JPS5845620A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS5845620A JPS5845620A JP14079981A JP14079981A JPS5845620A JP S5845620 A JPS5845620 A JP S5845620A JP 14079981 A JP14079981 A JP 14079981A JP 14079981 A JP14079981 A JP 14079981A JP S5845620 A JPS5845620 A JP S5845620A
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- JP
- Japan
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- magnetic
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- tape
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract 2
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- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/37—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect
- G11B5/372—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices using Hall or Hall-related effect, e.g. planar-Hall effect or pseudo-Hall effect in magnetic thin films
- G11B5/374—Integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(1)
平面状に磁気コア及びプレーナ・ホール素子を配設し、
パターニング工程を少なく、薄形に構成し得る磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
パターニング工程を少なく、薄形に構成し得る磁気ヘッ
ドを提供することを目的とする。
磁気テープに例えばPOM録音されたオーディオ信号を
再生する薄膜侶気ヘッドとして、例えば磁気抵抗効果素
子(以下、M几紫子という)或いはプレーナ・ホール素
子等を用いた再生専用の磁気ヘッドが従来開発されてい
る。M T−L素子を用いた磁気ヘッドとしては例えば
、第1図に示す如く、ガラス基板1」二にテープ摺動面
1aを一部としてMR累壬子2薄膜状に蒸着され、その
両端部にAU等の端子3a,3bが設けられており、磁
化された磁気テープ4の浮遊磁場の垂直成分の大きさに
よって変化するM R素子2の抵抗値変化を電気信号の
変化として端子3a,3bからとり出し、テープ4に記
録されたオーディオ信号情報を再生する。
再生する薄膜侶気ヘッドとして、例えば磁気抵抗効果素
子(以下、M几紫子という)或いはプレーナ・ホール素
子等を用いた再生専用の磁気ヘッドが従来開発されてい
る。M T−L素子を用いた磁気ヘッドとしては例えば
、第1図に示す如く、ガラス基板1」二にテープ摺動面
1aを一部としてMR累壬子2薄膜状に蒸着され、その
両端部にAU等の端子3a,3bが設けられており、磁
化された磁気テープ4の浮遊磁場の垂直成分の大きさに
よって変化するM R素子2の抵抗値変化を電気信号の
変化として端子3a,3bからとり出し、テープ4に記
録されたオーディオ信号情報を再生する。
ところで、MR累壬子2一般にテープ4の磁性体面から
垂直方向に離れるに従って受ける磁界の強さが弱くなる
ので、出力信号の大きさは指数間(2) 数的に減少し、特に記録波長が短かい領域ではこの信号
減衰が大きく、第1図示のもののようにMRR子2をテ
ープ4に直接当接させて出力信号を得るタイプのものは
、再生出力を十分とり出すためにMR累壬子2テープ4
表面に密着するように構成されている。
垂直方向に離れるに従って受ける磁界の強さが弱くなる
ので、出力信号の大きさは指数間(2) 数的に減少し、特に記録波長が短かい領域ではこの信号
減衰が大きく、第1図示のもののようにMRR子2をテ
ープ4に直接当接させて出力信号を得るタイプのものは
、再生出力を十分とり出すためにMR累壬子2テープ4
表面に密着するように構成されている。
ところがMRR子2の蒸着膜厚は一般に数100X以下
であるため、第1図示のもののようにMR累壬子2テー
プ4に密着させる構成のものは、M R素子2がテープ
4との摺動によって摩耗し易く、これに伴ってノイズを
生じ、再生特性が悪い欠点があった。
であるため、第1図示のもののようにMR累壬子2テー
プ4に密着させる構成のものは、M R素子2がテープ
4との摺動によって摩耗し易く、これに伴ってノイズを
生じ、再生特性が悪い欠点があった。
一方、従来、第2図に示す如く、ガラス基板5」二にパ
ーマロイ等のコア6aが形成され、更にこの上の一部に
非磁性材7が形成されてその一部にMRR子8が蒸着さ
れ、更にM R,素子8を包むように絶縁膜9が形成さ
れており、絶縁膜9の上にコア6b、コア6a及び絶縁
膜9の上にコア6Cが形成されている磁気ヘッドがある
。このものは、テープ摺動面10をテープ4に当接させ
てコア6a(3) 一コア6cmMR素子8−コア6bなるリング形磁路を
形成し、この磁路を通過する磁束Cζよって変化するM
R累壬子8抵抗値変化を電気信号変化としてM R素子
8の両端番ご設(ハ)られた端子(図示せず)から占り
出す。
ーマロイ等のコア6aが形成され、更にこの上の一部に
非磁性材7が形成されてその一部にMRR子8が蒸着さ
れ、更にM R,素子8を包むように絶縁膜9が形成さ
れており、絶縁膜9の上にコア6b、コア6a及び絶縁
膜9の上にコア6Cが形成されている磁気ヘッドがある
。このものは、テープ摺動面10をテープ4に当接させ
てコア6a(3) 一コア6cmMR素子8−コア6bなるリング形磁路を
形成し、この磁路を通過する磁束Cζよって変化するM
R累壬子8抵抗値変化を電気信号変化としてM R素子
8の両端番ご設(ハ)られた端子(図示せず)から占り
出す。
このものは、Mll、素子8がテープ4と伯接当接しな
いのでこれの摩耗を避けられるが、薄膜積層構造となっ
ているために多くのパターニング工程を必要とし、製造
工程が多く、又、薄形に構成しに<<、更に、パターニ
ングによる加熱及び冷却の繰返しによってMT(、素子
8の特性が劣化する欠点があった。そこで、MR累壬子
8加熱及び冷却の済んだ最終工程で形成することが考え
られるが、パターニング後の薄1III表面は凹凸が多
いため、Mll。
いのでこれの摩耗を避けられるが、薄膜積層構造となっ
ているために多くのパターニング工程を必要とし、製造
工程が多く、又、薄形に構成しに<<、更に、パターニ
ングによる加熱及び冷却の繰返しによってMT(、素子
8の特性が劣化する欠点があった。そこで、MR累壬子
8加熱及び冷却の済んだ最終工程で形成することが考え
られるが、パターニング後の薄1III表面は凹凸が多
いため、Mll。
素子8を蒸着する前に研磨を必要とする等工程が多くな
る欠点があった。
る欠点があった。
ところで、MR素子の磁界の強さ対抵抗値特性は一般に
第3図に示す如くである。同図より明らかな如(、MR
累素子バイアス磁界をかけすに磁界零の点を動作点とし
て用いると、テープからの(4) 磁界の例えば一方向の変化が抵抗値の一方向の変化とし
てとり出し得ないが、MT%素子に同図中HBのバイア
ス磁界をかけてこの点を動作点として用いれば、磁界の
一方向の変化を抵抗値の一方向の変化としてとり出し得
る。即ち、MR累素子用いた薄膜磁気ヘッドは必ずバイ
アス磁界をかけて使用する必要があり、このためバイア
ス点の調整作業が必要であり、特に多チャンネル・\ラ
ドを構成する場合、その調整作業に多くの時間を必要と
する等の欠点があった。
第3図に示す如くである。同図より明らかな如(、MR
累素子バイアス磁界をかけすに磁界零の点を動作点とし
て用いると、テープからの(4) 磁界の例えば一方向の変化が抵抗値の一方向の変化とし
てとり出し得ないが、MT%素子に同図中HBのバイア
ス磁界をかけてこの点を動作点として用いれば、磁界の
一方向の変化を抵抗値の一方向の変化としてとり出し得
る。即ち、MR累素子用いた薄膜磁気ヘッドは必ずバイ
アス磁界をかけて使用する必要があり、このためバイア
ス点の調整作業が必要であり、特に多チャンネル・\ラ
ドを構成する場合、その調整作業に多くの時間を必要と
する等の欠点があった。
一方、プレーナ・ホール素子を用いたNRu ?tn気
ヘッドとして第1図或いは第2図に示す如き構成のもの
があるが、このものも上記したのと同様の欠点があった
。
ヘッドとして第1図或いは第2図に示す如き構成のもの
があるが、このものも上記したのと同様の欠点があった
。
本発明は上記欠点を除去したものであり、gg4図以下
と共にその一実施例について説明する。
と共にその一実施例について説明する。
第4図及び第5図は本発明になる薄膜磁気ヘッドの一実
施例の斜視図及びその一部横断面図を示す。同図におい
て、11はガラス基板で、図中左端下部に平坦部11a
から高さhの突部11bが一体(5) 的に設けられている。12a 、 121)はパーマロ
イ等の高透磁率材料から4「るコアで、コア12aは−
X[11の右端に、コア12bは基板11の左端及び突
部]、1bに夫々パターニングされており、コア12a
の下部12a’、コア12bの下部121)’、基板1
1の夫々の下端面は面一に形成されてテープ摺動面13
を構成する。コア12a’ 、 12b’・、基板11
の下部を横断して上方から視た図を第5図に示す如く、
コア12a′とコア121)’とは突部111)の高さ
hと同じ距離テープ4の走行方向Aにずれている。なお
、距@hは、磁化によってテープ4の走行方向Alこそ
の向きをもつNi極からS (i?極にかけて存在する
浮遊磁場の垂直成分(その大きさはテープ4の走行方向
Aに差がある)の差が十分大きくとり出されるように設
宇されている。
施例の斜視図及びその一部横断面図を示す。同図におい
て、11はガラス基板で、図中左端下部に平坦部11a
から高さhの突部11bが一体(5) 的に設けられている。12a 、 121)はパーマロ
イ等の高透磁率材料から4「るコアで、コア12aは−
X[11の右端に、コア12bは基板11の左端及び突
部]、1bに夫々パターニングされており、コア12a
の下部12a’、コア12bの下部121)’、基板1
1の夫々の下端面は面一に形成されてテープ摺動面13
を構成する。コア12a’ 、 12b’・、基板11
の下部を横断して上方から視た図を第5図に示す如く、
コア12a′とコア121)’とは突部111)の高さ
hと同じ距離テープ4の走行方向Aにずれている。なお
、距@hは、磁化によってテープ4の走行方向Alこそ
の向きをもつNi極からS (i?極にかけて存在する
浮遊磁場の垂直成分(その大きさはテープ4の走行方向
Aに差がある)の差が十分大きくとり出されるように設
宇されている。
14はプレーナ・ホール素子で、基板11上その略中央
付近に蒸着されており、コア12a 、 12bと電気
的及び磁気的に接続されている。15a 。
付近に蒸着されており、コア12a 、 12bと電気
的及び磁気的に接続されている。15a 。
15bはホール電極で、基板11の平坦部11a上に蒸
着されており、電極15aの先端は出力端子15a’、
(6) 電極15bはコア12aと基板11との間を絶縁膜16
を介して々T〔在されてその先端を出力端子15b′と
されている。出力端子15a’ 115b’はコア12
a 、 12bの長手方向に設けられている。プレーナ
・ホール素子は周知の如く、電流の流れている面内に電
流と同一方向或いは逆方向に磁界をかけることによりそ
の面と直角方向に起電力を生じるものである。
着されており、電極15aの先端は出力端子15a’、
(6) 電極15bはコア12aと基板11との間を絶縁膜16
を介して々T〔在されてその先端を出力端子15b′と
されている。出力端子15a’ 115b’はコア12
a 、 12bの長手方向に設けられている。プレーナ
・ホール素子は周知の如く、電流の流れている面内に電
流と同一方向或いは逆方向に磁界をかけることによりそ
の面と直角方向に起電力を生じるものである。
プレーナ・ホール素子の磁界の強さ対抵抗値特性は一般
のホール素子と同様であり、例えば第6図に示す如くで
ある。即ち、磁界の強さ零の点近傍において(1召界を
一方向に変化さセるとポール電圧を一方向の変化として
とり出し得る。
のホール素子と同様であり、例えば第6図に示す如くで
ある。即ち、磁界の強さ零の点近傍において(1召界を
一方向に変化さセるとポール電圧を一方向の変化として
とり出し得る。
このように構成されたヘッドにはテープ・lの(磁性体
(例えばN極)−コア12b−プレーナ・ホール素子1
4−コア12a−テープ4の磁性体(S極)なる磁路が
形成され、プレーナ・ポール索子】4は記録信号に応じ
て磁化された磁性体による浮遊磁場の垂直成分の大きさ
に応じ°Cホール電圧を発生し、このホール電圧が出力
端子15a’ 、 15b’よりとり出される。この場
合、コア12a 、 12b間には(7) プレーナ・ホール素子14の磁路に電流が流されている
。
(例えばN極)−コア12b−プレーナ・ホール素子1
4−コア12a−テープ4の磁性体(S極)なる磁路が
形成され、プレーナ・ポール索子】4は記録信号に応じ
て磁化された磁性体による浮遊磁場の垂直成分の大きさ
に応じ°Cホール電圧を発生し、このホール電圧が出力
端子15a’ 、 15b’よりとり出される。この場
合、コア12a 、 12b間には(7) プレーナ・ホール素子14の磁路に電流が流されている
。
なお、テープ4の走行方向人吉直角方向の磁化の強さは
同じであるので、コア12a 、 12b’が方向Aと
直角方向にずれて構成されていてもコア12b′から距
離り離れた真後にコア12aが存在するのと略同じであ
り、コア12aの上端面及びコア12b′の下端面との
間の距離dなるギャップをもつ磁気ヘッドが構成された
のと略同じである。
同じであるので、コア12a 、 12b’が方向Aと
直角方向にずれて構成されていてもコア12b′から距
離り離れた真後にコア12aが存在するのと略同じであ
り、コア12aの上端面及びコア12b′の下端面との
間の距離dなるギャップをもつ磁気ヘッドが構成された
のと略同じである。
このように1単に、基板11の表面にコア12a。
12b、プレーナ・ホール素子14を略同一平面状にパ
ターニングしただけの簡単な構成であるため、第2図に
示す如き数層積層したものに比して製造工数が少なく、
又、薄形に構成し得、しかも、プレーナ・ホール素子1
4はテープ摺動面13にないために第1図示のものの如
き摩耗の虞れはない。
ターニングしただけの簡単な構成であるため、第2図に
示す如き数層積層したものに比して製造工数が少なく、
又、薄形に構成し得、しかも、プレーナ・ホール素子1
4はテープ摺動面13にないために第1図示のものの如
き摩耗の虞れはない。
又、ホール素子は第6図に示す如<、?fB界零の近傍
の磁界変化を正及び負のホール電圧変化としてとり出し
得るので、磁界零の点を動作点として(8) 用い得、MR累素子用いた薄膜磁気ヘッドの如きバイア
ス磁界をかける必要がない。
の磁界変化を正及び負のホール電圧変化としてとり出し
得るので、磁界零の点を動作点として(8) 用い得、MR累素子用いた薄膜磁気ヘッドの如きバイア
ス磁界をかける必要がない。
なお、第4図に示す如き構成のコア及びプレーナ・ホー
ル素子の組を、その磁路がテープ4の走行方向Aと直角
をなす方向に複数組形成されるように配設すれば、多チ
ャンネル磁気ヘッドとして用い得る。
ル素子の組を、その磁路がテープ4の走行方向Aと直角
をなす方向に複数組形成されるように配設すれば、多チ
ャンネル磁気ヘッドとして用い得る。
上述の如く、本発明になる薄膜磁気ヘッドは、基板上に
略同一平面状に磁気コア及びプレーナ・ホール素子を薄
膜状に配設してこの基板の平面と直角をなす面における
このコアの夫々の端部及び基板の端部を面一として磁気
テープ摺動面とし、2個のコアをプレーナ・ポール素子
を介して接続してこれらにて形成される略平面状磁路を
少なくとも1組設け、磁路において隣り合うコアのテー
プ摺動面となる端部を基板の平面と直角をなす方向にず
らして設けたため、単に、基板の表面にコアやプレーナ
・ホール素子を略同一平面状にパターニングするだけの
少ない工程で製造し得、基板上にコア、非aH性材、M
R素子、絶縁膜等を積層(9) した従来のものに比してパターニング工程が少なくて済
み、又、この従来のものに比して薄形に構成でき、更に
、プレーナ・ポール素子を用いているためにバイアス磁
界をかけないでも出力電圧を得ることができ、Ml’L
素子を甲いたものに出し、てバイアス磁界の発生源が不
必要なために装置を小形に構成し得、しかも、バイアス
点の調整作業がいらず、特1こ多チャンネルの磁気ヘッ
ドを作成し易い等の特長を有する。
略同一平面状に磁気コア及びプレーナ・ホール素子を薄
膜状に配設してこの基板の平面と直角をなす面における
このコアの夫々の端部及び基板の端部を面一として磁気
テープ摺動面とし、2個のコアをプレーナ・ポール素子
を介して接続してこれらにて形成される略平面状磁路を
少なくとも1組設け、磁路において隣り合うコアのテー
プ摺動面となる端部を基板の平面と直角をなす方向にず
らして設けたため、単に、基板の表面にコアやプレーナ
・ホール素子を略同一平面状にパターニングするだけの
少ない工程で製造し得、基板上にコア、非aH性材、M
R素子、絶縁膜等を積層(9) した従来のものに比してパターニング工程が少なくて済
み、又、この従来のものに比して薄形に構成でき、更に
、プレーナ・ポール素子を用いているためにバイアス磁
界をかけないでも出力電圧を得ることができ、Ml’L
素子を甲いたものに出し、てバイアス磁界の発生源が不
必要なために装置を小形に構成し得、しかも、バイアス
点の調整作業がいらず、特1こ多チャンネルの磁気ヘッ
ドを作成し易い等の特長を有する。
第1図及び第2図は従来磁気ヘッドの各側の斜視図、第
3図は磁気抵抗効果素子の特性図、第4図及び第5図は
夫々本発明磁気ヘッドの一実施例の斜視図及びその一部
横断面図、@6図はプレーナ・ホール素子の特性図であ
る。 4・拳−磁気テープ、11−・カラス基板、111)・
・・突部、12a 、 12a’ 、 i21〕、 1
21)’ arm 磁気コア、13−−@テープ摺動面
、14−1l◆プレーナ・ホール素子、1.5a 、
151) am−ホール電極、15a’ 、 15b’
拳・・出力端子。 (10)
3図は磁気抵抗効果素子の特性図、第4図及び第5図は
夫々本発明磁気ヘッドの一実施例の斜視図及びその一部
横断面図、@6図はプレーナ・ホール素子の特性図であ
る。 4・拳−磁気テープ、11−・カラス基板、111)・
・・突部、12a 、 12a’ 、 i21〕、 1
21)’ arm 磁気コア、13−−@テープ摺動面
、14−1l◆プレーナ・ホール素子、1.5a 、
151) am−ホール電極、15a’ 、 15b’
拳・・出力端子。 (10)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (I)基板上略同一平面状に磁気コア及びプレーナ・ホ
ール素子を薄膜状に配設して該基板の平面と直角をなす
面における該コアの夫々の端部及び該基板の端部を面一
として磁気テープ摺動面とし、2個の該コアを該プレー
ナ・ホール素子を介して接続してこれらにて形成される
略平面状磁路を少なくとも1組設け、該磁路における隣
り合うコアの磁気テープ摺動面となる端部を該基板の平
面と直角をなす方向にずらして設けてなることを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。 (2)該磁気コアを、該磁路が磁気テープ走行方向と直
角をなす方向に複数組形成されるように配設してなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜磁気ヘ
ッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14079981A JPS5845620A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14079981A JPS5845620A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5845620A true JPS5845620A (ja) | 1983-03-16 |
Family
ID=15277006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14079981A Pending JPS5845620A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5845620A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0335360U (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-05 |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP14079981A patent/JPS5845620A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0335360U (ja) * | 1989-08-17 | 1991-04-05 |
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