JPS5843509A - 量産型薄膜生成装置 - Google Patents
量産型薄膜生成装置Info
- Publication number
- JPS5843509A JPS5843509A JP56141840A JP14184081A JPS5843509A JP S5843509 A JPS5843509 A JP S5843509A JP 56141840 A JP56141840 A JP 56141840A JP 14184081 A JP14184081 A JP 14184081A JP S5843509 A JPS5843509 A JP S5843509A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- reaction chamber
- susceptor
- substrate
- door
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばアモルファスシリコンン太陽電池の製
造におけるように反応室内に対向配置された電極間に電
圧を印加してグロー放電を発生せしめ、反応５１１内に
供給された反応ガスを公簿し【反ゐガス成分の少くとも
一つを電極に支持された。箒板上に薄膜として堆積させ
る１糧を流れ作業で行うことができる量重量薄膜生成装
置−に関する。
造におけるように反応室内に対向配置された電極間に電
圧を印加してグロー放電を発生せしめ、反応５１１内に
供給された反応ガスを公簿し【反ゐガス成分の少くとも
一つを電極に支持された。箒板上に薄膜として堆積させ
る１糧を流れ作業で行うことができる量重量薄膜生成装
置−に関する。
プラズマＣＶＤ法により多数の基板の上に薄膜を形成す
る製置としては、通常のＱＶＤ法と同様に大きな反応室
内で同・時に、多数の基板を処理するバッチ式−のもの
が考えられる。しかしこの方式では、多数の基板の出し
入わ操作が複雑であり、また基板を龜出すためにその都
度反応室の真空を破らねばならず、高い運転効率を得る
ことは困難である。
る製置としては、通常のＱＶＤ法と同様に大きな反応室
内で同・時に、多数の基板を処理するバッチ式−のもの
が考えられる。しかしこの方式では、多数の基板の出し
入わ操作が複雑であり、また基板を龜出すためにその都
度反応室の真空を破らねばならず、高い運転効率を得る
ことは困難である。
本発明は、とｔｌＫ対し【反応室の真空を保持したまま
流わ作業により基板上への薄膜の生成を行うことのでき
る量ｍ型薄膜生成装置を提供樗ることを目的とする。
流わ作業により基板上への薄膜の生成を行うことのでき
る量ｍ型薄膜生成装置を提供樗ることを目的とする。
この目的は反応憲の１偶に、七れぞわ開閉可能の気書扉
を介して隣接する画素および後室が設けられ、反応算、
曽電および後室の三重は七わぞハ独立して真空排気可能
であり、さらに二重にまたがりて可動のコンベヤと、三
重にまた２がつて敷設され反応室内に位置する部分が給
電導体をなす二本のレールとが設けられ、コンベヤ上に
支持さゎて等間隔の対をなす電極の七ゎぞれがレールの
上を摺動する接触子を介して給電導体のそれぞれと接続
されることによって達成される。
を介して隣接する画素および後室が設けられ、反応算、
曽電および後室の三重は七わぞハ独立して真空排気可能
であり、さらに二重にまたがりて可動のコンベヤと、三
重にまた２がつて敷設され反応室内に位置する部分が給
電導体をなす二本のレールとが設けられ、コンベヤ上に
支持さゎて等間隔の対をなす電極の七ゎぞれがレールの
上を摺動する接触子を介して給電導体のそれぞれと接続
されることによって達成される。
以下、図を引用して本発明の実施例について説明する。
図において、反応＊ｘｅｃｌｌ！Ｉして前室２および後
室３が設けられている。反応室１と前室２および後＊３
との境界には開閉可能の扉４および５が存在し、また前
室２と後１に３には正ＷＫ、Ｉｌ示しない開閉可能の扉
を有する。各層は気密に閉じられるものであり、各室ｌ
〜３は各層を閉じた際に−そわそわ独立に排気口６，７
．８より図示しない真空系によって真空排気□できる。
室３が設けられている。反応室１と前室２および後＊３
との境界には開閉可能の扉４および５が存在し、また前
室２と後１に３には正ＷＫ、Ｉｌ示しない開閉可能の扉
を有する。各層は気密に閉じられるものであり、各室ｌ
〜３は各層を閉じた際に−そわそわ独立に排気口６，７
．８より図示しない真空系によって真空排気□できる。
さらに各室１〜３の底面には各室ｋまたがりてベルトコ
ンベヤ９が存在し、天井には各−１シーまたがる二本の
レール１０．１１が敷設さｈている。シール１０，１１
は反応室内では給電導体１２．１３として導電体からな
り、前、室、後室内では絶縁体からなるが、それぞれ同
断面で連続するレールとして形成さｔＩ″Ｃいる。コン
ベア９の上に絶縁体１４をはさんで等間隔で働直に立て
ら４たサセプタ１５は、一つおきにレール１゜の上を摺
動する接触子１６を備えた接続導体１７、あるいはレー
ル１１の上を摺動する接触子１８を備えた接続導体１９
にそわぞわ接続さゎている。
ンベヤ９が存在し、天井には各−１シーまたがる二本の
レール１０．１１が敷設さｈている。シール１０，１１
は反応室内では給電導体１２．１３として導電体からな
り、前、室、後室内では絶縁体からなるが、それぞれ同
断面で連続するレールとして形成さｔＩ″Ｃいる。コン
ベア９の上に絶縁体１４をはさんで等間隔で働直に立て
ら４たサセプタ１５は、一つおきにレール１゜の上を摺
動する接触子１６を備えた接続導体１７、あるいはレー
ル１１の上を摺動する接触子１８を備えた接続導体１９
にそわぞわ接続さゎている。
この装置により−て薄膜生成を行うには、先ず前室２の
正面扉を開いてベルトコンベヤ９の上の所定の位置に絶
縁体１４をはさんで両画に基板前を堆付けたサセプタ１
５を垂直に立て１．！！続導体１７．１９の接触子１６
．１８をレール１０および１１に嵌める。次いで正面扉
を閉じて前１２゛内を排気ロアより真空排気し、サセプ
タ１５に内蔵したヒータに通電して基板前を所定の温度
まで加熱する。ヒータへの通電は・ンベヤ９人あるいは
別に設けた給電導体を介して行われる曇、次い！既ＫＸ
空になっている反：、：、：′。
正面扉を開いてベルトコンベヤ９の上の所定の位置に絶
縁体１４をはさんで両画に基板前を堆付けたサセプタ１
５を垂直に立て１．！！続導体１７．１９の接触子１６
．１８をレール１０および１１に嵌める。次いで正面扉
を閉じて前１２゛内を排気ロアより真空排気し、サセプ
タ１５に内蔵したヒータに通電して基板前を所定の温度
まで加熱する。ヒータへの通電は・ンベヤ９人あるいは
別に設けた給電導体を介して行われる曇、次い！既ＫＸ
空になっている反：、：、：′。
応皇１どの間の扉、１．４を開き、コンベヤ９を運転し
て前室２内にありたサセプタ１５を反応室内に移動させ
る。この際、各サセプタ１５ Ｋ ＠続さゎた接触子１
６あるいは１８はレール１０あるいは１１上を摺動して
反応室内の給電導体稔あるいは”１３ Ｋ達する。ここ
で反応室２内にガス導入口２１より所定の真空度に達す
るまで反応ガス、例えばシランガスを導入し。
て前室２内にありたサセプタ１５を反応室内に移動させ
る。この際、各サセプタ１５ Ｋ ＠続さゎた接触子１
６あるいは１８はレール１０あるいは１１上を摺動して
反応室内の給電導体稔あるいは”１３ Ｋ達する。ここ
で反応室２内にガス導入口２１より所定の真空度に達す
るまで反応ガス、例えばシランガスを導入し。
給電導体１２ 、 ”’１３によって＊＊−するサセプ
タ１５の間に無線周波数電圧を印加してグロー放電を発
生させて各基板前の上にアモルファスシリコンを堆積さ
せる。次いでｓ５を−き、コンベヤ９を運転してアモル
ファスシリコン薄膜で覆わわた基板を取付けたサセプタ
１５を反応室１から後室３まで移動させる。この除、接
触子１６および１８も給電導体１２゜１３の上から摺動
して後室３内部のレール１０．１１の絶□縁体部分に違
する◎この後扉５を閉じ、後室ａ内の真空を破ってから
正面扉を開いてサセプタ１５および処理済みの基板前を
堰り出１゜このような操作な繰返−ｔｌＩＩには、反応
室ＩＫおける膜生成工程の進行中に前室２におけるサセ
プタ１５および基板前の挿入、°後室３におけるサセプ
タ１５および基板前の販り出しを行えば、基板への薄膜
生成操作がタクト式流ね作業として連続的に行うことが
できる。
タ１５の間に無線周波数電圧を印加してグロー放電を発
生させて各基板前の上にアモルファスシリコンを堆積さ
せる。次いでｓ５を−き、コンベヤ９を運転してアモル
ファスシリコン薄膜で覆わわた基板を取付けたサセプタ
１５を反応室１から後室３まで移動させる。この除、接
触子１６および１８も給電導体１２゜１３の上から摺動
して後室３内部のレール１０．１１の絶□縁体部分に違
する◎この後扉５を閉じ、後室ａ内の真空を破ってから
正面扉を開いてサセプタ１５および処理済みの基板前を
堰り出１゜このような操作な繰返−ｔｌＩＩには、反応
室ＩＫおける膜生成工程の進行中に前室２におけるサセ
プタ１５および基板前の挿入、°後室３におけるサセプ
タ１５および基板前の販り出しを行えば、基板への薄膜
生成操作がタクト式流ね作業として連続的に行うことが
できる。
図の実施例ではサセプタ１５のすべての両画に基板前を
取り付け、できるだ、け多数の基板の同時も壇を行うよ
５Ｋしているが、一方のサセプタｂにのみ基板を取り付
け、隣接するサセプタはヒータを内蔵しない専用電極に
置き換えてもよい。この場合は給電導体１２．１３を介
して、、、専用電極側が正になる＋５な直流電圧、を印
加してグルー放電を発生させることもできる。
取り付け、できるだ、け多数の基板の同時も壇を行うよ
５Ｋしているが、一方のサセプタｂにのみ基板を取り付
け、隣接するサセプタはヒータを内蔵しない専用電極に
置き換えてもよい。この場合は給電導体１２．１３を介
して、、、専用電極側が正になる＋５な直流電圧、を印
加してグルー放電を発生させることもできる。
給電導体１２．１３間の間隔はサセプタ（電極）１５−
相互間の間隔に比較して十分大きく、例えば１．５倍以
上にとっておき、給電導体間に放電が生じないよ５に−
する必要がある◎ また、図の実施例では反応室を一つとしたが、こねは必
要に応じて増加させることができる。例えばｐｌｍの３
層アモルファスシリコンを生成する場合、反応室を３意
殻け、その間を開閉可能の扉で区切り、、各室における
反応ガス成分および放電條件の制御により、必要な膜厚
のｐｔｔ＊ｎ−３層を生成して、境界の扉を開いてフン
ベヤにより基板を移動させ、所望のｐ１ｍ構造を積層す
る。この場合、放−電の制御のためレールは反応嵩各富
の間でも絶縁し、各反応室の給電導体を独立にしておく
ことが必要である。
相互間の間隔に比較して十分大きく、例えば１．５倍以
上にとっておき、給電導体間に放電が生じないよ５に−
する必要がある◎ また、図の実施例では反応室を一つとしたが、こねは必
要に応じて増加させることができる。例えばｐｌｍの３
層アモルファスシリコンを生成する場合、反応室を３意
殻け、その間を開閉可能の扉で区切り、、各室における
反応ガス成分および放電條件の制御により、必要な膜厚
のｐｔｔ＊ｎ−３層を生成して、境界の扉を開いてフン
ベヤにより基板を移動させ、所望のｐ１ｍ構造を積層す
る。この場合、放−電の制御のためレールは反応嵩各富
の間でも絶縁し、各反応室の給電導体を独立にしておく
ことが必要である。
本発明による装置ではフンベヤが真空にすることができ
る各室の壁を貫通して動かされる。従ってその際に貫通
部分で真空漏わが生ずる虞があるが、コンベヤの運転は
反応進行中には行わわないので、真空漏わが直接生成膜
質に影響を及ぼすことがない。
る各室の壁を貫通して動かされる。従ってその際に貫通
部分で真空漏わが生ずる虞があるが、コンベヤの運転は
反応進行中には行わわないので、真空漏わが直接生成膜
質に影響を及ぼすことがない。
以上説明したよう罠１本発明は反応室の前後に設けら４
た室を利用してサセプタあるいは電極と基板の挿入、薄
膜生成反石工穆、サセプタあるいは電極とでき上り基板
の取出しを反応室の真空を破ることなく順次行い、その
間をコンベヤによって移動させることにより薄膜生成の
タクト式流４作業を可能にしたもので、特に・太陽電池
用のアモルファスシリ・ン膜の量産Ｋ ｉｌｌ’′七て
高い運転効率によって適用することができるので、得ら
れる効果は極め【大きい。
た室を利用してサセプタあるいは電極と基板の挿入、薄
膜生成反石工穆、サセプタあるいは電極とでき上り基板
の取出しを反応室の真空を破ることなく順次行い、その
間をコンベヤによって移動させることにより薄膜生成の
タクト式流４作業を可能にしたもので、特に・太陽電池
用のアモルファスシリ・ン膜の量産Ｋ ｉｌｌ’′七て
高い運転効率によって適用することができるので、得ら
れる効果は極め【大きい。
図は本発明による薄膜生成装置の一実施例の断力１であ
る。 １・・・反応室、２・・・前室、３・・・後室、４．５
・・・扉、６．７．８・・・排気口、９・・・ベルトコ
ンベヤ、１０．１１・・・レール、１２．１３・・・給
電導体、１５・・・サセプタ、１６゜１８・・・接触子
、加・・・基板、２１・・・ガス導入口。
る。 １・・・反応室、２・・・前室、３・・・後室、４．５
・・・扉、６．７．８・・・排気口、９・・・ベルトコ
ンベヤ、１０．１１・・・レール、１２．１３・・・給
電導体、１５・・・サセプタ、１６゜１８・・・接触子
、加・・・基板、２１・・・ガス導入口。
Claims (1)
- １）反応室内に対向配置された電極間に電圧を印加して
グロー放電を発生さ艙、′友―意Ｐ１−に供給された反
応ガスを分解して反応ガス成分め少くとも一つ誉電極に
支持された基板上に薄膜として堆積させるものにおいて
、反応室め両側に、それぞわ開閉可能の気書扉を介して
隣−する前＊軸Ｊび後室はそれぞれ独立して真空排気□
可能ｔあり、さらＫｉ記三三重またがって可働のコシベ
ヤと、主室にまたがって敷設され前記反応室内に位置す
る部分が給電導体をなす二本のレニルとが設けられ、前
″記コンベヤ上に支持されて等間隔の銹をなす電極のそ
れぞれが前記レールの上を摺動する接触子を介して前記
給電導体のｉＩ：＃ ｊｅｈと接続され麺ととを特徴と
する量ｉａｉｍ薄膜生成装−０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141840A JPS5843509A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 量産型薄膜生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56141840A JPS5843509A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 量産型薄膜生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5843509A true JPS5843509A (ja) | 1983-03-14 |
| JPS627686B2 JPS627686B2 (ja) | 1987-02-18 |
Family
ID=15301368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56141840A Granted JPS5843509A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 量産型薄膜生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5843509A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60240121A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Fujitsu Ltd | 横型炉 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02122459A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カセットホルダー装置 |
-
1981
- 1981-09-09 JP JP56141840A patent/JPS5843509A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60240121A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Fujitsu Ltd | 横型炉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS627686B2 (ja) | 1987-02-18 |
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