JPS58501343A - 電流源回路 - Google Patents

Abstract

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Description

【発明の詳細な説明】 電１ｌｌｌｌＩｉｌ路 発明の背景 １、発明の分野 この発明は電流の源を与える電気回路に関し、より特定的には集積形エミッタ帖 合論Ｍ　（ＥＣＬ）回路に用いられる電圧レギュレータのための電流ｌＩ＠路に 関する。

２、先行技術 成る種の電気回路は、適当な動作のために電流源を必要とする。集積回路の技術 において、電流源は、一端に電圧源を持ち１端に出力端子を持つ簡単な抵抗から 構成される電圧源における変動などによる出力電流の変化の四層を避けるために 、より精巧な回路がトランジスタなどの能動素子を用いて設計されてきた。トラ ンジスタを用いるときに極性の混ざった、すなわちＮＰＮトランジスタおよびＰ ＮＰトランジスタの両方を用いる設計がしばしば行なわれるこのことは、両極性 のトランジスタを１つのサブストレートに形成するのに余計な処理ステップが必 要であることが多いので、集積回路処理の見地から好ましいものではないさらに 、特定の処理の制約で、そのような設計はときとして不可能である。そのような 単純な電流源が、ＥＣＬ回路の電流発生器に電圧を供給する電源電圧レギュレー タに用いられるとき、他の日照が発生する。電流源は、集積回路処理において特 性を変化しながら、ＥＣＬ回路の電流発生器に電圧を供給する電源電圧レギュレ ータに用いられる。

電圧源における変化はまた、ＥＣＬ回路の応答に好ましくない影響を与える。

発明の概要 この発明は、すべてのこれらの問題を解決し、または実質的に緩和することに向 けられている。

この発明の目的は、正確な電流源を提供することである。

この発明の他の目的は、一方の極性のトランジスタのみが用いられるように、集 積回路技術に合った電流源を提供することである。

この発明のさらに他の目的は、ＥＣＬ回路のための電圧源に用いられて、論１１ 回路の出力電圧の正確な決定をすることができる電流源を提供することである。

この発明のさらに他の目的は、ＥＣＬ回路のための電圧レギュレータに用いられ て、電源電圧または処理パラメータにおける変動にもかかわらず極小のＥＣＬ出 力の変化を可能とする電流源を提供することである。

この発明による電流ｉ［回路は、第１の電圧源端子と出力節点との間に接続され る第１の抵抗手段と、出力節点の電圧に比例する第１の電流を発生する手段と、 第１の電流発生手段と第１の電圧源端子との間に接続される第２の抵抗手段と、 第２の抵抗手段にかかる電圧を周定する第２の抵抗手段を流れる第１の電流と、 第２の抵抗手段にかかる電圧に比例する第２の電流を発生する手段と、出力節点 と第２の電圧端子との隣に接続されて第２の電流と等しい第３の電流を発生する 手段とを備え、第３の電流は出力節点からの出力電流のフィードバックｍ１ＩＩ を与える。

第２の電流発生手段は、さらに、第３の抵抗手段と、第１の電圧源端子と第３の 抵抗手段との間にエミッタ・コレクタ電ａｉｍ路を形ａする第１のトランジスタ と、第２の抵抗素子と第１の電流発生手段との闇の節点に接続される第１のトラ ンジスタのベース電極と、第３の抵抗素子と第２の電圧源端子との闇に接続され る順バイアスダイオード電圧変位手段とを備える。

図面の簡単な説明 ここに説明する発明の理解は、以下の図面を参照することによって容易となろう 。

第１図は、この発明の一実施例の回路図である。

第２図は、この発明の他の実施例の回路図である。

第３図は、ＥＣＬ回路に対する電圧供給源として先行技術において用いられた電 圧レギュレータの一般的な概略回路図である。

第４図は、ＥＣＬ回路に対して先行技術において用いられた電圧レギュレータの 特定的な回路図である。

第５図は、ＥＣＬ回路の一例である。

発明の詳細な説明 この発明の詳細な説明において、回路解析においては、トラジスタのベース電流 はトランジスタのエミッタおよびコレクタ電流と比較して小さり、シたがってベ ース電流は無視して考察されるということ、および、すべての電流はトランジス タのエミッタおよびコレクタを通って流れるということ、が共通に仮定される。

このことは、β、すなわちトランジスタの電流利得が大きいという仮定、および 、トランジスタのエミッタ電流に対するコレクタ電流の割合または共通のベース 電流利得がほぼ単一であるという仮定と、矛盾しない。トランジスタのベース電 流が重要であるところでは、それは特に注意されかつ説明される。

第１図は、この発明による基本的な電流源回路の回路図である。電−・圧源端子 １７は、電圧Ｖｃｃで正の電圧源と接続される。抵抗素子１１は、端子１７と出 力端子１５との闇に、回路節点１０（よって接続される。回路節点１０は、トラ ンジスタＱ２のベース電極と接続され、トランジスタＱ２のエミッタ電極は、抵 抗素子１３を通じて接地される。

したがって、端子１５の出力電圧Ｖｏは、抵抗素子１３を流れる電流を発生する 。抵抗素子１３を流れる電流ＩＩ６はまた、抵抗素子１２を通って流れなければ ならない。抵抗素子１２は、トランジスタＱ２のコレクタ電極と電圧供給源端子 １７との闇に接続される。抵抗素子１２の両端に発生される電圧は、したがって 、出力電圧Ｖｏによって決定される。トランジスタＱ３のベース電極は、抵抗素 子１２と１−ランジスタＱ２のコレクタ電極との園に接続され、抵抗素子１２に かかる電圧に応答する。トランジスタＱ３のベース電極は、次式の電圧を受ける 。

Ｖｃ　ｃ−Ｉ＋　ｅ　Ｒ＋　ｚ −Ｖ−ｃ　（（Ｖｏ　−Ｖａ　ｔ　）／Ｒ５−）Ｒ＋　ｚここでＶａｇは、能動 モードにおけるトランジスタのベース・エミッタ電圧降下、またはこれと等しい 順バイアスされたダイオードの電圧降下であり、Ｒ＋　２１　Ｒ＋　ａはそれぞ れ抵抗素子１２．１３の抵抗値である。

トランジスタＱ３のコレクタ電極は、電圧源端子１７と接続される。またそのエ ミッタ電極は、抵抗素子１４およびトランジスタＱ４を介して接地される。ダイ オード接続モードにされたトランジスタＱ４は、互いに接続されたベースみよび コレクタ電極を持ち、そのエミッタ電極は接地される。そのベースおよびコレク タ電極はまた、抵抗素子１４と接続される。したがって、抵抗素子１４を流れる 電流は、トランジスタＱ３のベース電極の電圧によって決定ここで１１４は、抵 抗素子１４を流れる電流であり、また２Ｖａｉは、トランジスタＱ３およびＱ４ のベース・エミッタ電圧降下を表わす。

トランジスタＱ４のベースみよびコレクタ電極は、トランジスタＱ１のベース電 極と接続され、トランジスタＱ１はトランジスタＱ４のカレントミラーを形成す る。大きさＩＯ２の電流がトランジスタＱ４を通って流れるとき、大きさＩｏ＋ の電流が、トランジスタＱ１を通って流れなければならない。

節点１０からの回路に対する出力電流は、したがって、抵抗索子１１のすぐそば の矢印によって示される抵抗素子１１を流れる電ａｉｒ、、よりも、トランジス タＱ１を流れる電’Ｉｔ　Ｉ　＋　４だけ小さい。この差は、出力電流１ｏであ る。

トランジスタＱ１のコレクタ・エミッタ電流経路を流れる電流は、出力電圧Ｖｏ によって最終的に決定されるので、出力電流１ｏはフィードバック制御される。

１ｏ−１＋＋　１１４ Ｒ１１Ｒ＋４ 供給電圧Ｖｃｃおよび出力電圧Ｖｏと無関係の出力電流を作るために、抵抗素子 １１および１４の抵抗値Ｒｊ＋およびＲＩ４は互いに等しく形成され、また抵抗 素子１２および１３の抵抗値ＲＩ２およびＲ＋ｅは互いに等しく形成される。し たがって出力電流は次式のようになる。

！’ｏ　＝　Ｖａ　ｔ　／　ＲＩ　４ この回路は、集積四路製造技術に向いている。出力電流Ｉｏが成る抵抗に反比例 する園、そのｌｌ流は、電流源とともに集積回路の一部である他の回路における 電圧を発生するために用いられる。

レギュレータの出力電圧Ｖｃｓは、順バイアスされたダイオードの電圧降下、ト ランジスタＱｌｌのベース・エミッタ接合電圧、および抵抗素子２１の両端に発 生される電圧に等しい。この電圧は、ブロック３０で示されたｌＩＪ回路によっ て発生される、予め定められる基準’Ｉｌｌ’ａ　Ｉ　ｔ　ｅ　ｒによってセッ トされる。トランジスタＱｌｌに対する電流は、端子１７での正の電源電圧Ｖｃ ｃと、節点２６での電圧レギュレータ回路との間に接続された、電！１１１１１ ２０によって供給される。トランジスタＱ＋ｚのエミッタ電極は、回路の出力端 子と接続され、またそのベース電極は節点２６と接続される。トランジスタＱ１ ２のコレクタ電極は、電圧供給源と接続される。

上述したように、単なる抵抗が電１１１２０に対してしばしば用いられる。電圧 源■。。における変動と無関係であるような、良好な動作特性が必要とされる場 合には、トランジスタが用いられる。しかし、これらのトランジスタは両極性の タイプのものであり、回路が集積回路の状態に形成されるときにはさらに他の処 理ステップを必要とする。

この発明が電流１１２０に対して用いられると、電圧レギりでなく、ＥＣＬ回路 出力電圧は正確な決定に従うようになる。

ＩＩＪｌｌＩ的には、電圧レギュレータは、ＥＣＬ回路に対して出力電圧■ｃ、 を与える。しかし、出力電圧の正確な計算のため、トランジスタＱ１１のベース 電流が考慮されねばならない。第３図において、ベース電流は、節点２５からト ランジスタＱ１１のベース電極への付加的なｔ４’１ｌｌＬｔＡＩＸとして境わ れる。この付加的な電流ＩＬｅＡＫを考慮せずに、レギュレータ回路に対する出 力電圧は、次式で表わされる。

Ｖｃｓ−１ｔｅｒＲｚ＋＋Ｖａｉ ここでＴｔＭＦＲ２＋は抵抗素子２１にかかる電圧であ°　リ、またＶａａはト ランジスタＱｌ＋のベース・エミッタ電圧である。レギュレータ出力電圧は、次 式のように修正されねばならない。

Ｖｃｓ＝ＩｉｅｒＲｚ＋＋■ＩＬＩ！ＡＫ　Ｒ２＋　＋Ｖａｅ（１） ここで、−は、ｒＬε８Ｋを考慮した場合に、その影響を高めるフィードバック 係数である。Ｉ　Ｌ　巳Ａ　Ｋは、抵抗素子２１にかかる電圧を増加し、節点２ ４の電圧を増加する。

次にこれによって’ＩＩＨ１１１ｍｔｒが増大され、電流Ｉ、！「はＩＬＩ！Ａ にを増大する。抵抗索子２１にかかる電圧はさらに増大され、そしてこれが続く 。計算によって、−が、トランジスタの種々のパラメータおよび副回路ブロック ３０の特定の形状に依存して、集積回路ＮＰＮトランジスタに対し１．０〜１． ３に変化するということがわかる。

第２図に示されるような電流源が電流ｌ１１２０として用いられると、電圧レギ ュレータに接続されるＥＣＬ回路の出力電圧は正確に決定され得る。電流源の出 力電圧Ｖａは電圧レギュレータの出力電圧■。、を追跡し、電流源の出力１１ｆ 　ＭＥ　Ｉ　ｏはＥＣＬ回路を流れる電流を追跡する。レギュレータ出力電圧は 、電流源の出力電圧の出力電圧以下の１つのダイオードの電圧降下である。

Ｖｃ　ｓ　＝　Ｖｏ　Ｖａ　Ｉ！ また電圧レギュレータに供給される電流は次式のとおりである。

ｉｏ　＝　（Ｖｃ　ｓ　Ｖａ　ｌり　・１／Ｒここで１／Ｒ−１／Ｒ，、・（Ｒ ＋　２　／Ｒ１８−１）ＩＬ　ｅ　Ａ　ＫはトランジスタＱ１１のベース電流で あるので、ＩＬ　ｌ！　Ａにはβによってそのトランジスタのコレクタ電流１ｏ と関連づけられる。

β　ＩＬＥＡｘ＝ｌｏ−（Ｖｃｓ　Ｖｌｌｚ＞１／Ｒこの関係を上記のレギュレ ータ出力電圧の式（１）に代入して次式を得る。

Ｖｃ　ｓ　＝Ｌｅｒ　Ｒｚ　＋　＋ｓ／β”（Ｖｃｓ　Ｖａｅ）−Ｒｚ　、／Ｒ ＋Ｖａ　ａ 代数的処理によって、次式となる。

−１よ　ξ　「　Ｒ２。

式は次の２項定理の近似を用いており、（１−１／Ｘ）’−１−ｎ／Ｘ ここでＸは１以上の数であり、またβについては、恒等式０式％（１） により、また再び２項定理の近似 （１−１／β）σα をバイポーラトランジスタに対して用い処理することによまたは 電圧レギュレータは６０１回路と接続され、６０１回路の例が第５図に示されて いる。この回路は、２人力ＯＲゲートである。スイッチングトランジスタＱ３０ およびＱ３１のエミッタは、対向するスイッチングトランジスタＱ３７のエミッ タと接続され、スイッチングトランジスタＱ３７のベースは基準電圧Ｖａａと接 続される。この電圧は入力信号の論理電圧の揺れの中間あたりで固定され、入力 信号は入力端子３８および３９を介して受けられる。トランジスタＱ３０．Ｑ３ １のうちの１つをスイッチオンするように入力信号の少なくとも１つが「ハイ」 またはＶｔｔｒ以上でなければ、トランジスタＱ３７はターンオンする。

トランジスタＱ３２および抵抗素子３３によって発生される電流の経路は、トラ ンジスタＱ３０．Ｑ３１およびＱ３７の状態によって決定される。トランジスタ Ｑ３０．Ｑ３１のうちの１つまたは両方がスイッチオンされると、小電流がトラ ンジスタＱ３７および抵抗負荷素子３４を流れる。出力信＠ｖＯυ丁は、およそ Ｖｃｒ、の「ハイ」出力信号に上昇する。肉入力信号が「ロー」であるときは、 電流はトランジスタＱ３７および抵抗素子３４を流れ、出力信号Ｖｏｕｔは「ロ ー」論理レベルに降下する。この出力電圧は、Ｖｃｃから、トラジスタＱ３７の コレクタ電流によって抵抗素子３４の両端に発生される電圧をマイナスしたもの である。

電圧レギュレータの第３図に示されたレギュレータ出力端子２７は、トランジス タＱ３２のベース端子に接続され、トランジスタＱ３２＃よび抵抗素子３３によ って作られる電流発生器を駆動するために必要な電圧Ｖｃｓを供給する５トラン ジスタＱ３２のエミッタを流れる電流は（Ｖｃｓ−Ｖａｔ）／Ｒ−、であり、こ こでＲｏ。は抵抗素子３３の抵抗値テアル。（Ｖｃ　５−Ｖａ　Ｉり　ハ、電ａ ｌｌから電ＪＥＬ／ギュレータに供給される電流１ｏに対し同一であるというこ とに注意されたい。この２つの電流は、互いに追随する。

このエミッタ電流の強度はトランジスタＱ３２のコレクタを通ってαによって減 少され、任意のスイッチングトランジスタＱ３０．Ｑ３１およびＱ３７のコレク タを流れる電流はざらにαによって減少される。

６０１回路の出力電圧における電圧の励振は、抵抗素子３４にかかる電圧、また は、α２によって減少されたトランジスタＱ３２のエミッタ電流掛ける抵抗索子 ３４抵抗値（（Ｖｃ　＝　−Ｖａ　ｔ：　）／Ｒ−−）α２Ｒ０４である。（Ｖ ｃｇ　Ｖａａ）として上に導出された式（２）を整数に、ここでは２にセットす ることよって、αへの依存が消去される。これは、好ましい結果である。集積回 路の製造において、複トランジスタ集積化された半導体装置におけるαのおよそ のマツチングは可能であるが、しかし要求されるαの正確な設定は、この発明な しでは困難である。

６０１回路の電流発生器のための電圧レギュレータに電流を供給するこの発明に よって、ＥＣＬ出力電圧および出力電圧動揺の正確な決定が、マツチング抵抗値 によって達成される。第５図のＯＲゲートは単に６０１回路の一例であり、この 発明はすべての６０１回路に適用されるという事実に注意されたい、もし６０１ 回路が２段のスイッチングトランジスタ、またはこれと同等のＮＡＮＤまたはＡ ＮＤ回路に見られるような２つの入力信号レベルを持つならば、論理出力電圧は α８依存性を持つ。−Ｒ２＋／Ｒ＝３と置くことにより、α依存性が潤える。

この発明の応用が、第３図にブロック化されかつ６０１回路に対して共通に用い られるタイプの、（第４図における）特定、の電圧レギュレータに関して示され る。第３図に一般化された回路におけるのと問様の要素が第４図において境われ るときには、周一の参照数字が用いられる。回路における基準’Ｉｌ’ｌ＆Ｉ＊ Ｉ！ｒは、トランジスタＱ１３およびＱ１５のベース・エミッタ接合電圧におけ る差によってセットされる。

抵抗素子２２にかかる電圧は、次式で表わされる。

Ｖ２２−Ｖｌｌｌ！ＩＩ　Ｖａｉ＋ｓ ここでｖ８巳１．およびＶ［１ｅ＋ｅはトランジスタＱ１３およびＱ１５のベー ス・エミッタ接合１圧であり、また■２□は抵抗索子２２にかかる電圧である。

周知のように、トランジスタのベース・エミッタ接合電圧は、１度および接合を 流れる電流の電５１！１［の関数として書かれることができる。したがって上の 式は、次式のようになる。

■２　□　−Ｖ丁　見ｎ　（ｔＪ＋　ｉ　／Ｊｓ　）ＶＴ　ｉｎ　（Ｊ＋　ｓ　 ／　Ｊｓ　）−ＶＴ　ｊＬｎ　（Ｊ＋　ｍ　／Ｊ＋　＊　＞ここで、Ｊ、は、集 積口路ＮＰＮトランジスタに対する飽和電流密度である。

各々のＶａｇ電圧における抵抗の項により与えられる電圧が動作電流ＷＨ度で無 視し得るという合理的な仮定により、ここでＶＴはｋ　Ｔ／ｑであり、ｋはボル ツマン定数であり、■はカ氏絶対温度であり、ｑは電子の電荷の大きさであり、 Ｊ’ｓはトランジスタＱ１５のｉ！電流密度あり、Ｊ、。はトランジスタＱ１３ の電流密度である。

抵抗値Ｒ２２を持つ抵抗素子２２を流れる電流は、次式％式％ ） この回路の一実施例において、トランジスタＱ１３のベース・エミッタ接合領域 をトランジスタＱ１５のベース・エミッタ接合領域の４倍の大きさとし、トラン ジスタＱ１３を流れる電流の４倍の電流をトランジスタＱ１５に流すことによっ て、１６のｍ流密度率が用いられる。抵抗２２に流れる電流は、以下のようにな る。

Ｉｚ　ｚ　＝　１／Ｒ２ｚ　ＶＴ　ｆＬｎ　１６■えＥ「はトランジスタ０１３ コレクタを流れる電流であり、トランジスタＱ１３のエミッタ電流■２□掛ける αと等しい。

１ａｉｒ　−α　１／Ｒ２２ＶＴ　ｉｎ　１６ｆａｉｒをＥＣＬ出力ＩＩ圧ｓｍ ｉに対し導出された式（３）に代入すると、出力電圧は以下のようになる。

＝　％　Ｉ　Ｒｚ　ｔ　Ｒ＠ｓ したがって、第５図に示されたＥＣＬ＠路に対し、α依存性を消去するためには 、”　Ｒ２１／　Ｒ１は２と等しくなければならない。同様に、ｓＲｚ＋／Ｒ１ −３は、２段スイッチングトランジスタを持つＥＣＬ回路のα依存性を消す。

この発明はＮＰＮトランジスタに関し議論されてき１ζが、動作電圧などを適当 に変更してＰＮＰトランジスタで形成されてもよいということは当業者にとって 旧らかであろう。

したかつ（、この発明は好ましい実施例に関して特定的に示されかつ説明されて きたが、種々の変更がこの発明の精神から逸脱することなくなされ得るというこ とが当業者によって理解されよう。したがってこの発明は、添付の請求の範囲に よってのみ限定される発明に対し排他権が許可手続補正書く方式） Ｇη６９ 昭和５８年斗丹→号廿 特許庁長官殿 １、事件の表示 国際出願番号：　ＰＣＴ／ＬＩＳ８２１００９３８２、発明の名称 ′Ｒｎ源回路 ３、補正をする者。

事件との関係　特許出願人 任　所　アメリカ合衆国、９４０８６　カリフォルニア州、サニイベイルビイ・ オウ・ボックス・４５３．１−ンプソン・ブレイス、９０１名　称　７ドパンス ト・マイクロ・ディバイシズ・インコーホレーテッド代表者　スカライズ、ジョ ージ・エム ４、代理人 ５、補正命令の日付 ６、補正の対象 のとおり。

（２＞１１１１の出願人の国籍を記載した願書の翻訳文を別紙の通り。

（３）　ｒｓｈｅｅｔ　１　ｏｆ　２Ｊ　ｒｓｈｅｅｔ　２　ｏず　２」ならび にｒＡ１１９Ｊの記載を削除した図面の翻訳文を別紙のとおり。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．　第１の電圧供給源端子と出力節点のとの間に接続される第１の抵抗素子と 、 前記出力節点と第２の電圧供給源端子との闇にコレクタ・エミッタ電流経路を形 成する第１のトランジスタと、前記第１の電圧供給原端子に接続される第２の抵 抗素子と、前記第２の電圧供給源端子に接続される第３の抵抗素子と、前記第１ および第２の抵抗素子の闇にコレクタ・エミッタ電流経路を形成し、かつ前記出 力節点に接続されるベース電轡を有する第２のトランジスタとを有する、第１の 電流経路と、 第３の抵抗素子と、前記第１の電圧供給源と前記１１３の抵抗素子との闇にコレ クタ・エミッタ電流経路を形成し、かつ前記第２のトランジスタのコレクタ電極 と接続されるベース電極を有する第３のトランジスタと、前記第３の抵抗素子と 前記第２の電圧供給源端子との間にコレクタ・エミッタ電流経路を形成し、かつ 前記第１のトランジスタのベース電極に接続されるベース端子を有するダイオー ド接続された第４のトランジスタとを有する、第２の電流経路とを備える、電流 源回路。 ２、　前記トランジスタのすべては、ＮＰＮ極性のタイプのものである、請求の 範囲第１項記載の電流源回路。 ３、　前記第２のトランジスタと前記第２の電圧供給源端子との闇に前記第３の 抵抗素子と並列に接続される、順バイアスされたダイオード電圧変位手段をさら に備える、請求の範囲第２項記載の電流源回路。 ４、　第１の電圧源端子と出力節点との閤に接続される第１の抵抗素子と、 前記出力節点での電圧に比例する第１の電流を発生する手段と、 前記第１の電流発生手段と前記第１の電圧供給源端子との閤に接続される第２の 抵抗素子とを備え、前記第２の抵抗素子を流れる前記第１の電流は、前記第２の 抵抗素子にかかる電圧を規定し、 前記電圧に応答して前記電圧に比例する＠２の電流を発生する手段と、 前記出力節点と１１２の電圧供１源端子との闇に接続されて、前記第２のｉｓ＋ ｍと等しい第３の電流を発生する手段とをさらに備え、 前記１３の電流は、前記出力節点からの出力電流のフィードバックｔｓｍを与え る、電流源回路。 ５、　前記１２の１！流発生手段は、 第３の抵抗索子ど、 前記第１の電圧供給原端子とｉｋｒ記第３の抵抗素子との間にエミッタ・コレク タ′２１流経路を形成する第１のトランジスタとをさらに備え、 前ａａｌｌのトランジスタのベース１１極は、前記第２の抵抗索子と前記Ｍ１の ′Ｒ電流発生手段の園の節点に接続され、前記第３の抵抗素子と前記第２の電圧 供給源端子との−に接続される第１の順バイアスダイオード電圧変位手段をさら に備える、請求の轄囲１４項記載の電ｒＩＩｍ１回路。 ６、　前記第３の電流発生手段は、 前記出力節点と前記第２の電圧供給源端子との−にエミッタ・コレクタ電Ｉ回路 を形成する第２のトランジスタをさらに備え、 前記第２のトランジスタのベース端子は、前記第３の抵抗素子と前記ダイオード 電圧変位手段との間に接続される、請求の範、幽第５項記載の電ｗＩ１１回路。 ７、　前記ダイオード電圧変位手段は、ダイオード接続されたトランジスタをさ らに備える、請求の範囲第６項記載の電＊ｍ回路。 ８、　前記第１の電流発生手段は、 前記第２の電圧供給源端子に接続される第４の抵抗素子と、 前記第２および第４の抵抗素子の間にエミッタ・コレクタ電流経路を形成する第 ３のトランジスタとをさらに備え、前記第３のトランジスタのベース端子は、前 記出力節点と接続される、請求の範囲第７項記載の電流源回路。 ９、　前記回路のすべてのトランジスタは、−力積性のタイプのものである、請 求の範囲第８項記載の電流源回路。 １０、　前記第１および第３の抵抗素子の抵抗値、および、前記第２および第４ の抵抗素子の抵抗値はそれぞれ等しく、それによって前記出力電流は前記出力電 圧および前記供給電圧の電圧と無関係である、請求の範囲第９項記載の電流源回 路。 １１、　前記第３のトランジスタと前記第２の電圧供給源端子との間に前記ｆｉ ｉ４４の抵抗素子と並列に接続される第２の順バイアスダ１′オード変位手段に よってざらに特徴づ（Ｊられ、 前記１１および第３の抵抗系ｆの抵抗値は等しく、それによって前記出力′４１ 流は、前記出力節点ての電圧から２つの順バイアスされたダイオード電圧変位を マイナスしたものに比例する、請求の範囲第１２項記載の電流１ｇ＠路。 １２、　第１の電圧供給源端子と出力節点との闇に接続される第１の抵抗素子と 、 前記出力節点と接続されるコレクタ電１ｊおよび前記電圧供給源端子と接続され るエミッタ電極を有する第１のＮＰＮトランジスタと、 第２の抵抗素子を介して前記第１の電圧供１＆源端子と接続されるコレクタ電極 と、第３の抵抗素子を介して前記第２の電圧供給源端子と接続されるエミッタ電 極と、１ｔＪ紀出力出力と接続されるベース電極とを有する第２のＮＰＮトラン ジスタと、 前記ｆｆ！１の電圧供給源端子と接＠される］レクタ電禰と、前記第２のトラン ジスタのコレクタ電極と接続されるベース電極とを有する第３のＮＰＮトランジ スタと、第４の抵抗素子を介して前記第３のトランジスタのエミッタ電極と接続 されるコレクタ電極と、前記第２の電圧供給源端子と接続されるエミッタ電極と 、前記コレクタ電極と接続されかつ前記第１のトランジスタのベース電極とさら に接続されるベース電極とを有する、第４のＮＰＮトランジスタとを備える電流 源回路。 １３、　前記第２のトランジスタのエミッタ電極と前記第３の抵抗素子との闇に 接続される順バイアスされたダイオード手段をさらに含む、請求の範囲第１２項 記載の電流０