JPS5842307A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPS5842307A JPS5842307A JP14017481A JP14017481A JPS5842307A JP S5842307 A JPS5842307 A JP S5842307A JP 14017481 A JP14017481 A JP 14017481A JP 14017481 A JP14017481 A JP 14017481A JP S5842307 A JPS5842307 A JP S5842307A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- semiconductor thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波装置の改良に関する。
弾性表面波装置として従来、第１図に示す如（、単結晶
ＬｈＮｂ０３ 等でなる単結晶圧電性基板１上に励振
用交叉指電極２及び５が形成され。
ＬｈＮｂ０３ 等でなる単結晶圧電性基板１上に励振
用交叉指電極２及び５が形成され。
且それ等電極２及び５間に１にで、 Ｉｎ＆ｂ 等でな
る半導体薄膜４が８ｉ０□ 等でなる絶縁薄膜５を介し
て形成さｎ、而してその牛導体薄ａ４上に電極６及び７
が附されてなる構成の本のが提案されている。尚８は保
護膜である。
る半導体薄膜４が８ｉ０□ 等でなる絶縁薄膜５を介し
て形成さｎ、而してその牛導体薄ａ４上に電極６及び７
が附されてなる構成の本のが提案されている。尚８は保
護膜である。
所で斯る構成の装置の場合、電極６及び７を介して半導
体薄膜４に電界を印加せる状態で。
体薄膜４に電界を印加せる状態で。
電極２１を励振すれば、それより得られる弾性表面波が
半導体薄膜４の位置に於て増幅されて電極３に伝播し、
従って増幅機能を呈するものである。
半導体薄膜４の位置に於て増幅されて電極３に伝播し、
従って増幅機能を呈するものである。
然し乍ら槙１図に示す従来の装置の場合、単結晶圧電性
基板１を用いている為、それが！＠類に制限を受けたり
、高価であったりして、捕鳥に得ることが困難であった
と共に、他のＩＣ装置と所謂モノリシックに組合せ構成
することに種々の制限を受ける等の欠点を有していた。
基板１を用いている為、それが！＠類に制限を受けたり
、高価であったりして、捕鳥に得ることが困難であった
と共に、他のＩＣ装置と所謂モノリシックに組合せ構成
することに種々の制限を受ける等の欠点を有していた。
依って本発明は、上述せる欠点のない新規な弾性表面波
装置を提案せんとするもので、以下詳述する所より明ら
かとなるであろう。
装置を提案せんとするもので、以下詳述する所より明ら
かとなるであろう。
＃ＩＬ２図は本発明による弾性表面波装置の一例を示し
、ガラス等の非単結晶絶縁基板１１を有し、その基板１
１上に励振用交叉指電極１２及び受信用交叉指電極１５
が形成されている。又基板１１上に例えばスパッタリン
グにより１例えばＣ軸配向した圧電性ＺｎＯ薄膜でなる
圧電性薄膜１４が形成され、一方この圧鑞性薄膜１４上
に例えば８ｉ０２ でなる絶縁厚５Ｉ１１５が形成さ
ｎ７．又この絶縁薄膜１５上に例えばダロー放電スパッ
タリング法により例えばアモルファスシリコンでなる半
導体薄膜１６が形成されている。
、ガラス等の非単結晶絶縁基板１１を有し、その基板１
１上に励振用交叉指電極１２及び受信用交叉指電極１５
が形成されている。又基板１１上に例えばスパッタリン
グにより１例えばＣ軸配向した圧電性ＺｎＯ薄膜でなる
圧電性薄膜１４が形成され、一方この圧鑞性薄膜１４上
に例えば８ｉ０２ でなる絶縁厚５Ｉ１１５が形成さ
ｎ７．又この絶縁薄膜１５上に例えばダロー放電スパッ
タリング法により例えばアモルファスシリコンでなる半
導体薄膜１６が形成されている。
更に半導体薄膜１６に電極１７及び１８が形成されてい
る。
る。
以上が本発明による弾性１１面波装置の一例構成である
が、斯る構成によれば、その圧電性薄膜１４．絶縁薄膜
１５．半導体薄膜１６．１Ｅ極１７及び１８が、１１１
ｍ！Ｉの場合の圧電性基板１゜絶縁薄膜５．半導体薄膜
４．電１１４及び７に夫々対応しているのて、嬉１図の
場合と同様に増幅機能を呈するものである。
が、斯る構成によれば、その圧電性薄膜１４．絶縁薄膜
１５．半導体薄膜１６．１Ｅ極１７及び１８が、１１１
ｍ！Ｉの場合の圧電性基板１゜絶縁薄膜５．半導体薄膜
４．電１１４及び７に夫々対応しているのて、嬉１図の
場合と同様に増幅機能を呈するものである。
然し乍ら本発明による装置の場合、基板として非単結晶
絶縁基板１１を用いているので、第１図の従来の場合の
大息を有しないという大なる特徴を有するものである。
絶縁基板１１を用いているので、第１図の従来の場合の
大息を有しないという大なる特徴を有するものである。
又基板１１としてパイレックスガラス、圧電性薄膜１４
としてＺｎＯ、半導体薄膜１６としてアモルファスシリ
コンを用いれば、パイレックスガラスと２鰭０とが逆符
号の温度係数を有するので、全体が零温度係数を有する
ものとなり、従って安定に動作するものである。
としてＺｎＯ、半導体薄膜１６としてアモルファスシリ
コンを用いれば、パイレックスガラスと２鰭０とが逆符
号の温度係数を有するので、全体が零温度係数を有する
ものとなり、従って安定に動作するものである。
尚上述に於ては本発明の一例を示したに留まり、圧電性
薄膜１４．絶縁薄膜１５及び半導体薄膜１６の、それ等
の順の積層体を第２の場合とは裏返して配した構成とす
るＣともでき、その他種々の変型変更をなし得るであろ
う。
薄膜１４．絶縁薄膜１５及び半導体薄膜１６の、それ等
の順の積層体を第２の場合とは裏返して配した構成とす
るＣともでき、その他種々の変型変更をなし得るであろ
う。
第１図は従来の弾性表面波装置を示す路線的断面図、１
ｓ２図は本発明による弾性表面波装置の一例を示す路線
的断面図である。 図中１１は非単結晶絶縁基板、１２は励振用交叉指電極
、１５は受信用交叉指電極、１４は圧電性薄膜、１５は
絶縁薄膜、１６は半導体薄膜、１７及び１８は電極を夫
々示す。 出願人 日本電信電話公社
ｓ２図は本発明による弾性表面波装置の一例を示す路線
的断面図である。 図中１１は非単結晶絶縁基板、１２は励振用交叉指電極
、１５は受信用交叉指電極、１４は圧電性薄膜、１５は
絶縁薄膜、１６は半導体薄膜、１７及び１８は電極を夫
々示す。 出願人 日本電信電話公社
Claims (1)
- ガラス等の非単結晶絶縁基板上に励振用交叉指電極と受
信用交叉指電極とが形成され、月圧電性薄膜、絶縁薄膜
及び半導体薄膜がそれ等の順に＃ＩＩｔｎでなる積層体
が形成されてなる事を特徴とする弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14017481A JPS5842307A (ja) | 1981-09-05 | 1981-09-05 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14017481A JPS5842307A (ja) | 1981-09-05 | 1981-09-05 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842307A true JPS5842307A (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=15262602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14017481A Pending JPS5842307A (ja) | 1981-09-05 | 1981-09-05 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842307A (ja) |
-
1981
- 1981-09-05 JP JP14017481A patent/JPS5842307A/ja active Pending
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