JPS584948A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS584948A JPS584948A JP10288081A JP10288081A JPS584948A JP S584948 A JPS584948 A JP S584948A JP 10288081 A JP10288081 A JP 10288081A JP 10288081 A JP10288081 A JP 10288081A JP S584948 A JPS584948 A JP S584948A
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- JP
- Japan
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- wiring
- layer
- amorphous
- film
- semiconductor device
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、特にアルミニウム（ムｔ）配線の
保−膜としてアモルファスシリコン膜が形成された半導
体装置に関する。
保−膜としてアモルファスシリコン膜が形成された半導
体装置に関する。
半導体装置の高集積密度化が進む中でＡｔの配線幅もそ
れに応じて縮少し、現在でＩｌ′ｉ３（μｍ）以下の微
細線幅のものが実用化されるに至りてお９、同様に配線
高さく厚さ）も６０００ （Ｘ ）〜１ （ａｍ）を極
薄化の傾向をたどっている。かかるＡｔ配線の上には保
護膜としてりん・・シリケート・ガラス（ＰＳＧ ）層
を堆積することが一般に行われ、ｐｓ。
れに応じて縮少し、現在でＩｌ′ｉ３（μｍ）以下の微
細線幅のものが実用化されるに至りてお９、同様に配線
高さく厚さ）も６０００ （Ｘ ）〜１ （ａｍ）を極
薄化の傾向をたどっている。かかるＡｔ配線の上には保
護膜としてりん・・シリケート・ガラス（ＰＳＧ ）層
を堆積することが一般に行われ、ｐｓ。
層はムを配線の絶縁膜となるだけでなく、Ａｔ配線を外
部雰囲気から保饅しかつそれを補助する機能を果たして
いる。しかし、現ＫｆＩ気の多い雰囲気の中でＦｉＰ８
Ｇと水分が反応してリン酸が生成し、仁れがＡｔ配線を
腐食させるという問題が発生し、特に最近の極薄配線に
おいては腐食によりムｔが断線するなど致命的事故の原
因となり、その対策が望まれている。更に１ムＬ配線の
シンタリングの関にＡＬの表面に突起が発生し、この突
起がＰ２Ｏ層に入って上記の問題を悪化させる。
部雰囲気から保饅しかつそれを補助する機能を果たして
いる。しかし、現ＫｆＩ気の多い雰囲気の中でＦｉＰ８
Ｇと水分が反応してリン酸が生成し、仁れがＡｔ配線を
腐食させるという問題が発生し、特に最近の極薄配線に
おいては腐食によりムｔが断線するなど致命的事故の原
因となり、その対策が望まれている。更に１ムＬ配線の
シンタリングの関にＡＬの表面に突起が発生し、この突
起がＰ２Ｏ層に入って上記の問題を悪化させる。
本発明は上記腐食額策として、Ａｔ配線の上面または上
面と両側面上にアモルファスシリコン（アモルファスＳ
ｉ）膜を形成し、その上Ｋ ＰＳＧ層を形成するという
Ａｔ配線の保護膜の二重構造により耐食性を向上させる
ことを目的とし、そのためのアモルファス８１膜が形成
された半導体装置を提供する。
面と両側面上にアモルファスシリコン（アモルファスＳ
ｉ）膜を形成し、その上Ｋ ＰＳＧ層を形成するという
Ａｔ配線の保護膜の二重構造により耐食性を向上させる
ことを目的とし、そのためのアモルファス８１膜が形成
された半導体装置を提供する。
以下、本発明の実施例を図面−にしたがって説明す息。
ｊ１１１図は、本発明に従う半導体装置を製造するため
のＡｔ配線と保−膜を形成する工程にシけるＡＡ配線の
１膜部を示し、図において、ｉｔ！その上にムを配線が
形成される下地例えばウェハであり、先ずウェハ１の全
面上にアルミニウム膜２′を蒸着によって堆積する（
（ａ） ）、さらにその上にアモルファス８１属３′を
２００〜１０００（Ｘ）の厚さに堆積する［ （ｂ）
）、ここで、アモルファス８１ ＠ ３’の堆積は一般
ＫＦｉｆラズマ化学気相成長（ＣＶＤ ）法によって行
うが、ムｔの軟化する温度（約４５０℃）以下で行うこ
とが重要である。それ以外にも、例えばスノ譬ツタリン
グ法、エレクトロン・ビーム蒸着法またはイオン・ビー
ム・デ４ジッシ、ン法などいずれの方法によってもよい
、続いて、通常の技術で配線ノ量ターンに応じアモルフ
ァス８Ｉ ｊ［３’とＡｊ膜２′のΔターニングを行い
、その上にアモルファスｓ量属３がのったＡｔ配線２を
形成し〔（−）〕、最後にウニ八表面全面上Ｋ Ｐ８Ｇ
層４を成長させる（（ｄ））。
のＡｔ配線と保−膜を形成する工程にシけるＡＡ配線の
１膜部を示し、図において、ｉｔ！その上にムを配線が
形成される下地例えばウェハであり、先ずウェハ１の全
面上にアルミニウム膜２′を蒸着によって堆積する（
（ａ） ）、さらにその上にアモルファス８１属３′を
２００〜１０００（Ｘ）の厚さに堆積する［ （ｂ）
）、ここで、アモルファス８１ ＠ ３’の堆積は一般
ＫＦｉｆラズマ化学気相成長（ＣＶＤ ）法によって行
うが、ムｔの軟化する温度（約４５０℃）以下で行うこ
とが重要である。それ以外にも、例えばスノ譬ツタリン
グ法、エレクトロン・ビーム蒸着法またはイオン・ビー
ム・デ４ジッシ、ン法などいずれの方法によってもよい
、続いて、通常の技術で配線ノ量ターンに応じアモルフ
ァス８Ｉ ｊ［３’とＡｊ膜２′のΔターニングを行い
、その上にアモルファスｓ量属３がのったＡｔ配線２を
形成し〔（−）〕、最後にウニ八表面全面上Ｋ Ｐ８Ｇ
層４を成長させる（（ｄ））。
かかる工程により、ｈｔ配線２の上面のみにアモルファ
スｓｉ膜３とＰＢＧ層４０２重の保護膜が形成され、問
題となる薄肉方向の腐食は十分に防止し得るものである
が、さらにＡｔ配線の側面部も含めて完全な耐食構造と
したい場合ＫＦ１ｔｌｉ ２図に示す本発明の他の実施
例を利用しうる。
スｓｉ膜３とＰＢＧ層４０２重の保護膜が形成され、問
題となる薄肉方向の腐食は十分に防止し得るものである
が、さらにＡｔ配線の側面部も含めて完全な耐食構造と
したい場合ＫＦ１ｔｌｉ ２図に示す本発明の他の実施
例を利用しうる。
すなわち、ｊ１１２図に示すＡｔ配線と保護膜形成の工
程においてＦｉ（なお、第２図におらて第１図に示した
部品表同じものは同一符号で示す）、先ずウェハ１の上
面全面にムＬ膜２′を蒸着しく（ａ））・続いて配線ツ
クターニングを通常の技術で行いＡｔ配線２を形成しく
（ｂ） ） 、さらにウニ６１１面金＠にアモルファ
スＳ１膜３′を嬉１図に示す実施例の場合と同様の方法
で堆積せしめる（（・）〕０次いで、アモルファス８１
属３′をＡｔ配線２よ〕中中大きいノ９ターンでノ臂タ
ーニングしく （ｄ） ） 、最後にウェハ表面金面に
ＰａＧ層４を成長させる・かかる工程を行って、Ａｔ配
線２の上面と両側面は２重の保護膜で保−されることＫ
なす、耐食性は著しく向上するものである。
程においてＦｉ（なお、第２図におらて第１図に示した
部品表同じものは同一符号で示す）、先ずウェハ１の上
面全面にムＬ膜２′を蒸着しく（ａ））・続いて配線ツ
クターニングを通常の技術で行いＡｔ配線２を形成しく
（ｂ） ） 、さらにウニ６１１面金＠にアモルファ
スＳ１膜３′を嬉１図に示す実施例の場合と同様の方法
で堆積せしめる（（・）〕０次いで、アモルファス８１
属３′をＡｔ配線２よ〕中中大きいノ９ターンでノ臂タ
ーニングしく （ｄ） ） 、最後にウェハ表面金面に
ＰａＧ層４を成長させる・かかる工程を行って、Ａｔ配
線２の上面と両側面は２重の保護膜で保−されることＫ
なす、耐食性は著しく向上するものである。
かかるアモルファスＳ１膜の鰺成は、ムｔとクエ＾
。
。
表面との電気的接続を良好にするために行う熱処理（シ
ンタリング）中Ｋ Ａ４表面に発生する突起を抑える効
果を有し、特にこの突起がＰ８Ｇ保護膜を傷つけ、腐食
の原因となることを考慮すれば、かかる効果の意義は大
なるものがあり、さらには直接外気にふれるＩンディン
グペット部の保護膜としても利用できるものである。な
おアモルファスＳ１の抵抗を下げる必要のあるときに＃
ｆ通常の技術で不純物のドーピングを行う。
ンタリング）中Ｋ Ａ４表面に発生する突起を抑える効
果を有し、特にこの突起がＰ８Ｇ保護膜を傷つけ、腐食
の原因となることを考慮すれば、かかる効果の意義は大
なるものがあり、さらには直接外気にふれるＩンディン
グペット部の保護膜としても利用できるものである。な
おアモルファスＳ１の抵抗を下げる必要のあるときに＃
ｆ通常の技術で不純物のドーピングを行う。
本発明は、上記したようにアモルファスｓ１を利用して
、Ａｔ配線とＰ２Ｏ層との間に発生した従来技術の問題
点を解決するだけでなく、Ａｔ配線はアモルファス８１
膜とＰ２Ｏ層の２重構造によって保護されるので、本発
明に従う半導体装置はその信頼性が向上せしめられるも
のである。
、Ａｔ配線とＰ２Ｏ層との間に発生した従来技術の問題
点を解決するだけでなく、Ａｔ配線はアモルファス８１
膜とＰ２Ｏ層の２重構造によって保護されるので、本発
明に従う半導体装置はその信頼性が向上せしめられるも
のである。
第１図とｌｌＮ２図は、本発明の半導体装置を形成する
工１１におけるアルミニウム配線の要部を一部断面で示
す斜視図である。 ｌ・・・ウェハ、２・・・アルミニウム配線、２′・・
・アルミニウムｌ［，３，３’・・・アモルファス８１
ｊ［，４・・・Ｐ２Ｏ層。 第１図 （ｅ） 第２図
工１１におけるアルミニウム配線の要部を一部断面で示
す斜視図である。 ｌ・・・ウェハ、２・・・アルミニウム配線、２′・・
・アルミニウムｌ［，３，３’・・・アモルファス８１
ｊ［，４・・・Ｐ２Ｏ層。 第１図 （ｅ） 第２図
Claims (1)
- アルミニウム配線上にりん・シリケート′・ガラス層が
形成された半導体装置において、該アルミニウム配線の
少なくとも上面の上にアモルファスシリコン膜が形成さ
れ、該アモルファスシリコン膜上に前記りん・シリケー
ト・ガラス層が形成されたことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10288081A JPS584948A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10288081A JPS584948A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584948A true JPS584948A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14339185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10288081A Pending JPS584948A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584948A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6388845A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-19 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6387833U (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | ||
| JPS63147345A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-20 | Nec Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
| JPH02170433A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH0346331A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 配線パターンの形成方法 |
| EP0608335A4 (en) * | 1991-10-11 | 1994-11-17 | Vlsi Technology Inc | STRUCTURE FOR SUPPRESSING A REVERSE FIELD CAUSED BY DIELECTRIC CHARGING. |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4984788A (ja) * | 1972-11-29 | 1974-08-14 | ||
| JPS5023583A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-13 | ||
| JPS54145488A (en) * | 1979-03-01 | 1979-11-13 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10288081A patent/JPS584948A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4984788A (ja) * | 1972-11-29 | 1974-08-14 | ||
| JPS5023583A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-13 | ||
| JPS54145488A (en) * | 1979-03-01 | 1979-11-13 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6387833U (ja) * | 1986-11-27 | 1988-06-08 | ||
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| JPH02170433A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-02 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH0346331A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 配線パターンの形成方法 |
| EP0608335A4 (en) * | 1991-10-11 | 1994-11-17 | Vlsi Technology Inc | STRUCTURE FOR SUPPRESSING A REVERSE FIELD CAUSED BY DIELECTRIC CHARGING. |
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