JPS584994A - パルス発振レ−ザ - Google Patents
パルス発振レ−ザInfo
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- JPS584994A JPS584994A JP56103698A JP10369881A JPS584994A JP S584994 A JPS584994 A JP S584994A JP 56103698 A JP56103698 A JP 56103698A JP 10369881 A JP10369881 A JP 10369881A JP S584994 A JPS584994 A JP S584994A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
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- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
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- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/3216—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities quantum well or superlattice cladding layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はパルス発振レーデに関し、新規な構造な有した
超高速パルス発振レーザな提供するもので、ある。
超高速パルス発振レーザな提供するもので、ある。
将来、家庭生活Ｖμしめあらゆる分野で各種の情報機器
が大量に使用され、それ（二伴い情報量も驚異的に増大
することが予想される。このため情報処理能力の観点か
らも光を用いた情報処理機器が主流になることが考えら
れる。中でも半導体レーデは発光ダイオード５二比べ出
力、効率、ファイバへの結合効率などいずれの点におい
ても優れているので情報処通用光源としてａＩ囚たる位
置を占めることが予想される。
が大量に使用され、それ（二伴い情報量も驚異的に増大
することが予想される。このため情報処理能力の観点か
らも光を用いた情報処理機器が主流になることが考えら
れる。中でも半導体レーデは発光ダイオード５二比べ出
力、効率、ファイバへの結合効率などいずれの点におい
ても優れているので情報処通用光源としてａＩ囚たる位
置を占めることが予想される。
しかるＣ；このように半導体レーザな情報処理機器Ｃ；
応用するにｔｔｈ記半導体レーザな高速パルス駆動する
必要がある。ところが、喝在斯るパルスレーデな発振す
るには上記半導体レーデをパルス発振器等で駆動する必
４Ｉ戟島り、パルスレーザの発振回路が大型で複雑とな
るという問題が生じた。
応用するにｔｔｈ記半導体レーザな高速パルス駆動する
必要がある。ところが、喝在斯るパルスレーデな発振す
るには上記半導体レーデをパルス発振器等で駆動する必
４Ｉ戟島り、パルスレーザの発振回路が大型で複雑とな
るという問題が生じた。
本発明は上記の間層ｉ：鐙みてなされたもので。
新規な構造を有した超高速パルス発振レーザを提供せん
とするものである。
とするものである。
第１１１は本発明（：おけるパルス発振レーザの一実施
例を示し、（！）紘−主画が−であるｌｆ１ｇｌｌＧａ
Ａ８（ガララム砒素）基ＩＩ％１！１は該基板口）の−
主面上に形ｌ！された超格子素子であり、該鑞格子素子
信１は約ｓｏ！厚ｆＪＭ型の第１Ｇａム８層（３）と約
５０Ａ厚のド型ＧａＡｌＡ３ （ガララム・アルミ砒
素）層（４１とを交互に１００層以上積層したものであ
る。
例を示し、（！）紘−主画が−であるｌｆ１ｇｌｌＧａ
Ａ８（ガララム砒素）基ＩＩ％１！１は該基板口）の−
主面上に形ｌ！された超格子素子であり、該鑞格子素子
信１は約ｓｏ！厚ｆＪＭ型の第１Ｇａム８層（３）と約
５０Ａ厚のド型ＧａＡｌＡ３ （ガララム・アルミ砒
素）層（４１とを交互に１００層以上積層したものであ
る。
（４は上記−格子素子（ｌ上Ｃ：積層してなる半導体レ
ーデであり、該レーデ問は上記■格子素子（２）上署二
Ｎ型ＧａＡｍからなる約１メ厚の第１ＧａＡ８層１６）
前型ＧａＡｊＡ１１からなる１メ厚の第１クラ！Ｙ層（
））、アンドープＧａＡ３からなるａ１メ厚活性層（８
１゜ＰＩＪＧａＡ＃Ａａからなる１メ厚の第２クラッド
層（９）及びＰ型ＧａＡ３からなる１μ厚のキャップ層
ａ・ｖｌｉ次積１丁′ると共に斯る積層後第１ククツド
層（７）乃至キップ層（ｌｌｔ−ストライブ状にメサエ
ッチングし、斯るエツチング面にＮ型ＧａＡｌＡ３から
なる墳込み層ａＤを形成してなる周知の場込み型半導体
レーザである。
ーデであり、該レーデ問は上記■格子素子（２）上署二
Ｎ型ＧａＡｍからなる約１メ厚の第１ＧａＡ８層１６）
前型ＧａＡｊＡ１１からなる１メ厚の第１クラ！Ｙ層（
））、アンドープＧａＡ３からなるａ１メ厚活性層（８
１゜ＰＩＪＧａＡ＃Ａａからなる１メ厚の第２クラッド
層（９）及びＰ型ＧａＡ３からなる１μ厚のキャップ層
ａ・ｖｌｉ次積１丁′ると共に斯る積層後第１ククツド
層（７）乃至キップ層（ｌｌｔ−ストライブ状にメサエ
ッチングし、斯るエツチング面にＮ型ＧａＡｌＡ３から
なる墳込み層ａＤを形成してなる周知の場込み型半導体
レーザである。
ａりは上記埋込み層ａＤ表面に形成、されたＳｉＯｆｆ
１（酸化シリコン）からなる２ｏｏｏＡ厚の絶縁膜ａＳ
ａ上記キャップ層ａ・及び絶縁膜（Ｉり表面に形成され
たＡｍ−Ｚｎ（金−亜鉛）からなる第１電Ｓ、ａ番は上
記１ｆＩＪ！ＧａＡ３基板（１）裏面Ｉ：影形成れたＡ
ｕ−Ｇｅ （金−ゲルマニウム）からなる第２電極であ
る。
１（酸化シリコン）からなる２ｏｏｏＡ厚の絶縁膜ａＳ
ａ上記キャップ層ａ・及び絶縁膜（Ｉり表面に形成され
たＡｍ−Ｚｎ（金−亜鉛）からなる第１電Ｓ、ａ番は上
記１ｆＩＪ！ＧａＡ３基板（１）裏面Ｉ：影形成れたＡ
ｕ−Ｇｅ （金−ゲルマニウム）からなる第２電極であ
る。
尚上記超格子素子（二おける第１ＧａＡ８層１３１及び
Ｎ型ＧａＡｊＡ８層（４）の層厚は５０にと非常に薄い
ので液相及び気相成長法でに成長が困籠であり。
Ｎ型ＧａＡｊＡ８層（４）の層厚は５０にと非常に薄い
ので液相及び気相成長法でに成長が困籠であり。
従って本実施例の製造法には分子線エピタキシャル法を
用いた。
用いた。
上記パルス発振レーザでは第１、第２電極ｔｌｓａ４１
を夫々正掻及び負極として適当な直流電源をｍ続すれば
上記半導体レーデ（５１はパルス発振を起こす以下「：
斯るパルス発振レーザの等価回路を説明する。
を夫々正掻及び負極として適当な直流電源をｍ続すれば
上記半導体レーデ（５１はパルス発振を起こす以下「：
斯るパルス発振レーザの等価回路を説明する。
第２図は第１図のパルス発振レーザな直流電源に接続し
たときの等価回路を示し、Ｑ！９は上記半導体レーザ（
５）に相当するレーデ回路、（］ｅは上記超格子素子（
２）に相当する素子回路であり、上記レーザ回路０！ｊ
及び素子回路Ｏｅは直流電源目に対して直列に接続され
ている。
たときの等価回路を示し、Ｑ！９は上記半導体レーザ（
５）に相当するレーデ回路、（］ｅは上記超格子素子（
２）に相当する素子回路であり、上記レーザ回路０！ｊ
及び素子回路Ｏｅは直流電源目に対して直列に接続され
ている。
上記レーザ回路ａりは第１抵抗’Ｒ１及びｗ１コンデン
サＣ１を並列Ｃ：接続してなる並列回路と該並列回路ζ
：直列接続された第２抵抗Ｒ１とからなる。
サＣ１を並列Ｃ：接続してなる並列回路と該並列回路ζ
：直列接続された第２抵抗Ｒ１とからなる。
尚上記第１抵抗Ｒｓ及び第１コンデンｆ Ｑ 唱からな
る並列回路は１ｗｌ知のダイオード特性である整流特性
を示すもので、従つて実際には、斯るレーザ回路Ｑ１に
順バイアスが印加された時には上記並列回路は抵抗とし
て、又逆バイアスが印加された時にはコンデンサとして
働くことを示す。
る並列回路は１ｗｌ知のダイオード特性である整流特性
を示すもので、従つて実際には、斯るレーザ回路Ｑ１に
順バイアスが印加された時には上記並列回路は抵抗とし
て、又逆バイアスが印加された時にはコンデンサとして
働くことを示す。
上記素子回路Ｏｅは、夫々直列接続された第３抵抗Ｒ１
，コイルＬ、第２コンデンサＣ２と該第２コンデンサＣ
！に並列接続された負抵抗２とからなり、斯る回路は周
知の５０発振器となる。
，コイルＬ、第２コンデンサＣ２と該第２コンデンサＣ
！に並列接続された負抵抗２とからなり、斯る回路は周
知の５０発振器となる。
次に、１！２因の等価回路を用いて第１図のパルス発振
レーザの動作を説明する。
レーザの動作を説明する。
まず直流電源Ｅが接続された時点ではレーザ回路Ｏｓに
順方向バイアスが印加されると共Ｃ二、電流は素子回路
ａｅに流れ込み、断る回路１＠は発振を始める。このと
き上記回路中には負抵抗ｆが存在するので上記発振は定
常状態となる。
順方向バイアスが印加されると共Ｃ二、電流は素子回路
ａｅに流れ込み、断る回路１＠は発振を始める。このと
き上記回路中には負抵抗ｆが存在するので上記発振は定
常状態となる。
従って、半導体レーザ（５０；も上記超格子素子（２）
で得られた発振状態と少し位相のずれた形で電流が流れ
る。このとき、上記半導体レーザ（５１を流れる順方向
の電流値が斯る半導体レーザ（５）のしきい値以上とな
ったとき半導体レーザ１５１はパルス的にレーザ光を発
することとなる。
で得られた発振状態と少し位相のずれた形で電流が流れ
る。このとき、上記半導体レーザ（５１を流れる順方向
の電流値が斯る半導体レーザ（５）のしきい値以上とな
ったとき半導体レーザ１５１はパルス的にレーザ光を発
することとなる。
以上の説明から明らかな如く１本発明のパルス発振レー
ザは発振器としての超格子素子上Ｃ二半導体レーザを積
層したものであるので従来のようにパルス発振器等が不
必要となると共ざ二、小型となる。更に１発振器として
超格子素子を用いるので従来の発振器を用いた場合に比
べてより高い周波数のパルスレーザな得ることが９能で
ある。
ザは発振器としての超格子素子上Ｃ二半導体レーザを積
層したものであるので従来のようにパルス発振器等が不
必要となると共ざ二、小型となる。更に１発振器として
超格子素子を用いるので従来の発振器を用いた場合に比
べてより高い周波数のパルスレーザな得ることが９能で
ある。
第１図は本発明のパルス発振レーザの一実施例を示す断
面図、第２図は本実流側、レーザの等価回路を示す回路
図である。
面図、第２図は本実流側、レーザの等価回路を示す回路
図である。
Claims (1)
- （１）超格子素子と該超格子素子上（：積層された半導
体レーザどからなるパルス発振レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103698A JPS584994A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | パルス発振レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56103698A JPS584994A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | パルス発振レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584994A true JPS584994A (ja) | 1983-01-12 |
Family
ID=14360980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56103698A Pending JPS584994A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | パルス発振レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584994A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174385A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Sony Corp | 半導体レ−ザ− |
| WO1992010867A1 (en) * | 1990-12-14 | 1992-06-25 | Bell Communications Research, Inc. | Phase-locked array of reflectivity-modulated surface-emitting lasers |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48100084A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-18 |
-
1981
- 1981-07-01 JP JP56103698A patent/JPS584994A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48100084A (ja) * | 1972-03-29 | 1973-12-18 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174385A (ja) * | 1984-09-20 | 1986-04-16 | Sony Corp | 半導体レ−ザ− |
| WO1992010867A1 (en) * | 1990-12-14 | 1992-06-25 | Bell Communications Research, Inc. | Phase-locked array of reflectivity-modulated surface-emitting lasers |
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