JPH018023Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は電子チユーナの同調回路、特にバン
ド切換方式における広帯域受信に好適する同調回
路に関する。

可変容量ダイオードを同調選択手段に用いた電
子チユーナは広く採用されおり、受信帯域が広い
場合には容量可変比の問題を解消するのに同調コ
イルとしてハイチヤンネルコイルとローチヤンネ
ルコイルを用いたバンド切換方式を採用してい
る。しかし、従来のバンド切換式電子チユーナの
同調回路において、ハイチヤンネルバンド選択時
の回路Ｑの低下が問題であつた。例えば、
CATVチヤンネルのように非常に広帯域のVHF
帯域を２バンド切換方式で受信するシステムにお
いて、広域に亘る高域側バンド選択時にバンド切
換回路のバイパスコンデンサが同調回路のループ
中に含まれ共振回路のＱを低下させ、それによつ
て特定チヤンネルで発振停止を招くことがある。
特にスイツチング電圧供給用の抵抗をバイパスと
して高周波成分をパスさせるためのバイパスコン
デンサは一般にＱがあまり高くなく、その抵抗分
Rsが大きいので局部発振段で共振回路のＱの低
下に大きく影響して発振停止を引き起す。

従つて、本考案は上記の点に鑑み提案されたも
のであり、改良された電子チユーナの同調回路の
提供を目的とするものである。すなわち、スイツ
チングダイオードとバイパスコンデンサのバンド
切換回路を付設して成るバンド切換式電子チユー
ナの同調回路において、高域側バンド選択時に利
用されるバイパスコンデンサを高域チヤンネル受
信に際してその高周波等価回路から排除して共振
回路のＱ低下を阻止する。

本考案によれば、同調回路は低域用コイルと高
域用コイルを直列接続した同調コイル、この同調
コイルに結合コンデンサを介して結合した同調用
可変容量ダイオード、及び同調コイル接続点にバ
ンド切換用スイツチングダイオードを接続しこれ
をバイパスコンデンサで高周波的に接地するバン
ド切換回路を具備し、同調用可変容量ダイオード
がそのアノードを直流的に接地された同調コイル
に、カソードを結合コンデンサを介して前記スイ
ツチングダイオードとバイパスコンデンサの結合
点に接続して構成される。ここでハイチヤンネル
バンド受信時にはスイツチングダイオードとバイ
パスコンデンサの直列回路が低域用コイルを高周
波的に短絡すると共に選択された高域側チヤンの
高周波回路におけるバイパスコンデンサの影響を
実質的に排除することとなり、それによつて共振
回路のバイパスコンデンサによるＱ低下を阻止す
る。従つて、本考案の同調回路の利用は局部発振
段における特定チヤンネル、例えば、高域側バン
ドの最低周波数チヤンネルの発振停止を防ぎ、広
帯域受信を可能にするほか、チツプ形部品で回路
構成する場合のようにＱの低い回路に対して有利
となる。また、本考案の回路では可変容量ダイオ
ードを高周波的にホツト側とするから同調電圧供
給用の抵抗に関して結合コンデンサがバイパス形
成する点からもそれによるＱ低下の防止に有利と
なる。

以下本考案に係る実施例について従来回路と対
比しつつ詳述する。

第１図乃至第３図は従来の電子チユーナの同調
回路を示し、第４図にハイチヤンネルバンド受信
時の高周波等価回路を示している。先ず、第１図
においては、同調用可変容量ダイオード１が結合
コンデンサ２を介して直列接続されたハイチヤン
ネルコイル３とローチヤンネルコイル４に結合さ
れ、バンド切換用スイツチングダイオード５と直
流阻止兼高周波通過用コンデンサ６（以下バイパ
スコンデンサと呼ぶ）がローチヤンネルコイル４
の各端側と接地間に介挿される。ここで、スイツ
チングダイオード５はハイチヤンネル及びローチ
ヤンネルコイル３，４の接続点側に接続してハイ
チヤンネルバンド受信時にローチヤンネルコイル
４を高周波的に短絡させる。チヤンネル選択は可
変容量ダイオード１に同調電圧供給端子７からの
同調電圧とスイツチングダイオード５にバンド切
換電圧供給端子８からのスイツチング電圧の印加
で行なわれ、この同調回路に結合された能動回路
９、例えば局部発振回路を制御する。第２図はス
イツチング電圧をスイツチングダイオードの両端
に印加するための第１図の変形であり、第２のバ
イパスコンデンサ６′及び第２のスイツチング電
圧供給端子８′が付加される以外は第１図と同様
であり同一符号を用いて示してある。これらの従
来回路では可変容量ダイオード１を直接に同調コ
イル３，４の高周波的にみたホツト側に接続され
ず、結合コンデンサ２を介さなければならない。
すなわち、同調用可変容量ダイオード１のアノー
ド側を同調コイルのうちハイチヤンネルコイルに
接続する回路構成にできない。

第３図は可変容量ダイオード１のアノードをハ
イチヤンネルコイル３に接続する場合の従来の同
調回路であり、それぞれの機能については第１図
と同じであり、同一機能部品については同一符号
によつて示した。この場合にハイチヤンネルバン
ドを受信するときの高周波的等価回路を第４図に
示してあり、共振回路のＱはＱ＝ωL／Rs及びRs＝r₁ ＋r₂＋r₃＋r₅＋r₆で決まる。尚第４図において、
r₁は可変容量ダイオード１の抵抗、r₂は結合コン
デンサ２の抵抗、r₃はハイチヤンネルコイル３の
抵抗、r₅はスイツチングダイオード５の抵抗、及
びr₆はバイパスコンデンサ６の抵抗であり、c₁，
c₂，c₅，c₆及びL₃はそれぞれ添字で示す部品の容
量値及びインダクタンス値を示している。

しかしこのような従来回路を局部発振段に用い
ると共振回路のＱが低くなり、回路損失が大きく
なるので高域側バンドの特定チヤンネル発振停止
を起す。例えば、CATV用チユーナのように
VHF帯域を２バンド受信方式で構成する場合に
高域側バンドにおける最低周波数チヤンネルで発
振停止となる。具体的なU.S.チヤンネル方式にお
いては低域側バンドを第２乃至第６チヤンネルに
割当て、高域側バンドをＡ乃至Ｉチヤンネル、７
乃至13チヤンネル、及びＪ乃至Ｗチヤンネルのミ
ツド・ハイ・スーパーの３バンドを包合して割当
てる場合があり、この場合の高域側バンドはＡチ
ヤンネルの中心周波数（123.5MHz）からＷチヤ
ンネルの中心周波数（297.5MHz）迄の非常に広
い範囲をバンド切換なしで掃引しなければならな
い。この場合に周波数比（max／min）は
297.5／123.5＝2.41であり、可変容量ダイオード
の同調電圧に対する比と同調周波数の比は次の関
係を満足しなければならなくなる。

ここで負荷容量Cl＝2pF、ストレー容量Cs＝
2pF、結合容量Cc＝2200pF、及び可変容量ダイ
オードの最少容量Cmin＝5pFとすると、ｎは約
10となり、ISV−50タイプの可変容量ダイオード
では１〜30Vの同調電圧範囲を使用することとな
る。

こうした条件の下でｗチヤンネルにおける局部
発振信号（341MHz）を生成するには高域用同調
コイルのインダクタンスＬは約20nHと非常に小
さい値になる。このインダクタンスＬを用いてＡ
チヤンネルまで同調させるとＡチヤンネルでの局
部発振信号（167MHz）の同調時にはリアクタン
ス分が非常に小さくなり、前述する抵孔Rsの影
響が大きくなる。例えば、Rs≒２Ωの場合の回
路ＱはＱ＝ωL／Rs≒10となる。この値は、通常20以 上を必要とすると言われる回路に比べて極めて小
さく従つてその回路損失が大きくなつて局部発振
回路の発振が停止する。

本考案は上記欠陥を解消するものであり、共振
回路のＱ低下を引き起すバイパスコンデンサの抵
抗分を実質的に共振回路から排除するものであ
り、回路のＱを高めて局部発振の停止を招かず安
定したチユーナ特性を付与する。第５図は本考案
の具体的回路図であり、直流的に接地される直列
接続の低域用コイル１１と高域用コイル１２から
成る同調コイル、結合コンデンサ１３を介して同
調コイルに結合し所望するチヤンネルを選択する
ように同調電圧供給端子１４から抵抗１５を経て
同調電圧が印加される可変容量ダイオード１６、
及び一端が同調コイルの接続点２２に接続され他
端がバイパスコンデンサ１７を介して接地された
スイツチングダイオード１８を具備して構成され
る。スイツチングダイオード１８にはスイツチン
グ電圧供給端子１９から抵抗２０を経てスイツチ
ング電圧が印加され、高域側バンドの受信時に導
通して低域用コイル１１を高周波的に短絡する。
ここで抵抗２０に対してバイパスを形成するバイ
パスコンデンサ１７は高周波成分をパスさせてい
る。２２は同調回路の結合される能動回路であ
り、この結合手段に第２の可変容量ダイオード２
４を用いてCATV用チユーナの一部、例えば局
部発振段を構成する。

上記構成における本考案の特徴は可変容量ダイ
オード１６のアノードが高周波にホツトである高
域用コイル１２に接続され、そのカソードが結合
コンデンサ１３を介してスイツチングダイオード
１８とバイパスコンデンサ１７の結合点２１に接
続されたことである。この回路構成において、ス
イツチングダイオード１８を導通させ高域側バン
ドを選択するときにその高周波等価回路は、第６
図に示す通り、バイパスコンデンサ１７の容量分
C₁₇と抵抗分r₁₇が高周波回路のループから除外さ
れることとなる。すなわち、第４図の従来の回路
の高周波的等価回路に比べて、バイパスコンデン
サ１７の抵抗及び容量分がそれぞれ無視できるこ
ととなる。このことはバイパスコンデンサ１７の
比較的大きな抵抗分r₁₇の排除によつて共振回路
のＱを大きく上げることを意味する。通常、バイ
パスコンデンサでは高誘電率のために抵抗分r₁₇
は比較的大きく、この抵抗分r₁₇を無視し得るこ
とによつて低い同調電圧においても発振可能とな
り特定チヤンネルの発振停止を阻止する。実験で
は本考案の同調回路の使用により同調電圧は
0.2Vでも発振させることができ、従来に比べて
同調電圧可変範囲を拡大することで広帯域化を計
つた。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は従来の同調回路図、第４図
は第３図のハイチヤンネルバンド受信時の等価回
路図、第５図は本考案に係る電子チユーナの同調
回路図、及び第６図は第５図の高域側バンド受信
時の等価回路図である。 １１……低域用コイル、１２……高域用コイ
ル、１３……結合コンデンサ、１４……同調電圧
供給端子、１６……可変容量ダイオード、１７…
…バイパスコンデンサ、１８……スイツチングダ
イオード、１９……スイツチング電圧供給端子、
２１……結合点、２２……接続点。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 直流的に接地される直列接続の低域用コイルと
   高域用コイルの同調コイル、結合コンデンサを介
   して前記同調コイルに結合して所望するチヤンネ
   ルを選択する可変容量ダイオード、及び一端を前
   記同調コイルの接続点に接続し他端をバイパスコ
   ンデンサを介して接地した前記低域用コイルを高
   周波的に短絡してバンド選択するスイツチングダ
   イオードを具備したバンド切換式電子チユーナで
   あつて、前記可変容量ダイオードはそのアノード
   側を前記高域用コイルに接続し、カソード側を前
   記結合コンデンサの一端に接続し、且つ前記結合
   コンデンサの他端を前記スイツチングダイオード
   と前記バイパスコンデンサの結合点に接続し、前
   記バイパスコンデンサを高域側バンド選択時の同
   調回路から高周波的に除去し得るようにしたこと
   を特徴とする電子チユーナの同調回路。