JPS5977225U - 半導体素子製造装置 - Google Patents

半導体素子製造装置

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JPS5977225U
JPS5977225U JP17282682U JP17282682U JPS5977225U JP S5977225 U JPS5977225 U JP S5977225U JP 17282682 U JP17282682 U JP 17282682U JP 17282682 U JP17282682 U JP 17282682U JP S5977225 U JPS5977225 U JP S5977225U
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JP
Japan
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semiconductor device
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manufacturing equipment
processing
semiconductor
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JP17282682U
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泰司 加藤
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体素子製造装置の構成を示す概略図
である。第２図ａ　”−ｆはフォトリゾグラフィ工程及
びエツチング工程の工程順序を示す要部概略縦断面図で
あり、第２図ａは酸化膜形成工程、第２図すはフ１トレ
ジスト層被着工程、第２図Ｃはパターン露光工程、第２
図ｄは現像工程、第２図ｅは酸化膜のエツチング工程、
第２図ｆは不要となったフォトレジスト層の除去工程を
示すものである。第３図は本考案を適用した半導体素　
　゛−子製造装置の構成を示す概略図である。 １３・・・・・・半導体処理部、１４・・・・・・第１
の供給路、１５・・・・・・第２の供給路、１６・・・
・・・第１の容器、１７・・・・・・第２の容器、１８
・・・・・・内容量検出センサ。 第２図 第３図

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子の製造に用いられる処理剤を収容する第１の
    容器と、上記処理剤により半導体を処理する半導体処理
    部と、上記半導体処理部に上記処理剤を供給する供給路
    とからなり、上記供給路の中途部に上記処理剤を収容し
    、かつ内容量検出センサを有する第２の容器を設けてな
    る半導体素子製造装置。
JP17282682U 1982-11-15 1982-11-15 半導体素子製造装置 Granted JPS5977225U (ja)

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JP17282682U JPS5977225U (ja) 1982-11-15 1982-11-15 半導体素子製造装置

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JPS5977225U true JPS5977225U (ja) 1984-05-25
JPH0128671Y2 JPH0128671Y2 (ja) 1989-08-31

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