JPS5844698A - 高周波加熱器のシ−ル装置 - Google Patents

高周波加熱器のシ−ル装置

Info

Publication number
JPS5844698A
JPS5844698A JP56142689A JP14268981A JPS5844698A JP S5844698 A JPS5844698 A JP S5844698A JP 56142689 A JP56142689 A JP 56142689A JP 14268981 A JP14268981 A JP 14268981A JP S5844698 A JPS5844698 A JP S5844698A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric
line
leakage
mhz
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56142689A
Other languages
English (en)
Inventor
楠木 慈
等隆 信江
伸二 宮内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP56142689A priority Critical patent/JPS5844698A/ja
Publication of JPS5844698A publication Critical patent/JPS5844698A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は1つの加熱室を2つの周波数、例えば915M
Hz、2450MHzとで共用する形態+7)加熱器に
対して有効なシール技術を提供するものである0 発明のポイントは916MHzと2450M)(zのそ
れぞれの周波数に対応する波長をλ2.λ、としたとき
にλ2ζ3λ、である点に着目して工夫をした構成をと
るものである。
以下に本発明の基礎になるシールの概念を説明を利用し
たものが用いられ実用化されている。例えばUSP31
s21e、a号及びUSP2850706号の如きもの
である。これらはいずれも電波利用空間と本体とドア等
の間隙で構成される空間との境界(隙間開始点とi飛に
おいて、電波インピーダンスを小さくするために電波の
漏波進行方向をZ方向とし、本体とドアの相対する面を
y−z平面とするときに、y方向に細長い言わゆるチョ
ーク空胴と呼ばれるインピーダンス用の立体共振器から
変換部を有することを特徴としている。先行技術の中で
も特にUSP2850706号は電波成分のy方向への
伝搬にも配慮され゛たものである。これらのシール法は
、隙間開始点からチョーク空胴の入口までの寸法を用い
る電波の四分の−とし、かつ立体共振器の実効深さを同
様の寸法とすることで、共振器端面のインピーダンス最
少状態をインピーダンス変換して隙間開始点にインピー
ダンス最小状態を実現するものである。
以上の説明から明らかなように、寸法を規定する箇所が
少なくとも2ケ所あるために、設計、製造が容易でない
問題がへる。
一方、マイクロ波領域°に゛おける電波伝送法としては
、平行平板回路法、導波管法、同軸線路法などがある。
平行平板回路を実現するのにス) IJツブ線法がある
。この内容につい可はDDGRIEGetat著−gi
cro QIL/”kLNew ’jransmi −
5L(J4 Technique for the t
にfomegacycteRange″P1644〜1
650%’ Proceeding ofthe 1.
 R,E、 Dec、 19m2等にくわしい。このス
トリップ線法の概念をシール法に利用した先行技術六し
てUSP2772402号がある。これはI−2面内で
寸法管理すべき寸法が隙間開始点から、線路端までの寸
法だけであり、設計、製造しやすい利点がある。しかし
シール性能的には、スリットを施こすことにより分離さ
れた導体片隙間(スリット部)からの漏波が大きいこと
、又漏れた電波に対する対策がとられていないことなど
が問題となり、電子レンジ等のシール法′、としていま
だ実を 用されていない。
本発明は、USP2772402号なるストリップ線路
を用いた先行技術を実用的なものにする手段を提供する
ものである。第1図〜第6図を用いてストリップ線路の
概説とUSP2772402号と本発明の差を示す。
第1図のa、bはそれぞれ平行線とストリップ線路の構
成と、電界分布等電位分布を示すものである。
第2図に示す如くストリップ線路には接地面(Grou
nd Plane )に線が対抗しティるaの如きもの
と、bの如く、ストリップ板金を誘電体層を介して接地
面と対抗する形態が代表的であるが、本発明ではb図の
如き概念のストリップ線を用いる。誘電体層を用いない
点からUSP2772402号はa図の概念と考え得る
。ストリップ線路の構成として両者に基本的相違はない
が、電波シール手段として用いる場合、両者の差は大き
い。この差を以下に説明する。第3図に誘電率ε2の媒
体中に誘電率ε、lの誘電体を設けたときの電気力線の
様子を示す。aはε1〉ε2bはε、くε2の場合であ
り、図から明らかな如く、ε、〉ε2の場合は誘電体に
電波エネルギコが集中する。第4図はUS、P2772
402号のX−″y断面である。第6図は本発明のx−
y断面である。G、G1.G2は接地面を示し、C1〜
C7はストリップ導体片、D4〜D7は誘電率絆噂欅が
空気よりも大きい誘電体層である。電気力線を矢線で示
している。先行技術ではストリップ導体片間の隙間から
の電波漏洩が大きくX方向の洩れに対する策がないので
シール法としての実用性に問題がある。一方、本発明に
よるシール法は誘電体層があるので、エネルギー集中が
おこり、従って先行技術に比してストリップ導体片間の
隙間からの漏波が相対的に小さい点、又X方向の洩れに
対して第2の接地面G2があるのでシールド型のストリ
ップ線路とな9接地面G2の外への漏波を完全に防止で
きるという点と、先行技術の問題を解決できるのである
。更に ′最も大きい差を次に説明する。線路端Tから
外側を務たインピーダンスをZT、誘電体片の特性イン
ピーダンスを2とし、線路端Tとスキマ開始点S】 インピーダンス2は誘電体のない場合に比して1σとな
るので結局Zsはフ;百と小さくできる効果も発揮でき
るもので先行技術に比してεeff  倍のシール性能
を得ることができる。
以下、本発明の実施例を第6図〜第10図を用いて説明
する。第6図は電子レンジの正面図で、庫内のぞき窓1
及び把手2をもつドア3が、制御パネル部4とともに配
置されている。第7図には第6図A−A線断面部分を示
す。加熱室5を形成する本体壁6に対向してドア3が設
けられており、ドア3の本体壁6との対抗部には誘電体
片7が一部スリットを施こし固定され配置される。9は
ドア3と導体板8をビス1oで固着するためのスペーサ
である。
第8図にg7図の導体板8の斜視図を、誘電体片7(仮
想線で示す)との関係で示す。誘電体の材料としては比
誘電率をεrとするとき、フォスルテライト2MqO・
5iO2(εr=6.0)、アルミナAt203(εr
=9.9)−7−タン酸バリウムB a T i40 
g (εr=39.5)  及びB a O・4 T 
i O2(εに=80)などを用いる゛。
電波的には空気だけの場合εr=1であり、全空間をε
rなる強電体で充填すれば、線路インピーダンス、位相
定数ともに1/I;釘倍にそれぞれなるが、図の如く一
部充填されたときは比11電率が1とεrの中間のある
値をとりこれを実効誘電率εeffで表わしたとき、そ
れぞれは1/誇肥71F倍となる。
従って第7図で隙間開始点Sと線路端Tまでの長)線路
端Tの開放状態は隙間開始点Sで短絡状態にインピーダ
ンス変換され2方向の漏波をシールできる0又、導体片
間から1方向への漏波は少ないが存在する。しかしこれ
はドア3なる導体板で反射され、外部に洩れることがな
い。従って先行技術の問題点を全て解決できるだけでな
く、上述の如く距離tを先行技術に比して”$に小型化
できるという付加効果も出せるものである0第9図は、
線路端Tをドア3と共通にすることλ で短絡状態とし・距離tを 、E訂とすることで隙間開
始点Sに実現する例、第10図はドア3と導体板80間
に別の誘電体1oを充填する例を示した。但しこの場合
、誘電体7の誘電率をε、とし別の誘電体1oの誘電率
を82としたときε。
〉ε2である。
上記実施例に限らず、本体壁と導体板の間に誘電体をは
さむ構成をとり、ストリップ線路の尖、濃−を利用した
もので、かつ導体板8から1方向への外部空間への漏波
を防止する接地板機能を有する? 2も、のであれば、本発明に含まれる。又誘電体片のぐ
− 量刑の小さい誘電率の誘電体で充填し連続化する場合も
含む。
本発明の位置づけを明らかにするため、以下説明をおこ
なう。
第7図〜第10図は誘電体片7を実効誘電率εeff−
=64で構成することを想定して書かれたものである。
又915 MHzの周波数の場合、波長λは328II
III+となる。従って第8図のSからTまで寸法がシ
ールに対し本質的なものである。一方、ドア3と導体板
8で形成゛さ°れる溝の深さは第10図の場合でも別の
誘電体10は、εr=4〜6のものを想定しているので
、電波的な実質型波長はλ i相当であり、インピーダンス変換には本質的でな(U
S P 3182164号、US P 2850706
号等で示される溝の深さをも四分の一波長に対応させて
いる先行技術との差は明らかであろう。
また、誘電体片7は、伝送線エネルギー集中用の媒体と
しての働きをもつもので、誘電体をy方向に対し断片化
することで、2方向のみにエネルギー伝搬成分をもたら
せるという誘電体導波作用の範囲が誘電体片の必要条件
となる。従ってUSP3182164号及びUSP27
72402号等の先行技術との差も明らかである。
また、本発明は、2方向の線路長tを実効誘電λen 率εeff及び使用波長λとの関係でt=46□とする
→ことを本質的必要条件としているので、この範囲であ
れば誘電体片7のy方向の長さを例以上の説明から明ら
かなように本発明によれば本体壁と導体板の間の隙間空
間の寸法管理だけをすればよいという先行技術の長所を
いかしたまま、先行技術の有するI方向の漏波に対して
は誘電体片の配置で漏波量を減らせることと導体板に対
する本体壁の対応位置にドア体等の接地板を配すること
で外部空間への洩れを完全になくすることができ一クー
ルの実用性を高め1.かつ誘電体撃荷による波長圧縮の
ために、シール部の小型化がはかれ省資源がはかれるな
どの効果を発揮できる。
さらに上記要件を満たす誘電体はセラミック焼給体が多
く、大きい形状のものが得にくいが断片化しているので
各誘電体片は小さくてもよく実用性に優れている。
以上の説明は一貫して単一の周波数に対して行なったが
、一つの加熱室に2450MHzと9−16MHzの2
つの周波数を供給する形態の加熱器に対して、以下の如
く工夫することで対処できる。
2450MHzに対する波長をλ、+ 915 MHz
に対する波長をλ2としたときに、λ7、/λλ=2.
68″:、3(奇数)であるために1.シールの構造を
例えば第8図における寸法t1 を9”15MHzに対
応して’1” ”/4−$とじたときの寸法tと漏洩量
の特性は第11図の如くなる。即ち幾何学的寸法t、は
、915 MHzの電波に対しては実効的に四分の一波
長として作用し、2450M)i zに対しては概略的
に四分の三波長として作用するので、いずれの場合も利
用波長の四分の−の奇数倍の関係となりシール効果が出
るのである。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図はそれぞれ平行線及びストリップ線路に
ついての説明図、第3図は誘電体の誘電率変化と電気力
線変化の関係を示す説明図、第4図は従来例のx−y断
面図、第5図は本・発明のシール装置の一実施例による
x−y断面図、第6図は本発明を用いた電子レンジの正
面図、第7図は第6図のA−A線断面図、第8図は第7
図の導体板の斜視図、第9図、第10図はそれぞれ他の
実施例による断面図、第11図は寸法tと電液漏洩量と
の関係を示す特性図である。 3・・・・・・ドア(接地導体面と対向する接地板)、
6・2・・・・本体壁(接地導゛体面)、7・・・・・
・誘電体片、8・・・・・・導体板、S・・・・・・隙
間開始点、T・・・・・線路端。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 3図 (aλ          市 4図     第5図 +If 16図 臨 7 図 に1 18図 7     S 第101!1 第11図 λ2磯3λI 手続補正書(方へ) 昭和t7年 2 月 を日 特許庁長官殿 1事件の”表示 昭和66年特許願第142689  ’32発明の名称 高周波加熱器のシール装置 代表者    山  下  俊  彦

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1つの加熱室を2つの異なった周波数1例えば915 
    MHzと2460 MHzの高周波加熱器で共用する構
    成とし、本体壁と導体板の間に実質的に誘電片を配し、
    前記本体壁又は導体板の少なくとも一方を接地導体面と
    した線路を形成し、前記線路の隙間開始点から線路端ま
    での長さtを用いる波長を915 MHzに対して>2
    2450MH!に対しλ。 とじ、かつ実効誘電率をε。flとしたときにとし、か
    つ前記導体板に対し前記接地導体面と対向する位置に接
    地板を設けた高周波加熱器のシール装置。
JP56142689A 1981-09-09 1981-09-09 高周波加熱器のシ−ル装置 Pending JPS5844698A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56142689A JPS5844698A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 高周波加熱器のシ−ル装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56142689A JPS5844698A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 高周波加熱器のシ−ル装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5844698A true JPS5844698A (ja) 1983-03-15

Family

ID=15321233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56142689A Pending JPS5844698A (ja) 1981-09-09 1981-09-09 高周波加熱器のシ−ル装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5844698A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4254318A (en) Door seal arrangement for high-frequency heating apparatus
JP3686736B2 (ja) 誘電体導波管線路および配線基板
US3439296A (en) Microwave window employing a half-wave window structure with internal inductive matching structure
JPS5844698A (ja) 高周波加熱器のシ−ル装置
US3511959A (en) Microwave cavity having a varied impedance transmission line microwave energy seal around the access door opening
JPS5826490A (ja) 高周波加熱器のシ−ル装置
JPS61131391A (ja) 電波シ−ル装置
JPH08102604A (ja) 非放射性誘電体線路及び位相制御方法
US6166614A (en) Nonradiative planar dielectric line and integrated circuit
EP0883204B1 (en) Nonradiative planar dielectric line and integrated circuit using the same line
JPS5844697A (ja) 高周波加熱器のシ−ル装置
JP2949965B2 (ja) 電波シール装置
US3569868A (en) Nonreciprocal microwave devices using a semiconductor element
El-Sayed et al. Wave propagation in rectangular waveguides with symmetrically placed tapered ridges
JPS58106795A (ja) 高周波加熱装置
JPH01173902A (ja) 誘電体フィルタ
JPS599896A (ja) 電波シ−ル装置
JP2949915B2 (ja) 電波シール装置
JPS6314830B2 (ja)
JPS6331918B2 (ja)
JPS6235233B2 (ja)
JPS599895A (ja) 電波シ−ル装置
JPH07176901A (ja) 非放射性誘電体線路
Messiaen et al. Slot excitation without frequency cut-off for ICRH in Tokamaks
JPS58161290A (ja) マイクロ波加熱装置