JPS5842952B2 - ソフトスタ−ト回路 - Google Patents
ソフトスタ−ト回路Info
- Publication number
- JPS5842952B2 JPS5842952B2 JP52146646A JP14664677A JPS5842952B2 JP S5842952 B2 JPS5842952 B2 JP S5842952B2 JP 52146646 A JP52146646 A JP 52146646A JP 14664677 A JP14664677 A JP 14664677A JP S5842952 B2 JPS5842952 B2 JP S5842952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- capacitor
- circuit
- relay
- soft start
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Control Of Resistance Heating (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はサイリスクを用いて電気炉等を位相制御する回
路の電源のスタート時及び入力信号の急な変動時におい
て制御位相を除々にシフトさせるソフトスタート回路に
関するものである。
路の電源のスタート時及び入力信号の急な変動時におい
て制御位相を除々にシフトさせるソフトスタート回路に
関するものである。
電気炉の発熱体として一般に用いられているケイ化モリ
ブデン(MoS l 2 )系の発熱体は第2図の比抵
抗(、R−CrrL)一温度(℃)グラフに示すように
低温時における比抵抗が非常に小さいので電気炉の起動
時において過大な電圧が加えられるとその発熱体には定
常使用電流の十数倍の電流が流れることになり、発熱体
の劣化を招くと共に、発熱体をコントロールしているサ
イリスク素子を破壊する虞れがある。
ブデン(MoS l 2 )系の発熱体は第2図の比抵
抗(、R−CrrL)一温度(℃)グラフに示すように
低温時における比抵抗が非常に小さいので電気炉の起動
時において過大な電圧が加えられるとその発熱体には定
常使用電流の十数倍の電流が流れることになり、発熱体
の劣化を招くと共に、発熱体をコントロールしているサ
イリスク素子を破壊する虞れがある。
またフィードバック制御をしている炉における電源のス
タート時においては炉は低温であるからフィードバック
による信号は最大値を示すことになり、そのままでは発
熱体及びサイリスク素子に過大な電流を流してしまう危
険がある。
タート時においては炉は低温であるからフィードバック
による信号は最大値を示すことになり、そのままでは発
熱体及びサイリスク素子に過大な電流を流してしまう危
険がある。
こうした発熱体及びサイリスク素子を保護するために、
電源のスタート時においてサイリスク素子の制御位相を
除々にシフトさせるソフトスタート回路が用いられてい
るが、従来のソフトスタート回路では、運転中に調節温
度を急に変更操作した際に生ずる入力信号の急な変動に
対しては作動しないという問題があり、また、ソフトス
タート機能が通常の制御時の応答性に悪影響を与えると
いう問題があった。
電源のスタート時においてサイリスク素子の制御位相を
除々にシフトさせるソフトスタート回路が用いられてい
るが、従来のソフトスタート回路では、運転中に調節温
度を急に変更操作した際に生ずる入力信号の急な変動に
対しては作動しないという問題があり、また、ソフトス
タート機能が通常の制御時の応答性に悪影響を与えると
いう問題があった。
本発明は以上の点に鑑みてなしたものであり、温度調節
計の調節温度などを急に変更操作した際に生ずる入力信
号の急な変動に対してもソフトスタート機能が得られ、
且つ通常の制御時においてはその制御に対して側らの影
響を与えることなく応答性が悪化するおそれのないソフ
トスタート回路を提供することを目的とするものである
。
計の調節温度などを急に変更操作した際に生ずる入力信
号の急な変動に対してもソフトスタート機能が得られ、
且つ通常の制御時においてはその制御に対して側らの影
響を与えることなく応答性が悪化するおそれのないソフ
トスタート回路を提供することを目的とするものである
。
以下に電気炉のフィードバック制御に対して本発明に係
る回路を応用した図示の実施例について説明する。
る回路を応用した図示の実施例について説明する。
図中1は電気炉でこの電気炉1内には第2図に示す温度
〜比抵抗特性を有するケイ化モリブデン系の発熱体2と
熱電体等による温度検出器3が取り付けられている。
〜比抵抗特性を有するケイ化モリブデン系の発熱体2と
熱電体等による温度検出器3が取り付けられている。
上記発熱体2は炉外に設置されるサイリスク回路4を介
して電源5に接続されており、上記温度検出器3からの
検出信号は温度調節計6を介してソフトスタート回路を
有するパルス発生装置7にインプットされている。
して電源5に接続されており、上記温度検出器3からの
検出信号は温度調節計6を介してソフトスタート回路を
有するパルス発生装置7にインプットされている。
更にこのパルス発生装置7には電源5からの同期信号が
同期回路8を介してインプットされており、該パルス発
生装置7により作られるトリガパルスは前記サイリスク
回路4にインプットされている。
同期回路8を介してインプットされており、該パルス発
生装置7により作られるトリガパルスは前記サイリスク
回路4にインプットされている。
上記パルス発生装置7は第3図に示す回路構成とされて
おり、図において9は駆動電源正端子、10は温度調節
計6と接続される入力信号正端子、11は9,10に対
する共通負端子、12は入力信号を増幅する増幅器、P
はPUT、Lはリレー13は該リレーの常閉接点、Tr
はトランジスタ、Rは抵抗、Cはコンデンサ、Dはコイ
ルの誘導電流を短絡させるダイオード、14.15は同
期回路8と接続される電源同期端子、16,17はPU
Tからの出力端子でパルストランス等を介してサイリス
ク回路のゲートに接続されている。
おり、図において9は駆動電源正端子、10は温度調節
計6と接続される入力信号正端子、11は9,10に対
する共通負端子、12は入力信号を増幅する増幅器、P
はPUT、Lはリレー13は該リレーの常閉接点、Tr
はトランジスタ、Rは抵抗、Cはコンデンサ、Dはコイ
ルの誘導電流を短絡させるダイオード、14.15は同
期回路8と接続される電源同期端子、16,17はPU
Tからの出力端子でパルストランス等を介してサイリス
ク回路のゲートに接続されている。
この回路の動作を説明するとまず端子9に+Vccが加
えられている状態においてトランジスタTr1は通常O
FF状態とされているのでトランジスタTr2のベース
に抵抗R1を介して電流が流れておりトランジスタTr
2はON状態となっている。
えられている状態においてトランジスタTr1は通常O
FF状態とされているのでトランジスタTr2のベース
に抵抗R1を介して電流が流れておりトランジスタTr
2はON状態となっている。
従ってリレーLには抵抗R2を介して電流が流されてい
るので該リレーLの常閉接点13は開となっており、コ
ンデンサC1には抵抗R3,R4を介して十分に充電が
成されている。
るので該リレーLの常閉接点13は開となっており、コ
ンデンサC1には抵抗R3,R4を介して十分に充電が
成されている。
このコンデンサC1によりトランジスタTr3のベース
電圧は飽和領域まで高められているので該トランジスタ
T r 3はON状態とされており、このトランジスタ
Tr3で制御されるトランジスタTr4のベースには十
分な電流が流れているので該トランジスタT r 4は
ON状態となっている。
電圧は飽和領域まで高められているので該トランジスタ
T r 3はON状態とされており、このトランジスタ
Tr3で制御されるトランジスタTr4のベースには十
分な電流が流れているので該トランジスタT r 4は
ON状態となっている。
従って増幅器12で増幅された入力はトランジスタTr
4及び時定数回路の抵抗R6,R7を通ってコンデンサ
C2に充電され、このコンデンサC2の充電により電位
が上昇せしめられるA点の電位、即ちPUTのアノード
電位が抵抗R8,R9により分圧されたG点の電位、即
ちPUTのゲート電位を越えた時にPUTの、アノード
・カソード間がONになり、コンデンサC2に充電され
た電荷は抵抗R1oを通って放電せしめられ、この放電
電流により抵抗R1oの両端には電位が発生する。
4及び時定数回路の抵抗R6,R7を通ってコンデンサ
C2に充電され、このコンデンサC2の充電により電位
が上昇せしめられるA点の電位、即ちPUTのアノード
電位が抵抗R8,R9により分圧されたG点の電位、即
ちPUTのゲート電位を越えた時にPUTの、アノード
・カソード間がONになり、コンデンサC2に充電され
た電荷は抵抗R1oを通って放電せしめられ、この放電
電流により抵抗R1oの両端には電位が発生する。
この放電時においてはコンデンサC2の電荷がまだ完全
に放電されていないのでPUTのON状態は続いており
、この状態は後述する電源同期回路8によりコンデンサ
C2の電荷が完全に放電せしめられるまで続いている。
に放電されていないのでPUTのON状態は続いており
、この状態は後述する電源同期回路8によりコンデンサ
C2の電荷が完全に放電せしめられるまで続いている。
然して上記抵抗R6,R7との間には電源同期回路から
の信号が加えられており、この同期回路8は第4図に示
すように電源5の交流を全波整流するブリッジ18と、
この全波整流された波形を分圧する抵抗R111R12
1R13と、2個のトランジスタTr5+ Tr6とを
具備し、トランジスタTr5は第5図の波形図Iに示す
整流波形W1のvB点点上上ONとなるように設定され
ている。
の信号が加えられており、この同期回路8は第4図に示
すように電源5の交流を全波整流するブリッジ18と、
この全波整流された波形を分圧する抵抗R111R12
1R13と、2個のトランジスタTr5+ Tr6とを
具備し、トランジスタTr5は第5図の波形図Iに示す
整流波形W1のvB点点上上ONとなるように設定され
ている。
従ってこのトランジスタTr5はvB点以下、即ち波形
の零電位附近でOFF状態となり、このトランジスタT
r5で制御されているトランジスタT r 6にはトラ
ンジスタTr5のOFF状態のときに抵抗R14を通し
て電流が加えられるのでON状態となる。
の零電位附近でOFF状態となり、このトランジスタT
r5で制御されているトランジスタT r 6にはトラ
ンジスタTr5のOFF状態のときに抵抗R14を通し
て電流が加えられるのでON状態となる。
このトランジスタTr6のエミッタ端子とコレクタ端子
は前記パルス発生装置7の電源同期端子14.15の夫
々に接続されており、トランジスタTr6のON状態、
即ち電源波形の零電位附近でコンデンサC2の電荷は抵
抗R7を介して完全に放電せしめられる。
は前記パルス発生装置7の電源同期端子14.15の夫
々に接続されており、トランジスタTr6のON状態、
即ち電源波形の零電位附近でコンデンサC2の電荷は抵
抗R7を介して完全に放電せしめられる。
これでコンデンサC2の電荷がなくなり、ふたたびトラ
ンジスタTr5及び抵抗R6゜R7を通して充電され、
上記の繰り返しにより出力端子16.17から連続した
パルス波W2が得られる。
ンジスタTr5及び抵抗R6゜R7を通して充電され、
上記の繰り返しにより出力端子16.17から連続した
パルス波W2が得られる。
又、コンデンサC2の充電は常に電源波形が零電位附近
を通過した時点を起点として行われるので、出力端子1
6.17から得られるパルス波W2は電源5の交流波形
に同期した形となっている。
を通過した時点を起点として行われるので、出力端子1
6.17から得られるパルス波W2は電源5の交流波形
に同期した形となっている。
上記の動作を第5図の波形図I −Vで簡単に説明する
と、まず同期回路8のトランジスタTr6の導通範囲t
1点からコンデンサC2は充電が開始され、トランジス
タT r 4は低抵抗状態にあるのでA点の電位■Aは
波形図■に示すようにコンデンサC2及び抵抗R6,R
7の時定数T1による傾斜角度を描いて充電される。
と、まず同期回路8のトランジスタTr6の導通範囲t
1点からコンデンサC2は充電が開始され、トランジス
タT r 4は低抵抗状態にあるのでA点の電位■Aは
波形図■に示すようにコンデンサC2及び抵抗R6,R
7の時定数T1による傾斜角度を描いて充電される。
この充電が進んでvAがVG点を越える点t2でコンデ
ンサC1はPUTにより放電されてA点の電位は急激に
降下し、更にトランジスタTr6の導通範囲t1に至っ
て完全に放電されて電荷が零の状態となり、ここからふ
たたび充電が繰り返される。
ンサC1はPUTにより放電されてA点の電位は急激に
降下し、更にトランジスタTr6の導通範囲t1に至っ
て完全に放電されて電荷が零の状態となり、ここからふ
たたび充電が繰り返される。
上記t1における放電電流により出力端子16.17間
には波形図■に示すパルス波W2が得られ、このパルス
波W2はサイリスク回路のゲートをトリガして波形図■
に示すように炉1への電流W3の制御を行っている。
には波形図■に示すパルス波W2が得られ、このパルス
波W2はサイリスク回路のゲートをトリガして波形図■
に示すように炉1への電流W3の制御を行っている。
次に、電源が切られている状態から電源を入れた際にお
ける動作を説明すると、電源が切られた状態におけるリ
レーLの常閉接点13は閉となっているのでコンデンサ
C1は抵抗R15を介して短絡されている状態にあり、
電源が入れられるとリレーLにより常閉接点13は開と
なってコンデンサC1には該コンデンサC1と抵抗R3
の時定数をもって充電される。
ける動作を説明すると、電源が切られた状態におけるリ
レーLの常閉接点13は閉となっているのでコンデンサ
C1は抵抗R15を介して短絡されている状態にあり、
電源が入れられるとリレーLにより常閉接点13は開と
なってコンデンサC1には該コンデンサC1と抵抗R3
の時定数をもって充電される。
この充電はコンデンサC1が完全に放電されている状態
から始められるのでその充電当初(こおいてはトランジ
スタTr3をONさせる電圧を有しておらず、該トラン
ジスタTr3はOFF状態となっている。
から始められるのでその充電当初(こおいてはトランジ
スタTr3をONさせる電圧を有しておらず、該トラン
ジスタTr3はOFF状態となっている。
従ってこのトランジスタTr3で制御されているトラン
ジスタTr4のエミッタ・コレクタ間は高抵抗状態とな
っているので増幅器12からの入力はほとんどコンデン
サC2に充電されず、又少量充電された電荷はPUTを
動作する前に同期信号により放電せしめられるのでパル
ス出力がなく、従って炉1の発熱体2における電流も流
れていない。
ジスタTr4のエミッタ・コレクタ間は高抵抗状態とな
っているので増幅器12からの入力はほとんどコンデン
サC2に充電されず、又少量充電された電荷はPUTを
動作する前に同期信号により放電せしめられるのでパル
ス出力がなく、従って炉1の発熱体2における電流も流
れていない。
更に、上記コンデンサC1の充電が進みトランジスタT
r3のベース電圧が高くなり該トランジスタTr3が活
性領域(こ進むとベース電圧に応じたコレクタ電流が流
れ、これによりトランジスタTr4のベース電流が流れ
るので該トランジスタTr4のエミッタコレクタ間の抵
抗が低くなり、該トランジスタTr4の抵抗値を含めた
時定数T2でコンデンサC2に充電が行われる。
r3のベース電圧が高くなり該トランジスタTr3が活
性領域(こ進むとベース電圧に応じたコレクタ電流が流
れ、これによりトランジスタTr4のベース電流が流れ
るので該トランジスタTr4のエミッタコレクタ間の抵
抗が低くなり、該トランジスタTr4の抵抗値を含めた
時定数T2でコンデンサC2に充電が行われる。
この充電によりA点の電位vAがvG点に到達する時刻
t3は第5図の波形図■に示すように時定数T2により
決定される。
t3は第5図の波形図■に示すように時定数T2により
決定される。
この時定数T2はトランジスタTr4の抵抗弁が含まれ
ているので前述の該トランジスタTr4が完全な導通状
態とされている時の時定数T1より大となっており、そ
の時定数に比例した時間だけ遅れてパルス波W2が発振
せしめられる。
ているので前述の該トランジスタTr4が完全な導通状
態とされている時の時定数T1より大となっており、そ
の時定数に比例した時間だけ遅れてパルス波W2が発振
せしめられる。
更に、コンデンサC1の充電が進むに連れてトランジス
タTr4の抵抗値は低くなるのでパルス発生時刻が早ま
り、遂にコンデンサC1が完全に充電された際にはトラ
ンジスタTr4は完全な導通状態となるので前述した状
態、即ち抵抗R6,R7による一定の時定数T1で発振
が行なわれ、以後は入力信号の大小に応じて発振時刻が
決定される。
タTr4の抵抗値は低くなるのでパルス発生時刻が早ま
り、遂にコンデンサC1が完全に充電された際にはトラ
ンジスタTr4は完全な導通状態となるので前述した状
態、即ち抵抗R6,R7による一定の時定数T1で発振
が行なわれ、以後は入力信号の大小に応じて発振時刻が
決定される。
次に、温度調節計6の調節温度を急に変更操作した場合
の回路動作を説明する。
の回路動作を説明する。
入力信号端子10.11にその調節温度の変更によるス
テップ状の入力が加えられると、コンデンサC3と抵抗
R16による微分回路によりそのステップに応じたトリ
ガパルスが作られる。
テップ状の入力が加えられると、コンデンサC3と抵抗
R16による微分回路によりそのステップに応じたトリ
ガパルスが作られる。
このトリガパルスは抵抗R1□を介してトランジスタT
r、のベースに加えられており、このパルスにより該ト
ランジスタTr1は瞬間的にON状態となる。
r、のベースに加えられており、このパルスにより該ト
ランジスタTr1は瞬間的にON状態となる。
このトランジスタTr1がON状態の時にトランジスタ
Tr2はOFF状態となるのでリレーLの常閉接点13
は瞬間的に閉じられてコンデンサC0の電荷は抵抗R1
5を通して放電せしめられる。
Tr2はOFF状態となるのでリレーLの常閉接点13
は瞬間的に閉じられてコンデンサC0の電荷は抵抗R1
5を通して放電せしめられる。
こうしてコンデンサC1が放電せしめられた後の回路動
作は前記電源が切られている状態から電源を入れた際番
こおける動作と同様となる。
作は前記電源が切られている状態から電源を入れた際番
こおける動作と同様となる。
尚、この実施例においてはコンデンサC1の電荷を放電
させる方法としてリレーLが用いられているがこのリレ
ーL(こ換えてFET1 トランジスタ等のスイッチン
グ素子を用いた回路構成としてもよい。
させる方法としてリレーLが用いられているがこのリレ
ーL(こ換えてFET1 トランジスタ等のスイッチン
グ素子を用いた回路構成としてもよい。
以上説明したように本発明0こよれば、入力信号の急な
変動を検出する微分回路と、微分回路の出力によりリレ
ーを介して短絡操作されるコンデンサと、該コンデンサ
の電圧上昇に従い、抵抗値が除々に低くなるように設定
されているトランジスタを設け、そのトランジスタをサ
イリスタが動作せしめられるトリガパルスの位相を決定
する時定数回路の抵抗として用いた構成としたので、調
節計の調節温度を変更操作した場合など、入力信号が急
に変動した際においてもソフトスタート機能が働き、発
熱体の劣化及びサイリスク素子の破壊が防止されるとい
う効果がある。
変動を検出する微分回路と、微分回路の出力によりリレ
ーを介して短絡操作されるコンデンサと、該コンデンサ
の電圧上昇に従い、抵抗値が除々に低くなるように設定
されているトランジスタを設け、そのトランジスタをサ
イリスタが動作せしめられるトリガパルスの位相を決定
する時定数回路の抵抗として用いた構成としたので、調
節計の調節温度を変更操作した場合など、入力信号が急
に変動した際においてもソフトスタート機能が働き、発
熱体の劣化及びサイリスク素子の破壊が防止されるとい
う効果がある。
また、そのソフトスタート機能は通常の制御時、即ち入
力信号の大小に応じて位相を制御させている時にはその
制御に対して伺らの影響を与えることなく、応答性が悪
化するというおそれがない効果がある。
力信号の大小に応じて位相を制御させている時にはその
制御に対して伺らの影響を与えることなく、応答性が悪
化するというおそれがない効果がある。
第1図は本発明に係る回路を具備する炉の制御系を示す
ブロック図、第2図は炉に用いられている発熱体の温度
−比抵抗特性を示すグラフ図、第3図は本発明に係るソ
フトスタート回路を有するパルス発生装置の回路図、 第5図は波形図である。 7・・・・・・パルス発生装置、 第4図は同期回路図、 10.11・・・・・・入力信 号端子、 R・・・・・・抵抗、 C・・・・・・コンデンサ、 Tr・・・ ・・・トランジスタ。
ブロック図、第2図は炉に用いられている発熱体の温度
−比抵抗特性を示すグラフ図、第3図は本発明に係るソ
フトスタート回路を有するパルス発生装置の回路図、 第5図は波形図である。 7・・・・・・パルス発生装置、 第4図は同期回路図、 10.11・・・・・・入力信 号端子、 R・・・・・・抵抗、 C・・・・・・コンデンサ、 Tr・・・ ・・・トランジスタ。
Claims (1)
- 1 交流電源と炉ヒータ間に接続されるサイリスクを、
上記交流電源からの同期信号と炉の温度検出信号に基づ
いて0N−OFF操作するパルス発生装置に用いられる
ソフトスタート回路であって入力信号端子10.11に
ステップ状の入力信号が加えられた際にトリガパルスを
発生する微分回路C3,R16と、該微分回路の出力に
よりON・OFF操作されるリレーLと、このリレーL
により短絡操作されるコンデンサC1と、前記サイリス
クを動作せしめるトリガパルスの位相を決定する時定数
回路R6,R7,C2と前記入力端子10゜11との間
に接続され、上記コンデンサC1の電圧上昇に従い、抵
抗値が除々に低くなるように設定されているトランジス
タTr4と、を具備する構成とされたことを特徴とする
ソフトスタート回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52146646A JPS5842952B2 (ja) | 1977-12-08 | 1977-12-08 | ソフトスタ−ト回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52146646A JPS5842952B2 (ja) | 1977-12-08 | 1977-12-08 | ソフトスタ−ト回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5479846A JPS5479846A (en) | 1979-06-26 |
| JPS5842952B2 true JPS5842952B2 (ja) | 1983-09-22 |
Family
ID=15412427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52146646A Expired JPS5842952B2 (ja) | 1977-12-08 | 1977-12-08 | ソフトスタ−ト回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842952B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193373A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6162394U (ja) * | 1984-09-29 | 1986-04-26 |
-
1977
- 1977-12-08 JP JP52146646A patent/JPS5842952B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193373A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5479846A (en) | 1979-06-26 |
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