JPS5840730A - 酸化物陰極構体及びその製造方法 - Google Patents
酸化物陰極構体及びその製造方法Info
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- JPS5840730A JPS5840730A JP56137702A JP13770281A JPS5840730A JP S5840730 A JPS5840730 A JP S5840730A JP 56137702 A JP56137702 A JP 56137702A JP 13770281 A JP13770281 A JP 13770281A JP S5840730 A JPS5840730 A JP S5840730A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子管用陰極構体、特1:カラープ2ウン管等
の陰極線管に使用して好適々酸化物陰極構体及びその製
造方法に関する。
の陰極線管に使用して好適々酸化物陰極構体及びその製
造方法に関する。
一般に酸化物陰極では、バリウム、ストロンチウム、カ
ルシウム等のアルカリ土類金属の縦酸塩を還元剤が微量
添加されたニッケル基金金からなる陰極基体上1:塗布
し、これを真空中で加熱することにより酸化物に分解転
化したしたものを電子放出物質として使用している。還
元剤としては、ケイ素、!グネシウム、ジルコニウム、
タングステン、アルミニウム、チタニウム等が広く使用
されている。これら還元剤は電子放出物質を活性化させ
、良好な電子放出特性を実現させるためi:電子管動作
中厘ユ消費される。
ルシウム等のアルカリ土類金属の縦酸塩を還元剤が微量
添加されたニッケル基金金からなる陰極基体上1:塗布
し、これを真空中で加熱することにより酸化物に分解転
化したしたものを電子放出物質として使用している。還
元剤としては、ケイ素、!グネシウム、ジルコニウム、
タングステン、アルミニウム、チタニウム等が広く使用
されている。これら還元剤は電子放出物質を活性化させ
、良好な電子放出特性を実現させるためi:電子管動作
中厘ユ消費される。
同時にまた、これら還元剤は、電子放出物質と反応し、
所I11中間層1と呼ばれる電子放出1m影響を及ぼす
高抵抗層形成の成因となる。
所I11中間層1と呼ばれる電子放出1m影響を及ぼす
高抵抗層形成の成因となる。
第1図は従来Oll化物陰極構体の要部断面図で中間層
−は電子放出物質(ロ)と陰極基体(至)との関に形成
されるものと考えられている。
−は電子放出物質(ロ)と陰極基体(至)との関に形成
されるものと考えられている。
中間層は一般に高抵抗を有し電子放出能力を引下げる効
果を示すと同時にまた電子放出物質の陰極基体からの剥
離の原因ともなり得る。
果を示すと同時にまた電子放出物質の陰極基体からの剥
離の原因ともなり得る。
中間層生成の程度は還元剤の種類とその含有量に依存す
る。一般的に中間層生成の程度は還元剤の量が多い1著
しい。
る。一般的に中間層生成の程度は還元剤の量が多い1著
しい。
したがって、カラーブックン管用険極基体の場合、還元
剤としてマグネシウム及びケイ素とを複合添加の場合、
各還元剤は約0.1重量−以下l:%を九タングステン
を添加する場合は4重量−以下に抑えられて使用される
のが一般的である。
剤としてマグネシウム及びケイ素とを複合添加の場合、
各還元剤は約0.1重量−以下l:%を九タングステン
を添加する場合は4重量−以下に抑えられて使用される
のが一般的である。
中間層生成及び成長の機構は以下のよう1m3 股階に
別けて考えることができる。即ちCI)電子放出物質の
アルカリ土類金属炭酸塩から酸化物への分解時におゆる
二酸化縦木ガス発生g;伴なう陰極基体表面での還元剤
の酸化及び電子球出物質との複合酸化物の形成 〔璽〕動作時における電子放出物質の還元I:伴なう還
元剤の酸化及び電子放出物質との複合酸化物の形成 C層〕動作時における真空度劣化(411m酸素圧上昇
)I:伴なう還元剤の酸化及び電子放出物質との複合酸
化物の形成である。
別けて考えることができる。即ちCI)電子放出物質の
アルカリ土類金属炭酸塩から酸化物への分解時におゆる
二酸化縦木ガス発生g;伴なう陰極基体表面での還元剤
の酸化及び電子球出物質との複合酸化物の形成 〔璽〕動作時における電子放出物質の還元I:伴なう還
元剤の酸化及び電子放出物質との複合酸化物の形成 C層〕動作時における真空度劣化(411m酸素圧上昇
)I:伴なう還元剤の酸化及び電子放出物質との複合酸
化物の形成である。
上記のうち(iIk元剤I:とって最も)苛酷な一極基
体表面である中間層生成条件は(1)である。El)は
例えば酸化バリウムの化学量論的組成からの僅かのずれ
を生じさせるための還元剤の量が寿命期間中に亘り徐々
g二消費されるだけであり(II) U通常の場合、電
子管内6;ゲッタ装置が組み込まれ、ゲッタ機能を発揮
している限り、殆んど問題とならないからである。
体表面である中間層生成条件は(1)である。El)は
例えば酸化バリウムの化学量論的組成からの僅かのずれ
を生じさせるための還元剤の量が寿命期間中に亘り徐々
g二消費されるだけであり(II) U通常の場合、電
子管内6;ゲッタ装置が組み込まれ、ゲッタ機能を発揮
している限り、殆んど問題とならないからである。
本発明は、アルカリ土類金属の炭酸塩の酸化物への分解
時−二おける二酸化炭素ガス発生C;伴なう還元剤の陰
極基体表面での酸化物層形成を防止することにより、電
子放出特性を損う中間層形成を防止し、電子放出特性の
優れたかつ長寿命な酸化物陰極構体及びその製造方法を
提供することを目的とする。
時−二おける二酸化炭素ガス発生C;伴なう還元剤の陰
極基体表面での酸化物層形成を防止することにより、電
子放出特性を損う中間層形成を防止し、電子放出特性の
優れたかつ長寿命な酸化物陰極構体及びその製造方法を
提供することを目的とする。
即ち、本発明は少なくともアルカリ土類金属の炭酸塩の
酸化物への分解時に、アルカリ土類金属の炭酸塩が被着
されている一極基体表面及び表面近傍の内部I:活性な
還元剤を実質的−一含有しないようg二することC二よ
り炭酸塩分解C二より発生する二酸化炭素と還元剤との
反応による陰極基体表面における中間層の生成を防止す
る。
酸化物への分解時に、アルカリ土類金属の炭酸塩が被着
されている一極基体表面及び表面近傍の内部I:活性な
還元剤を実質的−一含有しないようg二することC二よ
り炭酸塩分解C二より発生する二酸化炭素と還元剤との
反応による陰極基体表面における中間層の生成を防止す
る。
その結果、炭酸塩分解後は、陰極基体内部の還元剤は、
電子放出−質中g;おける過剰バリウム生成のための活
性化のため1;効率よく供給されることとなり、電子放
出特性の優れた、かつ長寿命の酸化物陰極構体が実現可
能となるものである。
電子放出−質中g;おける過剰バリウム生成のための活
性化のため1;効率よく供給されることとなり、電子放
出特性の優れた、かつ長寿命の酸化物陰極構体が実現可
能となるものである。
本発WJ#j二係る陰極基体を作製する手段として嬬(
1)加熱による表面近傍層からの還元剤の自由蒸発法 (tl)純ニッケル層をクラッドあるいはメッキなどに
より形成する純;ツケル被榎法 (ii+) lI面近傍層中の還元剤を内部で酸化物粒
子として固定する内部酸化法 郷が考えられる。しかしながら(l>及び(II)の方
法だけては次1:示すような1由から本発明の陰極構体
を実現する上で十分な効果を発揮することができない。
1)加熱による表面近傍層からの還元剤の自由蒸発法 (tl)純ニッケル層をクラッドあるいはメッキなどに
より形成する純;ツケル被榎法 (ii+) lI面近傍層中の還元剤を内部で酸化物粒
子として固定する内部酸化法 郷が考えられる。しかしながら(l>及び(II)の方
法だけては次1:示すような1由から本発明の陰極構体
を実現する上で十分な効果を発揮することができない。
却も、(1)の方法C;依れば、表面からの還元剤の濃
度Cは で表現できる(v、yost着”、 Diffusio
n、ムcaaemtcpress、 1960)分布を
有す。 ′こむで、 −if陰極基体(厚さh)の表面からの距離X 円周率 0(1還元剤の初期濃度 D 拡散係数 1 加熱時間 である。
度Cは で表現できる(v、yost着”、 Diffusio
n、ムcaaemtcpress、 1960)分布を
有す。 ′こむで、 −if陰極基体(厚さh)の表面からの距離X 円周率 0(1還元剤の初期濃度 D 拡散係数 1 加熱時間 である。
この式からもわかることであるが後の実施例でも示すよ
うC,この方法でFi表面近傍で還元剤が実質的に存在
しない層を作ることはできない。即ち最表面で還元剤が
零となり、中心部へ向って単調増加するような濃度分布
が存在する。したがって、電子放出物質の炭酸塩の分解
時には、表面への還元剤の拡散が容易であり結果として
表面あるいは、極めて表面In近い場所に中間層の生成
を見ることI:なり、目的を達成することができない。
うC,この方法でFi表面近傍で還元剤が実質的に存在
しない層を作ることはできない。即ち最表面で還元剤が
零となり、中心部へ向って単調増加するような濃度分布
が存在する。したがって、電子放出物質の炭酸塩の分解
時には、表面への還元剤の拡散が容易であり結果として
表面あるいは、極めて表面In近い場所に中間層の生成
を見ることI:なり、目的を達成することができない。
また(N)の方法のクラッド、メッキ等I:依る場合、
加工歪の除去あるいは1表面の清浄化及び接合界面から
のガス抜きのために水素中あるい岐不活性雰囲気中での
加熱が陰極構体な使用するに前だって要求される。
加工歪の除去あるいは1表面の清浄化及び接合界面から
のガス抜きのために水素中あるい岐不活性雰囲気中での
加熱が陰極構体な使用するに前だって要求される。
その際、内部の還元剤が表面被覆材C二拡散し、4はや
純ニツケル材料と拡見做し得なくなる。逆1;拡散が実
質的に起らないような温度の熱処理では、十分な加工歪
の除去あるいは表面の清浄化等の効果が得られず、この
ような材料な陰極構体の一部として使用することは不適
幽である。
純ニツケル材料と拡見做し得なくなる。逆1;拡散が実
質的に起らないような温度の熱処理では、十分な加工歪
の除去あるいは表面の清浄化等の効果が得られず、この
ような材料な陰極構体の一部として使用することは不適
幽である。
これに対しくfi+ )の方法は酸素分圧を適当番=制
御し九雰囲気中で、還元剤を含有した陰極構体な熱処理
することにより還元剤を基体内部で酸化させ、酸化物粒
子として分散させる方法であり、これI:よれば酸素分
圧、加熱弧度、陰極基体材料の加工歪等を適切に選定す
ることにより酸化物粒子の分散の深さを容易に制御する
ことができる。
御し九雰囲気中で、還元剤を含有した陰極構体な熱処理
することにより還元剤を基体内部で酸化させ、酸化物粒
子として分散させる方法であり、これI:よれば酸素分
圧、加熱弧度、陰極基体材料の加工歪等を適切に選定す
ることにより酸化物粒子の分散の深さを容易に制御する
ことができる。
これまで広く使用されてきた陰1基体においては還元剤
#I度も適当−二低く、この内部酸化処理が比較的容易
に遂行でき特に問題にはならない。しかしながら近年要
請されている省電力化、超連動化のため熱容量を小さく
した、即ち50μm程度以下I:まで厚さを制限した陰
極基体は、通常の還元剤濃度の組成のものでは還元剤全
量が不足し、寿命中に電子放出特性の劣化を招くとされ
、できるだけ還元剤の量を多く添加した高還元剤llI
度陰極基体の使用が望まれている。ところが通常の方法
で高還元剤濃度陰極基体を使用すると容易1=中間層が
形成され、却って特性を悪化する結果が得られている。
#I度も適当−二低く、この内部酸化処理が比較的容易
に遂行でき特に問題にはならない。しかしながら近年要
請されている省電力化、超連動化のため熱容量を小さく
した、即ち50μm程度以下I:まで厚さを制限した陰
極基体は、通常の還元剤濃度の組成のものでは還元剤全
量が不足し、寿命中に電子放出特性の劣化を招くとされ
、できるだけ還元剤の量を多く添加した高還元剤llI
度陰極基体の使用が望まれている。ところが通常の方法
で高還元剤濃度陰極基体を使用すると容易1=中間層が
形成され、却って特性を悪化する結果が得られている。
また、内部酸化法C二よって表面近傍の還元剤を内部酸
化物粒子として分散しても還元剤の濃度が高い場合#′
i、内部醗化簾さは浅くカリ形成される内部酸化物粒子
の密度も高くなる。当然のことながら表面に突出する還
元剤の酸化物粒子の数も多くなり、容易C二電子放出物
質と反応し、中間層の形成が認められることとなる。あ
るいは、更に還元剤濃度が高くなると実用的条件では内
部酸化することが不可能となり外部酸化層形成−二至り
実用(:ij適さない。
化物粒子として分散しても還元剤の濃度が高い場合#′
i、内部醗化簾さは浅くカリ形成される内部酸化物粒子
の密度も高くなる。当然のことながら表面に突出する還
元剤の酸化物粒子の数も多くなり、容易C二電子放出物
質と反応し、中間層の形成が認められることとなる。あ
るいは、更に還元剤濃度が高くなると実用的条件では内
部酸化することが不可能となり外部酸化層形成−二至り
実用(:ij適さない。
本発明は本質的C;は上記した(1)あるいは(1)の
方法と(Ill)の方法とを組合せて達成されるもので
あり、上記した比較的高議度の還元剤を含む陰極基体を
以下1:示すようCニして実用ならしめるものである。
方法と(Ill)の方法とを組合せて達成されるもので
あり、上記した比較的高議度の還元剤を含む陰極基体を
以下1:示すようCニして実用ならしめるものである。
即ち、本発明C:よれば陰極基体表面近傍に、還元剤の
濃度が表面で実質的f二零となるような゛濃度勾配を生
ぜしめ、しかる後、内部酸化処理を施こした高嬢度還元
剤を含有する薄い陰極基体を陰極として組込むこと1−
より、何ら支障を生ずることなく、長寿命の電子管を供
することができるものである。
濃度が表面で実質的f二零となるような゛濃度勾配を生
ぜしめ、しかる後、内部酸化処理を施こした高嬢度還元
剤を含有する薄い陰極基体を陰極として組込むこと1−
より、何ら支障を生ずることなく、長寿命の電子管を供
することができるものである。
以下実施例を用いて更に詳しく説明する。
実施例1
0.10重量−のマグネシウムとO,OS重量−のケイ
素とを含むニッケル合金の厚さ40μmの圧延板からプ
レス≦二より直径1.3 mの円板を打抜き、トリクロ
ルエチレン及び温水で洗浄後、真空中1200℃、1時
間の熱処理を施こした後r酸化炭素と二酸化縦索との混
合気体(混合容積比1:5)気流中で1000℃、1時
間の1内部酸化処理′を施こした。このようc;1内部
酸化処理′した円板を第2図6−示すよう直;スリーブ
Ml−溶接し九傍熱屋の陰極基体−として表面C二電子
放出物質−)を塗布した後、カラーブラウン管の電子銃
に組込み、排気、ライティング(電子放出物質の炭酸塩
から酸化物への分解工程)、ゲッター7ツツシエ、エー
ジング等の通常の方法でカラーブラウン管を作製した。
素とを含むニッケル合金の厚さ40μmの圧延板からプ
レス≦二より直径1.3 mの円板を打抜き、トリクロ
ルエチレン及び温水で洗浄後、真空中1200℃、1時
間の熱処理を施こした後r酸化炭素と二酸化縦索との混
合気体(混合容積比1:5)気流中で1000℃、1時
間の1内部酸化処理′を施こした。このようc;1内部
酸化処理′した円板を第2図6−示すよう直;スリーブ
Ml−溶接し九傍熱屋の陰極基体−として表面C二電子
放出物質−)を塗布した後、カラーブラウン管の電子銃
に組込み、排気、ライティング(電子放出物質の炭酸塩
から酸化物への分解工程)、ゲッター7ツツシエ、エー
ジング等の通常の方法でカラーブラウン管を作製した。
第2図において表面から約4μmの領域は還元剤無析出
領域−てあり、その内部In酸化物粒子−が分散した内
部酸化領域−が約8μmの厚さで存在する構造を示すも
のである。
領域−てあり、その内部In酸化物粒子−が分散した内
部酸化領域−が約8μmの厚さで存在する構造を示すも
のである。
また、これと同時1:真空中加熱せずc;、洗浄後乾燥
純水素気R700″CIO分間の熱処理を施とし九だけ
のもの、及びこれC二上記条件と同じ−酸化炭素と二酸
化炭素との混合気体中で1内部酸化処理′したものt:
ついてもそれぞれ陰極基体としてカラーブラウン管に組
込み、強制寿命試験を行ない寿命特性を比較した。これ
らの断面構造は寿命試験開始直後既に中間層の形成が認
められるものであった。これらの寿命曲線を第3図に示
した。第3図においてムは水素中700℃、10分間加
熱処理した陰極基体、Bは水素中700”C,10分加
熱後”内部酸化処理′した陰極基体、0は真空中120
0 ’C、1時間の加熱処理した本発明の陰極基体をそ
れぞれ使用したカラーブラウン管で得られた寿命曲線で
あり1本発明の優位性が示されている。
純水素気R700″CIO分間の熱処理を施とし九だけ
のもの、及びこれC二上記条件と同じ−酸化炭素と二酸
化炭素との混合気体中で1内部酸化処理′したものt:
ついてもそれぞれ陰極基体としてカラーブラウン管に組
込み、強制寿命試験を行ない寿命特性を比較した。これ
らの断面構造は寿命試験開始直後既に中間層の形成が認
められるものであった。これらの寿命曲線を第3図に示
した。第3図においてムは水素中700℃、10分間加
熱処理した陰極基体、Bは水素中700”C,10分加
熱後”内部酸化処理′した陰極基体、0は真空中120
0 ’C、1時間の加熱処理した本発明の陰極基体をそ
れぞれ使用したカラーブラウン管で得られた寿命曲線で
あり1本発明の優位性が示されている。
実施例2
0.15重量−のマグネシウムと0.15重量−のケイ
素と4.0重量襲のタングステンとを含むニッケル合金
と、その表面に純ニッケルが接合され九厚さ40μmの
クラツド材(クラッド比:5:30:5)の圧延板から
プレス1;より直411.3 mの円板を打抜き、トリ
ク胃ルエチレン及び温水で洗浄後、乾燥純水素中、70
0℃、 10分間の焼鈍を施こし九。次に一酸化炭素と
二酸化炭素との混合気体(混合容積比1:5)気流中で
1000℃、60分間加熱し゛内部酸化処理′を施こし
た。この円板Fi真表面ら4μmの領域は還元剤を含ま
ない領域に)であり、その内部に酸化物粒子−が分散し
た内部酸化領域−が約4μmで存在する。このように処
理した円板を実施例1と同様な方法で陰極基体として力
2−ブラウン管区二組込み強制寿命試験を行なった。ま
た、これと同時I:乾燥純水素中700℃、10分間の
焼鈍までの同じ処理をし九円板を陰極基体として用いた
カラーブラウン管も作製し、比較のためC二強制寿命試
歇を行なった。これらの寿命曲線を第4図ロー示した。
素と4.0重量襲のタングステンとを含むニッケル合金
と、その表面に純ニッケルが接合され九厚さ40μmの
クラツド材(クラッド比:5:30:5)の圧延板から
プレス1;より直411.3 mの円板を打抜き、トリ
ク胃ルエチレン及び温水で洗浄後、乾燥純水素中、70
0℃、 10分間の焼鈍を施こし九。次に一酸化炭素と
二酸化炭素との混合気体(混合容積比1:5)気流中で
1000℃、60分間加熱し゛内部酸化処理′を施こし
た。この円板Fi真表面ら4μmの領域は還元剤を含ま
ない領域に)であり、その内部に酸化物粒子−が分散し
た内部酸化領域−が約4μmで存在する。このように処
理した円板を実施例1と同様な方法で陰極基体として力
2−ブラウン管区二組込み強制寿命試験を行なった。ま
た、これと同時I:乾燥純水素中700℃、10分間の
焼鈍までの同じ処理をし九円板を陰極基体として用いた
カラーブラウン管も作製し、比較のためC二強制寿命試
歇を行なった。これらの寿命曲線を第4図ロー示した。
第4図−二おいてDは水素中700℃。
10分間焼鈍した陰極基体、!!lは水素中700℃、
10分間焼鈍後更に8内部酸化処理′した本発明の陰極
基体をそれぞれ使用したカラーブラウン管で得られた寿
命曲線でアリ、本発明の優位性が示されている。
10分間焼鈍後更に8内部酸化処理′した本発明の陰極
基体をそれぞれ使用したカラーブラウン管で得られた寿
命曲線でアリ、本発明の優位性が示されている。
実施例1及び2以外C:各種条件を変化させ実験を行な
った結果、表面から3乃至5μmまでの領域が実質的ご
二還元剤を含まず、かつこの領域より内部の3乃至10
μmの領域で還元剤の内部酸化粒子が分散されて存在す
る構造を有する陰極基体1:おいて、本発明の効果が特
に顕著cmめられ良。
った結果、表面から3乃至5μmまでの領域が実質的ご
二還元剤を含まず、かつこの領域より内部の3乃至10
μmの領域で還元剤の内部酸化粒子が分散されて存在す
る構造を有する陰極基体1:おいて、本発明の効果が特
に顕著cmめられ良。
また、本発明6二好適な還元剤のIII&範囲は総合し
て0.15原子−以上である。即ちマグネシウムを還元
剤として用いた場合には0.06重量−以上ケイ素の場
合は0.07重量−以上という範囲に対応する。
て0.15原子−以上である。即ちマグネシウムを還元
剤として用いた場合には0.06重量−以上ケイ素の場
合は0.07重量−以上という範囲に対応する。
なお、これらの陰極基体の構造は陰極基体の断面を研摩
、エツチング螢光学願黴鏡、′hゐい#′i走査形電子
願黴鏡により確認できるものである。
、エツチング螢光学願黴鏡、′hゐい#′i走査形電子
願黴鏡により確認できるものである。
実施例C二おいては、−酸化縦索と二酸化炭素との混合
ガスI:より雰囲気中の酸素分圧を制御し、内部酸化処
理を施した例を示したが、−酸化炭素。
ガスI:より雰囲気中の酸素分圧を制御し、内部酸化処
理を施した例を示したが、−酸化炭素。
二酸化炭素、水、水蒸気、酸素の分圧な適尚に選択制御
する仁とにより達成できるものである。
する仁とにより達成できるものである。
また内部酸化処M#二前立つ処jlFi s真空処理あ
るいはクラッドのみならず、メッキ、蒸着などの手段砿
−よっても達成できる。
るいはクラッドのみならず、メッキ、蒸着などの手段砿
−よっても達成できる。
第1図は従来の酸化物陰極構体の要部断面図、第2図は
本発明の酸化物陰極構体の要部断面図、第3図及び第4
1社本発明の酸化物陰極構体を使用したカラーブラウン
管の寿命試験の結果を示す図である。 11、21−一電子放出愉質 12・・・中間層 13.23−陰極基体 22−内部酸化物粒子 25・・・還元剤を含ま−ない領域 (7317) 代理人弁理士 則 近 憲 佑(はか
1名)第 1 図 第2図 第8図 ρ ?#需Qwiy Ch) 猿畔降試検鴫内 第4図 排斥−に喰吟肉
本発明の酸化物陰極構体の要部断面図、第3図及び第4
1社本発明の酸化物陰極構体を使用したカラーブラウン
管の寿命試験の結果を示す図である。 11、21−一電子放出愉質 12・・・中間層 13.23−陰極基体 22−内部酸化物粒子 25・・・還元剤を含ま−ない領域 (7317) 代理人弁理士 則 近 憲 佑(はか
1名)第 1 図 第2図 第8図 ρ ?#需Qwiy Ch) 猿畔降試検鴫内 第4図 排斥−に喰吟肉
Claims (2)
- (1) 微量の還元剤を含有するH1基合金からなる
陰極基体と、前記陰極基体上口=塗布された電子放出物
質とを有する酸化物陰極構体C二おいて、前記電子放出
物質が塗布されている前記陰極基体の表面から3乃至5
μmまでの領域が実質的に還元剤を含まない領域であり
、なおかつ、前記領域に引続〈3乃至10/1mlの領
域g二前記還元剤の内部酸化物粒子が分散されて存在す
ることを特徴とする酸化物陰極構体。 - (2)内部に還元剤を有し表面の還元剤員度が内部のそ
れよりも低く実質的t:l”iソ零である陰極基体を形
成する工程と、前記陰極基体の内部であって表面近傍の
還元剤を内部酸化せしめる工程と、内部酸化した険極基
体上−−電子放射物質を塗布する工程を有することを特
徴とする酸化物陰極構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137702A JPS5840730A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 酸化物陰極構体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137702A JPS5840730A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 酸化物陰極構体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840730A true JPS5840730A (ja) | 1983-03-09 |
| JPH0113187B2 JPH0113187B2 (ja) | 1989-03-03 |
Family
ID=15204814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56137702A Granted JPS5840730A (ja) | 1981-09-03 | 1981-09-03 | 酸化物陰極構体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840730A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6290630A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Nitto Kogaku Kk | シヤツタ制御回路 |
| JPS6290631A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Nitto Kogaku Kk | シヤツタ制御回路 |
-
1981
- 1981-09-03 JP JP56137702A patent/JPS5840730A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6290630A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Nitto Kogaku Kk | シヤツタ制御回路 |
| JPS6290631A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Nitto Kogaku Kk | シヤツタ制御回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0113187B2 (ja) | 1989-03-03 |
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