JPS5848965B2 - 温度補償用磁器誘電体組成物 - Google Patents
温度補償用磁器誘電体組成物Info
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- JPS5848965B2 JPS5848965B2 JP51151253A JP15125376A JPS5848965B2 JP S5848965 B2 JPS5848965 B2 JP S5848965B2 JP 51151253 A JP51151253 A JP 51151253A JP 15125376 A JP15125376 A JP 15125376A JP S5848965 B2 JPS5848965 B2 JP S5848965B2
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、温度係数が低く、誘電率が高く、しかも高周
波における損失角が小さい温度補償磁器誘電体組或物に
関する。
波における損失角が小さい温度補償磁器誘電体組或物に
関する。
従来、温度補償用磁器誘電体組成物として、ＭｇＴｉ０
３， ＣａＴｉ０３， ＳｒＴｉ０３， Ｔｉ０２等が
使用されているが、これらは、温度係数が小さくなると
高い誘電率が得られず、損失角も悪化する欠点を有して
いた。
３， ＣａＴｉ０３， ＳｒＴｉ０３， Ｔｉ０２等が
使用されているが、これらは、温度係数が小さくなると
高い誘電率が得られず、損失角も悪化する欠点を有して
いた。
尚、ＣａＴｉＯ３は誘電率１６０、温度係数−１６００
ｐ−であり、Ｓ ｒ Ｔ ｉＯ ｓは誘電率３６０、温
度係数−４５００ＰＩ）Ｉｌｌの特性を有し、これらの
改良としてＢｉ２０３あるいはＢ ｔ ２ ０ ３とＴ
ｉＯ２を同時に添加して、温度係数を小さくする方法等
もあるが、これらは高周波の損失角が大きく、特性的に
も不安定であった。
ｐ−であり、Ｓ ｒ Ｔ ｉＯ ｓは誘電率３６０、温
度係数−４５００ＰＩ）Ｉｌｌの特性を有し、これらの
改良としてＢｉ２０３あるいはＢ ｔ ２ ０ ３とＴ
ｉＯ２を同時に添加して、温度係数を小さくする方法等
もあるが、これらは高周波の損失角が大きく、特性的に
も不安定であった。
本発明は、かかる欠点を除去するもので、ＳｒＴｉＯ３
１０〜９０重量％、ＣａＴｉＯ３９０〜１０重量％の基
本組成１００重量部に対し原子番号５７〜７１の希土類
元素酸化物をＯ〜１５重量部（但しＯを含まず）ＣａＴ
ｉＳｉ０５をＯ〜１０重量部（但しＯを含まず）添加し
、更にＢｉ２０３，Ｆｅ２０３ ， Ｍｎ０２， Ｃａ
Ｏ ， Ｖ２０５の補助酸化物を２種以上複合して、Ｏ
〜５重量部（但しＯを含まず）添加する温度補償用磁器
誘電体組成物に係わるものである。
１０〜９０重量％、ＣａＴｉＯ３９０〜１０重量％の基
本組成１００重量部に対し原子番号５７〜７１の希土類
元素酸化物をＯ〜１５重量部（但しＯを含まず）ＣａＴ
ｉＳｉ０５をＯ〜１０重量部（但しＯを含まず）添加し
、更にＢｉ２０３，Ｆｅ２０３ ， Ｍｎ０２， Ｃａ
Ｏ ， Ｖ２０５の補助酸化物を２種以上複合して、Ｏ
〜５重量部（但しＯを含まず）添加する温度補償用磁器
誘電体組成物に係わるものである。
以下、発明につき実施例をあげて具体的に詳述する。
実施例
市販のＳｒＣＯ３，ＣａＣＯ３とＴｉＯ２を等モルに配
合し、１１００〜１２００℃Ｘ２Ｈの仮焼成、及び微粉
砕を行ないＳｒＴｔ０３，ＣａＴｔＯ３を作成し、同様
にしてＣａＣＯ３とＳ Ｉ０２ Ｔ ｔ ０２を等モル
に配合し、１１００〜１３００℃Ｘ２Ｈの仮焼成及び微
粉砕を行ない、ＣａＴｉＳｉＯ５を作成する。
合し、１１００〜１２００℃Ｘ２Ｈの仮焼成、及び微粉
砕を行ないＳｒＴｔ０３，ＣａＴｔＯ３を作成し、同様
にしてＣａＣＯ３とＳ Ｉ０２ Ｔ ｔ ０２を等モル
に配合し、１１００〜１３００℃Ｘ２Ｈの仮焼成及び微
粉砕を行ない、ＣａＴｉＳｉＯ５を作成する。
次にこれらの原料を第１表に示す成分割合となる様調合
し、ウレタン内張ポットミルを用いて湿式混合を行ない
水分を蒸発させた後、バインダーとしてＰＶＡ（ポリビ
ニルアルコール）水溶液を添加し乾燥後、直径１０ｍｍ
、厚さ２關の円板を０．５〜２ ｔ ／ｃｒＡの圧力で
加圧成型し１２００〜１４００℃Ｘ３Ｈの本焼成を行な
った。
し、ウレタン内張ポットミルを用いて湿式混合を行ない
水分を蒸発させた後、バインダーとしてＰＶＡ（ポリビ
ニルアルコール）水溶液を添加し乾燥後、直径１０ｍｍ
、厚さ２關の円板を０．５〜２ ｔ ／ｃｒＡの圧力で
加圧成型し１２００〜１４００℃Ｘ３Ｈの本焼成を行な
った。
得られた磁器素体にＡｇ−Ｐｄ電極を焼付けて完成体と
し、電気特性を測定し、第２表の結果を得た。
し、電気特性を測定し、第２表の結果を得た。
表中、Ａ３〜７の結果より、基本成分のＳ ｒ Ｔ ｔ
Ｏ ３が９０重量％を越えると温度係数が−３０００
ｐｐｍ／’Ｃを越え、又、試料Ａ９５〜９９の結果より
、ＣａＴｉＯ３が９０重量％を越えると誘電率が１８０
未満となり、目的とする高誘電率が得られなくなるため
、ＳｒＴｉＯ３は１０〜９０重量％、ＣａＴｉＯ３は９
０〜１０重量％に成分を限定し、更に、試料嵐１１，２
４，３２，４１，６４，７９，９４の結果より、希土類
酸化物の量が基本組成に対して１５重量部を越えると誘
電率が低下し、誘電体損が大幅に増加するとともに容量
の経時変化量が増大するため、添加量はＯ〜１５重量部
（但しＯは含まず）に限定する。
Ｏ ３が９０重量％を越えると温度係数が−３０００
ｐｐｍ／’Ｃを越え、又、試料Ａ９５〜９９の結果より
、ＣａＴｉＯ３が９０重量％を越えると誘電率が１８０
未満となり、目的とする高誘電率が得られなくなるため
、ＳｒＴｉＯ３は１０〜９０重量％、ＣａＴｉＯ３は９
０〜１０重量％に成分を限定し、更に、試料嵐１１，２
４，３２，４１，６４，７９，９４の結果より、希土類
酸化物の量が基本組成に対して１５重量部を越えると誘
電率が低下し、誘電体損が大幅に増加するとともに容量
の経時変化量が増大するため、添加量はＯ〜１５重量部
（但しＯは含まず）に限定する。
なお、表中に示した希土類酸化物以外にＧｄ２０３，Ｙ
ｂ２０３，Ｐｒ６０１１，Ｅｕ２０３ ， Ｄｙ２０３
， Ｅｒ２０３ ， Ｔｍ２０３， Ｌｕ２０３等に
ついても実験を行ない、同様の結果を得ている。
ｂ２０３，Ｐｒ６０１１，Ｅｕ２０３ ， Ｄｙ２０３
， Ｅｒ２０３ ， Ｔｍ２０３， Ｌｕ２０３等に
ついても実験を行ない、同様の結果を得ている。
又、試料Ａ１７，３４，６３，６８，８２の結果より補
助酸化物が基本組成に対して５重量部を越えると、誘電
率が大幅に低下し誘電体損が増加するとともに、焼結性
が悪くなり、強度が低下するため添加量はＯ〜５重量部
（但しＯを含まず）に限定する。
助酸化物が基本組成に対して５重量部を越えると、誘電
率が大幅に低下し誘電体損が増加するとともに、焼結性
が悪くなり、強度が低下するため添加量はＯ〜５重量部
（但しＯを含まず）に限定する。
なお試料Ａ１６，４３，７２の結果より補助酸化物を単
独で添加するだけでは特性の向上が充分に行なわれず、
誘電率が低く、誘電体損が太きい等の欠点を有するため
、これらは２種以上を複合して添加する。
独で添加するだけでは特性の向上が充分に行なわれず、
誘電率が低く、誘電体損が太きい等の欠点を有するため
、これらは２種以上を複合して添加する。
更に、試料Ａ２８，３９，４２，５９，８９の結果より
ＣａＴｉＳｉＯ，が基本組成に対して１０重量部を越え
ると誘電率が低下し、誘電体損が増加するためＯ〜１０
重量部（但し０を含まず）に限定する。
ＣａＴｉＳｉＯ，が基本組成に対して１０重量部を越え
ると誘電率が低下し、誘電体損が増加するためＯ〜１０
重量部（但し０を含まず）に限定する。
なお、ＣａＴｉＳｉ０５と複合酸化物の形で添加する事
によりＴｉＯ２，ＳｉＯ２等の単純な酸化物を添加する
場合に比べ焼結性が向上する結果、誘電率が高く温度係
数が低くなり、しかも強度が大幅に向上するため、より
薄型磁器の製造が容易となった。
によりＴｉＯ２，ＳｉＯ２等の単純な酸化物を添加する
場合に比べ焼結性が向上する結果、誘電率が高く温度係
数が低くなり、しかも強度が大幅に向上するため、より
薄型磁器の製造が容易となった。
則ち、本発明に於いては、希土類酸化物とＣａＴｉＳｉ
Ｏ，及び補助酸化物を複合して添加する事により、高誘
電率、低温度係数で、しかも高周波に於ける誘電体損が
小さく、且つ強度が高く、薄型磁器の製造時に於いても
基板のそりが極めて小さく、加工性の良好な温度補・償
用磁器誘電体組成物を提供するものである。
Ｏ，及び補助酸化物を複合して添加する事により、高誘
電率、低温度係数で、しかも高周波に於ける誘電体損が
小さく、且つ強度が高く、薄型磁器の製造時に於いても
基板のそりが極めて小さく、加工性の良好な温度補・償
用磁器誘電体組成物を提供するものである。
Claims (1)
- １ ＳｒＴｉＯ３１０〜９０重量％、ＣａＴｉ０３９０
〜．１０重量％の基本組戒１００重量部に対し、原子番
号５７〜７１の希土類元素酸化物をＯ〜１５重量部（但
しＯを含まず）、ＣａＴｉＳｉｏ５をＯ〜１０重量部（
但しＯを含まず）添加し、更に、Ｂ１０３，Ａｌ２０３
，Ｆｅ２０３，Ｍｎ０２，ＣｏＯ，ｖ２０５の補助酸化
物を２種以上複合して、Ｏ〜５重量部（但しＯを含まず
）添加してなる温度補償用磁器誘電体組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51151253A JPS5848965B2 (ja) | 1976-12-15 | 1976-12-15 | 温度補償用磁器誘電体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51151253A JPS5848965B2 (ja) | 1976-12-15 | 1976-12-15 | 温度補償用磁器誘電体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5375500A JPS5375500A (en) | 1978-07-04 |
| JPS5848965B2 true JPS5848965B2 (ja) | 1983-11-01 |
Family
ID=15514609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51151253A Expired JPS5848965B2 (ja) | 1976-12-15 | 1976-12-15 | 温度補償用磁器誘電体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848965B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6656863B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US6627570B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-09-30 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method of producing the same |
| KR200487131Y1 (ko) * | 2016-08-19 | 2018-08-10 | 주식회사 휴먼그린플러스 | 무인 세탁물 수거장치 |
| CN111377711A (zh) * | 2018-12-31 | 2020-07-07 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 微波介质陶瓷材料、介质陶瓷块和微波通信设备 |
| CN112723881B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-12-02 | 有研工程技术研究院有限公司 | 一种具有高温度稳定性的介电陶瓷材料 |
-
1976
- 1976-12-15 JP JP51151253A patent/JPS5848965B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5375500A (en) | 1978-07-04 |
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