JPS584453B2 - ハンドウタイウエハ− ノ エキシヨリソウチ - Google Patents
ハンドウタイウエハ− ノ エキシヨリソウチInfo
- Publication number
- JPS584453B2 JPS584453B2 JP48105221A JP10522173A JPS584453B2 JP S584453 B2 JPS584453 B2 JP S584453B2 JP 48105221 A JP48105221 A JP 48105221A JP 10522173 A JP10522173 A JP 10522173A JP S584453 B2 JPS584453 B2 JP S584453B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- tank
- storage tank
- cleaning
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウエハーの液処理装置、特にその処理液
の供給および排出機構に関するものである。
の供給および排出機構に関するものである。
半導体素子の製造過程には、素子表面清浄化のための酸
洗い或いは純水洗浄、溶剤洗浄等の洗浄工程やめつき、
エッチング等のための洗浄工程など種々の液処理工程が
不可欠であり、これらの工程は素子さらにはトランジス
ター、■Ｃ等の製品の歩留り、品質、信頼性等を左右す
る。
洗い或いは純水洗浄、溶剤洗浄等の洗浄工程やめつき、
エッチング等のための洗浄工程など種々の液処理工程が
不可欠であり、これらの工程は素子さらにはトランジス
ター、■Ｃ等の製品の歩留り、品質、信頼性等を左右す
る。
特に、素子製造工程中のいわゆる半導体ウエハーの状態
においてエビクキシャル成長、拡散、酸化等の高温熱処
理の直前に行う洗浄工程は、ウエハー表面に汚れが一旦
付着するとこれが熱処理によって半導体基体内に侵入し
素子にとって致命的な欠陥につながるだけに特に重要で
ある。
においてエビクキシャル成長、拡散、酸化等の高温熱処
理の直前に行う洗浄工程は、ウエハー表面に汚れが一旦
付着するとこれが熱処理によって半導体基体内に侵入し
素子にとって致命的な欠陥につながるだけに特に重要で
ある。
これらの工程では各種の酸、アルカリ、各種のめつき液
、各種の溶剤、洗剤など種々の化学薬品が使用され、腐
蝕性の薬品の場合従来は機械化自動化が困難なために手
作業に頼ることが多かったが、作業能率、品質および安
全性を向上させる見地から装置の機械化が強く要望され
ている。
、各種の溶剤、洗剤など種々の化学薬品が使用され、腐
蝕性の薬品の場合従来は機械化自動化が困難なために手
作業に頼ることが多かったが、作業能率、品質および安
全性を向上させる見地から装置の機械化が強く要望され
ている。
一般にこの種の液処理装置を機械化するには、ウエハー
移送機構やウエハー保持具の着脱方式などの機構関係の
ほか使用材料の耐蝕性、清浄度等に配慮すると共に、薬
液や純水を所要個所に定時に一定量自動的に供給排出さ
せることが肝要である。
移送機構やウエハー保持具の着脱方式などの機構関係の
ほか使用材料の耐蝕性、清浄度等に配慮すると共に、薬
液や純水を所要個所に定時に一定量自動的に供給排出さ
せることが肝要である。
そのための手段として、配管途中に継手類と共に給液お
よび排液のためのいくつかの弁を用いる方式が考えられ
る。
よび排液のためのいくつかの弁を用いる方式が考えられ
る。
第１図は一般に用いられる弁方式の給排液装置を図式的
に示したものであって、処理液は給液弁２の開閉によっ
て供給管３から処理槽１に一定量供給され、処理後の廃
液は排液弁４の開弁によって排液管５から排出される。
に示したものであって、処理液は給液弁２の開閉によっ
て供給管３から処理槽１に一定量供給され、処理後の廃
液は排液弁４の開弁によって排液管５から排出される。
腐蝕性の液を扱うための弁や継手としては、ステンレス
鋼や塩ビ、弗素樹脂その他の樹脂から成るものが現在種
々市販されており、これを薬品の種類によって使い分け
ることができるが、一般に液洩れを生じやすく信頼性に
乏しい欠点があるほか、高価格で装置のコスト高を招き
、特に薬品の種類によって管材料に石英を用いねばなら
ない場合は弁の接続に煩しい構造が必要となって一段の
コスト増加を免れない。
鋼や塩ビ、弗素樹脂その他の樹脂から成るものが現在種
々市販されており、これを薬品の種類によって使い分け
ることができるが、一般に液洩れを生じやすく信頼性に
乏しい欠点があるほか、高価格で装置のコスト高を招き
、特に薬品の種類によって管材料に石英を用いねばなら
ない場合は弁の接続に煩しい構造が必要となって一段の
コスト増加を免れない。
また、可動部を有する弁類は一般に高頻度の長期使用に
適せず、装置を長期間にわたって維持し確実に機能させ
ることが難かしい。
適せず、装置を長期間にわたって維持し確実に機能させ
ることが難かしい。
本発明はこのような従来の難点を解消して、液処理装置
の自動化高能率化を容易ならしめその信頼性および安全
性を高めることを主目的として、弁類の使用を排しサイ
ホン機構により給排液を行う新しい構成の液処理装置を
提供するものである。
の自動化高能率化を容易ならしめその信頼性および安全
性を高めることを主目的として、弁類の使用を排しサイ
ホン機構により給排液を行う新しい構成の液処理装置を
提供するものである。
以下、ぞの一実施例を示す第２図について本発明を詳細
に説明する。
に説明する。
本実施例は半導体ウエハー洗浄装置に本発明を適用した
ものであって、同装置は過酸化水素とアンモニアの混合
水溶液槽、純水水洗槽、弗酸水溶液槽、溶剤洗浄槽等の
多数の処理槽を有し、各処理槽系に本発明によるサイホ
ン式給排液を行うが、ここには便宜上過酸化水素とアン
モニアの混合水溶液による洗浄槽系についぶて説明する
。
ものであって、同装置は過酸化水素とアンモニアの混合
水溶液槽、純水水洗槽、弗酸水溶液槽、溶剤洗浄槽等の
多数の処理槽を有し、各処理槽系に本発明によるサイホ
ン式給排液を行うが、ここには便宜上過酸化水素とアン
モニアの混合水溶液による洗浄槽系についぶて説明する
。
第２図中、符号６は一定の液量を収容するウエハー洗浄
槽、７は一定量の処理液を収容し定時にその収容液を洗
浄槽６に供給する定量貯槽であって、定量貯槽７に所定
量の処理液を供給するための配管系は、過酸化水素水の
通い容器８と、その液量の数倍を収容し得る貯槽９と、
貯槽９から一定量の液を定量貯槽７に送り込むための定
量ポンプ１０と、通い容器８と貯槽９を連絡する液送管
１１と、定量ポンプ１０を具え貯槽９，７間を連絡する
液送管１２とから成る液送部と、減圧弁１３から通い容
器８および貯槽９を経由して大気に開放される一方、三
方電磁弁１４を介して定量貯槽７に通じる高圧ガス配管
１５を有する圧力部とから構成され、高圧ガスとしては
窒素等の不活性ガスが用いられる。
槽、７は一定量の処理液を収容し定時にその収容液を洗
浄槽６に供給する定量貯槽であって、定量貯槽７に所定
量の処理液を供給するための配管系は、過酸化水素水の
通い容器８と、その液量の数倍を収容し得る貯槽９と、
貯槽９から一定量の液を定量貯槽７に送り込むための定
量ポンプ１０と、通い容器８と貯槽９を連絡する液送管
１１と、定量ポンプ１０を具え貯槽９，７間を連絡する
液送管１２とから成る液送部と、減圧弁１３から通い容
器８および貯槽９を経由して大気に開放される一方、三
方電磁弁１４を介して定量貯槽７に通じる高圧ガス配管
１５を有する圧力部とから構成され、高圧ガスとしては
窒素等の不活性ガスが用いられる。
また、第２図中の符号１６は定量貯槽７から送り出され
る過酸化水素水のほか、貯槽７と同様の配管系を有する
アンモニア水定量貯槽および純水定量貯槽（いずれも図
示せず）からのアンモニア水および純水を受けて混合さ
せるマニホルド、１１は貯槽７に設けられたその収容液
をマニホルド１６に送り込むためのサイホン、１８はマ
ニホルド１６から洗浄槽６への給液管、１９は洗浄槽６
に設けられた廃液排出用のサイホンを示す。
る過酸化水素水のほか、貯槽７と同様の配管系を有する
アンモニア水定量貯槽および純水定量貯槽（いずれも図
示せず）からのアンモニア水および純水を受けて混合さ
せるマニホルド、１１は貯槽７に設けられたその収容液
をマニホルド１６に送り込むためのサイホン、１８はマ
ニホルド１６から洗浄槽６への給液管、１９は洗浄槽６
に設けられた廃液排出用のサイホンを示す。
本洗浄装置は前記配管系の定量ポンプ１０、電磁弁１４
等を電気的機械的にシーケンス制御することによって定
量貯槽７等の収容液を洗浄槽６に供給し、またウエハー
洗浄後の廃液を洗浄槽６から排出せしめる構成であって
、前述のように別に純水、弗酸、溶剤等の各処理槽およ
びその配管系を具えてそれぞれに同様の通い容器、貯槽
等を有する。
等を電気的機械的にシーケンス制御することによって定
量貯槽７等の収容液を洗浄槽６に供給し、またウエハー
洗浄後の廃液を洗浄槽６から排出せしめる構成であって
、前述のように別に純水、弗酸、溶剤等の各処理槽およ
びその配管系を具えてそれぞれに同様の通い容器、貯槽
等を有する。
なお、同一液を使用する槽については配管系等を共用し
得るこというまでもない。
得るこというまでもない。
また、本洗浄装置において、各処理液にはライフタイム
の間須があるので、あらかじめ各貯槽の大きさを決定す
ると共に一定時間毎に一定量の液が確実に供給されるよ
うに厳密なタイムコントロールを行う。
の間須があるので、あらかじめ各貯槽の大きさを決定す
ると共に一定時間毎に一定量の液が確実に供給されるよ
うに厳密なタイムコントロールを行う。
次に、本洗浄装置の作動要領について説明する。
まず、通い容器８が所定位置に接続されると、圧力部の
高圧窒素によってその液例えば過酸化水素水が液送管１
１を経て貯槽９に送り込まれる。
高圧窒素によってその液例えば過酸化水素水が液送管１
１を経て貯槽９に送り込まれる。
空になった通い容器は常に一定時間毎に交換できるよう
に配慮しておく。
に配慮しておく。
次に、定量ポンプ１０が作動して貯槽９から一定量の過
酸化水素水が液送管１２を通して定量貯槽７に送り込ま
れる。
酸化水素水が液送管１２を通して定量貯槽７に送り込ま
れる。
この貯槽７に設けられているサイホン管１７は三方電磁
弁１４の作動により液面に加わる圧力で起動し、貯槽７
内の全液量をマニホルド１６に落下せしめ、他の定量貯
槽からのアンモニア水および純水と混合されて給液管１
８から洗浄槽６に供給される。
弁１４の作動により液面に加わる圧力で起動し、貯槽７
内の全液量をマニホルド１６に落下せしめ、他の定量貯
槽からのアンモニア水および純水と混合されて給液管１
８から洗浄槽６に供給される。
なお、混合水溶液をある一定温度に保持する必要がある
場合、マニホルド１６における混合の時点で規定温度の
洗浄液となるように純水をあらかじめ決めた温変に加熱
しておけば、洗浄槽６は洗浄効果の最もよい規定温度の
洗浄液を供給されて直ちに洗浄工程に入ることができる
。
場合、マニホルド１６における混合の時点で規定温度の
洗浄液となるように純水をあらかじめ決めた温変に加熱
しておけば、洗浄槽６は洗浄効果の最もよい規定温度の
洗浄液を供給されて直ちに洗浄工程に入ることができる
。
また、図示の洗浄槽６はヒーター２０を装置した保温槽
２１内に装置されており、保温槽内の液をヒーター２０
の付勢により常に所定の温度に保つことによって洗浄槽
内の液を洗浄時間中常に規定温度に保つことができる。
２１内に装置されており、保温槽内の液をヒーター２０
の付勢により常に所定の温度に保つことによって洗浄槽
内の液を洗浄時間中常に規定温度に保つことができる。
符号２２は保温槽２１の下面に取付けた超音波振動子で
あって、必要に応じてその超音波により洗浄効果を高め
ることができる。
あって、必要に応じてその超音波により洗浄効果を高め
ることができる。
洗浄槽６内の洗浄液は、一定時間経過後洗浄によってそ
の成分濃度特に過酸化水素濃度が規定以下になる前に廃
液としてサイホン１９により排出される。
の成分濃度特に過酸化水素濃度が規定以下になる前に廃
液としてサイホン１９により排出される。
この場合は定量貯槽７の場合と異なり洗浄槽６が大気に
開放しているので、サイホンの起動に高圧窒素等による
液面加圧手段を用いることができず、別途に一定量の純
水を管２３から洗浄槽６に追加してサイホン１９を起動
させている。
開放しているので、サイホンの起動に高圧窒素等による
液面加圧手段を用いることができず、別途に一定量の純
水を管２３から洗浄槽６に追加してサイホン１９を起動
させている。
本ウエハー洗浄装置はこのような給排液の自動化によっ
て、ウエハー移送機構等の改善、装置の小型化と相俟っ
て、処理能力および所要工数が従来のものに比して格段
に改善され、直径２インチ（約５０ｍｍ）のウエハーの
場合従来装置１台につき８４，０００枚／月であった処
理能力を１６８，０００枚／月に高め、所要工数もほぼ
半減することができた。
て、ウエハー移送機構等の改善、装置の小型化と相俟っ
て、処理能力および所要工数が従来のものに比して格段
に改善され、直径２インチ（約５０ｍｍ）のウエハーの
場合従来装置１台につき８４，０００枚／月であった処
理能力を１６８，０００枚／月に高め、所要工数もほぼ
半減することができた。
本発明は以上の説明から明らかなように、給排液には弁
を使用するどいう既成の観念を排除して腐蝕性液体の移
送にそれ自身は公知技術であるサイホン機構を適用する
ことによって、従来とかく集約度の高い半導体素子製造
工程の一部を省力化しその能率を向上させたものであっ
て、その液処理装置はシーケンス制御による自動連続化
が容易であるほか、処理液に直接触れる部分に弁を一切
使用せず継手類の使用も最少限におさえることができる
ので、液洩れその他の故障の懸念が実際上皆無であり、
給排液系の構造が簡潔低廉化されると共にその信頼性お
よび安全性が向上するなど多犬の利点を有する。
を使用するどいう既成の観念を排除して腐蝕性液体の移
送にそれ自身は公知技術であるサイホン機構を適用する
ことによって、従来とかく集約度の高い半導体素子製造
工程の一部を省力化しその能率を向上させたものであっ
て、その液処理装置はシーケンス制御による自動連続化
が容易であるほか、処理液に直接触れる部分に弁を一切
使用せず継手類の使用も最少限におさえることができる
ので、液洩れその他の故障の懸念が実際上皆無であり、
給排液系の構造が簡潔低廉化されると共にその信頼性お
よび安全性が向上するなど多犬の利点を有する。
なお、本発明装置の具体的構成は、前記実施例に限定さ
れることなくサイホン起動手段その他各部の構成に用途
に応じ種々の変更を加え得るものであって、本発明特許
権はそれらの変型を含めて前記特許請求の範囲に規定す
るすべての液処理装置に及ぶ。
れることなくサイホン起動手段その他各部の構成に用途
に応じ種々の変更を加え得るものであって、本発明特許
権はそれらの変型を含めて前記特許請求の範囲に規定す
るすべての液処理装置に及ぶ。
第１図は通常の給排液弁を具えた槽構成の一例を示し、
゜第２図は本発明一実施例の要部構成を示す。 ６・・・処理槽（洗浄槽）、７・・・定量貯槽、８・・
・通い容器、９・・・貯槽、１０・・・定量ポンプ、１
３・・・減圧弁、１４・・・三方電磁弁、１５・・・高
圧ガス配管、１６・・・混合マニホルド、１７・・・供
給用サイホン、１９・・・排出用マニホルド、２０・・
・ヒーター、２１・・・保温槽、２２・・・超音波振動
子、２３・・・純水追加用管。
゜第２図は本発明一実施例の要部構成を示す。 ６・・・処理槽（洗浄槽）、７・・・定量貯槽、８・・
・通い容器、９・・・貯槽、１０・・・定量ポンプ、１
３・・・減圧弁、１４・・・三方電磁弁、１５・・・高
圧ガス配管、１６・・・混合マニホルド、１７・・・供
給用サイホン、１９・・・排出用マニホルド、２０・・
・ヒーター、２１・・・保温槽、２２・・・超音波振動
子、２３・・・純水追加用管。
Claims (1)
- １ 一定量の処理液を収容する定量貯槽と、この定量貯
槽に収容された前記処理液が供給されて貯えられる処理
槽と、前記定量貯槽から処理液の一定量を前記処理槽に
供給し、該一定量の処理液の供給が終わると供給動作を
停止する定量供給手段と、この定量供給手段による前記
供給動作の開始時期を制御する起動手段と、前記処理槽
に供給された前記処理液を排出するサイホンと、このサ
イホンが起動するように前記定量貯槽からの供給系とは
異なる供給系から液を供給して前記処理槽の水位を高め
る手段とを具備することを特徴とする液処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48105221A JPS584453B2 (ja) | 1973-09-18 | 1973-09-18 | ハンドウタイウエハ− ノ エキシヨリソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48105221A JPS584453B2 (ja) | 1973-09-18 | 1973-09-18 | ハンドウタイウエハ− ノ エキシヨリソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5057180A JPS5057180A (ja) | 1975-05-19 |
| JPS584453B2 true JPS584453B2 (ja) | 1983-01-26 |
Family
ID=14401598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48105221A Expired JPS584453B2 (ja) | 1973-09-18 | 1973-09-18 | ハンドウタイウエハ− ノ エキシヨリソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584453B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59182099A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | 小島プレス工業株式会社 | クリツプピンの切断処理装置 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5310274U (ja) * | 1976-07-09 | 1978-01-27 | ||
| JPS5923416Y2 (ja) * | 1977-04-28 | 1984-07-12 | 日本電気株式会社 | 液処理装置 |
| JPS5444472A (en) * | 1977-09-14 | 1979-04-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Cleaning unit of semiconductor substrate |
| JPS58135643A (ja) * | 1982-02-08 | 1983-08-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエハ洗浄装置 |
| JPS5929424A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-02-16 | Nec Corp | 半導体ウエハ−製造装置 |
| JPS5977225U (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-25 | ソニー株式会社 | 半導体素子製造装置 |
| JPS6273543U (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-11 |
-
1973
- 1973-09-18 JP JP48105221A patent/JPS584453B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59182099A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | 小島プレス工業株式会社 | クリツプピンの切断処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5057180A (ja) | 1975-05-19 |
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