JPS5843357A - 太陽熱吸収体の製法 - Google Patents
太陽熱吸収体の製法Info
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- JPS5843357A JPS5843357A JP56141498A JP14149881A JPS5843357A JP S5843357 A JPS5843357 A JP S5843357A JP 56141498 A JP56141498 A JP 56141498A JP 14149881 A JP14149881 A JP 14149881A JP S5843357 A JPS5843357 A JP S5843357A
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ζO1m@は、太1Illl&温水器などに層iられる
太陽gma収体O劇法に関するものである。
太陽gma収体O劇法に関するものである。
太陽エネルギーO徴収体としては、可視光域および近赤
外領域の電1lkfIILK対する徴収率が高く。
外領域の電1lkfIILK対する徴収率が高く。
しかも赤外領域でO放射率の低lA40が要求される。
。
IIl来、太−エネルギーを良好に徴収し、かつ赤外領
域でO塾款射が少1kvh被膜−(一般に選択徴収属と
呼ばれりtlillK形威してなる太陽熱徴収体が種々
考え出されて訃)、このような遥択ll収膜としては酸
化纂l銅(Cusp) 被膜中酸化82銅(Cub)被
膜などの酸化銅被膜が広く知られてiJa、。
域でO塾款射が少1kvh被膜−(一般に選択徴収属と
呼ばれりtlillK形威してなる太陽熱徴収体が種々
考え出されて訃)、このような遥択ll収膜としては酸
化纂l銅(Cusp) 被膜中酸化82銅(Cub)被
膜などの酸化銅被膜が広く知られてiJa、。
しかしながら、上記酸化銅からなる選択徴収膜を基材表
面に形成し九従来の太lI−徴収体は、一般に耐熱性が
愚いため、九とえeft用中、熱媒体を導通させない試
駆で太陽光に@されるなどの丸め、ときによ如200℃
もの4温に達するCとがあシ、劣化が起きる。そ〇九め
、近赤外域(#L長(L7〜λ5電クロン)での徴収率
が低下するはか、下地の銅成分が酸化されて選択徴収膜
の膜厚が次籐に増加す□る丸め、#外領域における熱放
射が増大するというような関越を生ずる仁とが多かった
。
面に形成し九従来の太lI−徴収体は、一般に耐熱性が
愚いため、九とえeft用中、熱媒体を導通させない試
駆で太陽光に@されるなどの丸め、ときによ如200℃
もの4温に達するCとがあシ、劣化が起きる。そ〇九め
、近赤外域(#L長(L7〜λ5電クロン)での徴収率
が低下するはか、下地の銅成分が酸化されて選択徴収膜
の膜厚が次籐に増加す□る丸め、#外領域における熱放
射が増大するというような関越を生ずる仁とが多かった
。
発明者らは、このような関亀のうち、m犀増加の問題を
解熱する丸め、イね学的および熱的に9fc定な金属基
材のtI&−に#!1ま九11.は銅合金からなる薄膜
層を形成し、この薄膜層;)=化蟲鳳することによりて
選択徴収膜化を行な と會考え出し丸、鋼まえは銅合
金0ria層の銅成分をすべて酸化させておけば、下地
が安定である丸めも社中膜厚が増加することがなく、赤
外領域における11k射も増大することがahからであ
る。発明者らは、安定な金属基材として全体もしくは表
面のみがニッケルからなる基材を用−ゐこととし、さら
に性能のjL%/%太陽熱徴収体を得る丸め研究を重ね
丸。その過−で、ニッケル表面の微細構造が太陽熱の吸
収率を大急くすることを見出し、そのような黴−構造を
効果的にりくに得る方法を探索した結果、つ%/%に仁
の尭@に到達し九・ ζO発明は1以上Oような事情に−みなされ九もO″e
、太lI鶏の吸収率が高く、か?耐熱性にすぐれ丸太S
静徴収体を効果的にり〈)得る製法を提供するものeT
oる。これにりいて以下Ksi明する。
解熱する丸め、イね学的および熱的に9fc定な金属基
材のtI&−に#!1ま九11.は銅合金からなる薄膜
層を形成し、この薄膜層;)=化蟲鳳することによりて
選択徴収膜化を行な と會考え出し丸、鋼まえは銅合
金0ria層の銅成分をすべて酸化させておけば、下地
が安定である丸めも社中膜厚が増加することがなく、赤
外領域における11k射も増大することがahからであ
る。発明者らは、安定な金属基材として全体もしくは表
面のみがニッケルからなる基材を用−ゐこととし、さら
に性能のjL%/%太陽熱徴収体を得る丸め研究を重ね
丸。その過−で、ニッケル表面の微細構造が太陽熱の吸
収率を大急くすることを見出し、そのような黴−構造を
効果的にりくに得る方法を探索した結果、つ%/%に仁
の尭@に到達し九・ ζO発明は1以上Oような事情に−みなされ九もO″e
、太lI鶏の吸収率が高く、か?耐熱性にすぐれ丸太S
静徴収体を効果的にり〈)得る製法を提供するものeT
oる。これにりいて以下Ksi明する。
ζO発@にかかる太−熱歇収体の製法は、少なくとも表
面が工(”tケルででき九基材のsunに、銅イオンを
會む二ニー減を接触させて、上記基材のsuiを工νテ
すると共にζ0111iK鋼を析出望上1 させ、そ00ち、基#1llIio銅11dPIIKt
4し鹸化感温を行1に%A、駿化Kg銅の選択徴収膜と
することを4I徽とする。
面が工(”tケルででき九基材のsunに、銅イオンを
會む二ニー減を接触させて、上記基材のsuiを工νテ
すると共にζ0111iK鋼を析出望上1 させ、そ00ち、基#1llIio銅11dPIIKt
4し鹸化感温を行1に%A、駿化Kg銅の選択徴収膜と
することを4I徽とする。
この農法にお−て紘、金属基材として、全体がニッケル
または表面にニッケル薄−を持つ基材。
または表面にニッケル薄−を持つ基材。
すなわち少なくとも表面がニッケルでできた基材を用い
る。ニッケル薄膜を持つ基材の芯材はどのようなもので
もよいが、金属等の#@導度Ogtnものが好まし−。
る。ニッケル薄膜を持つ基材の芯材はどのようなもので
もよいが、金属等の#@導度Ogtnものが好まし−。
ニッケル薄膜は、メッキ法、′真空蒸着法、スパッタリ
ング法などの方法を用いて形成される。
ング法などの方法を用いて形成される。
上記ニッケル基材にニッケル薄膜を持つ基材も含む)K
銅の無電解メーツキを行tkv%、さらに(1,成逃履
液による酸化4611を施して基材表−の銅メッキ層を
酸化籐2銅からなる選択徴収膜とする。このように、こ
15@@紘1選択徴収膜となる鍋−しくは銅合金の薄膜
層を銅の無電解メッキによりてつくるところに轡徴があ
る。
銅の無電解メーツキを行tkv%、さらに(1,成逃履
液による酸化4611を施して基材表−の銅メッキ層を
酸化籐2銅からなる選択徴収膜とする。このように、こ
15@@紘1選択徴収膜となる鍋−しくは銅合金の薄膜
層を銅の無電解メッキによりてつくるところに轡徴があ
る。
銅メydF工程では、ニッケル基材を銅イオンを含む酸
tlll[K浸漬するなどして、基材lI血に鍋イオン
を含む酸性S*を接触させるようにする。
tlll[K浸漬するなどして、基材lI血に鍋イオン
を含む酸性S*を接触させるようにする。
なお、その前に、ニッケル基材表INK前鵡通。
*と、ttz**@などの希酸でニッケkI11mを活
性化するなどしておいてもよいことは勿論である。
性化するなどしておいてもよいことは勿論である。
基材表面に銅を含む酸性Saが接触すると、NiとCu
のイオン化傾iの差に基づき、ニッケル表面が―け、
jJltl!l構造カテきる(粗面化)とともに、基材
表面に銅が析出して、銅を主成分とする薄膜層かで亀る
。
のイオン化傾iの差に基づき、ニッケル表面が―け、
jJltl!l構造カテきる(粗面化)とともに、基材
表面に銅が析出して、銅を主成分とする薄膜層かで亀る
。
ζこでJi1%/%る銅イオンを含む酸性ssiとして
は。
は。
硫酸鋼(i[) Cu5On −11駿銅(II) C
u(Now)s または塩化銅(1) CmCF O
うちの少なくとも1種の銅塩を含み、かつpHがL4)
以下のものを用−46が最も岐★し−。浸漬時間紘、酸
性siiの性質等に応じ、ニーケル*siが充分@m化
されるよう追歯に決める必豪がある。
u(Now)s または塩化銅(1) CmCF O
うちの少なくとも1種の銅塩を含み、かつpHがL4)
以下のものを用−46が最も岐★し−。浸漬時間紘、酸
性siiの性質等に応じ、ニーケル*siが充分@m化
されるよう追歯に決める必豪がある。
こめように、工tケル基材表面を@面化しておけば、l
Iられる太陽熱款収体の光学的特性4C1li変化を与
え、性能を向上させるのである。これtllll−を用
−て説明する。
Iられる太陽熱款収体の光学的特性4C1li変化を与
え、性能を向上させるのである。これtllll−を用
−て説明する。
m1mは、ニッケル基材(C)と、これに各@0J61
1を施してlI九試料(ム) 、 (B) 、 (D)
の光学的轡性1&られすダラフである。
。
1を施してlI九試料(ム) 、 (B) 、 (D)
の光学的轡性1&られすダラフである。
。
ニッケル基材(C)は次のようにしてつくられ九4ので
ある。芯材として冷延鋼板を崩い、これに厚み5きタロ
ン(l Q m%以下1′μ」と略す)のニッケルメツ
命を行なりた。用いえメジ中線の繊成をつぎに示す。
ある。芯材として冷延鋼板を崩い、これに厚み5きタロ
ン(l Q m%以下1′μ」と略す)のニッケルメツ
命を行なりた。用いえメジ中線の繊成をつぎに示す。
硫酸ニッケル 2401/1
塩化ニッケル 45 l1l
−113fnl/1
サッカリン G、5〜L!al/1ホルマリン
l 〜 fl cc/1試料(D)は、ニッケに
基材(C)の表向に、厚みQ、18#0績化IM2銅薄
g會形成し丸ものである。
l 〜 fl cc/1試料(D)は、ニッケに
基材(C)の表向に、厚みQ、18#0績化IM2銅薄
g會形成し丸ものである。
この試料(D)は次のようにしてつくられた。シアン化
鋼を主成分とするメシキat−崩V%、ニッケル基m
(C)に厚みo、 a pの銅メ、、、、ツキを行1に
り九。ここでは、ニッケに基材(C)Q、粗−化が行な
われな−・さらKji塩嵩鹸ナトリt、’ll (Na
C40g) 4・I。
鋼を主成分とするメシキat−崩V%、ニッケル基m
(C)に厚みo、 a pの銅メ、、、、ツキを行1に
り九。ここでは、ニッケに基材(C)Q、粗−化が行な
われな−・さらKji塩嵩鹸ナトリt、’ll (Na
C40g) 4・I。
水酸化ナトリウム(Na1011) 901 、水Zo
o・lからなる化成m層#L中に90℃で5分関授−し
、酸化地層を行なった。
o・lからなる化成m層#L中に90℃で5分関授−し
、酸化地層を行なった。
試料(2)もニッケル基材ao’a−に、犀李0.18
μの歳化菖2銅薄膜を形成したものであるが、この場合
、ニッケに基材(C) 03l−が楓−化され九◎すな
わち、ニッケル基材(C)會su装置(常温)に1分間
f!&渡してその表−を活性化し、つぎに501111
0編化銅を含む水−畝(pH1,Q以下、常温)にS
分間mall九。これによって、厚み0.2声の銅薄膜
を鯵属し、その後試料(D)と−じようにして酸化地層
を行&りた。
μの歳化菖2銅薄膜を形成したものであるが、この場合
、ニッケに基材(C) 03l−が楓−化され九◎すな
わち、ニッケル基材(C)會su装置(常温)に1分間
f!&渡してその表−を活性化し、つぎに501111
0編化銅を含む水−畝(pH1,Q以下、常温)にS
分間mall九。これによって、厚み0.2声の銅薄膜
を鯵属し、その後試料(D)と−じようにして酸化地層
を行&りた。
試料(A)はりぎOようにしてつくられ丸ものである。
すなわち、試料(B) t 5重量慢塩酸(當li)中
K1分間lll1シて、ニッケル基材(C)表面の酸化
g雪鋼を温情させ取)除−九、ここでは、爵出し*酸化
lI!銅が再び銅として基材表−に再析出し1kv%よ
うに注意し、hまp浸漬時間が長くなら&−ようにしえ
。□ 試料(A)はah Q:暮ケシ基材(C)と同様にニッ
ケ#員画を持つも06るが、ニッケル基材(C)に比べ
太陽光徴収域での徴収率が非常に高−0これは、二シケ
AI貴111が鍋メジ中O―に楓向化されたえめである
・ このような@−化ニッケル貴−を下地として持つ試料(
B)は、@固化され1に%/h−ツケル真−を下地とし
て持つ試料(D)に比べ太陽光徴収域が龜わめて高i、
このように、=ツケル基材lI―が@−化されて、黴細
な凹凸を持つようになると、太陽熱徴収体の徴、IIL
事が^(なるのである。
K1分間lll1シて、ニッケル基材(C)表面の酸化
g雪鋼を温情させ取)除−九、ここでは、爵出し*酸化
lI!銅が再び銅として基材表−に再析出し1kv%よ
うに注意し、hまp浸漬時間が長くなら&−ようにしえ
。□ 試料(A)はah Q:暮ケシ基材(C)と同様にニッ
ケ#員画を持つも06るが、ニッケル基材(C)に比べ
太陽光徴収域での徴収率が非常に高−0これは、二シケ
AI貴111が鍋メジ中O―に楓向化されたえめである
・ このような@−化ニッケル貴−を下地として持つ試料(
B)は、@固化され1に%/h−ツケル真−を下地とし
て持つ試料(D)に比べ太陽光徴収域が龜わめて高i、
このように、=ツケル基材lI―が@−化されて、黴細
な凹凸を持つようになると、太陽熱徴収体の徴、IIL
事が^(なるのである。
銅を主成分とする薄墓層の酸化mjlは、り「のような
化成島amで行なうのがよi、すなわち。
化成島amで行なうのがよi、すなわち。
この酸化all用化威化成液は、酸化剤とアルカリ添加
剤との謳合本III液、ま九はこの謳合水1m111E
K鋼イオンを添加し丸もので&i鐵化剤としては。
剤との謳合本III液、ま九はこの謳合水1m111E
K鋼イオンを添加し丸もので&i鐵化剤としては。
龜塩嵩酸す) Qラム(NiCIOm)−次臘塩嵩酸ナ
トリウム(NaC10) 、過41m11カリウム(K
茸SsO@)*過i1酸ナトリウム(NasS麿0畠)
、過値鐵アνセニウム((Nib)asses)などの
處塩識歳塩1次jli塩嵩鹸塩または過硫酸塩がJ@−
られ、アルカ9J添加剤としては水酸化ナトリウム(N
畠OH)、水酸化カリウム(KOll)などが用iられ
る。酸化剤としてNiC1Osを。
トリウム(NaC10) 、過41m11カリウム(K
茸SsO@)*過i1酸ナトリウム(NasS麿0畠)
、過値鐵アνセニウム((Nib)asses)などの
處塩識歳塩1次jli塩嵩鹸塩または過硫酸塩がJ@−
られ、アルカ9J添加剤としては水酸化ナトリウム(N
畠OH)、水酸化カリウム(KOll)などが用iられ
る。酸化剤としてNiC1Osを。
ま九アルカリ添加剤としてNa0B を用−るのが実
用的に最もすぐれている。化成I&理液中の酸化剤とア
ルカ啼添加剤O含有量は、水10001に対する添加量
をアルカリ添加剤xim酸化剤yIとすると、つぎ03
式を同時に満尼するような量とする。
用的に最もすぐれている。化成I&理液中の酸化剤とア
ルカ啼添加剤O含有量は、水10001に対する添加量
をアルカリ添加剤xim酸化剤yIとすると、つぎ03
式を同時に満尼するような量とする。
X≦12s
y≧ Is
y≦互まx’−’h
4
化成m、is腋中の銅イオン濃度はb OOppm 以
下とすheが効果的である。鯛イオンを必ずしも含ませ
る必畳はavhが、上記濃度纒−の銅イオン0存森によ
jl、cmOjl@徴収属の光学的特性が向上すること
が実験的に確かめられた。化成6m1液中への銅イオン
〇−1方法は1自で番りて、たとえば硫鹸鍋(CuSO
4) e ill鹸銅(Cm (Not )s )−W
h4/F、fil (CuC1s) tkど銅塩O*
爵液を微量添加するとiう7j1法によりてもよく、ま
え金属鋼を化成4611液中に5llIIIシ、この液
で4思することによりて鍋イオン會増JII″:5せる
と−ラ方t&によりてもよi。
下とすheが効果的である。鯛イオンを必ずしも含ませ
る必畳はavhが、上記濃度纒−の銅イオン0存森によ
jl、cmOjl@徴収属の光学的特性が向上すること
が実験的に確かめられた。化成6m1液中への銅イオン
〇−1方法は1自で番りて、たとえば硫鹸鍋(CuSO
4) e ill鹸銅(Cm (Not )s )−W
h4/F、fil (CuC1s) tkど銅塩O*
爵液を微量添加するとiう7j1法によりてもよく、ま
え金属鋼を化成4611液中に5llIIIシ、この液
で4思することによりて鍋イオン會増JII″:5せる
と−ラ方t&によりてもよi。
ζOような化成熟思筐をm−て酸化地層を施せば、前記
銅ま九は銅合金からなる薄膜層は、長径方向の長さくも
つとも長is分の長さ)がはぼU〜λO声の、おおよそ
繊維状な−し葉状を呈する鹸化籐2銅結晶からなる選択
徴収膜となる。繊維状な−し索状の結晶は、一つの繊維
状なiし翔状結晶から別の繊維状1kvhL葉状結晶が
成長することもある。したがって、その、ような場合に
は、長径方向長さは1個々の結晶でみる仁とになる。
銅ま九は銅合金からなる薄膜層は、長径方向の長さくも
つとも長is分の長さ)がはぼU〜λO声の、おおよそ
繊維状な−し葉状を呈する鹸化籐2銅結晶からなる選択
徴収膜となる。繊維状な−し索状の結晶は、一つの繊維
状なiし翔状結晶から別の繊維状1kvhL葉状結晶が
成長することもある。したがって、その、ような場合に
は、長径方向長さは1個々の結晶でみる仁とになる。
このような結晶の長径方向長さを持つ選択徴収膜は吸収
率が大暑い。その1由は次のとお)で番る。鐙化菖2銅
結晶からなる選択徴収膜では一般に、0.1fi以上の
波長のいわゆる近−外領域での徴収率が低下するが、こ
の低下の度合−は選−歇収膜の膜厚や黴小構aKよらて
大きく影響され。
率が大暑い。その1由は次のとお)で番る。鐙化菖2銅
結晶からなる選択徴収膜では一般に、0.1fi以上の
波長のいわゆる近−外領域での徴収率が低下するが、こ
の低下の度合−は選−歇収膜の膜厚や黴小構aKよらて
大きく影響され。
結晶の長径方向長さが0.6#以上のもOが電も低下が
少なi、これは、近赤外領域(波長Q、7〜L!#)の
光に対し、上記結晶、本、−さが0.3fi以下であれ
ばa!g学的に平らな面となるが−0,6pJ3を上で
あれば多重反射を起こして徴収率が向上するためであろ
うと考えられる。&お、実験の結果では。
少なi、これは、近赤外領域(波長Q、7〜L!#)の
光に対し、上記結晶、本、−さが0.3fi以下であれ
ばa!g学的に平らな面となるが−0,6pJ3を上で
あれば多重反射を起こして徴収率が向上するためであろ
うと考えられる。&お、実験の結果では。
上紀績晶長がO,S〜2.0IIcl)軸−にお−ては
、それ以上吸収率が向上することはなかつ九。選択徴収
膜中に銅(Cm )まえは酸化!I l @ (CuO
0)が残貿すると、I!用中に劣化するので、上記鹸化
I&鳩は充分に行なう必要がある。しかし、微量残留し
たとしても大きな影響はなめ。
、それ以上吸収率が向上することはなかつ九。選択徴収
膜中に銅(Cm )まえは酸化!I l @ (CuO
0)が残貿すると、I!用中に劣化するので、上記鹸化
I&鳩は充分に行なう必要がある。しかし、微量残留し
たとしても大きな影響はなめ。
CuO層にCu1Oが存在して−た場合について述べる
と、この場合には初期特性は非常に良Vs 、 Cu
s。
と、この場合には初期特性は非常に良Vs 、 Cu
s。
が存在すると、近赤外域での吸収率が^(なるからで参
る。しかし、熱(150〜200℃)を受けると、ζO
C鶴s□ItC観Oに変化して、このときには繊維状4
しくは索状で碌く粒状の結晶になり、劣化が歇しくなる
。その丸め、漱初から繊維状もしくは葉状のCuOt)
みからなる場合に比し、結局。
る。しかし、熱(150〜200℃)を受けると、ζO
C鶴s□ItC観Oに変化して、このときには繊維状4
しくは索状で碌く粒状の結晶になり、劣化が歇しくなる
。その丸め、漱初から繊維状もしくは葉状のCuOt)
みからなる場合に比し、結局。
近赤外域での徴収率が愚くなる。C一層中にCuが鴫り
てiると一、:近赤外域゛での徴収率の低Fが起寝るこ
とは勿論i・l111.、鎖厚増によ)放射率の増大4
起□\ 1為。 ′・ 違P徴収属の厚みは、0.03〜1.Ojとするのが好
ましi、仁の膜厚社1通常、電解11x:*などによっ
て糊定逼れるため、空−ないし凹凸のなi平らな層の厚
みに1IIj$してめられした−のである。
てiると一、:近赤外域゛での徴収率の低Fが起寝るこ
とは勿論i・l111.、鎖厚増によ)放射率の増大4
起□\ 1為。 ′・ 違P徴収属の厚みは、0.03〜1.Ojとするのが好
ましi、仁の膜厚社1通常、電解11x:*などによっ
て糊定逼れるため、空−ないし凹凸のなi平らな層の厚
みに1IIj$してめられした−のである。
選択徴収膜の厚手がu、osp禾−でめれば、太陽熱の
ll[皐が小さくなる。逆に1.0μよ少も厚くすると
放射率が大きくなり、黒色ペイントと同じようにな9.
総合的にみて吸収効率が低下する。
ll[皐が小さくなる。逆に1.0μよ少も厚くすると
放射率が大きくなり、黒色ペイントと同じようにな9.
総合的にみて吸収効率が低下する。
つぎに、仁の発明の実施例および比較例にりiて説明す
る。
る。
〔実施例および比llR4lI4〕
冷延鋼板表dIJに、 NiSO4・7Hg03004
1/j −NIC1s ・6Hs060111 、 H
sBOs 501/Ik含むワット浴を用vh、電流1
度3A/dm意、メツ命時間15分の条件でニッケルメ
ツ−v=t−施し、厚み5声のニッケルメツ中層t−形
成した。
1/j −NIC1s ・6Hs060111 、 H
sBOs 501/Ik含むワット浴を用vh、電流1
度3A/dm意、メツ命時間15分の条件でニッケルメ
ツ−v=t−施し、厚み5声のニッケルメツ中層t−形
成した。
つ【に、このニッケルメツj?され比重#を&wt慢−
HN0s(常温)IC1分関浸漬して活性化し、纂11
!の条件でそれぞれ、ニッケルメッキ層の表−に鋼メツ
中層を形成し丸、cow、’比&41Allではニッケ
に表−がm−化されて−ず、まえ比較−2でも@−化が
なされなかりた。その後、IIられ九銅メツ今基材を、
NaC1Ox 701− NaOHiJ 01− 水
100ONからなる液温95℃の化IItJ6jj1m
l[にlO分浸漬装して酸化り通を行なりり、l12表
に示すような、鹸゛化111E2銅・(CuO)からな
る選択徴収膜1に基材表−にそなえ九太陽熱吸収体を得
丸。各太・陽酪牧収体O光学的轡性は113表に示す通
シでありた。
HN0s(常温)IC1分関浸漬して活性化し、纂11
!の条件でそれぞれ、ニッケルメッキ層の表−に鋼メツ
中層を形成し丸、cow、’比&41Allではニッケ
に表−がm−化されて−ず、まえ比較−2でも@−化が
なされなかりた。その後、IIられ九銅メツ今基材を、
NaC1Ox 701− NaOHiJ 01− 水
100ONからなる液温95℃の化IItJ6jj1m
l[にlO分浸漬装して酸化り通を行なりり、l12表
に示すような、鹸゛化111E2銅・(CuO)からな
る選択徴収膜1に基材表−にそなえ九太陽熱吸収体を得
丸。各太・陽酪牧収体O光学的轡性は113表に示す通
シでありた。
(以 下 余 白)
縞 2 嶽
(注) 厚みの試験方法はii記
;
巽゛
1.1・。
′4
縞 3 表
(注)徴収率・放射率の試験方法は後記膜3@からもわ
かるように、実施例はめずれも。
かるように、実施例はめずれも。
比較例に比べ初期特性での徴収率が高−〇まえ。
耐熱性にすぐれてiる九め、高吸収率を保ち、その劣化
が見られない。
が見られない。
以上0@明から明らかなように、この発明Kかかる太S
塾徴収体の製法によれば、太陽熱の吸収効率が良好で、
耐熱性にすぐれ九太陽熱吸収体をうまく製造することが
できるのである。
塾徴収体の製法によれば、太陽熱の吸収効率が良好で、
耐熱性にすぐれ九太陽熱吸収体をうまく製造することが
できるのである。
菖2表、IIM3表の試験方法は次のとおりである。
(試験7j法)
銅メッキ厚: 中央勇作所製電解式膜厚欄定器を使用し
た。
た。
CuO膜厚: 定電流還元法を用vh九。
結晶長: Cu0jii威初期(CuO結晶がまだら
なと龜)に電子謄黴鏡写真によ〉長嫌 万肉の長さを調定し丸。CuO結晶は。
なと龜)に電子謄黴鏡写真によ〉長嫌 万肉の長さを調定し丸。CuO結晶は。
時間口温度に関係なく、化成逃場液
Oil威により定まるので、仁の方法
によってよ−。
ここでα;徴収1g(太陽全エネルギーに対する)
町;波長Aでの歇収率
1、;太陽光の波長人の放射強度
ここでC;放射率(黒体放射全エネルギーに対する)
szt=ti。; 1,50℃の黒体からの波長λの放
射強度 8 ;波長五の放射率(黒体に対する)なお、赤外分光
光度針で赤外域の反射率PAt −□L’” ’A=
l−I・、、、、え。
射強度 8 ;波長五の放射率(黒体に対する)なお、赤外分光
光度針で赤外域の反射率PAt −□L’” ’A=
l−I・、、、、え。
纂1wJは、ニッケル基材の表向状−が光学的畳性に及
ぼす影替を説明するためのグラフである。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人 弁理士 松 本 武 彦 ■ 、、・:パ)、。 、t)
ぼす影替を説明するためのグラフである。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人 弁理士 松 本 武 彦 ■ 、、・:パ)、。 、t)
Claims (2)
- (1)少なくともs画がニッケルでで11九基材の表面
に、鋼イオンを含む酸性II液を接触させて。 上記基材0@―を工tチンダすると−共にこの表面に銅
を析出させ、そoo6.基材*1g1o、銅メジ命層に
対し酸化熟思を行avh、酸化I/s1銅om轡徴収属
とすることを轡倣とする太陽熱徴収体o11mgm(2
)・銅イオνを會む酸性濃液が、硫酸銅u1)。 硝酸鋼重)および塩化鋼値)の中から遥ばれえ少なくと
も11140銅塩を會み、か′:)pHが1.・以下O
もO″l”&る轡許請求O@■菖ill記載O太陽熱徴
収体am法。 - (2)銅メシキ履に対する麿化蟲層が、化威蟲思筐とし
て、j1塩嵩酸塩9次IL#1嵩酸塩および過硫酸塩O
中から遥ばれた塩からなる酸化剤、水酸化ナトリウムお
よび水酸化力IJoムの中から遥ばれ大水酸化物からな
るアルカリ添加剤および0−50・ppsmO鋼イオン
を含み、かつ水10001に対するアルカl轡加削、O
添加量をxl 、酸化剤の添加量を71とすると、辷れ
らトyが下町の3式t−同時に満尼する聰■内に番る水
霞液を用iて行なわれる畳許−求OI!■第1.項ま九
は嬉−項記載O布*ma収体osg法。 !≦18s y≧ ls
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141498A JPS5843357A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 太陽熱吸収体の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141498A JPS5843357A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 太陽熱吸収体の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843357A true JPS5843357A (ja) | 1983-03-14 |
| JPS6140897B2 JPS6140897B2 (ja) | 1986-09-11 |
Family
ID=15293333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56141498A Granted JPS5843357A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 太陽熱吸収体の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843357A (ja) |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP56141498A patent/JPS5843357A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6140897B2 (ja) | 1986-09-11 |
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