JPS5846497B2 - １ ４− ビス − （ ４’− チカンアンソクコウサン ）− メチルヒドロキノンエステルノ セイゾウホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は融点以上の温度に於て、負の誘電異方性を有す
るネマチック液晶状態を呈する新規な有機化合物の製造
法に関する。

負の誘電異方性を有するネマチック液晶は、垂直に配向
した液晶セルに電圧を印加することにより、液晶分子の
配向が乱れ光散乱を起すことを利用した表示装置に利用
される。

液晶表示装置に使用される有機化合物はネマチック状態
になければならないので、特に恒温装置を設けない自然
環境下の温度で液晶表示装置を使用するためには、液晶
物質のネマチック温度範囲が広いことが実用上要求され
る。

しかるに単独の化合物でこの様な要求を満たすものは今
のところなく、従って実用に供し得るものは数種の化合
物よりなる組成物である。

そして広いネマチック温度範囲を有する液晶組成物を構
成する化合物の各々は適当な温度域と、なるべく広いネ
マチック温度範囲を有することが要求される。

一般に負の誘電異方性を有する単一化合物のネマチック
温度範囲は比較的広いものでも５０℃にわたる程度であ
って、１００℃にわたるものは例外的ということが出来
よう。

この例外的に広いネマチック温度範囲を示すものの例は
下記に示す（）−合物又はその類似化合物である。

本発明の目的は、単一化合物であって広いネマチック温
度範囲と負の誘電異方性を持つ新規なネマチック液晶化
合物及びその製造方法を提供することである。

→（本発明者らは
前記目的に使用可能な広いネマチック温度範囲を有する
化合物を探索した結果、次式（Ｉ）で示される化合物が
より広いネマチック温度範囲を有することを見出し本発
明に到達した。

（式中Ｒは炭素数３〜９の直鎖アルキル基を示す） 即ち、本発明は４−アシルオキシ安息香酸をその酸塩化
物を経てメチルヒドロキノンと縮合させることを特徴と
する（Ｉ）式で表わされる１、４−ビス−（４′−アシ
ルオキシ安息香酸）−メチルヒドロキノンエステルの製
造法に関する。

これ等は新規な化合物であり、ネマチック液晶として非
常に有用なものである。

本発明に使用する４−アシルオキシ安息香酸は公知方法
によって製造されたものを精製して使用する。

又本発明に使用するメチルヒドロキノンは公知の方法に
よって製造したもの、もしくは市販品を精製して使用す
ることが出来る。

４−アシルオキシ安息香酸とメチルヒドロキノンとのエ
ステルを得るには、まず４−アシルオキシ安息香酸の酸
塩化物をつくり、それをメチルヒドロキノンと反応させ
る。

この反応力法について更にくわしく述べるとまず４−ア
シルオキシ安息香酸の一定量に当モル以上、好ましくは
１．２〜１．５モル当量の塩化チオニルを加え、一定時
間還流下に加熱して酸塩化物とし、過剰の塩化チオニル
を減圧下で留去後、適当な不活性溶媒（例えばベンゼン
、トルエン等）を加え、溶解希釈する。

この酸塩化物の１モル当量のメチルヒドロキノン（精製
品が好ましい）を室温で溶解可能な量の数倍量のピリジ
ンに溶解した冷溶液を用意し、これに先の酸塩化物の不
活性溶液を攪拌下に滴下し、更に１時間程度ゆるやかに
加熱するっベンゼンのような不活性溶媒を用いた場合に
は還流により反応物の温度が一定に保たれるので好都合
である。

反応終了後、反応物は冷水に注ぎ出し、不活性溶媒の適
当量を追加後、水層を分離し、希塩酸、６Ｎの苛性ソー
ダ水溶液、水の順で洗浄する。

次いで不活性溶媒を留去後、適当な再結晶用溶媒（例エ
バトルエン、ベンゼン、エタノール等）ヲ用いて精製す
ると無色の結晶である１、４−ビス（４／−アシルオキ
シ安息香酸）−メチルヒドロキノンエステル、即ち化合
物（Ｉ）を得る。

化合物（Ｉ）の融点は１４０℃前後で、かつネマチック
温度範囲は広く１００℃以上にわたる（前記公知の化合
物のそれはいずれも１００℃以下）。

この様に化合物（Ｉ）は広いネマチック温度範囲を有し
ているので、他の負の誘電異方性を有する液晶化合物の
混合物に加えて、そのネマチック温度範囲を広くするこ
とにより動散乱型液晶表示に利用出来るばかりでなく、
正の誘電異方性を有する液晶組成物に加え、その液晶組
成物のネマチック温度範囲を広げることにより電界効果
型液晶表示にも利用出来る。

以下実施例及び応用例によって、本発明の実施の態様及
びその効果について更にくわしく述べる。

実施例 １ １．４−ビス−（４′−ブチリルオキシ安息香酸ニーメ
チルヒドロキノンエステル（（■）式に於いてＲ−Ｃ３
Ｈ７の場合）の製造。

４−ブチリルオキシ安息香酸２０．８ 、Ｆ （０，１
モル）を３００１ｒＬｌのナス型フラスコに入れ、塩化
チオニル１４．３．Ｆ（０，１２モル）を加え、マント
ルヒーター上で軽く１〜２時間還流する。

終了後減圧にして過剰の塩化チオニルを留去してからベ
ン七゛ンを３０縦加える。

一方２００ｍ１のフラスコにメチルヒドロキノン６．４
ｇ（０，０５モル）をピリジン１６ｍ１（０，２モル
）に溶かし、それに上記の酸塩化物の溶液を冷しながら
徐々に加える。

これを約２時間ウオターバスで加温した後に氷水中に注
ぎ込み、更にベンゼンを加え、希塩酸、６Ｎ苛性ソーダ
水溶液、水の順で洗浄後ベンゼンを留去し、残った結晶
物をベンゼンで再結晶して無色の結晶１７．９＆を得た
（収率７１．０％）。

この結晶即ち１，４−ビス−（４′−ブチリルオキシ安
息香酸）−メチルヒドロキノンは１３３〜２５０℃の広
い範囲（温度内１１７°Ｃ）でネマチック液晶状態を呈
した。

又、その元素分析値は次の如くで、その赤外線吸収スペ
クトルは第１図に示す。

実施例 ２ １．４−ビス−（４′−オクタノイルオキシ安息香酸）
−メチルヒドロキノンエステル（（Ｉ）式に於てＲ＝Ｃ
７Ｈ１，の場合）の製造。

上記実施例１に於て４−ブチリルオキシ安息香酸の代り
に４−オクタノイルオキシ安息香酸２６．４．９（０，
１モル）を使用する以外は全く同様の方法で無色の結晶
４６．４ｇを得た（収率７５．２％）。

この化合物即ち１，４−ビス−（４′−オクタノイルオ
キシ安息香酸）−メチルヒドロキノンエステルは１４１
〜２４３°Ｃの間（温度内１０２００）で液晶状態を呈
した。

又、その元素分析値は次の如くであった。

ｐ−メトキシベンジリデン−ｐ′−ｎ−ブチルアニリン
とｐ−エトキシベンジリデン−ｐ′−ｎ−ブチルアニリ
ンの３＝２（モル比）混合物のネマチック温度範囲は一
１０〜５６℃であるが、この混合物に実施例１で得られ
た１、４−ビス−（４′−ブチリルオキシ安息香酸）−
メチルヒドロキノンエステルを３重量係加えることによ
り、ネマチック温度範囲を一５〜６５℃にすることが出
来た。

この混合液晶を酸化インジュウム透明電極２枚を用いて
組立てた垂直に配向した液晶セルに封入して、動散乱型
液晶装置を作ることが出来た。

応用例 ２ ｐｎ−ブチル安息香酸−ｐｎ−へキシルオキシフェニル
エステルとｐ−アニス酸−ｐ’−へブチルフェニルエス
テルとの１：１（モル比）混合物は０〜４６℃のネマチ
ック温度範囲を持つが、この混合物に実施例１で得られ
た１、４−ビス−（４′−ブチリルオキシ安息香酸）−
メチルヒドロキノンエステルを３重量俤加えることによ
り、−２〜５３℃のネマチック温度範囲にすることが出
来、応用例１と同様に動散乱型液晶装置を作ることが出
来た。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１で得られた本発明の化合物（（Ｉ）式
でＲ＝Ｃ３Ｈ７のもの）の赤外線吸収スペクトルである
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １４−アシルオキシ安息香酸をその酸塩化物を経てメチ
   ルヒドロキノンと縮合させることを特徴とする一般式 （但し、上式中Ｒは炭素数３〜９の直鎖のアルキル基を
   示す） で表わされる１、４−ビス−（４′−アシルオキシ安息
   香酸）−メチルヒドロキノンエステルの製造法。