JPS584988A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS584988A JPS584988A JP56102215A JP10221581A JPS584988A JP S584988 A JPS584988 A JP S584988A JP 56102215 A JP56102215 A JP 56102215A JP 10221581 A JP10221581 A JP 10221581A JP S584988 A JPS584988 A JP S584988A
- Authority
- JP
- Japan
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- crystal
- type
- light emitting
- xalxp
- semiconductor light
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は発光ダイオードによる発光表示装置に係プ、特
に緑色の発光ダイオードによる発光表示装置に関するも
のである。
に緑色の発光ダイオードによる発光表示装置に関するも
のである。
周知の如く発光ダイオードは半導体結晶内にｐｍ接合を
形成し、それに順方向電圧を加えて発光させるものであ
る。発光波長及び効率は発光ダイオードのｐｎ接合領域
を構成する半導体材料の禁制帯、不純物の種類、遷移再
結合過程の違い等によって決定される。
形成し、それに順方向電圧を加えて発光させるものであ
る。発光波長及び効率は発光ダイオードのｐｎ接合領域
を構成する半導体材料の禁制帯、不純物の種類、遷移再
結合過程の違い等によって決定される。
発光ダイオードの中で緑色発光ダイオードとして一般的
なものはＧａＰ結晶を用いた発光ダイオードである。Ｇ
ａＰ結晶の禁制帯幅は約２−２６ｅＶであ）間接遷移型
の発光ダイオードである。これＫよってｐｎ接合が形成
された時には、吸収端波長よりも短い波長の発光はしな
いから、そのままでは緑色波長帯域にある約’＆ ５
Ｓ ｎｍ ′ｔでか発光波長の限界でこの波長での発光
効率は低いことＫなる。
なものはＧａＰ結晶を用いた発光ダイオードである。Ｇ
ａＰ結晶の禁制帯幅は約２−２６ｅＶであ）間接遷移型
の発光ダイオードである。これＫよってｐｎ接合が形成
された時には、吸収端波長よりも短い波長の発光はしな
いから、そのままでは緑色波長帯域にある約’＆ ５
Ｓ ｎｍ ′ｔでか発光波長の限界でこの波長での発光
効率は低いことＫなる。
ＧａＰ結晶による高輝度緑色発光ダイオードとして一般
に知られている発光ダイオードでは発光中心として窒素
（へ）が添加されているものが主である。
に知られている発光ダイオードでは発光中心として窒素
（へ）が添加されているものが主である。
このような発光ダイオードでの発光波長は５５５圓よ）
も多少長波長側へずれ約５６０ ａｍ程度を発光のピー
ク波長とし比較的半値幅の広い発光となる。そして発光
効率は０．１％程度である。従ってａａｐ結晶を用いた
発光ダイオードが緑色発光ダイオードと呼ばれていても
、実際に高輝度のものは純緑色とはいえず、緑色の波長
成分は少なく黄色の波長成分が多くなった黄緑色の発光
をするダイオードとなっている。
も多少長波長側へずれ約５６０ ａｍ程度を発光のピー
ク波長とし比較的半値幅の広い発光となる。そして発光
効率は０．１％程度である。従ってａａｐ結晶を用いた
発光ダイオードが緑色発光ダイオードと呼ばれていても
、実際に高輝度のものは純緑色とはいえず、緑色の波長
成分は少なく黄色の波長成分が多くなった黄緑色の発光
をするダイオードとなっている。
このように純緑色の発光が高い効率で得られるような発
光ダイオードは今まで得られていなかつ′ たのであ
る。しかも発光素子と組み合わせて受光素子を用いるよ
うな装置の場合、受光素子の殆んどが約５００ ａｍ以
下付近に感度の最大があり能率の悪いものとなってしま
うので、高い効率を持つ純緑色の発光ダイオードの登場
が望まれていた。
光ダイオードは今まで得られていなかつ′ たのであ
る。しかも発光素子と組み合わせて受光素子を用いるよ
うな装置の場合、受光素子の殆んどが約５００ ａｍ以
下付近に感度の最大があり能率の悪いものとなってしま
うので、高い効率を持つ純緑色の発光ダイオードの登場
が望まれていた。
本発明は完全に緑色（深緑色）で発光効率の高い発光ダ
イオード或いはそれを用いた発光表示装置を提供するも
のである。
イオード或いはそれを用いた発光表示装置を提供するも
のである。
本発明に用いられる発光ダイオードのｐｎ接合領域の半
導体材料は従来のＧａＰ結晶ではなく、ＧａＰ結晶、よ
りも禁制帯幅が広いムｔｐ結晶（禁制帯幅キ３．１’ｅ
Ｖ）とＧａＰ結晶とＯ混晶Ｇａ１−Ｘ 鳩Ｐ結晶である
。
導体材料は従来のＧａＰ結晶ではなく、ＧａＰ結晶、よ
りも禁制帯幅が広いムｔｐ結晶（禁制帯幅キ３．１’ｅ
Ｖ）とＧａＰ結晶とＯ混晶Ｇａ１−Ｘ 鳩Ｐ結晶である
。
本発明による発光ダイオードの°断面図例を第１図に示
す。製造方法例について簡単に触れながらこの構造につ
いて説明する。結晶面か（１１１）面のｔ＊ １ＩＩＧ
ａＦ、結晶４を基板としてその上に温度差液相成長法な
どでｎ１ｌｊのＧａ１−ｘＡｔ、Ｐ結晶３を成長させ、
更にその上に９ Ｉｔ ’Ｄ Ｇａ１−１１１１ Ｆ結
晶２を成長させるのである。従ってｐｍ接合が形成され
ている領域の半導体材料はＧａ、−１ＡＬｘＰ結晶であ
る。このダイオードにアノード電極１とカノード電極５
が付着されている。
す。製造方法例について簡単に触れながらこの構造につ
いて説明する。結晶面か（１１１）面のｔ＊ １ＩＩＧ
ａＦ、結晶４を基板としてその上に温度差液相成長法な
どでｎ１ｌｊのＧａ１−ｘＡｔ、Ｐ結晶３を成長させ、
更にその上に９ Ｉｔ ’Ｄ Ｇａ１−１１１１ Ｆ結
晶２を成長させるのである。従ってｐｍ接合が形成され
ている領域の半導体材料はＧａ、−１ＡＬｘＰ結晶であ
る。このダイオードにアノード電極１とカノード電極５
が付着されている。
第２図に本発明で得られ九〇ａ□−ｘｕ、Ｐ結晶の成分
比Ｘと発光ピーク波長λとの関係を示す。Ｘに比例して
発光ピーク波長は短波長側へ移動し、ダイオードの発光
色は深い緑色となってくるのである。
比Ｘと発光ピーク波長λとの関係を示す。Ｘに比例して
発光ピーク波長は短波長側へ移動し、ダイオードの発光
色は深い緑色となってくるのである。
ことに示したのは発光センターとしての窒素を添加しな
い場合の結果であるが、成長したＧａ１−ｘＡＬＰ結晶
ウエノつ−から切シ出して外部量子効果の値の分布を窒
素添加した亀のとそうでないものと比較した第３図の結
果から判るように、窒素を添加した時には発光ピーク波
長は２〜４ｎｍ長波長側へ移−するが、発光効率は約２
倍程度に向上するので窒素添加は本発明においても極め
て効果的な方法である。
い場合の結果であるが、成長したＧａ１−ｘＡＬＰ結晶
ウエノつ−から切シ出して外部量子効果の値の分布を窒
素添加した亀のとそうでないものと比較した第３図の結
果から判るように、窒素を添加した時には発光ピーク波
長は２〜４ｎｍ長波長側へ移−するが、発光効率は約２
倍程度に向上するので窒素添加は本発明においても極め
て効果的な方法である。
この本発明によるＧａ５−ｘｊｋＡＩＰ発光ダイオード
°の成分比Ｘと発光効率の関係を第４図に示す。成分比
Ｘを増すと禁制帯幅が増加することによって発光ピーク
波長は短波長側へ比例的に移動するが、発光効率は低下
してしまうことが判り九。これはＧａＰ結晶とＧ町−ｘ
嶋？結晶との格子定数の違い、熱膨張係数の違いによ
る歪がＸの増加と共に大きくなり、−ｊ１ｎ接合への悪
影響（歪或いは欠陥の発生など）が増していくことによ
ると思われる。これらの実験結果から、実用的な成分比
Ｘの範ＳａＯ，ＯＳ≦Ｘ≦０．３であることが得られ喪
。
°の成分比Ｘと発光効率の関係を第４図に示す。成分比
Ｘを増すと禁制帯幅が増加することによって発光ピーク
波長は短波長側へ比例的に移動するが、発光効率は低下
してしまうことが判り九。これはＧａＰ結晶とＧ町−ｘ
嶋？結晶との格子定数の違い、熱膨張係数の違いによ
る歪がＸの増加と共に大きくなり、−ｊ１ｎ接合への悪
影響（歪或いは欠陥の発生など）が増していくことによ
ると思われる。これらの実験結果から、実用的な成分比
Ｘの範ＳａＯ，ＯＳ≦Ｘ≦０．３であることが得られ喪
。
第５図には他の製作条件を一定としてｎ型Ｇａ１−ＸＡ
ｊ、Ｐ結晶成長層の厚みと外部量子効率との関係が示さ
れている。成長層厚みが約５０μ燭程度以上になると、
前述した歪の悪影響が少なくなって外部量子効率が大き
くなるものと考えられ、従って韮型Ｇ町−一へＰ結晶の
成長Ｎ祉ＳＯＳ講以上が良い。
ｊ、Ｐ結晶成長層の厚みと外部量子効率との関係が示さ
れている。成長層厚みが約５０μ燭程度以上になると、
前述した歪の悪影響が少なくなって外部量子効率が大き
くなるものと考えられ、従って韮型Ｇ町−一へＰ結晶の
成長Ｎ祉ＳＯＳ講以上が良い。
さて以上のような製作方法・条件は本発明の構成要素酸
い２社特徴と々るが、特にその中で最も重要と表るのは
ｎ型Ｇ町−ｘＡＬｘＰ成長層の伝導型を決定する不純物
密度の量である。これについて以下に詳細に説明する。
い２社特徴と々るが、特にその中で最も重要と表るのは
ｎ型Ｇ町−ｘＡＬｘＰ成長層の伝導型を決定する不純物
密度の量である。これについて以下に詳細に説明する。
Ｇａ １−ｚ Ａｌ−１Ｐ成長層のｎ型不純物としては
テルル（Ｔｅ）や硫黄（８）などが考えられる。実験の
結果、いずれの不純物を用いても本発明の緑色発光ダイ
オードは得られる。テルルの場合社硫黄の場合と同様な
傾向を示すが、発光効率は硫黄の方が高かった。
テルル（Ｔｅ）や硫黄（８）などが考えられる。実験の
結果、いずれの不純物を用いても本発明の緑色発光ダイ
オードは得られる。テルルの場合社硫黄の場合と同様な
傾向を示すが、発光効率は硫黄の方が高かった。
成分比Ｘを０．０５≦Ｘ≦０１−３ の範囲にして且つ
ｐ型不純物密度をＮム＝ｇ Ｘ １ Ｇ”Ｚ−と一定に
保つ走時、得られた発光ダイオードのｎ型不純物密度（
不純物は硫黄）と発光強度の関係を示す実験結果例を第
６図に示す。
ｐ型不純物密度をＮム＝ｇ Ｘ １ Ｇ”Ｚ−と一定に
保つ走時、得られた発光ダイオードのｎ型不純物密度（
不純物は硫黄）と発光強度の関係を示す実験結果例を第
６図に示す。
この結果から判るように、高い発光効率を有する発光ダ
イオードを得るためにはｎ型不純物密度には特定な範囲
があるということが見出された。
イオードを得るためにはｎ型不純物密度には特定な範囲
があるということが見出された。
すなわち、ｎ型不純物密度の下限は約２Ｘ１Ｇ”／ｃ１
１であり、上限祉約１．４ ｘ ｌＯ”／−である。例
えば試作ダイオードの一具体的データをいえば、ｘ＝０
．０５の時ｎ型不純物密度が２．７ Ｘ １０”／ｊで
外部量子効率Ｑ、１３％、ｘ−０，１９の時ｎ型不純物
密度が４．５ Ｘ １ Ｇ”／−で外部量子効率が０．
０６％であった。
１であり、上限祉約１．４ ｘ ｌＯ”／−である。例
えば試作ダイオードの一具体的データをいえば、ｘ＝０
．０５の時ｎ型不純物密度が２．７ Ｘ １０”／ｊで
外部量子効率Ｑ、１３％、ｘ−０，１９の時ｎ型不純物
密度が４．５ Ｘ １ Ｇ”／−で外部量子効率が０．
０６％であった。
発光効率に対しこのような傾向がでてくる理由はいくつ
か考えられ、また不明な点もあるがおよそ次のようなこ
とであろうと思われる。すなわち、Ｑａ １−Ｘ鳩Ｐ結
晶はＧａＰ結晶と同様に閘接遷移蓋の結晶である。この
ような結晶では発光のための再結合確率は極めて小さい
。従って窒素などの不純物を添加して、それを発光中心
とした再結合確率を上げて効率を高めるといった方法が
とられるように、添加する不純物の種類、量が発光波長
や効率に極めて重要な影響を与えることが理解される。
か考えられ、また不明な点もあるがおよそ次のようなこ
とであろうと思われる。すなわち、Ｑａ １−Ｘ鳩Ｐ結
晶はＧａＰ結晶と同様に閘接遷移蓋の結晶である。この
ような結晶では発光のための再結合確率は極めて小さい
。従って窒素などの不純物を添加して、それを発光中心
とした再結合確率を上げて効率を高めるといった方法が
とられるように、添加する不純物の種類、量が発光波長
や効率に極めて重要な影響を与えることが理解される。
窒素は中性中心であるが、硫黄などのａｌｌ不純物も再
結合確率を増す発光中心として寄与しているものと考え
ら五、不純物の量の増加と共にある・程度まで発光効率
が増加する。しかしある程度以上になると歪の増加など
による非発光中心が作られ、所謂濃度クエンチング、が
起き、ま丸見光効率が低下してしまうものであろう。
結合確率を増す発光中心として寄与しているものと考え
ら五、不純物の量の増加と共にある・程度まで発光効率
が増加する。しかしある程度以上になると歪の増加など
による非発光中心が作られ、所謂濃度クエンチング、が
起き、ま丸見光効率が低下してしまうものであろう。
以上に述べたように、本発明Ｆｉｐｎ接合領域の半導体
材料をＧａ５−ｘＡＡｘＰ結晶とし、その成分比Ｘを０
．０５≦Ｘ≦０．３ の範囲に選び、しかも鳳型Ｇａ
１−ｘ ｊ暎σ領域の置型不純物の量を約２〜１４Ｘ１
０１７−の値に限定することにより高効率の完全に縁色
帯で発光する、具体的には５３８〜５５２ ａｍのいず
れの波長においても発光ピーク波長の選べる効率の高い
ダイオードが提供でき、工業的価値は極めて大きいもの
となる。一 本発明による発光ダイオードについて製造方法、構造に
ついて簡本に触れながら説明したが、本発明の精神を逸
脱しない範囲で種々の構造、製造方法がとられうろこと
は充分に理解できよう。例えば第１図の構造を全く逆に
した構造、すなわちｐ型ＧａＰ結晶を基板とし、その上
に１）Ｉｔ Ｇｍ５−ｘ”ｘＰ結晶を成長させ引き続い
てｎ型龜□−ｘＡＬｘＰ結晶を成長させるという方法で
も良い。まえ、第１図のようにＧａ、−ｘＡ／、 Ｐ結
晶の成分比Ｘがｐ型領域とｎ型領域との間で同じである
所鎮ホモ接合であっても、異なるようにされた所謂ダブ
ルへテロ接合でも良いし、或いは所謂シングルへテロ接
合でも良い。
材料をＧａ５−ｘＡＡｘＰ結晶とし、その成分比Ｘを０
．０５≦Ｘ≦０．３ の範囲に選び、しかも鳳型Ｇａ
１−ｘ ｊ暎σ領域の置型不純物の量を約２〜１４Ｘ１
０１７−の値に限定することにより高効率の完全に縁色
帯で発光する、具体的には５３８〜５５２ ａｍのいず
れの波長においても発光ピーク波長の選べる効率の高い
ダイオードが提供でき、工業的価値は極めて大きいもの
となる。一 本発明による発光ダイオードについて製造方法、構造に
ついて簡本に触れながら説明したが、本発明の精神を逸
脱しない範囲で種々の構造、製造方法がとられうろこと
は充分に理解できよう。例えば第１図の構造を全く逆に
した構造、すなわちｐ型ＧａＰ結晶を基板とし、その上
に１）Ｉｔ Ｇｍ５−ｘ”ｘＰ結晶を成長させ引き続い
てｎ型龜□−ｘＡＬｘＰ結晶を成長させるという方法で
も良い。まえ、第１図のようにＧａ、−ｘＡ／、 Ｐ結
晶の成分比Ｘがｐ型領域とｎ型領域との間で同じである
所鎮ホモ接合であっても、異なるようにされた所謂ダブ
ルへテロ接合でも良いし、或いは所謂シングルへテロ接
合でも良い。
効率を高めるだめの窒素添加はＧａ１−ｘＡＬｘＰ成長
層のｐ型及びｎ型領域の両領域に行われるの殖理想的で
あるが、設計的制限からいずれか一方の領域に限られて
も良いことは勿論である。また、ＧａｊｕＰ結晶成長層
を得る成長法は温置差液相成長法が望ましいが、更に化
学量論組成からのずれを小さくすれば効率が向上するの
で、燐圧が制御された所鎮蒸気圧制御による温匿差液相
成長法を用いる方が製造過程が多少複雑となるが搭かに
効果的である。
層のｐ型及びｎ型領域の両領域に行われるの殖理想的で
あるが、設計的制限からいずれか一方の領域に限られて
も良いことは勿論である。また、ＧａｊｕＰ結晶成長層
を得る成長法は温置差液相成長法が望ましいが、更に化
学量論組成からのずれを小さくすれば効率が向上するの
で、燐圧が制御された所鎮蒸気圧制御による温匿差液相
成長法を用いる方が製造過程が多少複雑となるが搭かに
効果的である。
第１図は、本発明によるＧａｊＬｊＰ発光ダイオードの
断面構造例。 第２図は、本発明によるＧａ、−ｘｊｋ４Ｐ発光ダイオ
ードの成分比Ｘと発光ピーク波長の関係（窒素添加なし
）を示すグラフ。 第３図は２、本発明による成長ウェハーから製作され九
Ｇ町−−ｈＰ発光ダイオードの発光効率の値の分布（実
線は窒素添加なし、点線は窒素を添加した場合）を表わ
すグラフ。 第４図線、本発明によるＧａ１−、ＡＡ、Ｐ発光ダイオ
ードの成分比Ｘと発光効率の関係を示すグラフ。 第５図は、本発明によるＧａ１−）（ｊＬ％Ｐ発光ダイ
オードにおけるｎ ｍ Ｇｍ□−，１４，Ｐ成長層厚み
と外部量子効率との関係を示すグラフ。 第６図は、本発明によるＧａ、−ｘ ＡＬＸＦ発光ダイ
オードにおけるｎ ＠ Ｇａ、ｘＡＡ、−Ｐ成長層の不
純物密度と発光強度の関係を示すグラフである。 １．５・・・電極：２，３・・・結貞成長層： ４・・
・結晶基板。 特許出願人： スタンレー電気株式会社代理人：弁理士
海津保三 同 ： 弁理士 平 山 −幸 ３８６− ｒつ 味 第６図 ｆＬ！！ａｐＪヲ炙 （ｃｍ’） 手続補正書（１員） 昭和ｓ７年４月１６日 特許庁長官 島田春樹殿 １、事件の表示 昭和５６年 善 許 −願第１０！２１８号２゛斃″０
４称 牛導体尭光装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ８ 補正の内容 （１）明細書、鯵７ 買ｇ １８ 行ｔ） ｒ １ｇ
’ｅ ＴｏＯ＊＊ ＪのＩＩＫ下記を挿入する。 ｒ ｔ ＊ 、ｊ ＯＩＩ 験ａ ）Ｊ、 ｓｗ ８
Ｘ １０”／７と一定にシ九結Ｊｌ”ｔ６．＆＃、）ｊ
、は！ 〜１ｓＸＩＯ’／ｍＯ範囲であればよいことが
確諺されえ、」３８８−
断面構造例。 第２図は、本発明によるＧａ、−ｘｊｋ４Ｐ発光ダイオ
ードの成分比Ｘと発光ピーク波長の関係（窒素添加なし
）を示すグラフ。 第３図は２、本発明による成長ウェハーから製作され九
Ｇ町−−ｈＰ発光ダイオードの発光効率の値の分布（実
線は窒素添加なし、点線は窒素を添加した場合）を表わ
すグラフ。 第４図線、本発明によるＧａ１−、ＡＡ、Ｐ発光ダイオ
ードの成分比Ｘと発光効率の関係を示すグラフ。 第５図は、本発明によるＧａ１−）（ｊＬ％Ｐ発光ダイ
オードにおけるｎ ｍ Ｇｍ□−，１４，Ｐ成長層厚み
と外部量子効率との関係を示すグラフ。 第６図は、本発明によるＧａ、−ｘ ＡＬＸＦ発光ダイ
オードにおけるｎ ＠ Ｇａ、ｘＡＡ、−Ｐ成長層の不
純物密度と発光強度の関係を示すグラフである。 １．５・・・電極：２，３・・・結貞成長層： ４・・
・結晶基板。 特許出願人： スタンレー電気株式会社代理人：弁理士
海津保三 同 ： 弁理士 平 山 −幸 ３８６− ｒつ 味 第６図 ｆＬ！！ａｐＪヲ炙 （ｃｍ’） 手続補正書（１員） 昭和ｓ７年４月１６日 特許庁長官 島田春樹殿 １、事件の表示 昭和５６年 善 許 −願第１０！２１８号２゛斃″０
４称 牛導体尭光装置 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ８ 補正の内容 （１）明細書、鯵７ 買ｇ １８ 行ｔ） ｒ １ｇ
’ｅ ＴｏＯ＊＊ ＪのＩＩＫ下記を挿入する。 ｒ ｔ ＊ 、ｊ ＯＩＩ 験ａ ）Ｊ、 ｓｗ ８
Ｘ １０”／７と一定にシ九結Ｊｌ”ｔ６．＆＃、）ｊ
、は！ 〜１ｓＸＩＯ’／ｍＯ範囲であればよいことが
確諺されえ、」３８８−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ ＧａＰ結晶を基板とし、その上に成長したＧａ１
−、ＡＬＰ結晶内Ｋ ｐｎ接合が形成された半導体発光
装置において、１１１１のａａｌ−ｘＡＬｘｐ結晶の不
純物密度が２〜１４ Ｘ １Ｇ”／−の範８にあること
を特徴とする半導体発光装置。 （２） 成長した前記Ｇａ、−ｘＡＬＸｐ結晶の膳型
領域かｐ！領領域少くとも１つの領域に窒素が添加され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
半導体発光装置。 （３） 前記ｎ型のＧａ １−ｘ嶋Ｐ結晶領域がＧａ
Ｐ結晶Ｋ１１ｌｌＬ且つその厚みが少くとも５Ｑｊａｌ
１以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の半導体発光装置。 （４）前記ｎ型のＧａ、−ｘＡＬｘＰ結晶領域の伝導型
不純物が硫黄であることを特徴とする特許請求の範８７
８１３ＪＫ記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102215A JPS584988A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56102215A JPS584988A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584988A true JPS584988A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14321434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56102215A Pending JPS584988A (ja) | 1981-07-02 | 1981-07-02 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584988A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5442201A (en) * | 1993-03-25 | 1995-08-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with nitrogen doping |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49106785A (ja) * | 1973-02-12 | 1974-10-09 |
-
1981
- 1981-07-02 JP JP56102215A patent/JPS584988A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49106785A (ja) * | 1973-02-12 | 1974-10-09 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5442201A (en) * | 1993-03-25 | 1995-08-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with nitrogen doping |
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| US5616937A (en) | Compound semiconductor luminescent device | |
| US4833507A (en) | Electron emission device | |
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