JPS5848247A - ピツクアツプレゾネ−タの発振回路 - Google Patents
ピツクアツプレゾネ−タの発振回路Info
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- JPS5848247A JPS5848247A JP14721981A JP14721981A JPS5848247A JP S5848247 A JPS5848247 A JP S5848247A JP 14721981 A JP14721981 A JP 14721981A JP 14721981 A JP14721981 A JP 14721981A JP S5848247 A JPS5848247 A JP S5848247A
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- resonator
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- pickup
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 241000972773 Aulopiformes Species 0.000 claims 1
- 235000019515 salmon Nutrition 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 241001181114 Neta Species 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical group C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明社ピックアップＶゾ１．ネータの発１１７に＠賂
に関し、ＳＮ比を改善しようとするｔのである。
に関し、ＳＮ比を改善しようとするｔのである。
ＣＨＤ、Ｖ、ＨＤ方式等の、一般に静電容量方式と呼ば
れるビデ）オディスクプレーヤでは、ディスク上の信号
管抽出する−ためにピックアップレゾネー＃を備えて―
る。このピックアップレゾネータは１例え・ｄＯＥＤ方
式のビデオディスクプレーヤでは、第１−に示す如＜９
１５ＭＨ２の発振回路（１）と、中心ｍｓ数が９１．（
１，Ｍ Ｈｌｉ５ ？ある共振回路（２）と、検ｆｆ自
絡（３）とを備えている。そ・して、発振ｍｌ ｍｌ
（１）は°実損用トランジスタ（Ｑ、％）、・バイアス
抵抗（Ｒ１）〜（Ｒ４）、コンデンサ（Ｃ１）〜（ＣＳ
）、及び同軸線路（Ｌｌ）よシ構成され、トランジスタ
（Ｑｌ）のベース・−コレクタ聞容量及びコレクタ・工
電ツＩ間容量を帰還容量とするコルピッツ型でアみ。コ
ンデンサ（０４）は、トランジスタ（Ｑｌ）のベースを
高ｉ！４波的に短絡する高脚叡用のパイパスーンデ・ン
サであシ、これは自己共優Ｍ１波数が９１５ＭＨｚ以上
にあるｔのが望ましく、Ｑ嘉高−１のが必要であるため
、一般に数ＩＱｐＩＦから高々１ ｏｏａｐｌ’の容量
値を呈するウェッジコンデ・ンサが用９られている。ま
た共振回路（１）灯、その共１ｔＲＩ：Ｌを平均値９１
０ＭＨｚＫ自動制御するためのＡＰＴ用のバラクタダイ
オード（Ｄｌ）、［ｆＩｌカッ）およびＡＰＴ変化幅設
定用コンデンサ（Ｃｙ）。
れるビデ）オディスクプレーヤでは、ディスク上の信号
管抽出する−ためにピックアップレゾネー＃を備えて―
る。このピックアップレゾネータは１例え・ｄＯＥＤ方
式のビデオディスクプレーヤでは、第１−に示す如＜９
１５ＭＨ２の発振回路（１）と、中心ｍｓ数が９１．（
１，Ｍ Ｈｌｉ５ ？ある共振回路（２）と、検ｆｆ自
絡（３）とを備えている。そ・して、発振ｍｌ ｍｌ
（１）は°実損用トランジスタ（Ｑ、％）、・バイアス
抵抗（Ｒ１）〜（Ｒ４）、コンデンサ（Ｃ１）〜（ＣＳ
）、及び同軸線路（Ｌｌ）よシ構成され、トランジスタ
（Ｑｌ）のベース・−コレクタ聞容量及びコレクタ・工
電ツＩ間容量を帰還容量とするコルピッツ型でアみ。コ
ンデンサ（０４）は、トランジスタ（Ｑｌ）のベースを
高ｉ！４波的に短絡する高脚叡用のパイパスーンデ・ン
サであシ、これは自己共優Ｍ１波数が９１５ＭＨｚ以上
にあるｔのが望ましく、Ｑ嘉高−１のが必要であるため
、一般に数ＩＱｐＩＦから高々１ ｏｏａｐｌ’の容量
値を呈するウェッジコンデ・ンサが用９られている。ま
た共振回路（１）灯、その共１ｔＲＩ：Ｌを平均値９１
０ＭＨｚＫ自動制御するためのＡＰＴ用のバラクタダイ
オード（Ｄｌ）、［ｆＩｌカッ）およびＡＰＴ変化幅設
定用コンデンサ（Ｃｙ）。
ＡＰＴ電圧電圧供給用チクライＡ／（ＬＳ）、バイパス
コンデンサ（Ｃ８）および同軸線路（Ｌ４）よシ構成さ
れ、短縮ン２ 分布定数型である。同軸線路（Ｌ４）の
片端（４）＄２、ピックアップカートリッジのフライリ
ードを通して、針先の電極にａｍされ。
コンデンサ（Ｃ８）および同軸線路（Ｌ４）よシ構成さ
れ、短縮ン２ 分布定数型である。同軸線路（Ｌ４）の
片端（４）＄２、ピックアップカートリッジのフライリ
ードを通して、針先の電極にａｍされ。
この電極とデ４；Ｅり間に形成される容量を含めて、中
心が９１０ＭＨｚＫ共擾する共振回路を形成している。
心が９１０ＭＨｚＫ共擾する共振回路を形成している。
さらに検波回路（３）に、検波用Ｖ冒ットキタイオード
（Ｄｌ）、（Ｄ３）、９１５ＭＨｚの高ａｍ除去用コン
デシサ（０９）（Ｃ１ｏ）、および同軸線絡（Ｌ６）よ
り構成されている。このビックアフプレゾネー４１（Ｐ
Ｒ）汀、さらに、同軸線路（Ｌ２）（Ｌｘ）とコンデン
サ（Ｃ６）よりなる整合囲路（５）ｔｔ・備えておシ１
発１１ｓ回路（１１の出力イシビーダンスを共振回路（
２）Ｋ整合させるようにしている。
（Ｄｌ）、（Ｄ３）、９１５ＭＨｚの高ａｍ除去用コン
デシサ（０９）（Ｃ１ｏ）、および同軸線絡（Ｌ６）よ
り構成されている。このビックアフプレゾネー４１（Ｐ
Ｒ）汀、さらに、同軸線路（Ｌ２）（Ｌｘ）とコンデン
サ（Ｃ６）よりなる整合囲路（５）ｔｔ・備えておシ１
発１１ｓ回路（１１の出力イシビーダンスを共振回路（
２）Ｋ整合させるようにしている。
このビックアップレゾネーａ（ＰＲ）ｒｊＪｋ知の如く
、ｙＬタイラスの電極とディスク間の容量変化に依存す
る共振回路〈２）の共振ｌ１ｌｆｆＩｌ数の変化に応じ
て全損回路（１）の発擾出力をＡＭ変調し、このＡＭ変
調信号を検波回路（３）で検波してディスク上の信号を
出力端子（６）ｋ出力するようにしている。
、ｙＬタイラスの電極とディスク間の容量変化に依存す
る共振回路〈２）の共振ｌ１ｌｆｆＩｌ数の変化に応じ
て全損回路（１）の発擾出力をＡＭ変調し、このＡＭ変
調信号を検波回路（３）で検波してディスク上の信号を
出力端子（６）ｋ出力するようにしている。
このように、ピックアップレゾネータ（ＰＲ）Ｈ、ディ
スク上の信号を取シ出す初段の回路部品であり、その性
能がディヌクプレーヤの性能を大きぐ左右する。特に、
このレゾネータのＳＮ比を大きくするこ“とが要請され
る。このレゾネー＃におけるＳＮ比社、ディスクから取
シ出す信号レベルと、内部に発生する雑音の比で決定さ
れ、共１１ｓ回路（２）のＱ髄および検ＩＩ！１回路（
３１のダイオードの性能、および検波効率等で左右され
るが、これらを笑現できる最良値にしても、なお雑音を
十分に抑圧できないことが実験的に判明した。
スク上の信号を取シ出す初段の回路部品であり、その性
能がディヌクプレーヤの性能を大きぐ左右する。特に、
このレゾネータのＳＮ比を大きくするこ“とが要請され
る。このレゾネー＃におけるＳＮ比社、ディスクから取
シ出す信号レベルと、内部に発生する雑音の比で決定さ
れ、共１１ｓ回路（２）のＱ髄および検ＩＩ！１回路（
３１のダイオードの性能、および検波効率等で左右され
るが、これらを笑現できる最良値にしても、なお雑音を
十分に抑圧できないことが実験的に判明した。
第・２図は、レゾネータ（ＰＲ）の検波出力に約４０ｄ
ＢのプリアンプをＩＩＩＲＬ、、ディスクからの信号を
入力しないときの雑音の分布吠ｌｉ［Ｉを、スペクト〃
アナライザのＪＩｌ波数帯埴０〜１ＱＭＨｚ、帯域部３
ＱＫＨ２，ビｆ’ｔフイｙｗ１１００Ｈｚ、掃引時間１
秒で濁定した雑音特性−である。この特性薗上の点Ｏ）
から（Ａ）１？の間で異常に雑音レベルが高くなってい
ることが認められる。（３ＥＤビデオディスク方式では
、ディスク上にビデオ信号が、ベデｙＬｐｗレベルを５
ＭＨ！２１に設定する（ＶＨＤでは６．６ＭＨｚ ）よ
うにＦＭ変調されて記録さ−゛れている。そ１て、これ
を復調するときの雑音は、ベデ：Ｘ、＃ル信号Ｊｌｌｌ
波数と雑音信号ａ波数の差の周波数信号であり、ベデス
＃ ｉｖｍｉ＊数との差が大きくなる程ＳＮ比が劣化す
ることが知られて埴る。ペデスタル信号Ｗ４θ数（５Ｍ
Ｈｚ ）より大きく離りた上記点０）から（Ａ）ｔでの
雑音信号は、ディスク上の信号を再生するときのＳＮ比
を大きく劣化させるととになる。
ＢのプリアンプをＩＩＩＲＬ、、ディスクからの信号を
入力しないときの雑音の分布吠ｌｉ［Ｉを、スペクト〃
アナライザのＪＩｌ波数帯埴０〜１ＱＭＨｚ、帯域部３
ＱＫＨ２，ビｆ’ｔフイｙｗ１１００Ｈｚ、掃引時間１
秒で濁定した雑音特性−である。この特性薗上の点Ｏ）
から（Ａ）１？の間で異常に雑音レベルが高くなってい
ることが認められる。（３ＥＤビデオディスク方式では
、ディスク上にビデオ信号が、ベデｙＬｐｗレベルを５
ＭＨ！２１に設定する（ＶＨＤでは６．６ＭＨｚ ）よ
うにＦＭ変調されて記録さ−゛れている。そ１て、これ
を復調するときの雑音は、ベデ：Ｘ、＃ル信号Ｊｌｌｌ
波数と雑音信号ａ波数の差の周波数信号であり、ベデス
＃ ｉｖｍｉ＊数との差が大きくなる程ＳＮ比が劣化す
ることが知られて埴る。ペデスタル信号Ｗ４θ数（５Ｍ
Ｈｚ ）より大きく離りた上記点０）から（Ａ）ｔでの
雑音信号は、ディスク上の信号を再生するときのＳＮ比
を大きく劣化させるととになる。
ところで、第２−に示されるような低域の雑音特性は、
トランジスタの１／ｆ雑音の特性に類似している。そこ
で実験検討し九結果１発４１０！１絡（１）出力自体に
この雑音成分がＡＭ変調されて伝送されてｉることが判
明した。すなわち、第１図のトランジスタ＃（Ｑｌ）よ
り発生する雑音が該トランジスｓｏ”：ｘレフＩ・ベー
ク間の低Ｊｌｌｆｆの雑音として加わると、このトラン
ジスＩのパイアヌが、この雑音電圧で変化したことにな
）、発！ｆＩＯ！Ｉ賂（１）出力自体１（ＡＭｌｌ”ｌ
ｌｌを生じさせることＫなる。このようＫＡＭＡＭ変調
けた全豪信号は、その１−すべｔｏ口賂管通９．検波［
ｉ！ｌ絡（３）で復調されて雑音として残留し、ＳＮ比
を低下させるのである。 ”本発明は、上記の点に着
目し、全１！回路出力自体のＡＭ−雑音を低減させ、も
ってＳＮ比を向上させるピックアップレゾネータの全損
回路を提供ｔようとするものである。
トランジスタの１／ｆ雑音の特性に類似している。そこ
で実験検討し九結果１発４１０！１絡（１）出力自体に
この雑音成分がＡＭ変調されて伝送されてｉることが判
明した。すなわち、第１図のトランジスタ＃（Ｑｌ）よ
り発生する雑音が該トランジスｓｏ”：ｘレフＩ・ベー
ク間の低Ｊｌｌｆｆの雑音として加わると、このトラン
ジスＩのパイアヌが、この雑音電圧で変化したことにな
）、発！ｆＩＯ！Ｉ賂（１）出力自体１（ＡＭｌｌ”ｌ
ｌｌを生じさせることＫなる。このようＫＡＭＡＭ変調
けた全豪信号は、その１−すべｔｏ口賂管通９．検波［
ｉ！ｌ絡（３）で復調されて雑音として残留し、ＳＮ比
を低下させるのである。 ”本発明は、上記の点に着
目し、全１！回路出力自体のＡＭ−雑音を低減させ、も
ってＳＮ比を向上させるピックアップレゾネータの全損
回路を提供ｔようとするものである。
第３−け本発明の１１Ｊ施例を示したものである。
珈中、第１（２）と同−一番についてけ同一機能要素を
示してかに、その説明を省略する。本賽施例の特徴は、
コンデンサ（Ｃ４）（第２コンデンサという）に並列に
、低１１ｆｆ用のバイパスコンデンサ（０１す（第１コ
ンデンサという）を接続して、発根ｎ路（１）出力たる
全豪信号がＡＭ変調されるのを防止することにある。そ
のため、ｔＩ／Ｉｉ１：１ンデンサＦｉｏ、０１μＦ以
上の大きな容量値を有するチップコンデンサとし、低周
波に対して十分に低インピーダンスを呈し上述の雑音電
圧を接地するように作動させてｉる。
示してかに、その説明を省略する。本賽施例の特徴は、
コンデンサ（Ｃ４）（第２コンデンサという）に並列に
、低１１ｆｆ用のバイパスコンデンサ（０１す（第１コ
ンデンサという）を接続して、発根ｎ路（１）出力たる
全豪信号がＡＭ変調されるのを防止することにある。そ
のため、ｔＩ／Ｉｉ１：１ンデンサＦｉｏ、０１μＦ以
上の大きな容量値を有するチップコンデンサとし、低周
波に対して十分に低インピーダンスを呈し上述の雑音電
圧を接地するように作動させてｉる。
第４図は本実施例の雑音特性を、第２（２）のものと同
条件で示したものである。−中、破線（７）ハ第２図の
特性を示している。図より明らかな如゛く、実線（８１
で示す本実施例では低域雑音が低減し、周波数特性が平
担になるよう改善されている。そして、テスト用レコー
ドにより、ＳＮ比を比較すると、２〜５（ＩＢ程度改善
されている仁とが確認された。更に、テレビジ四ン受像
機のスクリーン上での画像判定でも明らかに良好に１に
ることが認められた。
条件で示したものである。−中、破線（７）ハ第２図の
特性を示している。図より明らかな如゛く、実線（８１
で示す本実施例では低域雑音が低減し、周波数特性が平
担になるよう改善されている。そして、テスト用レコー
ドにより、ＳＮ比を比較すると、２〜５（ＩＢ程度改善
されている仁とが確認された。更に、テレビジ四ン受像
機のスクリーン上での画像判定でも明らかに良好に１に
ることが認められた。
尚、木５ｊ！施例でけ、従来回路通り、トランジス＃（
Ｑ、１）のベースを高Ｊｌｌｌ波的に接地するために、
第２コンデンサ（Ｃ４）？付設していて、高１ｌＩＨの
バイパスはこの第２コンデンサでまた低ＪＩＩ波のバイ
ルｙＬは第１コンデンサで分担するようにしているが、
第１コンデンサ単独であってｔ％Ｑ値の高ンサ）を使用
すれば、本実施例に比べ発振出力が少しく低下するが＠
優を生ぜしめることが可能であることがｉＩ認されてい
る。この発振出力の低下はｔランＶヌ４１０１１定によ
っである程度補償することができる。
Ｑ、１）のベースを高Ｊｌｌｌ波的に接地するために、
第２コンデンサ（Ｃ４）？付設していて、高１ｌＩＨの
バイパスはこの第２コンデンサでまた低ＪＩＩ波のバイ
ルｙＬは第１コンデンサで分担するようにしているが、
第１コンデンサ単独であってｔ％Ｑ値の高ンサ）を使用
すれば、本実施例に比べ発振出力が少しく低下するが＠
優を生ぜしめることが可能であることがｉＩ認されてい
る。この発振出力の低下はｔランＶヌ４１０１１定によ
っである程度補償することができる。
゛また本実施例でけ発根回路を構成するトランジス−の
接地型式としてベース接地型を示しているが、これはコ
ンク４１ＩＩＩ地型にしても同様の効果を得られる゛こ
とが明らかである。
接地型式としてベース接地型を示しているが、これはコ
ンク４１ＩＩＩ地型にしても同様の効果を得られる゛こ
とが明らかである。
第１図は従来のＶゾネータの回路構成図、第２−はその
雑音！＃Ａ波数特性図である。第３８！Ｊは本発明に係
るＶゾネータの回路溝ｆｉｔ８！３で、第４（２）はそ
の雑音周波数特性−である。 主な図書の説明 （１）−、−・発振回路、（２ト・・・・・共後回路、
ｒ＋＞−・・・・・検波回路、（ＧＬＩ）−・・・・・
トヲンジヌタ、（Ｏｔｓ）・・・・・・第１コンデシヤ
、（０４）−・・−ＩＩＩ ２コンデンサ。 出願人三洋電機株式会社 第１図 第２図 第８図 第４図 ＪＩＩＦＥＪｌｋ （Ｍ１４ｚ ｌ 手 続 補 正 書（自発） 昭和５６年１０月）１日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１４７２１９号 ２、発明の名称 ピックアップレゾネータの発振回路 ３、補正をする者 特許出願人 住所 〜守口市京阪本通２丁目１８番地名称（１８８）
三洋電機株式会社 代表者 井 植 薫 ４、代理人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 ５、補正の対象 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄、「発明の詳細
な説明」の欄 ４ 補正の内容 （１）特許請求の範囲は別紙の通り。 （２）明細書第２頁第１９〜第２０行の、「一般に数・
・・ＰＦの」を、 「一般に公称数１ＱＰＦから高々１００ＯＰＩＦの」鼻 と訂正する。 （３） １ｍ％７頁第１行の、ｒＱ、０１Ｊを、「公
称α０１」と訂正する。 以上 特許請求の範囲 「（１） ベース接地またはコレクタ接地のトランジ
スタを有するピックアップ用レゾネータの発振回路にお
いて、該発振回路のバイパスコンデンサとして、低Ｒ１
１用のバイパスコンデンサ（例えば公隻０．０１μｍ以
上の容量値を有するコンデンサ（第１コンデンサ））を
使用したことを特徴とするピックアップレゾネータの発
振回路。
雑音！＃Ａ波数特性図である。第３８！Ｊは本発明に係
るＶゾネータの回路溝ｆｉｔ８！３で、第４（２）はそ
の雑音周波数特性−である。 主な図書の説明 （１）−、−・発振回路、（２ト・・・・・共後回路、
ｒ＋＞−・・・・・検波回路、（ＧＬＩ）−・・・・・
トヲンジヌタ、（Ｏｔｓ）・・・・・・第１コンデシヤ
、（０４）−・・−ＩＩＩ ２コンデンサ。 出願人三洋電機株式会社 第１図 第２図 第８図 第４図 ＪＩＩＦＥＪｌｋ （Ｍ１４ｚ ｌ 手 続 補 正 書（自発） 昭和５６年１０月）１日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１４７２１９号 ２、発明の名称 ピックアップレゾネータの発振回路 ３、補正をする者 特許出願人 住所 〜守口市京阪本通２丁目１８番地名称（１８８）
三洋電機株式会社 代表者 井 植 薫 ４、代理人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 ５、補正の対象 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄、「発明の詳細
な説明」の欄 ４ 補正の内容 （１）特許請求の範囲は別紙の通り。 （２）明細書第２頁第１９〜第２０行の、「一般に数・
・・ＰＦの」を、 「一般に公称数１ＱＰＦから高々１００ＯＰＩＦの」鼻 と訂正する。 （３） １ｍ％７頁第１行の、ｒＱ、０１Ｊを、「公
称α０１」と訂正する。 以上 特許請求の範囲 「（１） ベース接地またはコレクタ接地のトランジ
スタを有するピックアップ用レゾネータの発振回路にお
いて、該発振回路のバイパスコンデンサとして、低Ｒ１
１用のバイパスコンデンサ（例えば公隻０．０１μｍ以
上の容量値を有するコンデンサ（第１コンデンサ））を
使用したことを特徴とするピックアップレゾネータの発
振回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ｉ） ベースシ地またはコレクー書地のトランジス
タを有するビフクアツデ用レゾネータの発振回路におい
て、該発揚回路のバイパスコンデンサとして、低Ｎ５ｆ
ｌｌ用のバイパスコンデンサ（９１，ｔハ９１５ＭＨｚ
Ｏ発振Ｓｇ数に対シテｏ、０１ ｔｔ Ｆ以上の容量値
を有するコン、デンサ（第１コンデンサ））を使用した
仁とｔ−ｄ微とするピックアップ角しゾネー夢の発振回
路。 Ｃ２） 前記発振回路のパイバヌコンデシ、。サケ、
前記第１コンデンサと、高ＪＩＩｔＩｉ用のバイパスコ
ンデ＞？（例ＬＦ！ｍｅ発ｇ！Ｒ８ｆｆＩＩＩＩ対し、
τ高ａ１０００ｐ？以下の容量値を有する第２コンデン
サ）とを並列接続してなるもので５ある特許請求の範囲
第（１，）項記載の回路。 。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14721981A JPS5848247A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ピツクアツプレゾネ−タの発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14721981A JPS5848247A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ピツクアツプレゾネ−タの発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848247A true JPS5848247A (ja) | 1983-03-22 |
Family
ID=15425259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14721981A Pending JPS5848247A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | ピツクアツプレゾネ−タの発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848247A (ja) |
-
1981
- 1981-09-17 JP JP14721981A patent/JPS5848247A/ja active Pending
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