JPS5846086A - ピリドピリミジン誘導体の製造法 - Google Patents
ピリドピリミジン誘導体の製造法Info
- Publication number
- JPS5846086A JPS5846086A JP56144011A JP14401181A JPS5846086A JP S5846086 A JPS5846086 A JP S5846086A JP 56144011 A JP56144011 A JP 56144011A JP 14401181 A JP14401181 A JP 14401181A JP S5846086 A JPS5846086 A JP S5846086A
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- Japan
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- acid
- lower alkyl
- group
- reaction
- alkyl group
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般式
（式中、Ｒ５は低級アルキル基を Ｒ５は水素原子また
は低級アルキル基を示す）で表わされるピリドピリミジ
ンあ導体の製造法に関する。
は低級アルキル基を示す）で表わされるピリドピリミジ
ンあ導体の製造法に関する。
医薬品として有用な前記の式（１’）で示されるピリド
ピリミジン誘導体の製造法に関してはすでにいくつかの
方法がある。例えば、式（１）のピペラジン部分に特定
の保護基をつけた構造の前駆体を製造した後、該保護基
を、施水分解や加水素分解によってとりはずす方法が特
開昭４９−８２６９６号において提案されている。この
提案によれば、加水素分解による方法では、危険性の多
い水素ガスを使用することや水素化触媒の使用とその除
去が煩雑であることなどの欠点があり、加水分解による
方法では、保護基の脱離と同時に６位のアルコキシカル
ボニル基チ加水分解する副反応を伴うなどの諸欠点を有
している。
ピリミジン誘導体の製造法に関してはすでにいくつかの
方法がある。例えば、式（１）のピペラジン部分に特定
の保護基をつけた構造の前駆体を製造した後、該保護基
を、施水分解や加水素分解によってとりはずす方法が特
開昭４９−８２６９６号において提案されている。この
提案によれば、加水素分解による方法では、危険性の多
い水素ガスを使用することや水素化触媒の使用とその除
去が煩雑であることなどの欠点があり、加水分解による
方法では、保護基の脱離と同時に６位のアルコキシカル
ボニル基チ加水分解する副反応を伴うなどの諸欠点を有
している。
本発明は、その製造が安価かつ容易であり、しかも前記
提案のものと異なる保護基を有する前駆体を、前記提案
と異なる反応形式によって該保護基を選択的に脱離せし
めて目的化合物〔Ｉ〕を製造する方法を提供するもので
ある０すなわち本発明は、一般式 （式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ、水素又は低級アルキル
基を示すか、あるいは、互いに連結されて炭素数３又は
４のアルキレン基を示し、Ｒ３は、低級アルキル基を〜
Ｒ４は、水素又は低級アルキル基を１Ｘは一カルボキシ
ル基−アルコキレヵルボニル基又はシアノ基を示す）で
表わされるピリドピリミジン誘導体を、加熱下及び／又
は階の存在下に反応せしめることを特徴とする一般式 （式中、Ｒ３は前記と同じ、Ｒ５は水素又は低級アルキ
ル基を示す）で表わされるピリドピリミジン誘導体の製
造法である。
提案のものと異なる保護基を有する前駆体を、前記提案
と異なる反応形式によって該保護基を選択的に脱離せし
めて目的化合物〔Ｉ〕を製造する方法を提供するもので
ある０すなわち本発明は、一般式 （式中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ、水素又は低級アルキル
基を示すか、あるいは、互いに連結されて炭素数３又は
４のアルキレン基を示し、Ｒ３は、低級アルキル基を〜
Ｒ４は、水素又は低級アルキル基を１Ｘは一カルボキシ
ル基−アルコキレヵルボニル基又はシアノ基を示す）で
表わされるピリドピリミジン誘導体を、加熱下及び／又
は階の存在下に反応せしめることを特徴とする一般式 （式中、Ｒ３は前記と同じ、Ｒ５は水素又は低級アルキ
ル基を示す）で表わされるピリドピリミジン誘導体の製
造法である。
前記（１）式中 １１、Ｒ２としては、具体的には互い
に連結されたアルキレン基を例示することができる。ま
た、Ｒ３は低級アルキル基、好ましくは炭素数１ないし
６のアルキル基、特に好ましくはエチル基である。ざら
に Ｒ４は水素原子または低級アルキル基を示し、好ま
しくは水素原子または炭素ｌｉ！１ないし６のアルキル
基、特に好ましくは水素原子である。またＸはシアノ基
またはＲ６−０−０〜基（ただし、Ｒ６は水素原子また
は炭素数１ないし６のアルキル基を示す）を示し、好ま
しくはシアノ基又はＲ６−０−、Ｏ−基であり、特に好
前記一般式（１）の化合物を加熱及び又は醗触媒の作用
により一般式（１）の化合物へ変換する際に、無溶媒ま
たは例えけスルホラン、ジメチルスルホキシド、ジメチ
ルホルムアミドなどの非プロトン性極性溶媒、キシレン
など炭化水素類、ジクロルベンゼン、テトラクロルエタ
ンなどのハロゲン化炭化水素類のように出発物質と生成
物の両方に対して化学的に安定な高沸点溶媒を共存させ
て反応することもできる。反応温度は、単に加熱によっ
て反応を行う場合は、１００℃ないし３００℃、とくに
１５０℃ないし２５０℃の範囲が適当である。反応時の
圧力にとくに制限はないが、迩常、大気圧から１０″′
″３ｍｍＨｇ程度の範囲、とくに１ないし３００ｍｍＨ
ｇ程度の減圧状態とするのが好ましい。
に連結されたアルキレン基を例示することができる。ま
た、Ｒ３は低級アルキル基、好ましくは炭素数１ないし
６のアルキル基、特に好ましくはエチル基である。ざら
に Ｒ４は水素原子または低級アルキル基を示し、好ま
しくは水素原子または炭素ｌｉ！１ないし６のアルキル
基、特に好ましくは水素原子である。またＸはシアノ基
またはＲ６−０−０〜基（ただし、Ｒ６は水素原子また
は炭素数１ないし６のアルキル基を示す）を示し、好ま
しくはシアノ基又はＲ６−０−、Ｏ−基であり、特に好
前記一般式（１）の化合物を加熱及び又は醗触媒の作用
により一般式（１）の化合物へ変換する際に、無溶媒ま
たは例えけスルホラン、ジメチルスルホキシド、ジメチ
ルホルムアミドなどの非プロトン性極性溶媒、キシレン
など炭化水素類、ジクロルベンゼン、テトラクロルエタ
ンなどのハロゲン化炭化水素類のように出発物質と生成
物の両方に対して化学的に安定な高沸点溶媒を共存させ
て反応することもできる。反応温度は、単に加熱によっ
て反応を行う場合は、１００℃ないし３００℃、とくに
１５０℃ないし２５０℃の範囲が適当である。反応時の
圧力にとくに制限はないが、迩常、大気圧から１０″′
″３ｍｍＨｇ程度の範囲、とくに１ないし３００ｍｍＨ
ｇ程度の減圧状態とするのが好ましい。
反応は１化合物〔厘〕を上記の如き条件で単に加熱する
のみでも行うことができるが、酸を存在させることによ
り、さらに温和な条件で行うことができる。酸の存在下
で反応させる場合は、酸として硫酸、塩酸、リン酸など
の鉱酸を使用することが好ましい。酸の量は式〔璽〕の
化合物に対して１ないし１０００モルパーセント、とく
に１０ないし１．００モルパーセントの範囲が適当であ
る。反応におい、て、酸を用いる場合は、反応温度５０
℃ないし２５０℃、特に１５０℃ないし２００℃の範囲
が適当である。
のみでも行うことができるが、酸を存在させることによ
り、さらに温和な条件で行うことができる。酸の存在下
で反応させる場合は、酸として硫酸、塩酸、リン酸など
の鉱酸を使用することが好ましい。酸の量は式〔璽〕の
化合物に対して１ないし１０００モルパーセント、とく
に１０ないし１．００モルパーセントの範囲が適当であ
る。反応におい、て、酸を用いる場合は、反応温度５０
℃ないし２５０℃、特に１５０℃ないし２００℃の範囲
が適当である。
次に、実施例により説明する。
実施例１
５０ ｍｌフラスコに２−（４−β−エトキシカルボニ
ル−１−ピペラジニル）−５−オキソ−８−エチル−５
，８−ジヒドロピリド（２，３−４）ピリミジン−６−
カル □ボン酸１０１ ｍｇ （０，２５ｍｍｏｌ ）
を入れ、２ ｍｍＨｇの減圧下に１５０℃で２０分間、
１７５℃で２０分間、次いで２００℃で３０分間加熱し
た。残金およびフラスコ壁に付着した生成物を水洗後、
ジメチルホルムアミドより再結晶して、２−ピペラジニ
ル−５−オキソ−８−エチル−５，８−ジヒドロピリド
（２，３−４）ピリミジン−６−カルボン酸を３３ｍｇ
得た。どのものの融点は２５１℃から２５３℃であった
。
ル−１−ピペラジニル）−５−オキソ−８−エチル−５
，８−ジヒドロピリド（２，３−４）ピリミジン−６−
カル □ボン酸１０１ ｍｇ （０，２５ｍｍｏｌ ）
を入れ、２ ｍｍＨｇの減圧下に１５０℃で２０分間、
１７５℃で２０分間、次いで２００℃で３０分間加熱し
た。残金およびフラスコ壁に付着した生成物を水洗後、
ジメチルホルムアミドより再結晶して、２−ピペラジニ
ル−５−オキソ−８−エチル−５，８−ジヒドロピリド
（２，３−４）ピリミジン−６−カルボン酸を３３ｍｇ
得た。どのものの融点は２５１℃から２５３℃であった
。
実施例２
ｓ ｏ ｍｌｌニップラスコに硫酸１０ｔｌｔｇ％スル
ホラン２．５ｍＪおよび２−（４−β−エトキシカルボ
ニル−１−ピペラジニル）−５−オキソ−８−エチル−
５＃８−ジヒドロピリド（２，３−４）ピリミジン−６
−カルボン酸４０１１ｇを入れ、２０’０℃で５時間攪
拌した。反応混合物を室温に冷却後、水５０ｍＪ中に入
れ、１Ｈ水讃化ナトリウム水溶液でｐＨ１１としたのち
、トルエンで洗浄してスルホランを除去した。そのアル
カリ水溶液を酢酸により酸性（ｐＨ，６）にした後、沈
殿物をｐ取し水洗した。沈殿物をジメチルホルムアミド
から再結晶することにより２−ピペラジニル−５−オキ
ソ−８−エチル−５，８−ジヒドロピリド（２，３−１
１）ピリミジン−６−カルボン酸が１５ｍｇ得られた。
ホラン２．５ｍＪおよび２−（４−β−エトキシカルボ
ニル−１−ピペラジニル）−５−オキソ−８−エチル−
５＃８−ジヒドロピリド（２，３−４）ピリミジン−６
−カルボン酸４０１１ｇを入れ、２０’０℃で５時間攪
拌した。反応混合物を室温に冷却後、水５０ｍＪ中に入
れ、１Ｈ水讃化ナトリウム水溶液でｐＨ１１としたのち
、トルエンで洗浄してスルホランを除去した。そのアル
カリ水溶液を酢酸により酸性（ｐＨ，６）にした後、沈
殿物をｐ取し水洗した。沈殿物をジメチルホルムアミド
から再結晶することにより２−ピペラジニル−５−オキ
ソ−８−エチル−５，８−ジヒドロピリド（２，３−１
１）ピリミジン−６−カルボン酸が１５ｍｇ得られた。
実施例５
３０ｖａｌニツロフラスコにスルホラン４”ｌｓ硫酸７
０ｍｇ５２−Ｃ４−１−ヒドロキシカルボ＝ルー１−ピ
ペラジニル）−５−オキソ−８−エチル−５，８−ジヒ
ドロピリド（２，５−４）ピリミジン−６−カルボン酸
２６５１１ｇ（０−７１ｍｍｏｌ）を入れ、１５０℃で
３時間、次いで１８０℃で３時間攪拌した。反応混合物
から減圧下にスルホランを除去し、残った褐色残金を水
５０ｍＪに溶解させて、ＩＮ水酸化ナトリウム水溶液で
ｐＨ１１とした。この溶液を酢酸で中和してｌ１１６に
し起後に、沈殿物をｐ取し水洗した。沈殿物をジメチル
ホルムアミドから再結晶して、２−ピペラジニル−５−
オキソ−８−エチル−５，８−ジヒドロピリド（２，３
−＜Ｌ）ピリミジン−６−カルボン９１４６ｍｇを得た
。
０ｍｇ５２−Ｃ４−１−ヒドロキシカルボ＝ルー１−ピ
ペラジニル）−５−オキソ−８−エチル−５，８−ジヒ
ドロピリド（２，５−４）ピリミジン−６−カルボン酸
２６５１１ｇ（０−７１ｍｍｏｌ）を入れ、１５０℃で
３時間、次いで１８０℃で３時間攪拌した。反応混合物
から減圧下にスルホランを除去し、残った褐色残金を水
５０ｍＪに溶解させて、ＩＮ水酸化ナトリウム水溶液で
ｐＨ１１とした。この溶液を酢酸で中和してｌ１１６に
し起後に、沈殿物をｐ取し水洗した。沈殿物をジメチル
ホルムアミドから再結晶して、２−ピペラジニル−５−
オキソ−８−エチル−５，８−ジヒドロピリド（２，３
−＜Ｌ）ピリミジン−６−カルボン９１４６ｍｇを得た
。
出願人 三井百油化学工業株式会社
代理人 山 口 和
Claims (1)
- （１）一般式 （式中 Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ、水素又は低級アルキル
基を示すか、あるいは互いに連結されて炭素数３又は４
のアルキレン基を示し、Ｒ３は、低級アルキル基を １
４は、水素又は低級アルキル基を、Ｘは、カルボキシル
基１アルコキシカルボニル基又はシアノ基を示す。）で
表わされるピリドピリミジン誘導体を、加熱下及び／又
は酸の存在下に反応せしめることを特徴とする一般式 （式中、Ｒ３は前記と同じ、Ｒ５は水素又は低級アルキ
ル基を示す）で表わされるピリドピリミジン誘導体の製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144011A JPS5846086A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | ピリドピリミジン誘導体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56144011A JPS5846086A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | ピリドピリミジン誘導体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846086A true JPS5846086A (ja) | 1983-03-17 |
Family
ID=15352239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56144011A Pending JPS5846086A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | ピリドピリミジン誘導体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846086A (ja) |
-
1981
- 1981-09-14 JP JP56144011A patent/JPS5846086A/ja active Pending
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