JPH01168081A - 直列動作型ガンダイオード - Google Patents
直列動作型ガンダイオードInfo
- Publication number
- JPH01168081A JPH01168081A JP62325538A JP32553887A JPH01168081A JP H01168081 A JPH01168081 A JP H01168081A JP 62325538 A JP62325538 A JP 62325538A JP 32553887 A JP32553887 A JP 32553887A JP H01168081 A JPH01168081 A JP H01168081A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- operating
- impurity concentration
- thickness
- layers
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波（４ＧＨｚ 〜９４ ＧＨｚ） ９１
域における発振デバイスであるガンダイオードに関する
。
域における発振デバイスであるガンダイオードに関する
。
従来のガンダイオードの製法を第３図に示す。
（１００）面方位を持つＮ型低抵抗のＧａＡｓ単結晶基
板（不純物濃度がＩ Ｘ １０ ”ｃｒｎ−’程度）１
の上面に、周知のエピタキシャル成長法によりＮ′″バ
ッファＮ（不純物濃度がＩ Ｘ １０ ”ｅｌｌ−″程
度）２、Ｎ動作層３、Ｎ°コンタクト層（不純物濃度が
Ｉ Ｘ １０ ”ｃｒｍ−”程度、厚さ３μｍ程度）４
を成長させる（第３図（ａ））。次に、コンタクト層４
の上面に円形のＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ ／ Ａ
ｕからなる金属多層膜を形成し、４２０℃、１分間の熱
処理でオーミック電極５を形成する（第３図（ｂ））。
板（不純物濃度がＩ Ｘ １０ ”ｃｒｎ−’程度）１
の上面に、周知のエピタキシャル成長法によりＮ′″バ
ッファＮ（不純物濃度がＩ Ｘ １０ ”ｅｌｌ−″程
度）２、Ｎ動作層３、Ｎ°コンタクト層（不純物濃度が
Ｉ Ｘ １０ ”ｃｒｍ−”程度、厚さ３μｍ程度）４
を成長させる（第３図（ａ））。次に、コンタクト層４
の上面に円形のＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｎ ｉ ／ Ａ
ｕからなる金属多層膜を形成し、４２０℃、１分間の熱
処理でオーミック電極５を形成する（第３図（ｂ））。
次に、そのオーミック電極５をマスクにしてＨｚＳＯ−
ＨｔＣｈ−Ｈ２Ｏ系のエツチング液で、ＧａＡｓ基板１
まで工・ノチングを行う（第３図（Ｃ））。そして、裏
面がら機械研磨、エツチングにより、基板１の厚みを１
５０μｍ程度に薄くし、その裏面にもオーミック電極６
を形成する（第３図（ｄ））。この後、ダイサーで切断
してガンダイオード用チップを得る（第３図（ｅ））。
ＨｔＣｈ−Ｈ２Ｏ系のエツチング液で、ＧａＡｓ基板１
まで工・ノチングを行う（第３図（Ｃ））。そして、裏
面がら機械研磨、エツチングにより、基板１の厚みを１
５０μｍ程度に薄くし、その裏面にもオーミック電極６
を形成する（第３図（ｄ））。この後、ダイサーで切断
してガンダイオード用チップを得る（第３図（ｅ））。
このチップの裏側のオーミック電極６をＡｕＧｅ等の合
金線で、また表面のオーミック電極５をＡｕ線で夫々ダ
イオードパッケージに接続する。
金線で、また表面のオーミック電極５をＡｕ線で夫々ダ
イオードパッケージに接続する。
なお、上記第３図（Ｃ）の工程を省略すると、第４図に
示すようなチップが得られる。
示すようなチップが得られる。
ところで、ガンダオードの特性を決める要素の一つは、
Ｎ動作層３の仕様であり、１０ＧＨｚの周波数での発振
を行うためには、１０μｍ程度の厚さで、Ｉ Ｘ １０
”ｏｎ−”程度の不純物濃度が選ばれる０発振周波数
が上がると、動作層の厚さを薄く、また不純物濃度は大
きく設定する必要があり、５０ＧＨｚの例では厚さは２
μｍ程度、不純物濃度はＩＸ Ｉ Ｑ ”ｃｒａ−”程
度と高くなる。別の要素は上部オーミック電極４の面積
であり、これを大きくすると動作層３を流れる電流が増
加し、発振出力を増大させることができる。
Ｎ動作層３の仕様であり、１０ＧＨｚの周波数での発振
を行うためには、１０μｍ程度の厚さで、Ｉ Ｘ １０
”ｏｎ−”程度の不純物濃度が選ばれる０発振周波数
が上がると、動作層の厚さを薄く、また不純物濃度は大
きく設定する必要があり、５０ＧＨｚの例では厚さは２
μｍ程度、不純物濃度はＩＸ Ｉ Ｑ ”ｃｒａ−”程
度と高くなる。別の要素は上部オーミック電極４の面積
であり、これを大きくすると動作層３を流れる電流が増
加し、発振出力を増大させることができる。
一方、ガンダイードを２個直列動作させれば、同じ動作
電流で動作電圧が２倍となり、発振出力が３〜４倍とな
る。そこで従来では、第４図に示すような個々のチップ
を積み重ねて直列動作を行わせていたが、個々のチップ
の特性（動作層３の仕様等）が異なると、必ずしも発振
出力の上昇を実現することができず、また組立のための
工数もかかかり、バラツキが生じやすいという問題もあ
った。
電流で動作電圧が２倍となり、発振出力が３〜４倍とな
る。そこで従来では、第４図に示すような個々のチップ
を積み重ねて直列動作を行わせていたが、個々のチップ
の特性（動作層３の仕様等）が異なると、必ずしも発振
出力の上昇を実現することができず、また組立のための
工数もかかかり、バラツキが生じやすいという問題もあ
った。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的は上記した問題を生じることなく直列動作できる
ようにしたガンダイオードを提供することである。
の目的は上記した問題を生じることなく直列動作できる
ようにしたガンダイオードを提供することである。
このために本発明は、動作層と、該動作層より不純物濃
度の高い低抵抗層とを交互に複数回成長したエピタキシ
ャル成長層を有するように構成した。
度の高い低抵抗層とを交互に複数回成長したエピタキシ
ャル成長層を有するように構成した。
以下、本発明の実施例について説明する。第１図はその
一実施例のガンダイオードの製法を示す図である０本実
施例では、基板１の上に第３図や第４図で説明したよう
なＮ゛バフフ１層２動作層３を形成し、更にその動作層
３の上面にＮ゛中間層（不純物濃度がｌ ｘ ｌ Ｑ
ｌ ＠ａｌ−２程度と動作層３より高く、厚さが３μｍ
程度）１０を形成し、その上面に動作層１１を形成して
、その動作層１１の上面にＮ゛コンタクト層不純物濃度
が１×１０′＠０１− ’程度、厚さ３μｍ程度）４を
形成し、その上にオーミック電極５を形成した。なお、
裏面にもオーミック電極６を形成している。つまり、本
実施例では動作層と、その動作層より不純物濃度の高い
低抵抗層とを交互に２回エピタキシャル成長により形成
し、２段の直列構造とした。
一実施例のガンダイオードの製法を示す図である０本実
施例では、基板１の上に第３図や第４図で説明したよう
なＮ゛バフフ１層２動作層３を形成し、更にその動作層
３の上面にＮ゛中間層（不純物濃度がｌ ｘ ｌ Ｑ
ｌ ＠ａｌ−２程度と動作層３より高く、厚さが３μｍ
程度）１０を形成し、その上面に動作層１１を形成して
、その動作層１１の上面にＮ゛コンタクト層不純物濃度
が１×１０′＠０１− ’程度、厚さ３μｍ程度）４を
形成し、その上にオーミック電極５を形成した。なお、
裏面にもオーミック電極６を形成している。つまり、本
実施例では動作層と、その動作層より不純物濃度の高い
低抵抗層とを交互に２回エピタキシャル成長により形成
し、２段の直列構造とした。
よって、直列動作が可能となることはもとより、個別の
チップを組み立てる場合に比較して工数、バラツキ等の
問題も少なく、また動作層の仕様についても同様にする
ことが容易で問題はない。
チップを組み立てる場合に比較して工数、バラツキ等の
問題も少なく、また動作層の仕様についても同様にする
ことが容易で問題はない。
以上のように本発明によれば、直列動作が可能となり、
その際バラツキ、工数等の問題もなく、発振出力の増大
を図ることができる。
その際バラツキ、工数等の問題もなく、発振出力の増大
を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例のガンダイオードの断面の模
式図、第２図は１チツプ化した際の模式図、第３図は一
般的なガンダイオードの製法の説明図、第４図は従来の
１チツプのガンダイオードの断面図の模式図である。 １・・・低抵抗ＧａＡｓ単結晶基板、２・・・バッファ
層、３・・・動作層、４・・・コンタクト層、５．６・
・・オーミック金属、１０・・・中間層、１１・・・動
作層。
式図、第２図は１チツプ化した際の模式図、第３図は一
般的なガンダイオードの製法の説明図、第４図は従来の
１チツプのガンダイオードの断面図の模式図である。 １・・・低抵抗ＧａＡｓ単結晶基板、２・・・バッファ
層、３・・・動作層、４・・・コンタクト層、５．６・
・・オーミック金属、１０・・・中間層、１１・・・動
作層。
Claims (1)
- （１）、動作層と、該動作層より不純物濃度の高い低抵
抗層とを交互に複数回成長したエピタキシャル成長層を
有することを特徴とする直列動作型ガンダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325538A JPH01168081A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 直列動作型ガンダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62325538A JPH01168081A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 直列動作型ガンダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01168081A true JPH01168081A (ja) | 1989-07-03 |
Family
ID=18177999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62325538A Pending JPH01168081A (ja) | 1987-12-24 | 1987-12-24 | 直列動作型ガンダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01168081A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008046436A1 (de) * | 2008-09-09 | 2010-03-11 | Martin Langfeld | Verfahren und Vorrichtung zur Erhöhung der Auflösung gescannter Bildinformationen mit Hilfe eines Zeilensensors |
| DE102010007348A1 (de) * | 2010-02-09 | 2011-08-11 | Chromasens GmbH, 78467 | Verfahren zum Scannen eines Bildes |
| DE102010008794A1 (de) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | Burgmer, Heinrich, 51789 | Hochauflösende Bilderstellung, -verarbeitung mittels "Pixelinterner-Raster-Analyse" und extern erzeugter hochauflösender Rasterschrittweite |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929590A (ja) * | 1972-05-25 | 1974-03-16 | ||
| JPS62268171A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体機能素子 |
-
1987
- 1987-12-24 JP JP62325538A patent/JPH01168081A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4929590A (ja) * | 1972-05-25 | 1974-03-16 | ||
| JPS62268171A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Fujitsu Ltd | 半導体機能素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102008046436A1 (de) * | 2008-09-09 | 2010-03-11 | Martin Langfeld | Verfahren und Vorrichtung zur Erhöhung der Auflösung gescannter Bildinformationen mit Hilfe eines Zeilensensors |
| DE102010007348A1 (de) * | 2010-02-09 | 2011-08-11 | Chromasens GmbH, 78467 | Verfahren zum Scannen eines Bildes |
| DE102010008794A1 (de) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | Burgmer, Heinrich, 51789 | Hochauflösende Bilderstellung, -verarbeitung mittels "Pixelinterner-Raster-Analyse" und extern erzeugter hochauflösender Rasterschrittweite |
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