JPS5843233Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5843233Y2 JPS5843233Y2 JP1978008059U JP805978U JPS5843233Y2 JP S5843233 Y2 JPS5843233 Y2 JP S5843233Y2 JP 1978008059 U JP1978008059 U JP 1978008059U JP 805978 U JP805978 U JP 805978U JP S5843233 Y2 JPS5843233 Y2 JP S5843233Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat sink
- lead
- plating layer
- semiconductor element
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本案は半導体装置の改良に関するものである。
一般に半導体装置は例えば第１図〜第３図に示すように
、肉厚の厚い部分と薄い部分とを有する金属板からそれ
ぞれ肉厚の厚い部分が放熱板Ａを薄い部分が複数のリー
ド片ｂ１〜ｂ８よりなるり−ドＢを構成し、かつリード
片ｂｔ、 ｂ８の一部ｂ１′。
、肉厚の厚い部分と薄い部分とを有する金属板からそれ
ぞれ肉厚の厚い部分が放熱板Ａを薄い部分が複数のリー
ド片ｂ１〜ｂ８よりなるり−ドＢを構成し、かつリード
片ｂｔ、 ｂ８の一部ｂ１′。
ｂ８′が放熱板Ａに連結支持されるように打抜くと共に
、リードＢの主要部が放熱板Ａ上に離隔して対向するよ
うにリード片ｂ１．ｂ８の放熱板Ａとの連結部ｂ１′、
ｂ８′を屈曲してリードフレームＣを形威し、このリー
ドフレームＣの放熱板Ａの中央部上面に半導体素子りを
半田部材を用いて固定すると共に、半導体素子りの電極
とリード片ｂ２〜ｂ７とを金属細線Ｅにて接続し、然る
後、リードフレームＣの主要部を樹脂材Ｆにてモールド
し、点線の斜線で示すタイバーを除去して構成されてい
る。
、リードＢの主要部が放熱板Ａ上に離隔して対向するよ
うにリード片ｂ１．ｂ８の放熱板Ａとの連結部ｂ１′、
ｂ８′を屈曲してリードフレームＣを形威し、このリー
ドフレームＣの放熱板Ａの中央部上面に半導体素子りを
半田部材を用いて固定すると共に、半導体素子りの電極
とリード片ｂ２〜ｂ７とを金属細線Ｅにて接続し、然る
後、リードフレームＣの主要部を樹脂材Ｆにてモールド
し、点線の斜線で示すタイバーを除去して構成されてい
る。
ところで、リードＢの端部には半導体素子りの電極より
延びる金属細線Ｅが例えば超音波ボンディング法によっ
て接続されているのであるが、リードＢは放熱板Ａに対
して上方に離隔して配設されている関係で、超音波ボン
ディング作業は例えば第４図に示すようにリードＢの端
部が押え板Ｇによって放熱板Ａの表面に押圧されるよう
にして行われている。
延びる金属細線Ｅが例えば超音波ボンディング法によっ
て接続されているのであるが、リードＢは放熱板Ａに対
して上方に離隔して配設されている関係で、超音波ボン
ディング作業は例えば第４図に示すようにリードＢの端
部が押え板Ｇによって放熱板Ａの表面に押圧されるよう
にして行われている。
しかし乍ら、放熱板Ａ、リードＢの表面には例えば銀メ
ッキされているので、押え板ＧによってリードＢの端部
を放熱板Ａに押し付けて超音波ポンチ゛イング作業を行
うと、放熱板ＡとリードＢのメッキ層が結合されてしま
い、押え板Ｇを除去してもリードＢが放熱板Ａ上の所定
位置に復帰せず、半導体装置としての機能が著しく損な
われる。
ッキされているので、押え板ＧによってリードＢの端部
を放熱板Ａに押し付けて超音波ポンチ゛イング作業を行
うと、放熱板ＡとリードＢのメッキ層が結合されてしま
い、押え板Ｇを除去してもリードＢが放熱板Ａ上の所定
位置に復帰せず、半導体装置としての機能が著しく損な
われる。
従って、従来においては目視にてリードＢの放熱板Ａへ
の結合をチェックし、結合されたものについてはピンセ
ットなどにてリードＢを放熱板Ａより剥離することが行
われているが、リードＢは弾性を有するために、剥離時
にリードＢが上下方向に振動したりすることによって金
属細線Ｅが断線されることがあり、半導体装置の製造歩
留が低下するのみならず、信頼性をも著しく損なわれる
という欠点がある。
の結合をチェックし、結合されたものについてはピンセ
ットなどにてリードＢを放熱板Ａより剥離することが行
われているが、リードＢは弾性を有するために、剥離時
にリードＢが上下方向に振動したりすることによって金
属細線Ｅが断線されることがあり、半導体装置の製造歩
留が低下するのみならず、信頼性をも著しく損なわれる
という欠点がある。
本案はこのような点に鑑み、簡単な構成にて金属細線の
リードへの接続時に生ずるリードの放熱板への結合を皆
無になしうる半導体装置を提供するもので、以下実施例
について説明する。
リードへの接続時に生ずるリードの放熱板への結合を皆
無になしうる半導体装置を提供するもので、以下実施例
について説明する。
第５図〜第７図において、１は熱伝導性良好でがつ肉厚
の厚い部分と薄い部分とを有する金属板がら打抜き加工
によって形成した放熱板２及び複数のリード片３１〜３
８よりなるリード３にて構成されたリードフレームであ
って、放熱板２は肉厚の厚い部分を、リード３は肉厚の
薄い部分をそれぞれ所定形状に打抜いて形成されている
。
の厚い部分と薄い部分とを有する金属板がら打抜き加工
によって形成した放熱板２及び複数のリード片３１〜３
８よりなるリード３にて構成されたリードフレームであ
って、放熱板２は肉厚の厚い部分を、リード３は肉厚の
薄い部分をそれぞれ所定形状に打抜いて形成されている
。
リード３におけるリード片３．．３Ｂは放熱板２に連結
部３、′、３８′を介して一体的に連結されており、そ
の連結部３□′、３８′はリード３の端部が放熱板２の
上面に離隔して対向するように例えばヘアピン状に屈曲
されている。
部３、′、３８′を介して一体的に連結されており、そ
の連結部３□′、３８′はリード３の端部が放熱板２の
上面に離隔して対向するように例えばヘアピン状に屈曲
されている。
４は放熱板２の表面に金、銀、錫のようにやわらかい金
属にて形成されたメッキ層で、図示例は銀が用いられて
いる。
属にて形成されたメッキ層で、図示例は銀が用いられて
いる。
５はリード３の表面に金、銀、錫のようにやわらかい金
属にて形成されたメッキ層で、図示例は銀が用いられて
いる。
属にて形成されたメッキ層で、図示例は銀が用いられて
いる。
そして、リード３におけるリード片３２〜３□の端部に
おいて、放熱板２と対向する表面には上記メッキ層５の
欠除部５ａが設けられている。
おいて、放熱板２と対向する表面には上記メッキ層５の
欠除部５ａが設けられている。
６は放熱板２の中央部上面に半田部材を用いて固定され
た半導体素子で、その周辺部分にはリード片３２〜３゜
の端部が位置している。
た半導体素子で、その周辺部分にはリード片３２〜３゜
の端部が位置している。
７は半導体素子６の電極とリード片３□〜３□の端部と
に接続された金属細線で、例えば超音波ポンチ゛イング
法によって接続される。
に接続された金属細線で、例えば超音波ポンチ゛イング
法によって接続される。
８はリードフレーム１の主要部に被着された樹脂材で、
例えばモールド法によって外装されている。
例えばモールド法によって外装されている。
このようにリード３におけるリード片３□〜３７の端部
の放熱板２に対向する表面にはメッキ層５の欠除部５ａ
が設けられているので、例えば第８図に示すようにリー
ド片３４の端部を押え板Ｇにて放熱板２に押し付けて超
音波ボンディング作業を行っても、リード片３４が放熱
板２のメッキ層４に接続されることはない。
の放熱板２に対向する表面にはメッキ層５の欠除部５ａ
が設けられているので、例えば第８図に示すようにリー
ド片３４の端部を押え板Ｇにて放熱板２に押し付けて超
音波ボンディング作業を行っても、リード片３４が放熱
板２のメッキ層４に接続されることはない。
これがために、リード片を放熱板２よりピンセットにて
剥離する操作を皆無にできる上、剥離操作時に生ずる金
属細線の断線を皆無にでき製造歩留、信頼性を著しく改
善できる。
剥離する操作を皆無にできる上、剥離操作時に生ずる金
属細線の断線を皆無にでき製造歩留、信頼性を著しく改
善できる。
第９図は本案の他の実施例を示すもので、放熱板２の上
面におけるメッキ層４には欠除部４ａが形成されており
、主としてリード片３゜〜３７の端部に対向する部分に
形成されている。
面におけるメッキ層４には欠除部４ａが形成されており
、主としてリード片３゜〜３７の端部に対向する部分に
形成されている。
そしてリード片３□〜３゜の端部にはメッキ層５の欠除
部は全く形成されていない。
部は全く形成されていない。
この実施例によれば、上述の実施例と同様にリード片３
□〜３７の端部を放熱板２の表面に押し付けて超音波ボ
ンディング作業を行っても、リード片と放熱板の当接部
分の一方にメッキ層が欠除している関係で、リード片が
放熱板２に接続されることはない。
□〜３７の端部を放熱板２の表面に押し付けて超音波ボ
ンディング作業を行っても、リード片と放熱板の当接部
分の一方にメッキ層が欠除している関係で、リード片が
放熱板２に接続されることはない。
特に両者の対向部分のいずれにも欠除部を設ければ、ボ
ンディング条件が極端にずれた場合でも接続を皆無にで
きる。
ンディング条件が極端にずれた場合でも接続を皆無にで
きる。
尚、本案は何ら上記実施例にのみ制約されることなく、
例えばメッキ層の金属は適宜の組合せにすることもでき
るし、放熱板、リードの形状も任意に設定でき、この場
合、放熱板とリードとを同一金属板より打抜き加工した
一体形状に構成する他、それぞれを別々に加工しかしめ
、溶接などによって一体化する形状に構成することもで
きる。
例えばメッキ層の金属は適宜の組合せにすることもでき
るし、放熱板、リードの形状も任意に設定でき、この場
合、放熱板とリードとを同一金属板より打抜き加工した
一体形状に構成する他、それぞれを別々に加工しかしめ
、溶接などによって一体化する形状に構成することもで
きる。
以上のように本案によれば、リードの端部と放熱板の対
向するいずれかの表面にメッキ層の欠除部が形成されて
いるため、金属細線のリードへの接続時に生ずるリード
の放熱板への結合を皆無にでき、製造歩留、信頼性を著
しく改善できる。
向するいずれかの表面にメッキ層の欠除部が形成されて
いるため、金属細線のリードへの接続時に生ずるリード
の放熱板への結合を皆無にでき、製造歩留、信頼性を著
しく改善できる。
第１図な従来例の要部破断平面図、第２図は第１図のＩ
−Ｉ断面図、第３図は第１図のＩＩ −ＩＩ断面図、第
４図は金属細線のリードへの接続方法を説明するための
側断面図、第５図は本案の一実施例を示す要部破断平面
図、第６図は第５図のＩＩＩＩＩＩ断面図、第７図は第
５図のＩＶ−ＩＶ断面図、第８図は金属細線のリードへ
の接続方法を説明するための側断面図、第９図は本案の
他の実施例を示す側断面図である。 図中、２は放熱板、３はリード、３□〜３８はリード片
、４，５はメッキ層、４ ａ 、５ ａは欠除部、６は
半導体素子、７は金属細線である。
−Ｉ断面図、第３図は第１図のＩＩ −ＩＩ断面図、第
４図は金属細線のリードへの接続方法を説明するための
側断面図、第５図は本案の一実施例を示す要部破断平面
図、第６図は第５図のＩＩＩＩＩＩ断面図、第７図は第
５図のＩＶ−ＩＶ断面図、第８図は金属細線のリードへ
の接続方法を説明するための側断面図、第９図は本案の
他の実施例を示す側断面図である。 図中、２は放熱板、３はリード、３□〜３８はリード片
、４，５はメッキ層、４ ａ 、５ ａは欠除部、６は
半導体素子、７は金属細線である。
Claims (1)
- 表面に金、銀、錫のようにやわらかい金属のメッキ層が
形威された放熱板と、放熱板に固定された半導体素子と
、表面に金、銀、錫のようにやわらかい金属のメッキ層
が形威され、かつ端部が放熱板上に離隔位置するように
配設されたリードと、半導体素子の電極とリードの端部
との間に接続された金属細線とを具備し上記リードの端
部と放熱板との対向するいずれかの表面にメッキ層の欠
除部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978008059U JPS5843233Y2 (ja) | 1978-01-25 | 1978-01-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978008059U JPS5843233Y2 (ja) | 1978-01-25 | 1978-01-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54111466U JPS54111466U (ja) | 1979-08-06 |
| JPS5843233Y2 true JPS5843233Y2 (ja) | 1983-09-30 |
Family
ID=28816555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978008059U Expired JPS5843233Y2 (ja) | 1978-01-25 | 1978-01-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843233Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-01-25 JP JP1978008059U patent/JPS5843233Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54111466U (ja) | 1979-08-06 |
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