JPS584921A - 反応管の洗浄方法 - Google Patents
反応管の洗浄方法Info
- Publication number
- JPS584921A JPS584921A JP56102907A JP10290781A JPS584921A JP S584921 A JPS584921 A JP S584921A JP 56102907 A JP56102907 A JP 56102907A JP 10290781 A JP10290781 A JP 10290781A JP S584921 A JPS584921 A JP S584921A
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- JP
- Japan
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- reaction tube
- tube
- reaction
- coil
- wall
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3404—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being Group IVA materials
- H10P14/3411—Silicon, silicon germanium or germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3438—Doping during depositing
- H10P14/3441—Conductivity type
- H10P14/3442—N-type
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明社反応炉の反応管の洗浄方法に係夛、特に反応管
の内壁に付着した被膜をデラズ！工、チング洗浄によシ
除去するようにした反応管の洗浄方法に関する。
の内壁に付着した被膜をデラズ！工、チング洗浄によシ
除去するようにした反応管の洗浄方法に関する。
従来、ホットウォール（Ｈｏｔ Ｗａｌｌ ）ＩＩの反
応管内につ、へ勢を挿入し、反応がスとキャリアガス等
を流入させウェハ上に膜を形成する場合に上記反応ガス
が反応管内壁に熱分解して付着する０％に反応管が傍熱
型の小ツトウオール型では管−が高温となシ、例えば反
応ガスがモノシラン（ＳｉＨ２）勢であればＩリシリコ
ンが管内壁に厚く付着する。
応管内につ、へ勢を挿入し、反応がスとキャリアガス等
を流入させウェハ上に膜を形成する場合に上記反応ガス
が反応管内壁に熱分解して付着する０％に反応管が傍熱
型の小ツトウオール型では管−が高温となシ、例えば反
応ガスがモノシラン（ＳｉＨ２）勢であればＩリシリコ
ンが管内壁に厚く付着する。
その結果、反応管内Ｏつ、ハの温度等が低下する等の弊
害を生ずる。
害を生ずる。
このため従来の洗浄方法としては酸溶液による化学処理
中ＨＣＡ高温気相処理によって反応管内壁を洗浄してい
たが作業性が悪い等の欠点があるので、例えば特開＠５
３−９６７５８号公報に示されるようなｆｔｅマ工、チ
ング洗浄方法（装置）が提案されている。
中ＨＣＡ高温気相処理によって反応管内壁を洗浄してい
たが作業性が悪い等の欠点があるので、例えば特開＠５
３−９６７５８号公報に示されるようなｆｔｅマ工、チ
ング洗浄方法（装置）が提案されている。
上記特開ＷｉＢ５３−９６７５８号に示されている装置
Ｏ概要は第１図に示されている。即ち真空保持用の石英
勢よ〕なる反応管ＩＦｉＯリング等の筒蓋用のシール３
を介して反応管の開口部を閉蓋する大めの石美等よりな
る蓋２を有する０反応管１の外周には反応管を傍熱する
九めのヒータコイル８を有する。
Ｏ概要は第１図に示されている。即ち真空保持用の石英
勢よ〕なる反応管ＩＦｉＯリング等の筒蓋用のシール３
を介して反応管の開口部を閉蓋する大めの石美等よりな
る蓋２を有する０反応管１の外周には反応管を傍熱する
九めのヒータコイル８を有する。
４は蓋２に連通する／４イブで、５はΔイブ４の途中に
＊Ｊ）付叶られえ弁、６はトラ、！、７は真空４ンデ、
１９は真空針であシ、反応管ｌにはグッズマ発生用排出
パイプ９．１０が取シ付けられ弁１１．１２を通じてト
ラＩＦ７”６に連通されている。
＊Ｊ）付叶られえ弁、６はトラ、！、７は真空４ンデ、
１９は真空針であシ、反応管ｌにはグッズマ発生用排出
パイプ９．１０が取シ付けられ弁１１．１２を通じてト
ラＩＦ７”６に連通されている。
１３．１４はプラズマ用の例えば四弗化炭素（ＣＦ４）
のガス導入／４イブ１５．１６は蚊導入ノ豐イｆＫＭＲ
Ｆ）付けられた弁であ）、１７は反応ガス導入用／４イ
！であシ、反応管ｌ内に／ｆｉ２個の石英棒よシなる支
持具２１を有し、該支持具Ｋｉｉ勢間隔の擲が切られ、
これら２個の石英棒間につ、 Ｉ−％ ２Ｇが所定個数
並べることができる。
のガス導入／４イブ１５．１６は蚊導入ノ豐イｆＫＭＲ
Ｆ）付けられた弁であ）、１７は反応ガス導入用／４イ
！であシ、反応管ｌ内に／ｆｉ２個の石英棒よシなる支
持具２１を有し、該支持具Ｋｉｉ勢間隔の擲が切られ、
これら２個の石英棒間につ、 Ｉ−％ ２Ｇが所定個数
並べることができる。
更に反応管ｌの外壁にはプラズマ発生用高周波電極２２
．２２が設けられ、反応管ｌ内でプラズマ放電１８ｍ、
１８ｂが行なわれて反応管壁に付着したシリコン等を除
去する。
．２２が設けられ、反応管ｌ内でプラズマ放電１８ｍ、
１８ｂが行なわれて反応管壁に付着したシリコン等を除
去する。
上述の如き構成によるときは反応管の内壁に付着したｆ
リシリコン等を取り除くことができるが、反応炉にプラ
ズマ発生用周波電極２２．２２を特別に設ける必要があ
ル、更に反応管も特別にグツズ１発生用のガスを流入さ
せ且つ排気させるためのパイプ１３．１４及び９．ｌＯ
並びに弁１５゜１６．１１．１２を必要とする欠点を有
する。
リシリコン等を取り除くことができるが、反応炉にプラ
ズマ発生用周波電極２２．２２を特別に設ける必要があ
ル、更に反応管も特別にグツズ１発生用のガスを流入さ
せ且つ排気させるためのパイプ１３．１４及び９．ｌＯ
並びに弁１５゜１６．１１．１２を必要とする欠点を有
する。
本発明の目的は上述の欠点を除いえ反応管の洗浄方法を
提供しようとするものであ）、その特徴とするところは
ｆ２ズマ発生用高周波電極２２を設けることなく傍熱用
のヒータコイルをプラズマ発生用高周波電極２２に兼用
するようにしたものである。
提供しようとするものであ）、その特徴とするところは
ｆ２ズマ発生用高周波電極２２を設けることなく傍熱用
のヒータコイルをプラズマ発生用高周波電極２２に兼用
するようにしたものである。
以下、本発明の実施例を図面について詳記する罐尚、第
１図と同一部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。第２図ではプラズマガス導入／中イ：７”１３．１
４と、これに連なる弁１５．１６並びにグラ／マガス排
気ノクイデ９，１ｏとこれに連々る弁１１．１２を省略
し、更にプラズマ発生用高周波電極も省略する。
１図と同一部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。第２図ではプラズマガス導入／中イ：７”１３．１
４と、これに連なる弁１５．１６並びにグラ／マガス排
気ノクイデ９，１ｏとこれに連々る弁１１．１２を省略
し、更にプラズマ発生用高周波電極も省略する。
本発明では傍熱用のヒータコイル８０巻き始め点と巻き
終り点間に反応管加熱用の商用周波数電源２３をスイッ
チ（ｇｗ）の固定接点（ｂ）→可動接点（、）の接片を
介して接続すると共にグツズ！発生用の１３．５６ Ｍ
ＨＩ Ｏ高周波発生電１１２４をスイ。
終り点間に反応管加熱用の商用周波数電源２３をスイッ
チ（ｇｗ）の固定接点（ｂ）→可動接点（、）の接片を
介して接続すると共にグツズ！発生用の１３．５６ Ｍ
ＨＩ Ｏ高周波発生電１１２４をスイ。
チ（ＳＷ）の固定接点侃）→可動接点（・）の接片を通
し接続する。
し接続する。
上述のように構成された反応炉に於てウェハー支持具２
１にウェハ２０を並べて反応管１内に挿入し、弁５を開
いた後反応ガス導入用ノ譬イグ１７よシ反応ガス例えば
モノシラン（８１Ｈ４） ヲ２００ＣＣ／分で流入させ
、キャリアガスとして水素（Ｎ２）を１０１１分、更に
７ ｔ スフ ４ ン（ＰＨ３）を２０ＣＣ１５）の割
合で流入させる。加熱用電源２３からヒータコイル８に
電流を流して反応管ｌ内を１０００”ＣＫ加熱し、ウェ
ハ２ｏ表面上に燐を含むシリコン単結晶層（エピタキシ
ャル層）を形成する。この時反応管ｌの内壁にはポリ（
多結晶）シリコンが付着する。
１にウェハ２０を並べて反応管１内に挿入し、弁５を開
いた後反応ガス導入用ノ譬イグ１７よシ反応ガス例えば
モノシラン（８１Ｈ４） ヲ２００ＣＣ／分で流入させ
、キャリアガスとして水素（Ｎ２）を１０１１分、更に
７ ｔ スフ ４ ン（ＰＨ３）を２０ＣＣ１５）の割
合で流入させる。加熱用電源２３からヒータコイル８に
電流を流して反応管ｌ内を１０００”ＣＫ加熱し、ウェ
ハ２ｏ表面上に燐を含むシリコン単結晶層（エピタキシ
ャル層）を形成する。この時反応管ｌの内壁にはポリ（
多結晶）シリコンが付着する。
しかるのちに反応管ｌ内を窒素（Ｎ２）雰囲気で大気圧
にもどしウェハを該反応管ｌ内から取シ出す・ 次いで前記反応管１の内壁に付着した４リシリコンを除
去するため弁５を開き再び反応管！内を０、１ Ｔ・ｒ
ｒ程度の真空状態にして、反応ガス導入期／母イｆ１７
よルエ、チング用ガス例えば四弗化炭素（ＣＦ４ ）
、ｆｘと５１ａ度の酸素を５０００Ｃ／分で導入し、再
び弁５を調整して反応管内を約１Ｔｏｒｒの真空度とす
る。そして１３．５６ Ｍｕｓ （Ｄ ｆラメ１発生用
電源２４側にスイッチ（ＳＷ）を切換えてと−タコイル
８に高周波電流を加えることで反応管ｌ内の前記工、チ
ング用ガスをプラズマ化し、当該反応管ｌの内壁に付着
しているぼりシリコン膜を除去する。
にもどしウェハを該反応管ｌ内から取シ出す・ 次いで前記反応管１の内壁に付着した４リシリコンを除
去するため弁５を開き再び反応管！内を０、１ Ｔ・ｒ
ｒ程度の真空状態にして、反応ガス導入期／母イｆ１７
よルエ、チング用ガス例えば四弗化炭素（ＣＦ４ ）
、ｆｘと５１ａ度の酸素を５０００Ｃ／分で導入し、再
び弁５を調整して反応管内を約１Ｔｏｒｒの真空度とす
る。そして１３．５６ Ｍｕｓ （Ｄ ｆラメ１発生用
電源２４側にスイッチ（ＳＷ）を切換えてと−タコイル
８に高周波電流を加えることで反応管ｌ内の前記工、チ
ング用ガスをプラズマ化し、当該反応管ｌの内壁に付着
しているぼりシリコン膜を除去する。
上記実施例ではプラズマ発生用電源２４と反応管加熱用
電源２３をスイッチで切ル換えて別々に加えたが第３図
に示す如く、これらを同時に加えるようにすれば反応管
は充分に熱せられた状態でプラズマを発生させることが
できるので、よ〕効率よく反応管壁に付着した反応物を
除去できることは明らかである。
電源２３をスイッチで切ル換えて別々に加えたが第３図
に示す如く、これらを同時に加えるようにすれば反応管
は充分に熱せられた状態でプラズマを発生させることが
できるので、よ〕効率よく反応管壁に付着した反応物を
除去できることは明らかである。
尚、第３図に於ては両電源間に高域を通過させるバンド
パスフィルタ面と低域を通過させるパンドックスフィル
タ徊を接続させ相互の電源２３．２４間に互いに防害を
生じないようにする必要がある。
パスフィルタ面と低域を通過させるパンドックスフィル
タ徊を接続させ相互の電源２３．２４間に互いに防害を
生じないようにする必要がある。
本発明は上述の如くヒータコイルを反応管加熱コイルと
洗浄用のグツズｉ発生用コイルと兼用したので特別にプ
ラズマ発生用電極を必要とせずに極めて簡単に洗浄を行
なうことができる特徴を有する。
洗浄用のグツズｉ発生用コイルと兼用したので特別にプ
ラズマ発生用電極を必要とせずに極めて簡単に洗浄を行
なうことができる特徴を有する。
上記実施例では？リシリコン膜の洗浄について述べたが
ホットウォール型の反応炉であれば減圧ＣＶＤ膜置のＣ
ＶＤ膜等に用いることができること社明らかである。
ホットウォール型の反応炉であれば減圧ＣＶＤ膜置のＣ
ＶＤ膜等に用いることができること社明らかである。
第１図は従来の反応管洗浄装置の構成図、第２図は本発
明の反応管洗浄装置の構成図、第３図は本発明の他の実
施例を示す反応管洗浄装置の構成図である。 ｌ・・・反応管、２・・・蓋、４・・り母イブ、５・・
・弁、８・・・ヒータコイル、２３・・・反応管加熱用
電源、２４・・・グラダマ発生用電源。 ■ ｈ
明の反応管洗浄装置の構成図、第３図は本発明の他の実
施例を示す反応管洗浄装置の構成図である。 ｌ・・・反応管、２・・・蓋、４・・り母イブ、５・・
・弁、８・・・ヒータコイル、２３・・・反応管加熱用
電源、２４・・・グラダマ発生用電源。 ■ ｈ
Claims (1)
- 反応炉の反応管内壁に付着物質をグラズマ工、チンダ洗
浄によりて除去する反応管の洗浄方法に於て、上記反応
炉用の傍熱ヒータをプラズマ発生用高周波電極に兼用し
てなることを特徴とする反応管の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102907A JPS584921A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 反応管の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102907A JPS584921A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 反応管の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584921A true JPS584921A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14339924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102907A Pending JPS584921A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 反応管の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584921A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014790A1 (en) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Applied Materials, Inc. | Resistive heating of power coil to reduce transient heating/start up effects |
| CN119920670A (zh) * | 2023-10-30 | 2025-05-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体清洗设备及清洗方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50118977A (ja) * | 1974-03-02 | 1975-09-18 |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP56102907A patent/JPS584921A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50118977A (ja) * | 1974-03-02 | 1975-09-18 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999014790A1 (en) * | 1997-09-16 | 1999-03-25 | Applied Materials, Inc. | Resistive heating of power coil to reduce transient heating/start up effects |
| CN119920670A (zh) * | 2023-10-30 | 2025-05-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体清洗设备及清洗方法 |
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