JPS5843541A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5843541A
JPS5843541A JP56141166A JP14116681A JPS5843541A JP S5843541 A JPS5843541 A JP S5843541A JP 56141166 A JP56141166 A JP 56141166A JP 14116681 A JP14116681 A JP 14116681A JP S5843541 A JPS5843541 A JP S5843541A
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JP
Japan
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resin
semiconductor
semiconductor device
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Pending
Application number
JP56141166A
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English (en)
Inventor
Fumio Harasawa
原澤　文男
Junji Tajima
田島　淳司
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5843541A publication Critical patent/JPS5843541A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 °　　本発明は半導体装置に係シ；特に半導体素子をパ
ッケージ材料から放出されるｅｘ斡子等の放射線による
障害から防護し、且つ半導体装）の特性変≧ 半導体装置及びゝ−”ド樹脂封止型半導体装置において
、これらのセラ電ツタ及び樹脂封止材料に含まれている
放射性核種から放出される一粒子によ〕誤動作を起こす
ことが問題となりてｉる。
この問題に対して近年広く使用されている対策は第１図
から第４図までに示されているもの′ｅあ゛る。ｍｘ”
ｍ及び第２−図はセ゛うＲｖ、夕封止■半導体装装置の
断面図を示゛しえもので、′ｌはポリ゛イ′電ド樹−１
１６る％Ａはシリーン樹′脂、−２は半導体テップ−・
３−は−”ンディンダクイヤ、４はボーシ″ディン゛ダ
パ、ド、５は金属薄板％　６はリード％７．８はセラさ
、夕。
９に篭う建、−夕文は金属である。篇３図及び第４−に
おいてＪ”１°ｊ、ｘｘはリードフレーム、ｌ：２゛：
はモー゛ル゛′ド樹脂である。これらの従来技術では。
半導体素子表面を放射線切１用のボリイ２ド樹脂島雇い
はシリーレ樹脂で直接被覆している′０．従って半導体
素子表面の配線間に・これらの樹脂が半導体素子表面用
の酸化膜等の保睡膜を介して存在する４とにな夛、配線
間容量が増大し、記竺装置と゛　して用いられるランダ
ム−アクセス壷メモリのム紛にお−ては、アクセスタイ
ムが長くなるという難点があった。
本発明の目的は、半導体装置に用いられているバ、ケー
ジ材料から放出される一粒子等の放射線をポリイ々ｒ等
の樹脂によｐ防験し、かつ半導体素子表面の一部を非接
触となゐように覆うことにｚ６％配線間容量の増大によ
るアクセス−イムＯ増加を防止することＫｈる０１、。
すなわち１本発明は半導体素子表面の一部と蒜奈触にな
るように樹脂でＩＩ′ｊたこと１−特徴とする半導体装
置である。
次に、本発明ｏｍｅ、ｔ・実施例を用いて説明する。
礪粒子防■用のポリイミド樹脂線第５図に示すように下
底なしの直方体の型にしておく、Ｈ遣方法としては半導
体チップでのマウント塩は通常の工程と同じ方法で行う
、　゛ ポリインドの厚さは３０μｍｌＲ以上とする６次に前記
ポリイミド樹脂を半導体チップ上に載せ。
高温状態に保管し、焼ｉ付ｉることによ）取ル付ける。
第８図に本発明によ′本ポリイイド樹脂を半導体テップ
に取り付けた後６平面図を示す、以後洒： の工１１Ｆ１通常と同じ方法で行う、このような方法で
製造されたセランツク封止蓋の半導体装置の断面図を籐
６図に示す。
このような構造を持つ半導体装置はモールド樹脂封止１
１に％同ＩＩＫ適用できる５００本発明よるモ“・　−
ルド樹脂封止置の半導体装置の断面図を第７１１１に示
す。
以上から１本発明によりランダム・アクセス・メ−％Ｉ
Ｊにおいて、半導体素子表面の一部たとえは素子の内の
能動エレメントが含まれる部分と非接触となるようにポ
リイミド樹脂で薇うことによシ１．・パッケージから放
出されるｇ粒子等の入射を阻止し、かつそのような樹脂
を取）付けたことによシアクセスタイムが遅くなる等の
欠点を除去し九特性の良−半導体装置１＊現できる。
【図面の簡単な説明】
ｌ！Ｌ１図及び第２因はそれぞれ従来のａ粒子によ、　
　　　　Ｃ− 導体装置の断面図、＋、ｐる。纂３図及び第４図は同機
の対策を実施した従来のモールド樹脂封止型の半導体装
置の断面図である。篤５図は本発明実施例に用いられる
ポリイミド樹脂の半導体チップ上へ取〕付ける鍵の形状
管示したものでるる、菖６図は本発明の実施例のセラ々
を夕封止型の半導体装置の断、面図である。８Ｉ７（２
）は本発明実施例の篭＝ルド樹脂封止製の半導体装置の
断面図でやる。 第８ＷＡは本発明実施の為の籐６図で示され今ポリイ建
ド樹ｍｔ−取ｐ付けた早場１体チップの平面図である。 １１において、１−・・ポリイミド＠脂又はシリコン樹
脂、ト・・半導体チップ、３・・・ボンデインシワイヤ
、番・・・ボｙディンダバｔド、　５ｇａｍ傘属薄板、
６・・・リード、７．８−・・セラ々ツタ、９＊＊ｅセ
ラｔｙり又は金属、１Ｇ、ｌｌ・・・リードフレーム、
１２・・・モールド＊ｍでｂる。 娯　ｆ　図 ′篤３　図 萬　４　図 笑　Ｓ　図 ／ 篤　６　図 篤　７　圏 鶴　θ　図 　　　　ｚ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子表面の一部と非接触になるように樹脂で覆っ
    たことを特徴とする半導体装置。
JP56141166A 1981-09-08 1981-09-08 半導体装置 Pending JPS5843541A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56141166A JPS5843541A (ja) 1981-09-08 1981-09-08 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56141166A JPS5843541A (ja) 1981-09-08 1981-09-08 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5843541A true JPS5843541A (ja) 1983-03-14

Family

ID=15285664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56141166A Pending JPS5843541A (ja) 1981-09-08 1981-09-08 半導体装置

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Country Link
JP (1) JPS5843541A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5717232A (en) * 1993-07-27 1998-02-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device sealed with molded resin

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5717232A (en) * 1993-07-27 1998-02-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device sealed with molded resin

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