JPS5848221A - 複合型磁気ヘツドの製法 - Google Patents
複合型磁気ヘツドの製法Info
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- JPS5848221A JPS5848221A JP14657181A JP14657181A JPS5848221A JP S5848221 A JPS5848221 A JP S5848221A JP 14657181 A JP14657181 A JP 14657181A JP 14657181 A JP14657181 A JP 14657181A JP S5848221 A JPS5848221 A JP S5848221A
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- ferrite
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/1272—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁性フェライトと飽和磁束密度Ｂ８の大きい
金属磁性材からなるヘッドコアを用いて成る普合型磁気
ヘラｒｏｇ法に関する。
金属磁性材からなるヘッドコアを用いて成る普合型磁気
ヘラｒｏｇ法に関する。
近年、高配―密度化に伴い高抗磁力テープが開発されて
きたが、フェライト磁気ヘラｒ祉その高周波特性が優れ
ているものの、これらの高枕磁力テープに対しては磁気
機料のために高抗磁力テープの特長を充分に生かしきれ
ないという欠点がある。一方１センダスト等０金属磁性
・材は飽和磁束密度Ｂ８が大きいために記録時にはフェ
ライトに比べて高出力が得られるが、高周波ての；ア損
が大きく再生特性が劣化するという欠点があった。
きたが、フェライト磁気ヘラｒ祉その高周波特性が優れ
ているものの、これらの高枕磁力テープに対しては磁気
機料のために高抗磁力テープの特長を充分に生かしきれ
ないという欠点がある。一方１センダスト等０金属磁性
・材は飽和磁束密度Ｂ８が大きいために記録時にはフェ
ライトに比べて高出力が得られるが、高周波ての；ア損
が大きく再生特性が劣化するという欠点があった。
本発明はへ上述の点に鑑み、記録時には磁気飽和を生じ
難くして高枕磁力テープを充分に記録てきると共に、高
周波での再生特性を良好ならしめ九曹合型磁気ヘッドの
製・法を提供するものである。
難くして高枕磁力テープを充分に記録てきると共に、高
周波での再生特性を良好ならしめ九曹合型磁気ヘッドの
製・法を提供するものである。
以下、実施例を用いて本発明による複合型磁気ヘッドの
製法を説明しよう。
製法を説明しよう。
第１図は本発明の一実施例である０本例においテハ１．
先−Ｊ＃１１１１ＡＫ示すようにガラスセラミック等の
非磁性ガード基板（１）を用意し、このガード基板（１
）の−主面上にガラス融着によって磁性フェライト板（
例えばＭｎ −Ｚｎ ７ Ｚライト、Ｎｌ −Ｚｎフェ
ライト尋）（２）を接合合体する。このガラス融着はガ
ード基板（１）の面上に例えばＢ、Ｏｓ −８１０ｍ
−＊ｚ２ｏ３ 系Ｏカラスをスパッタリングによって被
着し、これに磁性フェライト板（２）を配して５５０で
の加熱処理で圧着接合する。。
先−Ｊ＃１１１１ＡＫ示すようにガラスセラミック等の
非磁性ガード基板（１）を用意し、このガード基板（１
）の−主面上にガラス融着によって磁性フェライト板（
例えばＭｎ −Ｚｎ ７ Ｚライト、Ｎｌ −Ｚｎフェ
ライト尋）（２）を接合合体する。このガラス融着はガ
ード基板（１）の面上に例えばＢ、Ｏｓ −８１０ｍ
−＊ｚ２ｏ３ 系Ｏカラスをスパッタリングによって被
着し、これに磁性フェライト板（２）を配して５５０で
の加熱処理で圧着接合する。。
次に、第１図Ｂに示すように砥石または選択エツチング
等の手段を用いて磁性フェライト板（２）の一部を所定
間隔を置いて帯状にとシ除き、磁性フェライト板（２）
を互に平行に配され九曹数の磁性フェライト素片（３）
Ｋ分離する。しかる徒、第１図Ｃに示すように各磁性フ
ェライト素片（３）間の＄ｐＩ（４）内に磁性フェライ
ト素片（３）よシも高い飽和磁束密度を有する金属磁性
材料、例えばセンダスト（５）をスパッタリングにて充
填して複合基板（６）を形成する。
等の手段を用いて磁性フェライト板（２）の一部を所定
間隔を置いて帯状にとシ除き、磁性フェライト板（２）
を互に平行に配され九曹数の磁性フェライト素片（３）
Ｋ分離する。しかる徒、第１図Ｃに示すように各磁性フ
ェライト素片（３）間の＄ｐＩ（４）内に磁性フェライ
ト素片（３）よシも高い飽和磁束密度を有する金属磁性
材料、例えばセンダスト（５）をスパッタリングにて充
填して複合基板（６）を形成する。
そして、このセンダスト（５）及びフェライト素片（３
）が所定の厚みｄとなるように研削する。この厚みｄが
トラック巾に相当する。
）が所定の厚みｄとなるように研削する。この厚みｄが
トラック巾に相当する。
次に、第１図りに示すようにこのようにして得られた複
数の複合基板（６）を積層合体する。この合体に際して
は複合基板（６）の各接合面に上記ガラスあるいはこれ
より若干軟化点の低いガラスをスパッタリングｉｌＫて
付着させ積層して後５００Ｃの加熱処理で接合する。こ
の接合によってセンダスト（５）の磁気特性は充分なも
のとなる。
数の複合基板（６）を積層合体する。この合体に際して
は複合基板（６）の各接合面に上記ガラスあるいはこれ
より若干軟化点の低いガラスをスパッタリングｉｌＫて
付着させ積層して後５００Ｃの加熱処理で接合する。こ
の接合によってセンダスト（５）の磁気特性は充分なも
のとなる。
次に１との得られた積層体（８）を第１図Ｅの点線（７
）の位置より網目状に即ち積層方向に従って一対の磁性
フェライト素片（３）とセンダスト（５）を゛含むブロ
ック（９）を切夛出し、さらに、このブロック（９）（
斜線図示）を第１図Ｅの点Ｍ顛に沿って２分割してブロ
ックコア対（１１）及び０を得る（第１図Ｆ）。
）の位置より網目状に即ち積層方向に従って一対の磁性
フェライト素片（３）とセンダスト（５）を゛含むブロ
ック（９）を切夛出し、さらに、このブロック（９）（
斜線図示）を第１図Ｅの点Ｍ顛に沿って２分割してブロ
ックコア対（１１）及び０を得る（第１図Ｆ）。
次に、館１図Ｆに示すように一方のブロックコア（１１
）に巻線溝０を形成して後、両ゾロツクコアαυ及びα
２のイヤツブ形成面ａ４（ハ）を錠面加工を施す。
）に巻線溝０を形成して後、両ゾロツクコアαυ及びα
２のイヤツブ形成面ａ４（ハ）を錠面加工を施す。
次に、鮪１図Ｇに示すように一方のブロックコアａυに
ギヤツゾス（−サとなる例えば８ｉ０ｆｉ膜（図示せず
）をスフツタリングによって被着して、両ブロックコア
（Ｅｌ）及び（１３を接合する。この所謂ギャップ接合
は、第１図人及び［１図りの工程で使用した融着用のガ
ラスよシも軟化点の低いガラス例えばＰｂ０−ＢＩＯＩ
−ＺｎＯ系のガラスをブロックコアａＤのギャップ形成
面にスパッタリングにて付着し接合する。
ギヤツゾス（−サとなる例えば８ｉ０ｆｉ膜（図示せず
）をスフツタリングによって被着して、両ブロックコア
（Ｅｌ）及び（１３を接合する。この所謂ギャップ接合
は、第１図人及び［１図りの工程で使用した融着用のガ
ラスよシも軟化点の低いガラス例えばＰｂ０−ＢＩＯＩ
−ＺｎＯ系のガラスをブロックコアａＤのギャップ形成
面にスパッタリングにて付着し接合する。
然る後、かかるヘッドブロック舖をガード材部分（１）
で切断して第１！Ｉ！！ＩＨＫ示す如きヘッドチップａ
ηを得る。この後、ヘッドチップに対してテープ対接面
の研磨及び巻線孔（１わへのコイル巻装−を施す。
で切断して第１！Ｉ！！ＩＨＫ示す如きヘッドチップａ
ηを得る。この後、ヘッドチップに対してテープ対接面
の研磨及び巻線孔（１わへのコイル巻装−を施す。
かかる製法によれば、作動イヤツブｇの形成され九テー
ゾ摺動面が飽和磁束密ｙｎＢの大きい金属磁性材料、例
えばセンダスト（５）で形成されると共に、その他の主
磁路が固有抵抗ｐの大きい磁性フェライト（特に多結晶
フェライト）（３）で形成され、さらに＝ア両両儒非磁
性ガード材（１）が配されて成る曹合型磁気ヘラＰが得
られる。
ゾ摺動面が飽和磁束密ｙｎＢの大きい金属磁性材料、例
えばセンダスト（５）で形成されると共に、その他の主
磁路が固有抵抗ｐの大きい磁性フェライト（特に多結晶
フェライト）（３）で形成され、さらに＝ア両両儒非磁
性ガード材（１）が配されて成る曹合型磁気ヘラＰが得
られる。
この複合型磁気ヘッドは、作動ギャップｇの近傍が金属
磁性材の故に配録時に磁気飽和が生ぜず、又主磁路が多
結晶フェライトの故に高周波での再生特性の劣下がなく
、高枕磁力テープ用の鍮再兼用ヘッドに適用して好適な
ものとなる。因みに、ヘラＰ特性について比較してみる
と、下記の通シであ夛、本発明による磁気ヘッドの方が
従来のヘッドよりも高周波特性において優れている。
磁性材の故に配録時に磁気飽和が生ぜず、又主磁路が多
結晶フェライトの故に高周波での再生特性の劣下がなく
、高枕磁力テープ用の鍮再兼用ヘッドに適用して好適な
ものとなる。因みに、ヘラＰ特性について比較してみる
と、下記の通シであ夛、本発明による磁気ヘッドの方が
従来のヘッドよりも高周波特性において優れている。
そして、−；アの両側にガラス七う電ツクによる非磁性
ガーＰ材が配されるめで、小トラック巾にも拘らず機械
的強度も大★〈安定に使用できる。又、製造に際して杜
、第１図人のガード基板（１）と磁性フェライト板（２
）の接合、第１図りの複合基板（６）の積層及び第１図
Ｇのギャップ接合のいずれもがガラス融着による接合で
あるために、従来の有機接着剤による接合に比べて信頼
性の高い磁気ヘッドが得、られる、さらに、ガード基板
（１）上に磁性フェライト板（２）を接合し、エツチン
グ、砥石尋によｐ複数の磁性フェライト素片（３）に分
離して後−七の各素片（３）間にセンダスト（５）を充
填し、所定の厚みｄに研削するようにしたことにより複
合へッドプアのセンダスト部とフェライト部の厚みを互
に同一とすることができると同時に、トラック巾ｄ４高
精度に得られる。
ガーＰ材が配されるめで、小トラック巾にも拘らず機械
的強度も大★〈安定に使用できる。又、製造に際して杜
、第１図人のガード基板（１）と磁性フェライト板（２
）の接合、第１図りの複合基板（６）の積層及び第１図
Ｇのギャップ接合のいずれもがガラス融着による接合で
あるために、従来の有機接着剤による接合に比べて信頼
性の高い磁気ヘッドが得、られる、さらに、ガード基板
（１）上に磁性フェライト板（２）を接合し、エツチン
グ、砥石尋によｐ複数の磁性フェライト素片（３）に分
離して後−七の各素片（３）間にセンダスト（５）を充
填し、所定の厚みｄに研削するようにしたことにより複
合へッドプアのセンダスト部とフェライト部の厚みを互
に同一とすることができると同時に、トラック巾ｄ４高
精度に得られる。
なお、９ｇ１図に於てブロックコア対ａＤ及びａりを設
け、一方のブロックコア０に巻線溝Ｉを形成した第１図
Ｐの工程彼、さらに、いずれか一方のブロックコア、例
えばブロックコア、（２）・儒に第２図に示すようにガ
ラス融着用の切シ欠は部鱈を設け、この切り入部（Ｉｓ
に棒状のガラス（第１図Ｇの工程で用いたと同じガラス
）ａＩを挿入し、両ブロックコア仁υ及び０３をガラス
融着し、その後、ガード材部分（１）で切断して第３図
に示すヘラＰチツゾａ湯を得ることも出来る。
け、一方のブロックコア０に巻線溝Ｉを形成した第１図
Ｐの工程彼、さらに、いずれか一方のブロックコア、例
えばブロックコア、（２）・儒に第２図に示すようにガ
ラス融着用の切シ欠は部鱈を設け、この切り入部（Ｉｓ
に棒状のガラス（第１図Ｇの工程で用いたと同じガラス
）ａＩを挿入し、両ブロックコア仁υ及び０３をガラス
融着し、その後、ガード材部分（１）で切断して第３図
に示すヘラＰチツゾａ湯を得ることも出来る。
又、第１図Ｇｏギャップ接合に於て社、上剥の他に、例
えば珪酸ソーダを主成分とする液体をゼヤツプ形成面に
塗って２００Ｃ以下で接合するととも出来る。
えば珪酸ソーダを主成分とする液体をゼヤツプ形成面に
塗って２００Ｃ以下で接合するととも出来る。
又、磁気ヘッドにおいては、チップの主面に対して作動
ギャップが直交よりも傾いたヘラＰチップ主面をそのま
１ヘツド基板に取付けて、所謂アジマス記録を行うよう
にしたアジマスヘッドが知られている。１ＩＮ１図の実
施例においても、ブロックコアの切り出し方を変えるこ
とによって容易にアジマスヘッドを形成することが出来
る。￥ｐち、第１°図Ｅの工程のときに、そのブロック
コアａＯ及び（１３の切り出しを、第４図の点線なυに
示す−ように角αだけ斜めに切り出してブロック対ａ１
）及びａａを得、このブロック対ｒｉＤ及びａａをイヤ
ツブスペーサを介して接合して後（第５図）、チップ切
断すれば、第６図に示すように作動ギャップｇがチップ
主面に対して直角よプ角αだけ傾いたアジマスヘツｔチ
ップのが得られる。
ギャップが直交よりも傾いたヘラＰチップ主面をそのま
１ヘツド基板に取付けて、所謂アジマス記録を行うよう
にしたアジマスヘッドが知られている。１ＩＮ１図の実
施例においても、ブロックコアの切り出し方を変えるこ
とによって容易にアジマスヘッドを形成することが出来
る。￥ｐち、第１°図Ｅの工程のときに、そのブロック
コアａＯ及び（１３の切り出しを、第４図の点線なυに
示す−ように角αだけ斜めに切り出してブロック対ａ１
）及びａａを得、このブロック対ｒｉＤ及びａａをイヤ
ツブスペーサを介して接合して後（第５図）、チップ切
断すれば、第６図に示すように作動ギャップｇがチップ
主面に対して直角よプ角αだけ傾いたアジマスヘツｔチ
ップのが得られる。
第７図は本発明の他の実施例である。本例においては、
第７図人に示すように軟質磁性板例えばＭｎ−Ｚｎフェ
ライト板０珍と、ガード材となる非磁性板（例えば結晶
化ガラス板）＠とを複数枚交互に積層してカラス接着に
て合体する。この積層体（至）を点ｍ（財）で示す如く
その積層方向Ｋａう面に平行にスライスして所謂ガーＰ
基板（至）を得る。
第７図人に示すように軟質磁性板例えばＭｎ−Ｚｎフェ
ライト板０珍と、ガード材となる非磁性板（例えば結晶
化ガラス板）＠とを複数枚交互に積層してカラス接着に
て合体する。この積層体（至）を点ｍ（財）で示す如く
その積層方向Ｋａう面に平行にスライスして所謂ガーＰ
基板（至）を得る。
次に、第７図Ｂに示すように非磁性材（ｓｚａ）と磁性
フエライ） （ｓｌｍ）が交互に配されて成るガーＰ基
板（至）の一方のスライス面上に磁性′７エライト板（
例えばＭｎ−Ｚｎフェライト又はＮ１−Ｚｎ７エライト
ＩＩ）ＣＩＩＤをガラス接着にて合体する。
フエライ） （ｓｌｍ）が交互に配されて成るガーＰ基
板（至）の一方のスライス面上に磁性′７エライト板（
例えばＭｎ−Ｚｎフェライト又はＮ１−Ｚｎ７エライト
ＩＩ）ＣＩＩＤをガラス接着にて合体する。
次に、第７図Ｃに示すように砥石、エッチシダ勢によ〕
磁性フェライト部（２）を選択的に所定間隔をシいて帯
状に除去し、互に平行する１数の磁性フェライト素片■
に分離する。その′螢の工１１祉前述の第１図Ｃ以下の
１轡と同じである。すなわち、第７図りに示すように磁
性フェライト素片（９）間の溝（至）内に磁性フェライ
ト素片（ロ）よシも高い飽和磁束密変を有する例えばＦ
・−ＡＡ−８１系合金又はＦ・−Ｃｏ−８１−Ｂ系非晶
質合金等の金属磁性材料、本例ではセンダスト（至）を
スノ々ツタリングにて充填し１合基板−を形成する。
磁性フェライト部（２）を選択的に所定間隔をシいて帯
状に除去し、互に平行する１数の磁性フェライト素片■
に分離する。その′螢の工１１祉前述の第１図Ｃ以下の
１轡と同じである。すなわち、第７図りに示すように磁
性フェライト素片（９）間の溝（至）内に磁性フェライ
ト素片（ロ）よシも高い飽和磁束密変を有する例えばＦ
・−ＡＡ−８１系合金又はＦ・−Ｃｏ−８１−Ｂ系非晶
質合金等の金属磁性材料、本例ではセンダスト（至）を
スノ々ツタリングにて充填し１合基板−を形成する。
この複合基板−を複数枚積層してガラス接着にて接合合
体して後、第７図Ｅに示す点＊＠ａの位置で切シ出して
ブロックコア対陽及び四を得る０次で、鯖７図Ｆに示す
ように一方のブロックコアーに巻線溝（財）を形成して
後、両ブロック；アー及び（至）のギャップ形成面を鏡
面加工し、一方のブロックコア４１３にギヤラプス（−
サ例えば５ｔｏｐ膜を被着して両ブロックコアー及び（
至）をガラス接着にて接合する（＃７図Ｇ）、然る後１
．このヘッドブロック（ハ）をガード材部分（至）で切
断してヘッドチップ禰を得る（第７図Ｈ）。
体して後、第７図Ｅに示す点＊＠ａの位置で切シ出して
ブロックコア対陽及び四を得る０次で、鯖７図Ｆに示す
ように一方のブロックコアーに巻線溝（財）を形成して
後、両ブロック；アー及び（至）のギャップ形成面を鏡
面加工し、一方のブロックコア４１３にギヤラプス（−
サ例えば５ｔｏｐ膜を被着して両ブロックコアー及び（
至）をガラス接着にて接合する（＃７図Ｇ）、然る後１
．このヘッドブロック（ハ）をガード材部分（至）で切
断してヘッドチップ禰を得る（第７図Ｈ）。
この実施例の製法にシいても、作動ギャップｇのテープ
摺動面がセンダスト（至）で形成され、主磁路が磁性フ
エライｉｌ）ａＩ）で構成され、且つテープ摺動面にお
いてへラドコア両側に非磁性ガード材（２）が配された
複合型磁気ヘッドが得られる。 ′±述せる如く、本発
明によれば、ヘッドコアの磁気飽和を生じ難く且つ再生
特性を向上せしめた複合型磁気ヘッドが容易に且り高信
頼断もって製造できるもので６９、例えば高枕磁力テー
プ用の録再！轡ヘラＰに適用して好適なしめるものであ
る。
摺動面がセンダスト（至）で形成され、主磁路が磁性フ
エライｉｌ）ａＩ）で構成され、且つテープ摺動面にお
いてへラドコア両側に非磁性ガード材（２）が配された
複合型磁気ヘッドが得られる。 ′±述せる如く、本発
明によれば、ヘッドコアの磁気飽和を生じ難く且つ再生
特性を向上せしめた複合型磁気ヘッドが容易に且り高信
頼断もって製造できるもので６９、例えば高枕磁力テー
プ用の録再！轡ヘラＰに適用して好適なしめるものであ
る。
第１図Ｃ以下は本発明の一実施例を示す工程図、第２図
及び蒙３図は本発明の他の実施例を示す工程図、第４図
〜第６図は本発明のさらに他の実施例を示す工程図、ｗ
、７図Ａ、Ｈは本発明のさらに仙の実施例を示す工程図
である。 （１）は非磁性ガーＰ基板、（２）は磁性フェライト板
、（３）は磁性フェライト素片、（４）は金属磁性材料
、ａυａａはブロックコア対、ａηはヘラＰチツブであ
る。 第１図
及び蒙３図は本発明の他の実施例を示す工程図、第４図
〜第６図は本発明のさらに他の実施例を示す工程図、ｗ
、７図Ａ、Ｈは本発明のさらに仙の実施例を示す工程図
である。 （１）は非磁性ガーＰ基板、（２）は磁性フェライト板
、（３）は磁性フェライト素片、（４）は金属磁性材料
、ａυａａはブロックコア対、ａηはヘラＰチツブであ
る。 第１図
Claims (1)
- ガード基板と磁性７エライト板を着合合体する工程と、
該磁性フェライト板を互いに平行に配された磁性フェラ
イト素片に分離する工程と、該磁性フェライト素片間に
該磁性フェライトより４高飽和磁束密度を有する金属磁
性材料を充填して複合基板を得る工、程と、該複合基板
を゛複数積層合体すゐ工程と、積層方向に従って一対の
磁性フェライト素片と金属磁性材料を含むブロックを切
〕出す工程と、該ブロックを分割してブロックコア対を
得、ブロック；ア対に所畳の溝加工を施す工程と、ギャ
ップスペーサを介して上記ブロックコア対を接合する工
程と、ガード材部分で切断してきツドチツゾを得る工程
とを有して成る複合型磁気ヘッドの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14657181A JPS5848221A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 複合型磁気ヘツドの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14657181A JPS5848221A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 複合型磁気ヘツドの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848221A true JPS5848221A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15410693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14657181A Pending JPS5848221A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 複合型磁気ヘツドの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848221A (ja) |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14657181A patent/JPS5848221A/ja active Pending
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