JPS5846550A - 酸化物陰極構体の製造方法 - Google Patents
酸化物陰極構体の製造方法Info
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- JPS5846550A JPS5846550A JP14461481A JP14461481A JPS5846550A JP S5846550 A JPS5846550 A JP S5846550A JP 14461481 A JP14461481 A JP 14461481A JP 14461481 A JP14461481 A JP 14461481A JP S5846550 A JPS5846550 A JP S5846550A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子管用陰極構体、特にカラーブラウン管等
の隘極線管Ｉ：使用して好適な長寿命かつ為性能の酸化
物陰極構体の製造法に−する０通常、ｌｌ化物陰極構体
を構成する鯖体金Ｍは、ニッケル（Ｍｌ）を主体として
、還元剤として黴蓋のマグネシウム（Ｍｔ） ｖケイ素
（８１） Ｉアル建ニウム（ム１）、ジルコニウムＣＺ
ｒ） Ｉタング哀テン（Ｗ）を含有せしめたｌｌｉ−Ｍ
ｙ 、ｌＩｉ −８１０Ｍｉ −４−８１゜Ｎ１−ムｊ
ｅｌｉｉ−１，）Ｉｉ−ムｊ Ｗ 、 Ｍｉ−
Ｗ−Ｎ７゜Ｍｉ −Ｚｒ等の合金が使用される。この合
金Ｃ二より構成された基体金属Ｆｉ、 陰極スリーブの
先端に同定され、かつ、この基体金属上には、バリウム
（Ｂ、）。
の隘極線管Ｉ：使用して好適な長寿命かつ為性能の酸化
物陰極構体の製造法に−する０通常、ｌｌ化物陰極構体
を構成する鯖体金Ｍは、ニッケル（Ｍｌ）を主体として
、還元剤として黴蓋のマグネシウム（Ｍｔ） ｖケイ素
（８１） Ｉアル建ニウム（ム１）、ジルコニウムＣＺ
ｒ） Ｉタング哀テン（Ｗ）を含有せしめたｌｌｉ−Ｍ
ｙ 、ｌＩｉ −８１０Ｍｉ −４−８１゜Ｎ１−ムｊ
ｅｌｉｉ−１，）Ｉｉ−ムｊ Ｗ 、 Ｍｉ−
Ｗ−Ｎ７゜Ｍｉ −Ｚｒ等の合金が使用される。この合
金Ｃ二より構成された基体金属Ｆｉ、 陰極スリーブの
先端に同定され、かつ、この基体金属上には、バリウム
（Ｂ、）。
ストロンチウム（ｓｒ） ＊カルシウム（０，）等のア
ルカリ土類金属炭酸塩（Ｂａ、 ８ｒ＋ ｃａ）ｃｏｇ
が塗布され、この炭酸塩は、カラーテレビジョン受像管
等Ｃ二組み込まれた後、真空中で所定の温度Ｉ：加熱す
るこ 。
ルカリ土類金属炭酸塩（Ｂａ、 ８ｒ＋ ｃａ）ｃｏｇ
が塗布され、この炭酸塩は、カラーテレビジョン受像管
等Ｃ二組み込まれた後、真空中で所定の温度Ｉ：加熱す
るこ 。
とＣ二より、アルカリ土類金属酸化物（Ｂａ Ｉ Ｂ
ｒ＋ Ｏａ ）ＯＩ：分解される。このアルカリ土類金
属酸化物のうちＢａＯが電子放射に最も寄与する。
ｒ＋ Ｏａ ）ＯＩ：分解される。このアルカリ土類金
属酸化物のうちＢａＯが電子放射に最も寄与する。
このＢａＯなる酸化物は酸化物陰極の動作中に基体金属
中を拡゛散してくる上述し九Ｍｙ＊ ８１．ム４ Ｚｒ
ｗ Ｗ郷の還元剤により、基体金属と酸化物の境界で還
元され、例えばＭｔを還元剤として用いた場合、次式の
反応Ｉ：より電子放射の原因となる遊離Ｂ４が形成され
る。
中を拡゛散してくる上述し九Ｍｙ＊ ８１．ム４ Ｚｒ
ｗ Ｗ郷の還元剤により、基体金属と酸化物の境界で還
元され、例えばＭｔを還元剤として用いた場合、次式の
反応Ｉ：より電子放射の原因となる遊離Ｂ４が形成され
る。
Ｂａ０（ｓ） ＋ ＭＩｔ（ｉｎ Ｎｉ）→Ｂ’（１ｎ
Ｂａｄ） ” ＭｙＯ（＠）−−−−（１） 従ってかような飯化＊陰極においては、上述した様に還
元剤と電子放射物質である酸化物との反応が基体金属と
酸化物との界面で進行する為、好むと好まざるに拘らず
、両者の中間に中間層と絆ばれる化合物層を形成する。
Ｂａｄ） ” ＭｙＯ（＠）−−−−（１） 従ってかような飯化＊陰極においては、上述した様に還
元剤と電子放射物質である酸化物との反応が基体金属と
酸化物との界面で進行する為、好むと好まざるに拘らず
、両者の中間に中間層と絆ばれる化合物層を形成する。
さて最近特にテレビジョン受ｇ＃管ｌ二対［７て超連動
化、高精細度化、高輝度化等の嶽求がなきれ、酸化物陰
極の高性能化が望まれている。この様な要求を満たす１
つの方向として基体金属の薄肉化、還元剤の添加量の増
量が検討されてきたが、上述してきた様な中間層を有す
る酸化ｖ！Ｊ陰極ではその反応に限界があった。
化、高精細度化、高輝度化等の嶽求がなきれ、酸化物陰
極の高性能化が望まれている。この様な要求を満たす１
つの方向として基体金属の薄肉化、還元剤の添加量の増
量が検討されてきたが、上述してきた様な中間層を有す
る酸化ｖ！Ｊ陰極ではその反応に限界があった。
しかしながら、本発明者らは酸イＬ物＠極孔関する幾つ
かの詳細な研究の結果、（１）電子放射物質からの酸車
の解離反応と、この酸素と還元剤との反応の場所（サイ
ト）を分離させることが可能であること、さらに（１１
）両反応サイトの間に＃素および還元剤の拡＃（：対す
る制御層を形成し得ることを見出した。
かの詳細な研究の結果、（１）電子放射物質からの酸車
の解離反応と、この酸素と還元剤との反応の場所（サイ
ト）を分離させることが可能であること、さらに（１１
）両反応サイトの間に＃素および還元剤の拡＃（：対す
る制御層を形成し得ることを見出した。
本発明者らは、以上の発見≦二基づき＃１１図あるいは
第２図に示したような断面構造を有する基体金属を用い
皮酸化物陰極構体を作成し、力２−ブラウン管に電子銃
として組込んでエミッション寿命試験を実施し好結果を
得た。
第２図に示したような断面構造を有する基体金属を用い
皮酸化物陰極構体を作成し、力２−ブラウン管に電子銃
として組込んでエミッション寿命試験を実施し好結果を
得た。
第１図Ｃ二おいて（ロ）は電子放出物質、（胸は基体金
属であり、（Ｅｌは還元剤の酸化物粒子である。この−
１；示した還元剤の酸化物粒子の分布状態は光学顯黴鏡
およびＩＰＭＡによって観察される。陰極基体（ロ）内
で酸化物粒子（至）が存在する領域においては還元剤は
すべてこの酸化物粒子ａｓｊとなっており実負的には無
還元剤領域を形成している。このような断面構造を有す
るｌ！１１極基体は例えば次のようにして作製【７た０
すなわち微量の還元剤を含有するＭ１基合金製の薄板（
例えば犀さ１５０．ａｍ ）をＣＯと００３との混合気
体・（・分圧比１ ： ２０ ）の気流中で１０００℃
、１時間保持することによって内部酸化処理を施し、所
望の断面構造を得た後、円板に打抜いて基体金属として
用いる方法である。
属であり、（Ｅｌは還元剤の酸化物粒子である。この−
１；示した還元剤の酸化物粒子の分布状態は光学顯黴鏡
およびＩＰＭＡによって観察される。陰極基体（ロ）内
で酸化物粒子（至）が存在する領域においては還元剤は
すべてこの酸化物粒子ａｓｊとなっており実負的には無
還元剤領域を形成している。このような断面構造を有す
るｌ！１１極基体は例えば次のようにして作製【７た０
すなわち微量の還元剤を含有するＭ１基合金製の薄板（
例えば犀さ１５０．ａｍ ）をＣＯと００３との混合気
体・（・分圧比１ ： ２０ ）の気流中で１０００℃
、１時間保持することによって内部酸化処理を施し、所
望の断面構造を得た後、円板に打抜いて基体金属として
用いる方法である。
第１図に示したような構造を有する酸化物陰極構体では
、陰極製造工程及び陰Ｔ＃、動作時におけるＭ２Ｃ剤の
酸化反応が陰極基体の内部でおこることを見出した。す
なわち陰極製造工程において電子放出物質は通常、アル
カリ土類金屑の炭酸塩の形で塗布される。その後、例え
はカラーブラウン管の電子ｆｌ−組込まれて、排気工性
で加熱され炭酸塩から酸化物ヘメ分解され、真窒に刺止
される。
、陰極製造工程及び陰Ｔ＃、動作時におけるＭ２Ｃ剤の
酸化反応が陰極基体の内部でおこることを見出した。す
なわち陰極製造工程において電子放出物質は通常、アル
カリ土類金屑の炭酸塩の形で塗布される。その後、例え
はカラーブラウン管の電子ｆｌ−組込まれて、排気工性
で加熱され炭酸塩から酸化物ヘメ分解され、真窒に刺止
される。
この分解反応は例えば（２）式のようＣ：示めされる゛
が、この際Ｃ−発生する００ｇガスの一部は（８１式％
式％（２） ）（３１ せる。本反応（８）は基体金属の表面で生じるもめであ
る。６１述したように基体金属の表面直下灯無還剤領域
であるため、固溶したｒＲ素は基体金属の内、部へ拡散
した後、例えば還元剤がＭ９の場合Ｃｉｊ （４）式≦
２示したような酸化反応を起す。一方酸化物陰極の動作
時においても、電子放出物質の電子放出に寄寿する遊離
Ｂａの生成が、迭の２つの反応に分離して生ずる。ここ
で反応（６）は陰極基体と電子放出物質との界面で生じ
、一方反応（梢は前述したと同様に陰極基体内部で生じ
る。以上のことは陰極基体の断面の金属組織Ｃ一対する
検討で確認した。
が、この際Ｃ−発生する００ｇガスの一部は（８１式％
式％（２） ）（３１ せる。本反応（８）は基体金属の表面で生じるもめであ
る。６１述したように基体金属の表面直下灯無還剤領域
であるため、固溶したｒＲ素は基体金属の内、部へ拡散
した後、例えば還元剤がＭ９の場合Ｃｉｊ （４）式≦
２示したような酸化反応を起す。一方酸化物陰極の動作
時においても、電子放出物質の電子放出に寄寿する遊離
Ｂａの生成が、迭の２つの反応に分離して生ずる。ここ
で反応（６）は陰極基体と電子放出物質との界面で生じ
、一方反応（梢は前述したと同様に陰極基体内部で生じ
る。以上のことは陰極基体の断面の金属組織Ｃ一対する
検討で確認した。
このように炭酸塩の分解時も、陰極動作時も還元剤ａ量
化物は陰極基体内部で生成するため、陰極基体と電子放
出物質との界面Ｃ二、陽極の電子放出特性を損うような
中間層を形成することはない。
化物は陰極基体内部で生成するため、陰極基体と電子放
出物質との界面Ｃ二、陽極の電子放出特性を損うような
中間層を形成することはない。
また無還元剤領域の陰極基体表面からの厚さを規定する
ことで゛酸素の拡散距離をある栓度制御することができ
る。これは（６）式の遊離バリウム生成反応の進行の制
御を可能にするものである。以上勾よう１ニして電子放
出特性の優れた、かつ長寿命の陰極を得る仁とができる
。
ことで゛酸素の拡散距離をある栓度制御することができ
る。これは（６）式の遊離バリウム生成反応の進行の制
御を可能にするものである。以上勾よう１ニして電子放
出特性の優れた、かつ長寿命の陰極を得る仁とができる
。
第２図１−おいて韓）は電子放出物質、−はに極基体、
−は還元剤の酸化物粒子、ｍｔｔ拡散制御層である。こ
こで拡散制御層−とは、基体金属の表面近傍の結晶粒界
に還元剤が酸化され連続して存在し、結果として基体金
属表面−ｔ ｔｈぼ半行な酸化物層を形成しているもの
である。第２図にボした一極基体の断面構成の内拡散制
御層−以外は第１図と同様である。このような断面構造
を有する一極基体は例えば次のようにして作製した。酸
量の還元剤を含有するＮ１基合金の冷間圧延材を基体ｍ
Ｍとして用い−、ＣＯとＣｏ１１との混合気体（分圧比
１：２０ ）の気流中で１０００℃、１時間保持するこ
とによって内部酸化処理を施す方法である。この処理に
より内１１Ｓ酸化と、圧姑時に基体戴楓中Ｃ二會執され
た加工歪に基く再結晶税象がｒｌｉＪ時Ｉｎ時打ｎ進行
シフ酸化層内Ｃ二存在する結晶粒＃′ｉ粒成安が抑制さ
れ、かつ粒界酸化し粒界がｂ！ｉｌｔ足されて、所望の
ＩＬｌｒ面栴造を有する基体金属が得られた０第２嫡に
刀く［７た断固構造を有する陰極基体１−おいて、拡散
制御層１１４１Ｆｉ酸素、や還元剤の拡散感一対す不゛
障壁となることから、先に神）式で例示した還元剤の酸
化反応の反応サイトとなってその位置を規定する。″こ
れは電子放出特性を損うような中間層形成を防止する効
果、を、第１図ｇ−示し九構造以上５二確実にするもの
である。同時５二表面からの酸素の拡散距離を明確に規
定することを可能とする。また拡散制御層−自体は、主
として還元剤の拡散を制御することで、。
−は還元剤の酸化物粒子、ｍｔｔ拡散制御層である。こ
こで拡散制御層−とは、基体金属の表面近傍の結晶粒界
に還元剤が酸化され連続して存在し、結果として基体金
属表面−ｔ ｔｈぼ半行な酸化物層を形成しているもの
である。第２図にボした一極基体の断面構成の内拡散制
御層−以外は第１図と同様である。このような断面構造
を有する一極基体は例えば次のようにして作製した。酸
量の還元剤を含有するＮ１基合金の冷間圧延材を基体ｍ
Ｍとして用い−、ＣＯとＣｏ１１との混合気体（分圧比
１：２０ ）の気流中で１０００℃、１時間保持するこ
とによって内部酸化処理を施す方法である。この処理に
より内１１Ｓ酸化と、圧姑時に基体戴楓中Ｃ二會執され
た加工歪に基く再結晶税象がｒｌｉＪ時Ｉｎ時打ｎ進行
シフ酸化層内Ｃ二存在する結晶粒＃′ｉ粒成安が抑制さ
れ、かつ粒界酸化し粒界がｂ！ｉｌｔ足されて、所望の
ＩＬｌｒ面栴造を有する基体金属が得られた０第２嫡に
刀く［７た断固構造を有する陰極基体１−おいて、拡散
制御層１１４１Ｆｉ酸素、や還元剤の拡散感一対す不゛
障壁となることから、先に神）式で例示した還元剤の酸
化反応の反応サイトとなってその位置を規定する。″こ
れは電子放出特性を損うような中間層形成を防止する効
果、を、第１図ｇ−示し九構造以上５二確実にするもの
である。同時５二表面からの酸素の拡散距離を明確に規
定することを可能とする。また拡散制御層−自体は、主
として還元剤の拡散を制御することで、。
還元剤の酸化反応の進行すなわち酸素の消費を規制して
おり、これらが相まって（５）式の反応１二よる遊離バ
リウムの生成を制御することを可能としている。以上の
各効果のために、第２図の断面構造を有する陰極基体を
用いることζ二よって電子放出特性の優れ友かつ長痔命
の一極を得ることができる０ ところで第ｘＷＡｔ是第２図響二示し丸断面構造を有す
る陰極基体の製造方法は、既にそれぞれ一例を述べ九が
、基体金属に内部酸化処理を施す方法が有効であり、４
常は独立した工程として、陰極基体６：電子放出物質を
塗布する以前のいづれかの゛段階Ｉ：おいて実施しなけ
ればならない。この場合内部酸化処理工程の後工程で一
１基体金属の所望する断面構造が、新たな加工歪の発生
を伴う工程や熱処理工程等１：よって損われぬように留
意する必畳があることは首うまでもない。
おり、これらが相まって（５）式の反応１二よる遊離バ
リウムの生成を制御することを可能としている。以上の
各効果のために、第２図の断面構造を有する陰極基体を
用いることζ二よって電子放出特性の優れ友かつ長痔命
の一極を得ることができる０ ところで第ｘＷＡｔ是第２図響二示し丸断面構造を有す
る陰極基体の製造方法は、既にそれぞれ一例を述べ九が
、基体金属に内部酸化処理を施す方法が有効であり、４
常は独立した工程として、陰極基体６：電子放出物質を
塗布する以前のいづれかの゛段階Ｉ：おいて実施しなけ
ればならない。この場合内部酸化処理工程の後工程で一
１基体金属の所望する断面構造が、新たな加工歪の発生
を伴う工程や熱処理工程等１：よって損われぬように留
意する必畳があることは首うまでもない。
本発明の目的＃′ｉ、前記内部酸化処理工程を、アルカ
リ土類金属の炭酸塩の酸化物への分解工程で兼ねさせる
ことを可能とする酸化物陰極構体の製造方法を提供する
ことにあるｏ′＃ｌｉ子放出物質とし。
リ土類金属の炭酸塩の酸化物への分解工程で兼ねさせる
ことを可能とする酸化物陰極構体の製造方法を提供する
ことにあるｏ′＃ｌｉ子放出物質とし。
て塗布された前記炭酸塩を分解する工程は、通常の酸化
物陰極製造工程では不可欠のものである０本発明の要点
は、陰極構体の製造工程Ｃおいて、アルカリ土類金属の
炭酸塩の分解時Ｃ二発生するＣｏｇガスＣ二よる陰極基
体の内部酸化によって前述の第１図おるいは第２図−二
相当する所望の断面構造を有する陰極構体を得る方法と
して、炭酸塩の分解工程に先立って行われる。微量の還
元剤を含有するＮ１基合金から々る基体金属を９００℃
以上に加熱して基体金属の加工歪を除去する工程、該基
体金属の電子放出物質を塗布する側の表面近傍Ｃ２新た
な加工歪を与える工程、該陰惨基体を７５０℃乃至９５
０℃に加熱する工程、該陰極−ｊｌ−坏の表面Ｃ；電子
放出物質を炭酸塩の形で塗布する工程からなる−のであ
る。
物陰極製造工程では不可欠のものである０本発明の要点
は、陰極構体の製造工程Ｃおいて、アルカリ土類金属の
炭酸塩の分解時Ｃ二発生するＣｏｇガスＣ二よる陰極基
体の内部酸化によって前述の第１図おるいは第２図−二
相当する所望の断面構造を有する陰極構体を得る方法と
して、炭酸塩の分解工程に先立って行われる。微量の還
元剤を含有するＮ１基合金から々る基体金属を９００℃
以上に加熱して基体金属の加工歪を除去する工程、該基
体金属の電子放出物質を塗布する側の表面近傍Ｃ２新た
な加工歪を与える工程、該陰惨基体を７５０℃乃至９５
０℃に加熱する工程、該陰極−ｊｌ−坏の表面Ｃ；電子
放出物質を炭酸塩の形で塗布する工程からなる−のであ
る。
こ＼で発明を完成するまでのいくつかの基礎実験結果Ｃ
二ついて説明する。
二ついて説明する。
まず従来の酸化物陰極構体の製造工程は次の通りである
。
。
圧嬌により得られる微量の還元剤を含有したＮ１基体合
金か６なる基体金属をニクロム玉リーブに浩接し、ニジ
。ロムスリーブを選択酸化するために加湿水素中で＃ｔ
Ｍ９００℃以上の熱処理を行う。次にスリーブにあらか
じめ設けられた支持体を介してカソードホ゛ルダと組合
わせること（二より陰極構体としての形ができる。さら
５二基体金属の表面を清浄するため１：研削を行い、加
工による汚れを除去するための熱処理をｔｌ’Ｎ６００
℃の水素気流中で行う。最後ｇ二基体″金属の表面Ｃ二
電子放出物質を塗布することにより酸化物陰極構体が完
成する。
金か６なる基体金属をニクロム玉リーブに浩接し、ニジ
。ロムスリーブを選択酸化するために加湿水素中で＃ｔ
Ｍ９００℃以上の熱処理を行う。次にスリーブにあらか
じめ設けられた支持体を介してカソードホ゛ルダと組合
わせること（二より陰極構体としての形ができる。さら
５二基体金属の表面を清浄するため１：研削を行い、加
工による汚れを除去するための熱処理をｔｌ’Ｎ６００
℃の水素気流中で行う。最後ｇ二基体″金属の表面Ｃ二
電子放出物質を塗布することにより酸化物陰極構体が完
成する。
このような製造工＠において発明者らは基体金属表面の
研削と最終の熱処理温度との関係Ｃ二ついて調べた。
研削と最終の熱処理温度との関係Ｃ二ついて調べた。
まず前処理として１０００℃じ加熱した基体金輌を−極
スリーブに婢接して一極栴体６二組立て、サンドベーパ
により基体金ｌＩ４表面を１０μｍ研削したものを６つ
のグループわけな行い、これらを試料Ａ＝６００℃、Ｂ
、＝７００℃、ｃ ＝ ７５０℃、Ｄ ＝ ９００℃、
ＩＣ＝ ９５０℃、？ ＝ １０００℃にそれぞれ加熱
し２、（Ｂａ。
スリーブに婢接して一極栴体６二組立て、サンドベーパ
により基体金ｌＩ４表面を１０μｍ研削したものを６つ
のグループわけな行い、これらを試料Ａ＝６００℃、Ｂ
、＝７００℃、ｃ ＝ ７５０℃、Ｄ ＝ ９００℃、
ＩＣ＝ ９５０℃、？ ＝ １０００℃にそれぞれ加熱
し２、（Ｂａ。
Ｓｒ、 ｃｏ）ｃｏｏ Ｒ酸塩を塗布し、ヒータを点火
してカソード分解を行った。各試料について基体−４Ｗ
＋の断面を光学顕微鏡およびＩＩｉＰＭＡにより拡散制
御層の状態なｒｉ４察したところ、ＡおよびＢは第３−
のように基体金属表面−二も非常≦二灸〈の拡散制御項
カ五見られ、Ｃは基体金属表面に平行な拡散制御層がは
ソ一層がわずかに見られ、ＤおよびＥはほとんどの部分
が第２因のようＣ二表面に平行な拡散制御層が一層明確
に観察され一部は第１図のよう響二なっていた０１は表
面に拡散制御）ｅｉｌらしいものは殆んど見られなパか
った。尚第３図（二おける１ｌｌｌｌｔ’！に子放ｉ物
質、瞥は基体金属、−一は拡散制御層である。欠口これ
ら試料Ａ−Ｆを１３インチカラーブラウン管Ｉ−組込ん
だときの寿命試験の結果を絶４図に示す。図から最終熱
処理が７５０℃以上９５０℃以下の試料０〜！！のもの
は寿命試験成績が良好なことがわかる。
してカソード分解を行った。各試料について基体−４Ｗ
＋の断面を光学顕微鏡およびＩＩｉＰＭＡにより拡散制
御層の状態なｒｉ４察したところ、ＡおよびＢは第３−
のように基体金属表面−二も非常≦二灸〈の拡散制御項
カ五見られ、Ｃは基体金属表面に平行な拡散制御層がは
ソ一層がわずかに見られ、ＤおよびＥはほとんどの部分
が第２因のようＣ二表面に平行な拡散制御層が一層明確
に観察され一部は第１図のよう響二なっていた０１は表
面に拡散制御）ｅｉｌらしいものは殆んど見られなパか
った。尚第３図（二おける１ｌｌｌｌｔ’！に子放ｉ物
質、瞥は基体金属、−一は拡散制御層である。欠口これ
ら試料Ａ−Ｆを１３インチカラーブラウン管Ｉ−組込ん
だときの寿命試験の結果を絶４図に示す。図から最終熱
処理が７５０℃以上９５０℃以下の試料０〜！！のもの
は寿命試験成績が良好なことがわかる。
この結果について考察すると、試料Ａ−ＢＦｉ加工歪が
残留した状態で炭酸塩の分解が行われたため還元剤の酸
化と歪解消による基体金属表面近傍の再結晶とが同時に
起こり、その結果拡散制御層が形成されるのであろうが
、中でも試料ＡおよびＢの寿命試験成績不調の原因は、
加工歪の残留量が看しく多いため第３図に示すように表
面直下にも拡散制御層が発生しこのためＢ１１０がらの
ＭｌＡの基体金属内部への拡散が着るしく阻害され、そ
の結果遊離Ｂ−の生成速度が遅くなったためと考えられ
る。
残留した状態で炭酸塩の分解が行われたため還元剤の酸
化と歪解消による基体金属表面近傍の再結晶とが同時に
起こり、その結果拡散制御層が形成されるのであろうが
、中でも試料ＡおよびＢの寿命試験成績不調の原因は、
加工歪の残留量が看しく多いため第３図に示すように表
面直下にも拡散制御層が発生しこのためＢ１１０がらの
ＭｌＡの基体金属内部への拡散が着るしく阻害され、そ
の結果遊離Ｂ−の生成速度が遅くなったためと考えられ
る。
７一方試料０−１は加工歪が適度Ｉｎ、残留しているた
め第２図に示すようＣ−基体金属表面よりわずか内部に
表面Ｃ−平行な状態で一層として形成された。
め第２図に示すようＣ−基体金属表面よりわずか内部に
表面Ｃ−平行な状態で一層として形成された。
この拡散制御層は前述したようＩ：適度な遊離Ｂａの生
成を可能にしたと考えられる。
成を可能にしたと考えられる。
試料１は加工歪が熱処理により殆んど解消しているので
拡散制御層が生じなかったのであろう。
拡散制御層が生じなかったのであろう。
同衾のため先の基礎実験の試料りの製造工程におけるサ
ンドペニノ幻：よる研削を行わず、その他の条件は試料
りと同−６二した酸化４１！Ｉ陰極栴体の拡散制御層を
観察したところその状態は試料Ｆと同３じように拡散制
御−社見られなかった。
ンドペニノ幻：よる研削を行わず、その他の条件は試料
りと同−６二した酸化４１！Ｉ陰極栴体の拡散制御層を
観察したところその状態は試料Ｆと同３じように拡散制
御−社見られなかった。
本発明は以上説明したような基恍夾験ｇ二おける結果と
その考察に基きなされたものである。
その考察に基きなされたものである。
すなわち本発明の製造法Ｉ：よれば前述の諾１図あるい
は第２図に相当する所望の断面栴造を有する陰極基体を
得るために、特別の内ｓ Ｈ比処理工程を必要とせず、
また炭酸塩の分解工程が、電子管製造工程の最終段階近
くで夾施されるため、得られた基体金属の断囲栴造が、
その後の工程で損われる危険がないという利点な廟する
ものである０゛次に本発明の実施例を第４図および第５
図により説明する。
は第２図に相当する所望の断面栴造を有する陰極基体を
得るために、特別の内ｓ Ｈ比処理工程を必要とせず、
また炭酸塩の分解工程が、電子管製造工程の最終段階近
くで夾施されるため、得られた基体金属の断囲栴造が、
その後の工程で損われる危険がないという利点な廟する
ものである０゛次に本発明の実施例を第４図および第５
図により説明する。
実施例１
０．０６重ｔＳのマグネシウムと０．０３３Ｊｉｉチの
ケイ票とを含むニッケル基合金からなる厚さＱ、１５ｍ
。
ケイ票とを含むニッケル基合金からなる厚さＱ、１５ｍ
。
直径１．３ｓｍの円板を基体金属Ｍとしてスリーブｍ＋
のｉ端に保持させた後、水素ガス気流中で１０００”Ｃ
。
のｉ端に保持させた後、水素ガス気流中で１０００”Ｃ
。
２０分保持して、基体金属−Ｉ：残存する加工歪の除去
と結晶粒の成長を目的とする焼鈍を行わせた。
と結晶粒の成長を目的とする焼鈍を行わせた。
次に陰極基体表面Ｉ：基体金属円板の一つの直径方向と
平行に走行する研削と、陰極基体の中心軸を中心に回転
する研削とを同時に行うことで陰極基体表面をｔｔｈｔ
７均一に約１ｏμｍの厚さだけ研削し加、丘歪を新友１
；与えた。次いで該スリーブを水素ガス気流中で９００
℃に１０分保持した後、アルカリ土類金属の三元系炭酸
塩（Ｂａ、８ｒ、 Ｃｇ ）ｃｏ＠ １５１１１を塗布
する工程を経て傍熱形酸化物一極構体を製造し、これを
カラープ２ウン管の電子銃−二組込んだ。その後通常の
スケジュールで排気しながらヒーターにより陰極を加熱
して三元系炭酸塩の酸化物への分解を行２てから封止尋
、通常の工程を軽てカラープツウン管を作製し、工ンツ
ション寿命試験を行った。
平行に走行する研削と、陰極基体の中心軸を中心に回転
する研削とを同時に行うことで陰極基体表面をｔｔｈｔ
７均一に約１ｏμｍの厚さだけ研削し加、丘歪を新友１
；与えた。次いで該スリーブを水素ガス気流中で９００
℃に１０分保持した後、アルカリ土類金属の三元系炭酸
塩（Ｂａ、８ｒ、 Ｃｇ ）ｃｏ＠ １５１１１を塗布
する工程を経て傍熱形酸化物一極構体を製造し、これを
カラープ２ウン管の電子銃−二組込んだ。その後通常の
スケジュールで排気しながらヒーターにより陰極を加熱
して三元系炭酸塩の酸化物への分解を行２てから封止尋
、通常の工程を軽てカラープツウン管を作製し、工ンツ
ション寿命試験を行った。
この結果、このカラープツウン管の電子放出特性は、従
来の管球Ｃニルして特Ｉ−長時間の動作において優れて
いることが見い出された。本結果の代表的な例を第４−
に示した。図中の曲線Ａは、従来の酸化物陰極構体６二
よるもので、曲線ｌｅｔ笑施例１によって作製した酸化
物陰極一体によるものである。
来の管球Ｃニルして特Ｉ−長時間の動作において優れて
いることが見い出された。本結果の代表的な例を第４−
に示した。図中の曲線Ａは、従来の酸化物陰極構体６二
よるもので、曲線ｌｅｔ笑施例１によって作製した酸化
物陰極一体によるものである。
エミ“ツション寿命試験開始前（管球製造直後）の陰極
基体の断面の金属組織＆４！察によると隻実施例ＩＩ−
よって製作した陰極構体の場合は、８２−図の１１１面
構造が多く見られ、ご＜−Ｓ第１図の状態が混在するも
のとなっていることが確められた。
基体の断面の金属組織＆４！察によると隻実施例ＩＩ−
よって製作した陰極構体の場合は、８２−図の１１１面
構造が多く見られ、ご＜−Ｓ第１図の状態が混在するも
のとなっていることが確められた。
実施例１においては加工森な４えるのＩ：＃体金属を１
０μｍ研削する例を示したが、別の実験では研削量Ｆｉ
３μｍ以上２０μｍ以下であればよ〈：５μｍ〜１０μ
ｍの範囲が最もよいことを確認（７ている０又、加工φ
を与える別の手段としてガラス球、セラミツ″り、金属
球等によるショットピーニングあるいはドライ又はウェ
ットホーニングでもよい。
０μｍ研削する例を示したが、別の実験では研削量Ｆｉ
３μｍ以上２０μｍ以下であればよ〈：５μｍ〜１０μ
ｍの範囲が最もよいことを確認（７ている０又、加工φ
を与える別の手段としてガラス球、セラミツ″り、金属
球等によるショットピーニングあるいはドライ又はウェ
ットホーニングでもよい。
第１図は本発明を説明するための基体金属内部の還元剤
の酸化物粒子の分散状態を説明する図。 鮪２図は本発＠８により得られる散化物陰極栴体の概略
断面図、第３図は従来の酸化物−極病体の概略断面−１
第４図は本発明および従来の製造方法により得られる酸
化物陰極構体を力２−ブラウン管に使用したときの寿命
試験結果を示す図、１１４５図は本発明の一実施例を説
明する図である。 （７３１７） 代理人弁理士 則 近 憲 佑（はが
１名）第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
の酸化物粒子の分散状態を説明する図。 鮪２図は本発＠８により得られる散化物陰極栴体の概略
断面図、第３図は従来の酸化物−極病体の概略断面−１
第４図は本発明および従来の製造方法により得られる酸
化物陰極構体を力２−ブラウン管に使用したときの寿命
試験結果を示す図、１１４５図は本発明の一実施例を説
明する図である。 （７３１７） 代理人弁理士 則 近 憲 佑（はが
１名）第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (2)
- （１）微量の還元剤を含有するＮ１基体合′金からなる
基体金属を９（１０℃以上砿二加熱する工程と、この９
００℃以上ｇ−加熱した基体金属の電子放出物質を塗布
する側の表゛面６二新たな加工歪を与える工程と、この
加工歪を与えた基体金−を７５０℃乃塗布する工程を備
えることを％情とする酸化物陰極構体の製造方法。 - （２）加工歪を与える工程が基体金属の表面層を研削す
ることであることを特徴とする特許１ｈ求範囲第１項記
載の酸化物陰極構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14461481A JPS5846550A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 酸化物陰極構体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14461481A JPS5846550A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 酸化物陰極構体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846550A true JPS5846550A (ja) | 1983-03-18 |
| JPH0114660B2 JPH0114660B2 (ja) | 1989-03-13 |
Family
ID=15366119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14461481A Granted JPS5846550A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 酸化物陰極構体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846550A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5039547A (en) * | 1989-11-07 | 1991-08-13 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | Method for coating the cathode of an electron gun with a thermionic emissive substance by plasma spraying |
| JP2009245711A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | New Japan Radio Co Ltd | マグネトロン及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP14461481A patent/JPS5846550A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5039547A (en) * | 1989-11-07 | 1991-08-13 | Samsung Electron Devices Co., Ltd. | Method for coating the cathode of an electron gun with a thermionic emissive substance by plasma spraying |
| JP2009245711A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | New Japan Radio Co Ltd | マグネトロン及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0114660B2 (ja) | 1989-03-13 |
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