象をその現象の持続時間より
   も十分に長い時間間隔を保つて繰返し連続的に起
   動する起動手段と、前記起動手段により発生させ
   られた発光像を前記電子ビームシヤツタ管の光電
   面上に形成する像形成手段と、前記起動を検出し
   て各発光現象ごとに異なつたサンプリング期間を
   指定する信号を発生するサンプリング期間指定手
   段と、前記サンプリング期間に対応してシヤツタ
   電界を零とするシヤツタ管駆動装置と、前記イメ
   ージターゲツトの各素子の出力を次のサンプリン
   グまでに転送する転送手段と、前記転送手段の出
   力を記憶する手段とから構成した発光現象の測定
   装置。