JPS5848334A - メッシュ製造用ガラス基板の製造方法 - Google Patents
メッシュ製造用ガラス基板の製造方法Info
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- JPS5848334A JPS5848334A JP14630781A JP14630781A JPS5848334A JP S5848334 A JPS5848334 A JP S5848334A JP 14630781 A JP14630781 A JP 14630781A JP 14630781 A JP14630781 A JP 14630781A JP S5848334 A JPS5848334 A JP S5848334A
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- film
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮像管メ□ッシュ製造用ガッス基板の製造方法
の改良に係わる。
の改良に係わる。
撮儂管メッシ具とは、電クロ、ン単位の寸法から成ゐ鋼
の綱であるが、ビデオテープレコーダの発達とともに小
臘テレビカメラの需要が広がシ従ってそのメッシ晶の微
細加工の重１性が増している。
の綱であるが、ビデオテープレコーダの発達とともに小
臘テレビカメラの需要が広がシ従ってそのメッシ晶の微
細加工の重１性が増している。
以下Ｋまず従来方法を述べる。従来仁のガラス基板は、
第１図（ａ）乃至（ｄ）に示すごとく機櫨加工法によ＃
）ＩＩｌ造されてきた。すなわちまずガラス基板ｌ上Ｋ
１１１などの金属薄ｊｌＩ２′を堆積し九後（ｂ）、先
の鋭い針で轟咳鉛膜をひっかく事により加工しメッシ為
バター／を傅る（Ｃ）、つづいてＮ）Ｉ、Ｆｆｉたは）
ＩＦ水溶液によりガラス基板のエツチングを行なってメ
ッシ＆製造用基板（ｄ）を製造していた。−万メッシ、
自体は、第２図（荀乃至（句に示す方法で製造される。
第１図（ａ）乃至（ｄ）に示すごとく機櫨加工法によ＃
）ＩＩｌ造されてきた。すなわちまずガラス基板ｌ上Ｋ
１１１などの金属薄ｊｌＩ２′を堆積し九後（ｂ）、先
の鋭い針で轟咳鉛膜をひっかく事により加工しメッシ為
バター／を傅る（Ｃ）、つづいてＮ）Ｉ、Ｆｆｉたは）
ＩＦ水溶液によりガラス基板のエツチングを行なってメ
ッシ＆製造用基板（ｄ）を製造していた。−万メッシ、
自体は、第２図（荀乃至（句に示す方法で製造される。
まず、メチルアルコールとアルゴンガス（Ａｒ）との混
合ガス雰囲気中で咳基板１上に白金（１）ｔ）薄１［３
をスパッタリング蒸着する（ｂ）。つづいてスポンジで
表面をＮＪシ、溝の中に白金が埋め込まれた状態にする
（Ｃ）、つづいて電気メツキ法によシ銅４′を白金上に
堆積しくｄ）、最後にこの鋼と白金のメ４シ暴をガラス
基板からはがしてメッシ為を得る。
合ガス雰囲気中で咳基板１上に白金（１）ｔ）薄１［３
をスパッタリング蒸着する（ｂ）。つづいてスポンジで
表面をＮＪシ、溝の中に白金が埋め込まれた状態にする
（Ｃ）、つづいて電気メツキ法によシ銅４′を白金上に
堆積しくｄ）、最後にこの鋼と白金のメ４シ暴をガラス
基板からはがしてメッシ為を得る。
以上述べ九従米方法は、ｆＩ＆膜の機械加工であシ、ま
九基板上にメツシーパターンを刻むｉｌＫＭＩ液エツチ
ング法を用いている丸め、溝の深さに対して巾は必ず２
倍以上の寸法とな９、将来の微細化に対応できないこと
と寸法のパック中が大きいという一点がらり九。
九基板上にメツシーパターンを刻むｉｌＫＭＩ液エツチ
ング法を用いている丸め、溝の深さに対して巾は必ず２
倍以上の寸法とな９、将来の微細化に対応できないこと
と寸法のパック中が大きいという一点がらり九。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、Ａｍ管の小屋化に対応しうる微細メ
ッシ為製造方法を提供することにあシ、電子ビーム直接
描画方法と反応性イオンエツチング法を使用することを
特徴とする。
的とするところは、Ａｍ管の小屋化に対応しうる微細メ
ッシ為製造方法を提供することにあシ、電子ビーム直接
描画方法と反応性イオンエツチング法を使用することを
特徴とする。
反応性イオンエツチング法は第３図に示すごとく一対の
平行平板成極５，６を有する真空装置７内に少なくとも
１つのハロゲン原子を分子−内に有するガスを導入し、
両電極間に高周波電界を印刀口して放電せしめ発生した
活性稽を利用して被エツチング物８をエツチングする方
法であシ、１スクパターンにそった忠実なエツチングを
行なうことを特徴とし、ｌｐｍ以下いわゆるサブミクロ
ｙ単位以下本発明の詳細を実施例をもって説明する。
平行平板成極５，６を有する真空装置７内に少なくとも
１つのハロゲン原子を分子−内に有するガスを導入し、
両電極間に高周波電界を印刀口して放電せしめ発生した
活性稽を利用して被エツチング物８をエツチングする方
法であシ、１スクパターンにそった忠実なエツチングを
行なうことを特徴とし、ｌｐｍ以下いわゆるサブミクロ
ｙ単位以下本発明の詳細を実施例をもって説明する。
第４図に示すごとく、ガラス基板９上に１０００λ厚の
クロムｌ［１０を堆積し、つづいて電子ビームに対して
高−感度を有する電子ビームレジストであるポリメチル
メタクリレ−）（ＰＭＭＡ）の薄膜（１μｍ）１１を塗
布しくａ）、ベーキングを行なりた後巾２μｍ。
クロムｌ［１０を堆積し、つづいて電子ビームに対して
高−感度を有する電子ビームレジストであるポリメチル
メタクリレ−）（ＰＭＭＡ）の薄膜（１μｍ）１１を塗
布しくａ）、ベーキングを行なりた後巾２μｍ。
ピッチ１５μｍのメツシーパターンを電子ビーム直接袖
画法によフｌｏμＣ／ａＩｉのドーズ量で描画し、現像
してｐｍムのメツシーパターンを得た（ｂ）０次に硝酸
セリクムアン篭二りム６Ｇ、９．過塩素酸８０ｍｊｘお
よび水８００祠から成るクロムのエツチング液に浸漬し
てＰＭＭＡをマスクとしてクロム膜１ｏのエツチングを
行なり＊ （ｃ）。このりσムエッチング工程はＣＣＪ
４ガスプラズマを用いた反応性イオンなどのドライエツ
チング方法でも行える。ついで、反応性イオンエツチン
グ装置内に、該基板を入れ、エツチングガスとしてＣＦ
４ガス２０ｍｊ／ｍｉｎを供給し、印加高周波電圧２０
０ｗ、圧カ０．０２テｏｒｒの圧力下で２５分間エツチ
ングを行ない、該ガラス基板に深さ１声ｍ巾２μｍの矩
形の溝を形成した（ｄ）、この矩形の溝のままでは、鋼
と白金のメッ７１を基板からはがす際に、鋼と白金のメ
ッ７．がはかれにくく歩留シ低下の原因となる。それゆ
え反応性イオンエツチング後、ＮＨ，Ｆ層液に５分間浸
漬して矩形の溝に丸味を４ｈ九せる（ｅ）。つづいて前
述のクロムのエツチング溶液に浸漬してクロムをはくす
し、最後にさらにメッシ番のはがれを良くするため３０
秒間ＮＨ，Ｆ濤液にひ九して角の面ｉｎを行なう（ｆ）
。
画法によフｌｏμＣ／ａＩｉのドーズ量で描画し、現像
してｐｍムのメツシーパターンを得た（ｂ）０次に硝酸
セリクムアン篭二りム６Ｇ、９．過塩素酸８０ｍｊｘお
よび水８００祠から成るクロムのエツチング液に浸漬し
てＰＭＭＡをマスクとしてクロム膜１ｏのエツチングを
行なり＊ （ｃ）。このりσムエッチング工程はＣＣＪ
４ガスプラズマを用いた反応性イオンなどのドライエツ
チング方法でも行える。ついで、反応性イオンエツチン
グ装置内に、該基板を入れ、エツチングガスとしてＣＦ
４ガス２０ｍｊ／ｍｉｎを供給し、印加高周波電圧２０
０ｗ、圧カ０．０２テｏｒｒの圧力下で２５分間エツチ
ングを行ない、該ガラス基板に深さ１声ｍ巾２μｍの矩
形の溝を形成した（ｄ）、この矩形の溝のままでは、鋼
と白金のメッ７１を基板からはがす際に、鋼と白金のメ
ッ７．がはかれにくく歩留シ低下の原因となる。それゆ
え反応性イオンエツチング後、ＮＨ，Ｆ層液に５分間浸
漬して矩形の溝に丸味を４ｈ九せる（ｅ）。つづいて前
述のクロムのエツチング溶液に浸漬してクロムをはくす
し、最後にさらにメッシ番のはがれを良くするため３０
秒間ＮＨ，Ｆ濤液にひ九して角の面ｉｎを行なう（ｆ）
。
該基板を用いてメッシ為作成を行なり九ところ、ピッチ
むらのない非常に良好なメッ７．が得られ九。
むらのない非常に良好なメッ７．が得られ九。
本発明におけるレジストパターンを形成する際には、電
子ビーム直接描Ｉａｉ法のみならず、電子ビーム一括転
写法およびイオンビーム直接描画法など微細パターンを
形成しうる技術であれば使用可能である。
子ビーム直接描Ｉａｉ法のみならず、電子ビーム一括転
写法およびイオンビーム直接描画法など微細パターンを
形成しうる技術であれば使用可能である。
を九反応性イオンエツチング時間とＮＨ４ＰｆＩＩ液エ
ツチング時間の組合せを変えることによシ、溝の丸味や
深さに対する巾の制御等を行ないうる。
ツチング時間の組合せを変えることによシ、溝の丸味や
深さに対する巾の制御等を行ないうる。
第１図（→〜［ｄ）は、メッシ＆調造ガラス基板製造法
の従来例を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は、メッ
シ晶の製造法を示す断ｒｊｊＪ５１Ｉ％＃Ｉ３ｗＪは反
応性イオンエツチング装置の一例を示す断面図、第４図
（畠）〜（ｆ）は、本発明の実施例を示す断面図である
。 図に於いて、 ｌ・・・ガラス基板、 ２・・・鉛 薄 膜、３
・・・白金（Ｐｔ）膜、 ４・・・鋼メッシ為、
５・・・上部電極、 ６・・・下部電極、７・・・
エツチングチャンバー、 ８・・・被エツチング物、９
・・・ガラス基板、１０・・・クロム４１１．１１・・
・ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）薄膜、戎・・
・排 気 口、１３・・・ガス導入口、１４・・・マツ
チング回路、１５・・・高周波電源。 代理人弁理士 則近憲佑 他１名 第 １ 図 ｍノ （ｄ） 第２図 ＬＡノ 第３図 第４図 （Ｃ）
の従来例を示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）は、メッ
シ晶の製造法を示す断ｒｊｊＪ５１Ｉ％＃Ｉ３ｗＪは反
応性イオンエツチング装置の一例を示す断面図、第４図
（畠）〜（ｆ）は、本発明の実施例を示す断面図である
。 図に於いて、 ｌ・・・ガラス基板、 ２・・・鉛 薄 膜、３
・・・白金（Ｐｔ）膜、 ４・・・鋼メッシ為、
５・・・上部電極、 ６・・・下部電極、７・・・
エツチングチャンバー、 ８・・・被エツチング物、９
・・・ガラス基板、１０・・・クロム４１１．１１・・
・ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）薄膜、戎・・
・排 気 口、１３・・・ガス導入口、１４・・・マツ
チング回路、１５・・・高周波電源。 代理人弁理士 則近憲佑 他１名 第 １ 図 ｍノ （ｄ） 第２図 ＬＡノ 第３図 第４図 （Ｃ）
Claims (1)
- ガラス基板上にクロム１１九はクロムと酸化クロムおよ
び電子ビームまたはイオンビームに対して感度を有する
感光剤の薄膜を順次堆積し、電子ビーム直接描画法また
はイオンビーム直接描禰法によシ感光剤上にメツ７車パ
ターンを描画、現儂して感光剤薄膜のメツ７車パターン
を形成し、該パターンをマスクとしてクロムまたはクロ
ムと酸化クロムから成る２層薄膜を溶液やプラズマ中反
応性イオンなどの方法でエツチングを行い、つづいて該
感光剤薄膜とり！ムま九はクロムと酸化クロムの薄膜を
マスタとして反応性イオンエツチング法と溶液エツチン
グ法の組合せによってガラス基板のエツチングを行なう
ことを特徴とする撮像管メツシュ製造用ガラス基板の［
遣方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14630781A JPS5848334A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | メッシュ製造用ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14630781A JPS5848334A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | メッシュ製造用ガラス基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848334A true JPS5848334A (ja) | 1983-03-22 |
| JPS6335054B2 JPS6335054B2 (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=15404710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14630781A Granted JPS5848334A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | メッシュ製造用ガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848334A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010530344A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-09-09 | エルジー・ケム・リミテッド | ネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法 |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP14630781A patent/JPS5848334A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010530344A (ja) * | 2007-09-21 | 2010-09-09 | エルジー・ケム・リミテッド | ネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6335054B2 (ja) | 1988-07-13 |
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