JPS634632A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS634632A JPS634632A JP61146876A JP14687686A JPS634632A JP S634632 A JPS634632 A JP S634632A JP 61146876 A JP61146876 A JP 61146876A JP 14687686 A JP14687686 A JP 14687686A JP S634632 A JPS634632 A JP S634632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- semiconductor device
- tape
- semiconductor
- marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係り、特に、半導体チップをテ
ープ・オートメーテッド・ボンディング方式で搭載する
半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
ープ・オートメーテッド・ボンディング方式で搭載する
半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
半導体チップをテープ・オートメーテッド・ボンディン
グ方式で搭載する半導体装置は１例えば。
グ方式で搭載する半導体装置は１例えば。
長尺のスプロケットホール付のポリイミド等から成るテ
ープ本体に銅（Ｃｕ）フィンガを蒸着して。
ープ本体に銅（Ｃｕ）フィンガを蒸着して。
この銅（Ｃｕ）フィンガに錫（Ｓｎ）等のメツキを施し
、これに金（Ａｕ）バンプをもった半導体チップを連続
的にＡ ｕ −Ｓ ｎ共晶ボンディングし。
、これに金（Ａｕ）バンプをもった半導体チップを連続
的にＡ ｕ −Ｓ ｎ共晶ボンディングし。
前記半導体チップにレジン等でボッティングを行うこと
によって構成されている。
によって構成されている。
なお、かかる技術については、（株）オーム社。
昭和５６年６月３０日発行、「半導体ハンドブック（第
２版）Ｊ Ｐ３３０〜３３１に記載されている。
２版）Ｊ Ｐ３３０〜３３１に記載されている。
しかし、前記の半導体チップをテープ・オートメーテッ
ド・ボンディング方式で搭載する半導体装置の前記半導
体チップの商品番号、搭載方向等を前記レジンにインク
等でマーキングした場合。
ド・ボンディング方式で搭載する半導体装置の前記半導
体チップの商品番号、搭載方向等を前記レジンにインク
等でマーキングした場合。
前記レジンが５０μＭ程度であるためにマーキング時の
押圧力により半導体チップの素子が破壊されたり、前記
インクがレジン中に染み込んでしまい半導体チップの電
気的特性が劣化するという問題があった。そこで、第３
図に示すように、テープ・オートメーテッド・ボンディ
ング用のテープ本体１の半導体チップ２及びインナーリ
ード３が載置されない部分に半導体チップの商品番号、
搭載方向等のマーク４を施したものが提案された。
押圧力により半導体チップの素子が破壊されたり、前記
インクがレジン中に染み込んでしまい半導体チップの電
気的特性が劣化するという問題があった。そこで、第３
図に示すように、テープ・オートメーテッド・ボンディ
ング用のテープ本体１の半導体チップ２及びインナーリ
ード３が載置されない部分に半導体チップの商品番号、
搭載方向等のマーク４を施したものが提案された。
なお、第３図において、５はスプロケットホールである
。
。
しかしながら、かかる技術を検討した結果、前記半導体
装置では、第３図に示す破線の部分からインナーリード
３及びテープ本体ｌをカットしてしまうため、前記半導
体チップ２の商品番号。
装置では、第３図に示す破線の部分からインナーリード
３及びテープ本体ｌをカットしてしまうため、前記半導
体チップ２の商品番号。
搭載方向等のマーク４が除去されてしまう、このために
、顧客に出荷する時には、前記マーク４が無意味になっ
てしまうので、半導体装置の管理等の作業能率が悪いと
いう問題点を見い出した。
、顧客に出荷する時には、前記マーク４が無意味になっ
てしまうので、半導体装置の管理等の作業能率が悪いと
いう問題点を見い出した。
本発明の目的は、半導体チップをテープ・オートメーテ
ッド・ボンディング方式で搭載した半導体装置において
、その管理等の作業能率を向上することができる技術を
提供することにある。
ッド・ボンディング方式で搭載した半導体装置において
、その管理等の作業能率を向上することができる技術を
提供することにある。
本発明の他の目的は、半導体チップをテープ・オートメ
ーテッド・ボンディング方式で搭載した半導体装置にお
いて、その電気的信頼性を向上することができる技術を
提供することにある。
ーテッド・ボンディング方式で搭載した半導体装置にお
いて、その電気的信頼性を向上することができる技術を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は１本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を説明すれば、下記のとおりである。
要を説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体チップをテープ・オートメーテッド・
ボンディング方式で搭載した半導体装置において、前記
半導体チップが搭載されるテープ・オートメーテッド・
ボンディング用のテープ本体の裏面の余白部の所定位置
に半導体チップの商品番号、搭載方向等を示すマークを
設けたものである。
ボンディング方式で搭載した半導体装置において、前記
半導体チップが搭載されるテープ・オートメーテッド・
ボンディング用のテープ本体の裏面の余白部の所定位置
に半導体チップの商品番号、搭載方向等を示すマークを
設けたものである。
前記した手段によれば、半導体チッ・プが搭載されるテ
ープ・オートメーテッド・ボンディング用のテープ本体
の裏面の余白部の所定位置に半導体チップの商品番号、
搭載方向等を示すマークを設けたことにより、半導体装
置完成時（出荷時）においても前記マークは除去される
ことなく残るので、管理等の作業能率を向上することが
でき、かつ、ｆｆｉ気的信頼性を向上することができる
。
ープ・オートメーテッド・ボンディング用のテープ本体
の裏面の余白部の所定位置に半導体チップの商品番号、
搭載方向等を示すマークを設けたことにより、半導体装
置完成時（出荷時）においても前記マークは除去される
ことなく残るので、管理等の作業能率を向上することが
でき、かつ、ｆｆｉ気的信頼性を向上することができる
。
以下、本発明を一実施例とともに説明する。
なお、全図において、同一の機能を有するものは同一の
符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
第１図及び第２図は、本発明の一実施例の半導体チップ
をテープ・オートメーテッド・ボンディング方式で搭載
した半導体装置を説明するための図であり、 第１図は、その半導体装置の裏面から見た平面図、 第２図は一第１図のｎ−ｎ切断線で切った拡大断面図で
ある。
をテープ・オートメーテッド・ボンディング方式で搭載
した半導体装置を説明するための図であり、 第１図は、その半導体装置の裏面から見た平面図、 第２図は一第１図のｎ−ｎ切断線で切った拡大断面図で
ある。
本実施例の半導体チップをテープ・オートメーテッド・
ボンディング方式で搭載した超薄型の半導体装置は、第
１図及び第２図に示すように、ポリイミド樹脂又はガラ
スエポキシ樹脂等から成るテープ・オートメーテッド・
ボンディング用テープ本体１０に銅（Ｃｕ）等から成る
配線を蒸着して、この配線に錫（Ｓ ｎ）等のメツキを
施し、インナーリード１１を形成する。このインナーリ
ード１１に半導体チップ１３の主面１３Ａを金（ＡＵ）
バンプ１２により、ＡｕＳｎ共晶ボンディングを行って
両者を電気的に接触した後、前記半導体チップ１３にレ
ジン等の封止材１４でポツティングを行って形成される
。そして１、第１図に示す破線の部分からインナーリー
ドｔｉ及びテープ・オートメーテッド・ボンディング用
テープ本体１０をカットして前記超薄型の半導体装置が
完成される。
ボンディング方式で搭載した超薄型の半導体装置は、第
１図及び第２図に示すように、ポリイミド樹脂又はガラ
スエポキシ樹脂等から成るテープ・オートメーテッド・
ボンディング用テープ本体１０に銅（Ｃｕ）等から成る
配線を蒸着して、この配線に錫（Ｓ ｎ）等のメツキを
施し、インナーリード１１を形成する。このインナーリ
ード１１に半導体チップ１３の主面１３Ａを金（ＡＵ）
バンプ１２により、ＡｕＳｎ共晶ボンディングを行って
両者を電気的に接触した後、前記半導体チップ１３にレ
ジン等の封止材１４でポツティングを行って形成される
。そして１、第１図に示す破線の部分からインナーリー
ドｔｉ及びテープ・オートメーテッド・ボンディング用
テープ本体１０をカットして前記超薄型の半導体装置が
完成される。
前記テープ・オートメーテッド・ボンディング用のテー
プ本体ｌＯの裏面には、第１図に示すように、四辺形状
の穴１０Ａが設けられ、前記インナーリード１１を露出
させる台形状の穴１０Ｂが設けられる。これにより、余
白部１５及び支持部１６が形成される。
プ本体ｌＯの裏面には、第１図に示すように、四辺形状
の穴１０Ａが設けられ、前記インナーリード１１を露出
させる台形状の穴１０Ｂが設けられる。これにより、余
白部１５及び支持部１６が形成される。
前記穴１０Ａは、第２図に示すように、前記インナーリ
ード１１と半導体チップ１３の主面１３Ａ上に設けられ
た金（Ａｕ）バンブ１２とを電気的に接続するためのも
のである。
ード１１と半導体チップ１３の主面１３Ａ上に設けられ
た金（Ａｕ）バンブ１２とを電気的に接続するためのも
のである。
前記余白部１５には、半導体チップ１３の商品番号、搭
載方向等を示すマーク１７が設けられる。
載方向等を示すマーク１７が設けられる。
このマーク１７は、例えば、数字等を用いる。
なお、第１図中、１８は、スプロケットホールである。
このように、半導体チップ１３が搭載されるテープ・オ
ートメーテッド・ボンディング用テープ本体１０真面の
余白部の所定位置に半導体チップ１３の商品番号、搭載
方向等を示すマーク１７を設けたことにより、前記マー
ク１７は、半導体装置の完成時においても半導体装置の
テープ・オートメーテッド・ボンディング用テープ本体
１０の裏面の余白部１５に残っているので半導体装置の
管理等の作業能率を向上することができる。
ートメーテッド・ボンディング用テープ本体１０真面の
余白部の所定位置に半導体チップ１３の商品番号、搭載
方向等を示すマーク１７を設けたことにより、前記マー
ク１７は、半導体装置の完成時においても半導体装置の
テープ・オートメーテッド・ボンディング用テープ本体
１０の裏面の余白部１５に残っているので半導体装置の
管理等の作業能率を向上することができる。
また、レジン等の封止材１４にインク等でマーキングす
る必要がないのでマーキング時の押圧力により半導体チ
ップ１３の素子が破壊されたり。
る必要がないのでマーキング時の押圧力により半導体チ
ップ１３の素子が破壊されたり。
前記インクが封止材１４中に染み込んでしまい半導体チ
ップ１３の電気的特性が劣化することがないので、半導
体装置の電気的信頼性を向上することができる。
ップ１３の電気的特性が劣化することがないので、半導
体装置の電気的信頼性を向上することができる。
以上１本発明を実施例にもとすき具体的に説明したが１
本発明は、前記実施例に限定されるも′のではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲において種々変形可能であるこ
とはいうまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるも′のではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲において種々変形可能であるこ
とはいうまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
（１）半導体チップをテープ・オートメーテッド・ボン
ディング方式で搭載した半導体装置のにおいて、前記半
導体チップが搭載されるテープ・オートメーテッド・ボ
ンディング用のテープ本体裏面の余白部の所定位置に半
導体チップの商品番号。
ディング方式で搭載した半導体装置のにおいて、前記半
導体チップが搭載されるテープ・オートメーテッド・ボ
ンディング用のテープ本体裏面の余白部の所定位置に半
導体チップの商品番号。
搭載方向等を示すマークを設けたことにより、前記マー
クは、半導体装置の完成時においても、半導体装置のテ
ープ本体の裏面の余白部に残っているので、半導体装置
の管理等の作業能率を向上することができる。
クは、半導体装置の完成時においても、半導体装置のテ
ープ本体の裏面の余白部に残っているので、半導体装置
の管理等の作業能率を向上することができる。
（２）前記（１）により、レジン等の封止材上にインク
等でマーキングする必要がないので、マーキング時の押
圧力により半導体チップの素子が破壊されたり、前記イ
ンクが封止材中に染み込んでしまい半導体チップの電気
的特性が劣化することがないので、半導体装置の電気的
信頼性を向上することができる。
等でマーキングする必要がないので、マーキング時の押
圧力により半導体チップの素子が破壊されたり、前記イ
ンクが封止材中に染み込んでしまい半導体チップの電気
的特性が劣化することがないので、半導体装置の電気的
信頼性を向上することができる。
第１図は１本発明の半導体装置を裏面から見た平面図１
、第２図は、第１図の■−■切断線で切った拡大断面図
、 第３図は、従来の問題点を示す図である。 図中、１０・・・テープ・オートメーテッド・ボンディ
ング用テープ本体、１０Ａ・・・四辺形状の穴、１０Ｂ
・・・台形状の穴、１１・・・インナーリード、１２・
・・金（Ａｕ）バンプ、１３・・・半導体チップ、１３
Ａ・・・主面、１４・・・封止材、１５・・・余白部、
１６・・・支持部、１７・・・マークである。 ＼、 代理人 弁理士 小川勝男 、、″ 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
、 第３図は、従来の問題点を示す図である。 図中、１０・・・テープ・オートメーテッド・ボンディ
ング用テープ本体、１０Ａ・・・四辺形状の穴、１０Ｂ
・・・台形状の穴、１１・・・インナーリード、１２・
・・金（Ａｕ）バンプ、１３・・・半導体チップ、１３
Ａ・・・主面、１４・・・封止材、１５・・・余白部、
１６・・・支持部、１７・・・マークである。 ＼、 代理人 弁理士 小川勝男 、、″ 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップをテープ・オートメーテッド・ボンデ
ィング方式で搭載した半導体装置において、前記半導体
チップが搭載されるテープ・オートメーテッド・ボンデ
ィング用テープ本体の裏面の余白部の所定位置に半導体
チップの商品番号、搭載方向等を示すマークを設けたこ
とを特徴とする半導体装置。 ２、前記マークは、数字であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の半導体装置。 ３、前記半導体装置は、超薄型の半導体装置であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の
半導体装置。 ４、前記テープ・オートメーテッド・ボンディング用テ
ープ本体は、ポリイミド樹脂又はガラスエポキシ樹脂か
ら成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３
項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146876A JPS634632A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146876A JPS634632A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634632A true JPS634632A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15417564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61146876A Pending JPS634632A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634632A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142770A (ja) * | 1983-03-29 | 1987-06-26 | ジ−ナス インコ−ポレイテツド | タングステンシリサイドフィルムをデポジションする方法 |
| JPH01259173A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 化学的気相成長方法 |
| JPH02185974A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Tokyo Electron Ltd | 金属シリサイド膜の減圧ｃｖｄ装置 |
| JP2004297102A (ja) * | 2004-07-26 | 2004-10-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61146876A patent/JPS634632A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62142770A (ja) * | 1983-03-29 | 1987-06-26 | ジ−ナス インコ−ポレイテツド | タングステンシリサイドフィルムをデポジションする方法 |
| JPH01259173A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Tokyo Electron Ltd | 化学的気相成長方法 |
| JPH02185974A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Tokyo Electron Ltd | 金属シリサイド膜の減圧ｃｖｄ装置 |
| JP2004297102A (ja) * | 2004-07-26 | 2004-10-21 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法 |
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